JP2008016336A - 有機半導体装置の製造方法、有機半導体装置、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス装置 - Google Patents

Abstract

【課題】有機半導体層を構成する材料の幅を広くすることの可能な有機半導体装置の製造方法、有機半導体装置、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス装置を提供すること。
【解決手段】基板上に蒸着法によって有機膜を形成し当該有機膜を有機溶媒に溶解しないように変質させて正孔注入層を形成し、この正孔注入層上に当該有機溶媒を用いたインクジェット法によって発光層を形成するので、発光層の形成時に正孔輸送層が有機溶媒に溶解するのを回避することができる。これにより、正孔輸送層の構成材料として有機溶媒に溶解しない材料の他に有機溶媒に溶解する材料をも用いることができ、材料の選択の幅が広くなる。
【選択図】図３

Description

本発明は、有機半導体装置の製造方法、有機半導体装置、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス装置に関する。

ディスプレイなどの表示装置に用いられている有機エレクトロルミネセンス装置（以下、「有機ＥＬ装置」という。）は、一般的に、発光性を有する発光層と正孔輸送性を有する正孔輸送層とを含んだ有機層と、この有機層を挟持する陰極及び陽極とが基板上に設けられた構成になっている。有機ＥＬ装置の発光層と正孔輸送層とは積層された構成になっている。有機ＥＬ装置は、陰極からの電子と陽極からの正孔とが発光層で結合することで発光するようになっている。

発光層、正孔輸送層の２つの有機層を形成する手法として、発光層及び正孔輸送層を構成する材料を有機溶媒に溶解又は分散させた液状組成物を作製し、この液状組成物を基板上に成膜した後、有機溶媒を蒸発させる手法（ウェットプロセス）が知られている。ウェットプロセスとして代表的なものは、例えばインクジェット法である。インクジェット法によれば、大面積の基板上にも容易に有機層を形成することが可能であるため、近年大型化しているディスプレイ用の有機ＥＬ装置などの製造において、特に期待されている。

一方で、このインクジェット法は、画素一つ一つに液状組成物を塗布する手法であるため、正孔輸送層、発光層の全ての層をインクジェット法により形成する場合、位置合わせが必要であり、層毎に異なるインクジェットのノズルヘッドが必要となるなど、プロセスが煩雑になってしまう。また、インクジェット法によって複数の有機層を積層する場合、下層の有機層を構成する材料が上層を形成する際の溶媒に溶解又は分散しないように、適切な材料を選択したり、上層の溶媒に下層が溶解・分散しないように変質させたりする必要がある。さらに、基板上の撥液性や親液性の違いにより、平坦な膜を形成するのが困難な場合がある。

これに対して、正孔輸送層を構成する材料を蒸着法によって基板上に成膜する手法（ドライプロセス）が提案されている（例えば、特許文献１参照）。ドライプロセスでは、ウェットプロセスに比べてプロセス自体が簡易であり、撥液性・親液性の違いなどの問題も無く、平坦な膜を形成するのが容易である。
特開２００５−３３９９４９号公報

しかしながら、特許文献１に記載の手法では、ドライプロセスによって正孔輸送層を形成した後、ウェットプロセスによって発光層を形成するものであるため、正孔輸送層を構成する材料が限定されてしまう。すなわち、正孔輸送層の材料として、発光層を形成する際の溶媒に溶解又は分散しない材料しか選択できないという問題がある。有機ＥＬ装置のみならず、有機膜を積層させたデバイス、例えば有機トランジスタなど、他の有機半導体装置においても同様の問題が考えられる。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、有機半導体層を構成する材料の選択の幅を広くすることの可能な有機半導体装置の製造方法、有機半導体装置、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス装置を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明に係る有機半導体装置の製造方法は、基板上に複数の有機半導体層が積層されてなる有機半導体装置の製造方法であって、前記基板上に気相法によって有機半導体膜を形成し、前記有機半導体膜を所定の溶媒に溶解しないように変質させて第１有機半導体層を形成する第１有機半導体層形成工程と、前記第１有機半導体層上に前記所定の溶媒を用いた液相法によって第２有機半導体層を形成する第２有機半導体層形成工程とを具備することを特徴とする。

本発明によれば、基板上に気相法によって有機半導体膜を形成し当該有機半導体膜を所定の溶媒に溶解しないように変質させて第１有機半導体層を形成し、この第１有機半導体層上に所定の溶媒を用いた液相法によって第２有機半導体層を形成するので、第２有機半導体層の形成時に第１有機半導体層が所定の溶媒に溶解するのを回避することができる。これにより、第１有機半導体層の構成材料として所定の溶媒に溶解しない材料の他に所定の溶媒に溶解する材料をも用いることができ、材料の選択の幅が広くなる。

本発明に係る有機半導体装置は、上記の有機半導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
本発明によれば、有機半導体装置の製造の際に有機半導体層の材料の選択の幅が広がるため、有機半導体装置の目的・用途に応じて有機半導体層の材料として所望の最適材料を選択することができる。これにより、高性能の有機半導体装置を得ることができる。

本発明に係る有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法は、少なくとも正孔輸送性を有する第１有機層と発光性を有する第２有機層とを含んだ複数の有機層と、前記複数の有機層を挟持する陰極及び陽極とを基板上に備えた有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法であって、前記基板上に気相法によって有機膜を形成し、前記有機膜を所定の溶媒に溶解しないように変質させて前記第１有機層を形成する第１有機層形成工程と、前記第１有機層上に前記所定の溶媒を用いた液相法によって前記第２有機層を形成する第２有機層形成工程とを具備することを特徴とする。

本発明によれば、基板上に気相法によって有機膜を形成し当該有機膜を所定の溶媒に溶解しないように変質させて第１有機層を形成し、この第１有機層上に所定の溶媒を用いた液相法によって第２有機層を形成するので、第２有機層の形成時に第１有機層が所定の溶媒に溶解するのを回避することができる。これにより、第１有機層の構成材料として所定の溶媒に溶解しない材料の他に所定の溶媒に溶解する材料をも用いることができ、材料の選択の幅が広くなる。

また、前記第１有機層形成工程では、キャリア輸送性を有すると共にシロキサン骨格を有する架橋性有機化合物を前記基板上に蒸着して前記有機膜を形成し、前記有機膜に含まれる前記架橋性有機化合物を熱処理によって架橋させることが好ましい。
有機膜を所定の溶媒に溶解させない方法として、有機膜に架橋性を有する有機化合物を含ませ、有機膜内で架橋反応を発生させて有機膜の構成材料の分子を架橋させる手法がある。本発明によれば、第１有機層形成工程では、キャリア輸送性を有すると共にシロキサン骨格を有する架橋性有機化合物を前記基板上に蒸着して有機膜を形成し、有機膜に含まれる架橋性有機化合物を熱処理によって架橋させることとしたので、有機膜において架橋反応を確実に発生させることができる。

また、前記第１有機層形成工程では、キャリア輸送性有機化合物と、シロキサンからなる架橋性有機化合物とを前記基板上に同時に蒸着して前記有機膜を形成し、前記有機膜に含まれる前記架橋性有機化合物を熱処理によって架橋させることが好ましい。
本発明によれば、第１有機層形成工程では、キャリア輸送性有機化合物と、シロキサンからなる架橋性有機化合物とを基板上に同時に蒸着して有機膜を形成し、有機膜に含まれる架橋性有機化合物を熱処理によって架橋させることとした。このように、キャリア輸送性有機化合物と架橋性有機化合物とが別の材料であり、これらを混合させて同時に蒸着して有機膜を形成した場合であっても、有機膜に熱処理を施すことによって有機膜内で架橋反応を発生させることができる（蒸着重合）。

また、前記第１有機層形成工程では、トリフェニルアミン誘導体及びポリチオフェン誘導体のうち少なくとも一方を含んだキャリア輸送性有機化合物と、シランカップリング化合物を含む架橋性有機化合物とを前記基板上に同時に蒸着して前記有機膜を形成し、前記有機膜に含まれる前記架橋性有機化合物を熱処理によって架橋させることが好ましい。
本発明によれば、第１有機層形成工程では、トリフェニルアミン誘導体及びポリチオフェン誘導体のうち少なくとも一方を含んだキャリア輸送性有機化合物と、シランカップリング化合物を含む架橋性有機化合物とを基板上に同時に蒸着して有機膜を形成し、有機膜に含まれる架橋性有機化合物を熱処理によって架橋させることとした。キャリア輸送性有機化合物と架橋性有機化合物とをこのように選択することで、一層効果的に架橋反応を発生させることができる。

また、前記第１有機層形成工程では、キャリア輸送性有機化合物と、二重結合基、エポキシ基及び環状エーテル基のうち少なくとも１種類を含む架橋性有機化合物とを前記基板上に同時に蒸着して前記有機膜を形成し、前記有機膜に含まれる前記架橋性有機化合物を熱処理する、前記架橋性有機化合物に紫外線を照射する、前記架橋性有機化合物に電子ビームを照射する又は前記架橋性有機化合物にプラズマを照射することによって架橋させることが好ましい。
本発明によれば、第１有機層形成工程では、キャリア輸送性有機化合物と、二重結合基、エポキシ基及び環状エーテル基のうち少なくとも１種類を含む架橋性有機化合物とを基板上に同時に蒸着して有機膜を形成し、有機膜に含まれる架橋性有機化合物を熱処理する、架橋性有機化合物に紫外線を照射する、架橋性有機化合物に電子ビームを照射する又は架橋性有機化合物にプラズマを照射することによって架橋させることとした。このように、二重結合基、エポキシ基及び環状エーテル基のうち少なくとも１種類を含む架橋性有機化合物を用いる場合、熱処理の他に紫外線の照射、電子ビームの照射及びプラズマの照射などによっても、架橋反応を発生させることができる。

本発明に係る有機エレクトロルミネセンス装置は、上記の有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
本発明によれば、有機エレクトロルミネセンス装置の製造の際に有機層の材料の選択の幅が広がるため、有機エレクトロルミネセンス装置の目的・用途に応じた有機層の材料、例えば明るい光を発光し寿命の長い材料などを選択することができる。これにより、高性能の有機エレクトロルミネセンス装置を得ることができる。

［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態を図面に基づき説明する。
（有機ＥＬ装置）
図１は、有機ＥＬ装置１の概略的な構成を示す断面図である。以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。本実施形態の有機ＥＬ装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタが設けられたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。

有機ＥＬ装置１は、素子基板２と、有機ＥＬ層３と、封止用基板４とを主体として構成されている。この有機ＥＬ装置１は、素子基板２上に有機ＥＬ層３が形成され、当該有機ＥＬ層３を覆うように封止用基板４が形成された構成になっている。封止用基板４は、例えば熱硬化型あるいは紫外線硬化型の接着剤４ａによって素子基板２に貼り合わされている。本実施形態では、有機ＥＬ層３からの光が素子基板２の方向に射出される、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を例に挙げて説明する。

素子基板２は、基板５と、表面層６と、半導体層７と、ゲート絶縁層８と、ゲート電極９と、第１絶縁層１０と、ソース電極１１と、第２絶縁層１２とを有している。
基板５は、例えばガラスや石英などの光を透過可能な材料からなる矩形の基板である。
表面層６は、基板５の表面に形成されており、例えば酸化シリコンや窒化シリコンなどからなる絶縁層である。

半導体層７は、例えばアモルファスシリコンからなる層であり、５つの領域に区分されている。半導体層７の図中左右方向の中央にはチャネル領域７ａが設けられている。チャネル領域７ａを基準としてソース側（図中右側）には、当該チャネル領域７ａの図中右隣に低濃度ソース領域７ｂが設けられており、当該低濃度ソース領域７ｂの図中右隣に高濃度ソース領域７ｃが設けられている。チャネル領域７ａのドレイン側（図中左側）には、当該チャネル領域７ａの図中左隣に低濃度ドレイン領域７ｄが設けられており、当該低濃度ドレイン領域７ｄの図中左隣に高濃度ドレイン領域７ｅが設けられている。

ゲート絶縁層８は、表面層６及び半導体層７を覆うように設けられた絶縁層である。
ゲート電極９は、ゲート絶縁層８上に設けられた電極であり、半導体層７のチャネル領域７ａに平面視で重なる位置に配置されている。図示を省略するが、ゲート電極９は例えば金属層が３層重なった多層構造になっており、下層（ゲート絶縁層８の直上）が窒化チタン層、中層がアルミニウム・銅の混合層、上層がチタン層になっている。
半導体層７、ゲート絶縁層８及びゲート電極９は、有機ＥＬ装置１のスイッチング素子であるＴＦＴ（薄膜トランジスタ：Thin Film Transistor）を構成している。

第１絶縁層１０は、例えば酸化シリコンや窒化シリコンからなり、ゲート絶縁層８及びゲート電極９を覆うように設けられている。
ソース電極１１は、第１絶縁層１０上に設けられた電極であり、第１絶縁層１０及びゲート絶縁層８を貫通して形成されたコンタクトホール１３を介して半導体層７の高濃度ソース領域７ｃに接続されている。ソース電極１１は、単層の金属、あるいはゲート電極９と同様に、金属層が多層重なった構造になっており、例えば３層の場合、下層（第１絶縁層１０の直上）がチタン層（又は窒化チタン層）、中層がアルミニウム・銅の混合層、上層がチタン層になっている。
第２絶縁層１２は、例えば酸化シリコンや窒化シリコンからなり、第１絶縁層１０及びソース電極１１を覆うように設けられている。

素子基板２の第２絶縁層１２上には、有機ＥＬ層３が設けられている。有機ＥＬ層３は、陽極２１と、正孔輸送層（第１有機層）２２と、発光層（第２有機層）２３と、陰極２４と、隔壁２５と、絶縁層２７とを主体として構成されている。

陽極２１は、素子基板２の第２絶縁層１２の直上に薄膜状に設けられており、導電性を有する金属酸化物で光を透過可能な材料、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの材料からなる。この陽極２１は、第２絶縁層１２、第１絶縁層１０及びゲート絶縁層８の３つの絶縁層を貫通するコンタクトホール１４を介して半導体層７の高濃度ドレイン領域７ｅに接続されている。

絶縁層２７は、例えば窒化シリコンなどの絶縁部材からなり、陽極２１を含めた素子基板２の第２絶縁層１２の表面上に設けられている。この絶縁層２７には、平面視でマトリクス状に配列された開口部２６が設けられている。開口部２６は、陽極２１の一部を露出するように設けられている。

正孔輸送層２２は、陽極２１からの正孔を発光層２３に注入する層であり、陽極２１上に設けられている。
この正孔輸送層２２は、キャリア輸送性の有機化合物と架橋性の有機化合物とからなる。キャリア輸送性の有機化合物としては、例えばＮ，Ｎ’−ｄｉ（１−ｎａｐｈｔｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ（αＮＰＤ）などの芳香族第三級アミン化合物やスチルベン化合物などが好適に用いられる。他の例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノフェニル、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニルエーテル、４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−［４（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベン、４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン、３−メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン、Ｎ−フェニルカルバゾール等を挙げることができる。正孔輸送層２２の材料として、芳香族ジメチリディン系化合物も使用することができる。この他にも、特開平２−１９１６９４号に記載の材料などを好適に使用することができる。

本発明における架橋性の有機化合物としては、蒸着重合可能なモノマーが好適であり、たとえばエポキシ系モノマー、光重合をするケイ皮酸エステル類モノマー、および熱重合をするカルベン類モノマーからなる群から選ばれる一以上のモノマーからなるものを挙げることができる。たとえば、エポシキ系モノマーとしては、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレンオキシド、スチレンオキシド、ケイ皮酸エステル類モノマーとしてはケイ皮酸エチル、ケイ皮酸ベンゾエイト等を挙げることができ、カルベン類モノマーとしては、イソシアノ酢酸エチル、フェニルイソシアナート、ジアゾブタン等を挙げることができる。シランカップリング剤としては、［化１］に示すγグリシジルオキシプロピルトリメトキシシランを用いることができる。

本実施形態では、正孔輸送層２２の構成材料として、例えばキャリア輸送性の有機化合物としてαＮＰＤを、架橋性の有機化合物としてフェニルイソシアナートを選択して用いている。両者の成分比は重量比で９５：５程度になっている。この組み合わせに限らず、他の組み合わせであっても勿論構わない。

発光層２３は、正孔輸送層２２からの正孔と陰極２４からの電子とが結合して発光する層であり、正孔輸送層２２上に設けられている。
この発光層２３は発光性の有機化合物からなり、例えば（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。

陰極２４は、導電率及び光反射率の高い金属、例えばアルミニウムやカルシウムなどからなる電極であり、発光層２３に電子を注入する電極である。本実施形態では、発光層２３上にカルシウム（下層）が形成され、その上にアルミニウム（上層）が形成された、Ｃａ／Ａｌの積層構造になっている。陰極２４は、発光層２３で発光する光を基板５の側（図中下側）に反射する反射層としての機能も有している。この陰極２４は、絶縁層２７、隔壁２５及び発光層２３を含めた有機ＥＬ層３の表面全体に形成されている。

（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、上記のように構成された有機ＥＬ装置１の製造方法を説明する。
まず、基板５上に表面層６、半導体層７、ゲート絶縁層８、ゲート電極９を順に形成し、第１絶縁層１０、コンタクトホール１３及びソース電極１１、第２絶縁層、コンタクトホール１４を形成して、素子基板２を形成する。その後、コンタクトホール１４の表面に重なるように陽極２１を成膜し、パターニング後隔壁２５を形成する。

次に、隔壁２５内に正孔輸送層２２を形成する（第１有機層形成工程）。この工程について具体的に説明する。
図２に示すように、素子基板２を真空蒸着装置５０内に配置し、キャリア輸送性の有機化合物であるαＮＰＤと、架橋性の有機化合物であるフェニルイソシアネートとを真空蒸着装置５０内に配置する。配置が完了したら、真空蒸着装置５０内を加熱して重量比で９５：５程度の比率で同時に蒸着を行う（共蒸着）。共蒸着により、陽極２１上に有機膜５１が形成される。例えば図示しないマスクを用いることで、開口部２６、２８に選択的に有機膜５１を形成することができる。

共蒸着後、図３に示すように、有機膜５１を真空蒸着装置５０内において１５０℃程度で３０分程度加熱する。有機膜５１に含まれる架橋性の有機化合物のフェニルイソシアネートが架橋反応を起こし、有機膜５１が有機溶媒に対して不溶化する。このように不溶化処理された有機膜５１が正孔輸送層２３となる。この加熱処理は、真空蒸着装置５０内以外でも、例えばグローブボックス内や大気中のホットプレート上で行っても良い。

不溶化処理の後、素子基板２を真空蒸着装置から取り出し、インクジェット法によって発光層２３を形成する（第２有機層形成工程）。具体的には、図４に示すように、上述した発光材料を有機溶媒に溶解させた液状組成物５２を開口部２８内の正孔輸送層２２上に形成する。不溶化処理を行うことにより正孔輸送層２２が有機溶媒に対して不溶化されているので、正孔輸送層２２が有機溶媒に溶け出すことは無い。この状態から、図５に示すように、液状組成物の有機溶媒を蒸発させて発光層２３を形成する。

発光層２３の形成後、Ｃａ／Ａｌの積層構造からなる陰極２４をＥＬ素子上に全面形成して有機ＥＬ層３を形成する。さらに、基板５に熱硬化樹脂又は紫外線硬化樹脂からなる接着剤を塗布し、接着剤上に当該有機ＥＬ層３を覆うように封止用基板４を重ねる。この接着剤を加熱又はこの接着剤に紫外線を照射して接着剤を硬化させて、有機ＥＬ装置１が完成する。

このように、本実施形態によれば、基板５上に蒸着法によって有機膜５１を形成し当該有機膜５１を有機溶媒に溶解しないように変質させて正孔注入層２２を形成し、この正孔注入層２２上に当該有機溶媒を用いたインクジェット法によって発光層２３を形成するので、発光層２３の形成時に正孔輸送層２２が有機溶媒に溶解するのを回避することができる。これにより、正孔輸送層２２の構成材料として有機溶媒に溶解しない材料の他に有機溶媒に溶解する材料をも用いることができ、材料の選択の幅が広くなる。

本実施形態では、キャリア輸送性の有機化合物であるαＮＰＤと、架橋性の有機化合物であるフェニルイソシアネートとを共蒸着して正孔輸送層２２を形成し、変質工程で正孔輸送層２２に含まれるフェニルイソシアネートを熱処理によって架橋させることとした。このように、キャリア輸送性の有機化合物と架橋性有機の化合物とが別の材料であり、これらを混合させて同時に蒸着して有機膜５１を形成した場合であっても、その後有機膜５１に熱処理を施すことによって有機膜５１内に架橋反応を発生させることができる（蒸着重合）。

以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることが可能である。
例えば、上記各実施形態においては、有機ＥＬ装置について説明したが、これに限られることは無く、例えば有機トランジスタにおいても本発明の適用は可能である。

また、上記実施形態では、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、発光層からの光が基板と反対側に射出されるトップエミッション型の有機ＥＬ装置であっても、本発明の適用は勿論可能である。さらに、有機ＥＬ装置や有機トランジスタだけではなく、有機半導体層を有する太陽電池などのデバイスにも本発明の適用は可能である。

また、上記実施形態で述べた方法のほかに、シロキサン骨格や二重結合基、エポキシ基、環状エーテル基を付与した芳香族第三級アミン化合物を真空蒸着法等の気相法によって素子基板２上に形成し、紫外線照射、電子ビーム照射、プラズマ照射又は熱処理により架橋不溶化させることも可能である。

本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の全体構成を示す断面図。 本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造過程を示す工程図。 同、工程図。 同、工程図。 同、工程図。

符号の説明

１…有機ＥＬ装置 ２…素子基板 ３…有機ＥＬ層 ２１…陽極 ２２…正孔輸送層 ２３…発光層 ２４…陰極 ２５…隔壁 ２６…開口部 ２７…絶縁層 ２８…開口部 ５１…有機膜

Claims (8)

1. 基板上に複数の有機半導体層が積層されてなる有機半導体装置の製造方法であって、
   前記基板上に気相法によって有機半導体膜を形成し、前記有機半導体膜を所定の溶媒に溶解しないように変質させて第１有機半導体層を形成する第１有機半導体層形成工程と、
   前記第１有機半導体層上に前記所定の溶媒を用いた液相法によって第２有機半導体層を形成する第２有機半導体層形成工程と
   を具備することを特徴とする有機半導体装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の有機半導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする有機半導体装置。
3. 少なくとも正孔輸送性を有する第１有機層と発光性を有する第２有機層とを含んだ複数の有機層と、前記複数の有機層を挟持する陰極及び陽極とを基板上に備えた有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法であって、
   前記基板上に気相法によって有機膜を形成し、前記有機膜を所定の溶媒に溶解しないように変質させて前記第１有機層を形成する第１有機層形成工程と、
   前記第１有機層上に前記所定の溶媒を用いた液相法によって前記第２有機層を形成する第２有機層形成工程と
   を具備することを特徴とする有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法。
4. 前記第１有機層形成工程では、
   キャリア輸送性を有すると共にシロキサン骨格を有する架橋性有機化合物を前記基板上に蒸着して前記有機膜を形成し、
   前記有機膜に含まれる前記架橋性有機化合物を熱処理によって架橋させる
   ことを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法。
5. 前記第１有機層形成工程では、
   キャリア輸送性有機化合物と、シロキサンからなる架橋性有機化合物とを前記基板上に同時に蒸着して前記有機膜を形成し、
   前記有機膜に含まれる前記架橋性有機化合物を熱処理によって架橋させる
   ことを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法。
6. 前記第１有機層形成工程では、
   トリフェニルアミン誘導体及びポリチオフェン誘導体のうち少なくとも一方を含んだキャリア輸送性有機化合物と、シランカップリング化合物を含む架橋性有機化合物とを前記基板上に同時に蒸着して前記有機膜を形成し、
   前記有機膜に含まれる前記架橋性有機化合物を熱処理によって架橋させる
   ことを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法。
7. 前記第１有機層形成工程では、
   キャリア輸送性有機化合物と、二重結合基、エポキシ基及び環状エーテル基のうち少なくとも１種類を含む架橋性有機化合物とを前記基板上に同時に蒸着して前記有機膜を形成し、
   前記有機膜に含まれる前記架橋性有機化合物を熱処理する、前記架橋性有機化合物に紫外線を照射する、前記架橋性有機化合物に電子ビームを照射する又は前記架橋性有機化合物にプラズマを照射することによって架橋させる
   ことを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法。
8. 請求項３乃至請求項７のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス装置。
   

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