JP2008016764A - 熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】良好な基板面内の温度均一性が得られるとともに、高い昇温能力を得ることができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理プレート11は、基板Wを支持して加熱処理を行う。加熱処理時には、カバー40が熱処理プレート11の上方を覆うとともに、窒素ガスの気流を基板Wの主面に流下させる。このとき、給気ポート44から吐出された窒素ガスが一旦第1整流板60によって干渉空間63内にほぼ均一に充満された後、第2整流板65の複数のパンチング穴67から基板Wに向けて均一に流下される。供給された窒素ガスは周縁の流路43から回収されて排気される。また、第2整流板65の下面および熱処理プレート11の上面に黒体化処理が施されているため、熱保持性が良好となり、昇温能力が高くなるとともに基板面内の温度均一性が向上する。
【選択図】図1
【解決手段】熱処理プレート11は、基板Wを支持して加熱処理を行う。加熱処理時には、カバー40が熱処理プレート11の上方を覆うとともに、窒素ガスの気流を基板Wの主面に流下させる。このとき、給気ポート44から吐出された窒素ガスが一旦第1整流板60によって干渉空間63内にほぼ均一に充満された後、第2整流板65の複数のパンチング穴67から基板Wに向けて均一に流下される。供給された窒素ガスは周縁の流路43から回収されて排気される。また、第2整流板65の下面および熱処理プレート11の上面に黒体化処理が施されているため、熱保持性が良好となり、昇温能力が高くなるとともに基板面内の温度均一性が向上する。
【選択図】図1
Description
本発明は、熱処理プレート上に半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、単に「基板」と称する)を支持するとともに、その上方をカバーにて覆いつつ熱処理を行う熱処理装置に関する。
半導体デバイスや液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらのうち熱処理は、例えばパターンの露光後、層間絶縁膜の材料であるSOG(Spin on glass)材の塗布後、或いはフォトレジストの塗布後に行われる処理であって、半導体製造のプロセスに必須の重要な処理工程である。
半導体ウェハ等の熱処理を行う熱処理装置としては、熱処理プレート上に基板を載置するとともに、その上方をカバーにて覆いつつ熱処理を行うタイプのものが多く使用されている(例えば、特許文献1参照)。このような熱処理装置においては、熱処理中の基板上に窒素ガス等の不活性ガスをパージするための整流板をカバーに組み込んでいるものが多い。
ところで、近年のデザインルール高精度化の進展に伴って、基板の熱処理に対する温度精度の要求も益々厳しいものとなってきている。特に、上述したフォトレジスト塗布後の加熱処理は形成されるレジスト膜の膜厚および膜質に、また化学増幅型レジストを使用した場合における露光後加熱処理はパターンの線幅に直接影響を与えるため、基板面内の温度均一性の向上が強く求められている。
また、温度均一性に対する要求と同時に、基板を投入後に所定の処理温度に基板温度が到達するまでの時間短縮も望まれている。これは、迅速に所定の処理温度にプレート温度を復帰させることは、スループットの向上に繋がるとともに、基板熱処理に対する熱処理ユニット間差を低減させることにも繋がるからである。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、良好な基板面内の温度均一性が得られるとともに、高い昇温能力を得ることができる熱処理装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、熱処理プレートの上面に基板を支持して当該基板を加熱処理する熱処理装置において、加熱処理時に前記熱処理プレートの上方を覆うカバーと、加熱処理時に前記カバーと前記熱処理プレートとによって囲まれた空間に不活性ガスを供給するガス供給手段と、前記カバーに付設され、加熱処理時に前記ガス供給手段から供給された不活性ガスが前記熱処理プレート上の基板の主面に均一な流量にて流下するように整流する整流板と、を備え、前記整流板の下面を実質的に黒色としている。
また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る熱処理装置において、前記熱処理プレートの上面を実質的に黒色としている。
請求項1の発明によれば、熱処理プレート上の基板の主面に不活性ガスを均一な流量にて流下するように整流する整流板の下面を実質的に黒色としているため、加熱処理時の基板に均一な流量にて不活性ガスを供給しつつ整流板の熱保持性を高めることができ、良好な基板面内の温度均一性を得られるとともに、高い昇温能力を得ることができる。
また、請求項2の発明によれば、熱処理プレートの上面をも実質的に黒色としているため、熱処理プレートの熱保持性を高めることができ、より良好な基板面内の温度均一性を得られるとともに、高い昇温能力を得ることができる。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図1は、本発明に係る熱処理装置の概略構成を示す側断面図である。この熱処理装置1は、いわゆるヒートパイプ構造を採用することにより、熱容量を小さくして温度応答性を高めつつ温度分布の面内均一性を高めたものであり、中空構造の熱処理プレート11を有する下部チャンバー10と、上部チャンバーとして構成されたカバー40とを備える。
熱処理プレート11は、その上面に基板Wを載置して加熱処理するためのものであり、例えば、銅(Cu)やアルミニウム(Al)等の伝熱性が良好な金属を基材とする材料によって中空円筒状に形成されている。また、熱処理プレート11の表面には、アルミナ(Al2O3)等の低伝熱部材から構成された複数個(例えば3個)のプロキシミティボール15が配設されている。これらプロキシミティボール15は、その上端が熱処理プレート11の表面より微小量だけ突出する状態にて配設されており、基板Wを熱処理プレート11のプロキシミティボール15上に支持したときには、基板Wと熱処理プレート11の表面との間にいわゆるプロキシミティギャップと称される微小間隔が形成される。
プロキシミティギャップの大きさとしては、基板Wを迅速かつ効率的に加熱するため、10μm〜500μmとすることが好ましく、10μm〜200μmとすることがより好ましい。但し、基板Wの種類や熱処理の態様によっては、このプロキシミティギャップの大きさを1000μm程度としてもよい。また、プロキシミティボール15を省略して基板Wを面接触の状態で熱処理プレート11上に載置するようにしても良い。
熱処理プレート11は内部に空洞を有する中空構造のため、昇温時に内部圧力が上昇することに対応して、縦方向の強度を補強するため複数本のリム12が形成されている。そして、熱処理プレート11の内部空間下方には作動液室13が形成されている。この作動液室13内には、作動液16(例えば、水)が貯留されるとともに、作動液16を加熱するためのヒータ17が浸漬配設されている。
熱処理装置1においては、ヒートパイプ構造が実現されている。すなわち、ヒータ17を作動させて作動液16を加熱することにより、作動液16が蒸発してその蒸気が熱処理プレート11の内部空間を移動し、熱処理プレート11の表面との間で凝縮潜熱の授受を行うことにより、熱処理プレート11を加熱する。熱処理プレート11との間で凝縮潜熱の授受を実行した作動液16の蒸気は、液体の作動液16に戻って作動液室13に回収される。これを繰り返すことによって、熱処理プレート11は、その表面の温度分布が均一となるように加熱される。
熱処理装置1における冷却構造としての冷却管19は、熱処理プレート11の内部空間のほぼ全域に配設されている。冷却管19は、熱伝導性の材料(たとえば金属や合金)で形成されており、略水平にかつ熱処理プレート11表面のほぼ全域に対向するように配設されている。
冷却管19の一端は、供給配管22を介して冷却媒体供給源25と接続されている。供給配管22の経路途中には開閉弁26が介挿されている。また、冷却管19の他端は図示しないドレインと接続されている。したがって、冷却媒体供給源25から供給される冷却媒体は、開閉弁26を開放することにより供給配管22を介して冷却管19に供給され、冷却管19を介して載置プレート11の内部空間と熱交換を行った後、図示しないドレインへと排出される。これにより、作動液室13から蒸発した作動液16の蒸気は冷却管19によって冷却されることともなる。本実施形態の熱処理装置1においては、ヒータ17の発熱量および冷却管19への冷媒供給量を調整することによって熱処理プレート11の加熱・冷却を制御している。
一方、カバー40は、基板Wの加熱処理時に熱処理プレート11の上方を覆うことによって、加熱効率を高めるとともに、塗布液等からの揮発物(或いは昇華物)が装置外部に拡散するのを防止するものである。カバー40は、下部を開放した円筒形状を有しており、外郭部41と内壁部42とを重ね合わせた二重構造を有する。また、カバー40は、内壁部42の内側にさらに2つの整流板から構成される整流機構を備えている。また、カバー40を熱処理プレート11に対して昇降させるための昇降機構(図示省略)も設けられている。
カバー40の外郭部41の中央部上側には給排気ブロック45が固設されている。給排気ブロック45は、排気管46を介して排気部47と連通接続されている。排気管46には、排気弁48が介挿されている。排気部47としては、例えば、装置内部に排気ポンプを設けるようにしても良いし、装置外部の工場排気ユーティリティを使用するようにしても良い。
また、カバー40の二重構造においては、外郭部41と内壁部42との間に隙間が形成されており、その隙間がガス流路43として機能する。ガス流路43の一端は円環形状の開口として熱処理プレート11の周辺部に対向しており、他端は給排気ブロック45に連通している。従って、排気弁48を開放することによって、ガス流路43を介して熱処理プレート11の周辺部に負圧を作用させることができ、カバー40と熱処理プレート11とによって囲まれる熱処理空間から雰囲気を排気することができる。
また、給排気ブロック45の内部には給気ポート44が設けられている。給気ポート44の先端部は、カバー40の円筒中心部に円筒軸方向に沿って設けられており、その気体吐出方向が鉛直方向下向きとなるように構成されている。給気ポート44の基端部は、給気管49を介してガス供給源50と連通接続されている。給気管49には給気弁51が介挿されている。ガス供給源50は、種々の処理ガス(例えば、窒素(N2)ガスやヘリウム(He)ガス、アルゴン(Ar)ガス等の不活性ガス、あるいは、酸素(02)ガス等)を供給することが可能であり、本実施形態では窒素ガスを供給する。
内壁部42の内側には整流機構として第1整流板60と第2整流板65とが設けられている。図2は、カバー40の上面から見た平面図である。なお、同図においては、便宜上給排気ブロック45およびそれに連なる排気管46、給気管49を省略している。第1整流板60は平坦な円板である。本実施形態の熱処理装置1は基板Wとしてφ300mmの半導体ウェハの熱処理を行うものであり、第1整流板60の径は約40mmとすれば良い。また、本実施形態では、第1整流板60は、例えば4本のボス61によって内壁部42の内側天井部の中央部分に留められている。第1整流板60は、その中心部が給気ポート44の吐出口と対向する位置に留められることとなる。なお、ボス61は外郭部41および内壁部42の双方を貫通するものであっても良いし、内壁部42に対してのみ第1整流板60を留めるものであっても良い。
一方、第2整流板65も平坦な円板である。本実施形態においては、薄い円筒状部材を複数のボス66によって内壁部42内側に固設しており、その円筒状部材の底面が第2整流板65として機能する。当該円筒状部材と内壁部42とによって囲まれる空間が干渉空間63となり、第1整流板60は干渉空間63内に位置することとなる。本実施形態では、第2整流板65の径は約320mmとしている。
ここで、第1整流板60はパンチング穴が全く形成されていない平板であるのに対して、第2整流板65には多数のパンチング穴が穿設されている。図3は、第2整流板65の平面図である。本実施形態においては、穴径1mmのパンチング穴67が396個穿設されている。複数のパンチング穴67は、単位面積当たりの穴数(つまり、穴密度)が第2整流板65の面内においてほぼ均一となるように設けられている。
給気弁51を開放してガス供給源50から給気ポート44に窒素ガスを送給すると、その窒素ガスは給気ポート44の先端開口部からカバー40の内側に吐出される。このときに、給気ポート44の先端部がカバー40の円筒中心部に円筒軸方向に沿って設けられているため、窒素ガスはカバー40の内側中心部にて鉛直方向下向きに吐出される。そして、第1整流板60が内壁部42の内側天井部の中央部分に留められているため、給気ポート44から鉛直方向下向きに吐出された窒素ガスは第1整流板60の中心部に衝突して第1整流板60の径方向に沿った水平方向への流れへと向きを変えられ、第1整流板60の周辺からほぼ均等に流れ出ることとなる。第1整流板60から流れ出た窒素ガスは、干渉空間63内にほぼ均一に充満し、第2整流板65の多数のパンチング穴67から熱処理プレート11に向けて流れ出ることとなる。
本実施形態においては、給気ポート44から吐出された窒素ガスが一旦第1整流板60に当てられて干渉空間63内にほぼ均一に充満するように構成されているため、第2整流板65の複数のパンチング穴67から熱処理プレート11に向けて均一な流量にて流れ出ることとなる。その結果、加熱処理時には、基板Wの主面面内において均一となる流量の窒素ガス流が供給されることとなる。
また、本実施形態の熱処理装置1においては、図4に示すように、第2整流板65の下面および熱処理プレート11の上面に黒体化処理が施されている。黒体化処理の手法としては、第2整流板65がアルミニウム製であるため、例えばアルマイト処理(陽極酸化処理)によって第2整流板65の下面に黒アルマイトを形成するようにすればよい。また、第2整流板65の材質によっては(例えば、ステンレスの場合)、デフリックコーティング(固体潤滑皮膜のコーティング)によって第2整流板65の下面を黒体化するようにしても良い。
一方、熱処理プレート11の上面については、本実施形態では黒体塗料を塗布することによって黒体化処理されている。また、熱処理プレート11の上面に黒クロムメッキを施すことによって黒体化処理を行うようにしても良い。いずれの手法によっても、図4に示すように、第2整流板65の下面および熱処理プレート11の上面の全面が黒色とされる。
本実施形態の熱処理装置1において基板Wの加熱処理を行うときには、熱処理プレート11の上面に基板Wを支持するとともに、カバー40を下降させて第2整流板65を基板Wに近接させる。このときには、カバー40と熱処理プレート11とによって囲まれる空間が実質的に密閉空間となる。そして、給気ポート44から窒素ガスを供給してカバー40と熱処理プレート11とによって囲まれる密閉空間に窒素ガスを供給するとともに、ガス流路43からの排気を行う。このときには、上述のように、給気ポート44から吐出された窒素ガスが一旦第1整流板60に当てられて干渉空間63内にほぼ均一に充満されるため、第2整流板65の複数のパンチング穴67から基板Wに向けて面内の流量均一性の高い窒素ガス流が流下される。供給された窒素ガス流は基板Wの表面に沿って周縁部方向に流れ、ガス流路43から回収されて排気される。このような窒素ガス流が形成された状態にて、熱処理プレート11を所定温度まで昇温して基板Wを加熱する。
ここで、本実施形態では、第2整流板65の下面および熱処理プレート11の上面に黒体化処理が施されている。黒体化処理とは、反射率を低くして熱吸収率を高める処理である。従って、従来の白アルマイトや硬質アルマイトが形成されたもの(表面色は白色或いは銀色)と比較して熱処理プレート11および第2整流板65の熱保持性が良好となり、それらからの輻射熱によって基板Wの面内における温度のバラツキが安定して小さくなり、基板面内の温度均一性が向上することとなる。
また、例えば処理後の基板Wを取り出すときにはカバー40を上昇させるので熱処理プレート11および第2整流板65の温度が低下することとなるが、それらの熱保持性が良好であるため、温度低下は最小限に抑制され、次の基板Wを加熱するときには熱処理プレート11および第2整流板65の温度が迅速に処理温度に回復する。このため、高い昇温能力を得ることができ、基板Wの加熱時間を短縮することができる。
また、本実施形態では、熱処理中に第2整流板65の複数のパンチング穴67から基板Wに向けて面内流量均一性の高い窒素ガス流が供給されており、これによっても基板W面内の温度均一性が向上することとなる。基板Wの主面に均一な流量にて窒素ガス流を流下させるとともに、第2整流板65の下面および熱処理プレート11の上面を黒体化処理することにより、これらが協働して基板W面内の温度均一性の向上に寄与することとなる。
露光後の基板Wの面内温度均一性が向上すれば、パターンの線幅が均一となる。また、フォトレジスト塗布後の基板Wの面内温度均一性が向上すれば、形成されたレジスト膜の膜厚および膜質が均一となる。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、第2整流板65の下面に対して、熱処理プレート11と同様に、黒体塗料を塗布するようにしても良いし、黒クロムメッキを施すようにしても良い。逆に、熱処理プレート11の材質がアルミニウムであれば、その上面にアルマイト処理によって黒アルマイトを形成するようにしても良い。要するに、第2整流板65の下面および熱処理プレート11の上面を実質的に黒色とすることができる黒体化処理であれば公知の種々の技術を採用することが可能である。ここで、「実質的に黒色」とは、黒色に近い灰色をも含むものである。
また、上記実施形態においては、第2整流板65の下面および熱処理プレート11の上面の双方に黒体化処理を施していたが、第2整流板65の下面のみに黒体化処理を行うようにしても良い。このようにしても、上記と同様の効果は得られるが、第2整流板65の下面および熱処理プレート11の上面の双方に黒体化処理を施した方がより確実に良好な基板面内の温度均一性が得られるとともに、高い昇温能力を得ることができる。
また、上記実施形態においては、第1整流板60にはパンチング穴を形成していなかったが、第1整流板60にも第2整流板65と同様の穴径1mm程度の複数のパンチング孔を穿設するようにしても良い。
また、上記実施形態においては、熱処理装置1をヒートパイプ構造を有するものとしていたが、これに限定されるものではなく、例えば熱処理装置1の熱処理プレート11が抵抗発熱体によって基板Wを加熱するタイプであっても本発明に係る技術を適用することができる。
また、供給する不活性ガスとしては、窒素ガスに限らず、アルゴンやヘリウム等の他の不活性ガスを供給するようにしてもよい。もっとも、コストの観点からは、窒素ガスを使用するのが好ましい。
また、本発明に係る熱処理装置によって加熱対象となる基板は半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶ガラス基板であっても良い。
1 熱処理装置
11 熱処理プレート
40 カバー
44 給気ポート
45 給排気ブロック
60 第1整流板
65 第2整流板
W 基板
11 熱処理プレート
40 カバー
44 給気ポート
45 給排気ブロック
60 第1整流板
65 第2整流板
W 基板
Claims (2)
- 熱処理プレートの上面に基板を支持して当該基板を加熱処理する熱処理装置であって、
加熱処理時に前記熱処理プレートの上方を覆うカバーと、
加熱処理時に前記カバーと前記熱処理プレートとによって囲まれた空間に不活性ガスを供給するガス供給手段と、
前記カバーに付設され、加熱処理時に前記ガス供給手段から供給された不活性ガスが前記熱処理プレート上の基板の主面に均一な流量にて流下するように整流する整流板と、
を備え、
前記整流板の下面を実質的に黒色とすることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記熱処理プレートの上面を実質的に黒色とすることを特徴とする熱処理装置。
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JP2006189157A JP2008016764A (ja) | 2006-07-10 | 2006-07-10 | 熱処理装置 |
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JP2006189157A JP2008016764A (ja) | 2006-07-10 | 2006-07-10 | 熱処理装置 |
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
JP2010135569A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板加熱装置及び基板加熱方法 |
WO2010089936A1 (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-12 | シャープ株式会社 | インク乾燥装置 |
US7980003B2 (en) * | 2006-01-25 | 2011-07-19 | Tokyo Electron Limited | Heat processing apparatus and heat processing method |
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2006
- 2006-07-10 JP JP2006189157A patent/JP2008016764A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7980003B2 (en) * | 2006-01-25 | 2011-07-19 | Tokyo Electron Limited | Heat processing apparatus and heat processing method |
US8782918B2 (en) | 2006-01-25 | 2014-07-22 | Tokyo Electron Limited | Heat processing apparatus and heat processing method |
JP2010135569A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板加熱装置及び基板加熱方法 |
WO2010089936A1 (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-12 | シャープ株式会社 | インク乾燥装置 |
JPWO2010089936A1 (ja) * | 2009-02-04 | 2012-08-09 | シャープ株式会社 | インク乾燥装置 |
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