KR101885937B1 - 표시 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 역테이퍼 형상의 격벽이 구비되는 표시 장치에 있어서, 복수의 유기 전계발광 소자에 걸쳐 이어지는 제2 전극이 형성될 수 있는 표시 장치를 제공한다. 상기 표시 장치는, 지지 기판과, 지지 기판 상에 설치되는 복수의 유기 전계발광 소자(4)와, 유기 전계발광 소자의, 지지 기판의 두께 방향의 한쪽에서 본 경우에 있어서의 외주를 각각 둘러싸도록 설치되는 격벽(3)을 구비하는 표시 장치(1)이며, 격벽은 외주 중 일부에 면하여 설치되는 제1 격벽(3a)과, 외주 중 일부를 제외한 잔여 부분에 면하여 설치되는 제2 격벽(3b)을 가지며, 제1 격벽은 외주를 둘러싸는 측면과 저면이 이루는 각이 예각인 순테이퍼 형상의 격벽이고, 제2 격벽은 외주를 둘러싸는 측면과 저면이 이루는 각이 둔각인 역테이퍼 형상의 격벽이다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.

표시 장치에는 그의 구성이나 원리를 달리하는 다양한 장치가 있다. 그 하나로서, 화소의 광원에 유기 전계발광 소자(Organic Electroluminescent Element)를 이용한 표시 장치가 실용화되고 있다.

상기 표시 장치는 지지 기판과, 이 지지 기판 상에 설치되는 다수의 유기 전계발광 소자를 구비한다. 지지 기판 상에는 화소 영역을 구획하는 격벽이 설치되어 있고, 상기 다수의 유기 전계발광 소자는 격벽에 의해 구획된 영역에 각각 정렬하여 배치된다.

각 유기 전계발광 소자는, 제1 전극, 유기층, 제2 전극을 지지 기판측부터 이 순으로 적층함으로써 형성된다.

상기 유기층은 예를 들어 도포법에 의해 형성할 수 있다. 도 16a, 도 16b, 도 16c 및 도 16d를 참조하여 유기층(18)의 형성 방법에 대하여 설명한다. 도 16a, 도 16b, 도 16c 및 도 16d는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.

도 16a에 도시된 바와 같이, 우선 지지 기판(12) 상에 제1 전극(16) 및 격벽(13)을 형성한다. 이어서, 격벽(13)에 둘러싸인 영역(오목부)(15)에, 유기층(18)으로 되는 재료를 포함하는 잉크(17)를 위쪽에 위치하는 노즐로부터 공급한다.

도 16b에 도시된 바와 같이, 공급된 잉크(17)는 격벽(13)에 둘러싸인 영역(15)에 수용된다.

도 16c에 도시된 바와 같이, 그 후, 잉크(17)의 용제 성분을 기화시킴으로써 유기층(18)을 형성한다.

도 16d에 도시된 바와 같이, 다음에 제2 전극(19)을 형성한다. 이 제2 전극(19)은 예를 들어 복수의 유기 전계발광 소자에 걸쳐 일체적으로 연장되어, 복수의 유기 전계발광 소자에 공유되는 전극으로서 설치된다. 예를 들어 인접하는 유기 전계발광 소자 사이에 개재하는 격벽(13) 상에도 일체적으로 걸치도록 연장되는 도전성 박막을 형성함으로써, 복수의 유기 전계발광 소자에 걸쳐 이어지는 제2 전극(19)을 형성한다. 이러한 제2 전극(19), 즉 도전성 박막은 예를 들어 진공 증착법에 의해 형성된다.

또한, 도 16b에 도시된 형태에 있어서, 격벽(13)이 잉크(17)에 대하여 친액성을 나타내는 경우, 특정한 오목부(15)에 공급된 잉크(17)가 격벽(13)을 타고 넘어, 그 표면을 타고 인접한 오목부(15)에까지 유출되는 경우가 있다. 이러한 잉크(17)의 유출을 방지하기 위해, 일반적으로 지지 기판(12) 상에는 어느 정도 발액성을 나타내는 격벽(13)이 설치되어 있다.

그러나, 격벽(13)이 발액성을 나타내는 경우, 오목부(15)에 공급된 잉크(17)는 격벽(13)에 튀기면서 기화되어 박막(유기층(18))으로 된다. 그 때문에 두께가 불균일한 유기층(18)이 형성되는 경우가 있다. 예를 들어 오목부(15)의 형상에 따라서는, 유기층(18)의 격벽(13)에 접하는 소정의 부위(즉, 유기층(18)의 주연부)의 두께가 오목부(15)의 중앙부의 근방인 유기층(18)의 중앙부의 두께에 비하여 얇아지는 경우가 있다. 그렇게 하면, 유기층(18)의 주연부의 전기 저항이 중앙부에 비하여 낮아져, 유기 전계발광 소자를 구동할 때에 유기층(18)의 주연부에 전류가 집중하여 흘러 유기층(18)의 중앙부가 주연부에 비하여 어두워지는 경우가 있다. 또한 반대로, 유기층(18)의 주연부에 원하는 두께의 층이 형성되지 않기 때문에, 유기층(18)의 주연부가 의도한 대로는 발광하지 않는 경우도 있다.

이러한 문제를 해결하기 위해, 소위 역테이퍼 형상의 격벽을 설치한 표시 장치가 있다. 그 모식도를 도 17a, 도 17b 및 도 17c에 도시한다. 도 17a, 도 17b 및 도 17c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.

도 17a, 도 17b 및 도 17c에 도시된 바와 같이, 역테이퍼 형상의 격벽(13)은, 연장 방향에 직교하는 방향에서 절단한 경우의 단면 형상이 지지 기판(12)(제1 전극(16))으로부터 이격됨에 따라 폭이 넓어지도록 형성되어 있다. 그 때문에 격벽(13)의 측면과 제1 전극(16)이 접하는 부위의 근방에, 끝이 가는 형상의 영역이 형성된다. 이러한 역테이퍼 형상의 격벽(13)에 둘러싸인 영역(15)에 잉크를 공급하면, 격벽(13)의 측면에 접촉한 잉크는 모세관 현상에 의해 상기 끝이 가는 형상의 영역에 흡입되도록 충전된다. 이 상태를 유지한 채 잉크의 용제 성분이 기화되면, 제1 전극(16)과 격벽(13)이 접하는 부위의 근방에도 유기층(18)이 형성된다.

도 17b에 도시된 바와 같이, 소위 역테이퍼 형상의 격벽(13)을 설치함으로써, 가령 발액성을 나타내는 격벽(13)이 설치되어 있었다고 해도, 유기층(18)의 주연부의 두께가 얇아진다는 문제를 방지할 수 있다(예를 들어 특허문헌 1 참조).

일본 특허 공개 제2007-227289호 공보

도 17a, 도 17b 및 도 17c에 도시된 바와 같은 역테이퍼 형상의 격벽(13)이 설치된 기판에, 복수의 유기 전계발광 소자에 걸쳐 일체적으로 연장되어 복수의 유기 전계발광 소자에 공유되는 제2 전극(19)을 진공 증착법에 의해 형성하면, 도 17c에 도시된 바와 같이 제2 전극(19)의 두께가 얇은 경우에는, 격벽의 단부에서 제2 전극(19)이 절단되는 경우가 있다. 그 결과, 표시 장치를 구동할 때에, 의도한 대로는 전력이 공급되지 않아 발광하지 않는 유기 전계발광 소자가 형성되는 경우가 있다.

따라서 본 발명의 목적은, 역테이퍼 형상의 격벽을 구비하는 표시 장치에 있어서, 복수의 유기 전계발광 소자에 걸쳐 이어지는 제2 전극이 형성될 수 있는 표시 장치를 제공하는 데 있다.

본 발명은, 하기 [1] 내지 [5]를 제공한다.

[1] 지지 기판과, 상기 지지 기판 상에 설치되는 복수의 유기 전계발광 소자와, 상기 유기 전계발광 소자의, 상기 지지 기판의 두께 방향의 한쪽에서 본 경우에 있어서의 외주를 각각 둘러싸도록 설치되는 격벽을 구비하는 표시 장치이며,

상기 격벽은 상기 외주 중 일부에 면하여 설치되는 제1 격벽과, 상기 외주 중 상기 일부를 제외한 잔여 부분에 면하여 설치되는 제2 격벽을 가지며,

상기 제1 격벽은 상기 외주를 둘러싸는 측면과 저면이 이루는 각이 예각인 순테이퍼 형상의 격벽이고,

상기 제2 격벽은 상기 외주를 둘러싸는 측면과 저면이 이루는 각이 둔각인 역테이퍼 형상의 격벽인 표시 장치.

[2] 상기 제1 격벽은, 상기 지지 기판의 두께 방향에 직교하는 제1 방향으로 각각 연장되고, 상기 두께 방향 및 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 소정의 간격을 두고 배치되는 복수개의 격벽 부재로 구성되고,

상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽이 중첩되는 부위에서는, 상기 제2 격벽은 상기 지지 기판과 상기 제1 격벽 사이에 설치되는, [1]에 기재된 표시 장치.

[3] 상기 유기 전계발광 소자는 상기 지지 기판의 두께 방향에 직교하는 소정의 방향으로 연장되는 형상을 갖고,

상기 제1 격벽은, 상기 유기 전계발광 소자의 짧은 방향의 한쪽 및 다른 쪽 상기 외주를 둘러싸도록 배치되고,

상기 제2 격벽은, 상기 유기 전계발광 소자의 긴 방향의 한쪽 및 다른 쪽 상기 외주를 둘러싸도록 배치되는, [1] 또는 [2]에 기재된 표시 장치.

[4] 상기 제1 격벽 및 제2 격벽 각각이 감광성 수지 조성물의 층이 패터닝 됨으로써 형성되는, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 표시 장치.

[5] [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 표시 장치의 제조 방법이며,

지지 기판 상에 격벽을 형성하는 공정과,

상기 지지 기판 상에 복수의 유기 전계발광 소자를 형성하는 공정을 포함하며,

상기 격벽을 형성하는 공정에서는, 포토리소그래피법에 의해 감광성 수지 조성물의 층을 패터닝함으로써 제1 격벽과 제2 격벽을 각각 형성하는, 표시 장치의 제조 방법.

본 발명에 따르면, 역테이퍼 형상의 격벽을 갖는 표시 장치에 있어서, 복수의 유기 전계발광 소자에 걸쳐 이어지는 제2 전극을 갖는 표시 장치를 실현할 수 있다.

도 1은 표시 장치의 일부를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시하는 절단면선 A-A의 위치에서 절단한 표시 장치를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시하는 절단면선 B-B의 위치에서 절단한 표시 장치를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시하는 절단면선 C-C의 위치에서 절단한 표시 장치를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 도 1에 도시하는 절단면선 D-D의 위치에서 절단한 표시 장치를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 6은 도 1에 도시하는 절단면선 E-E의 위치에서 절단한 표시 장치를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 7a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 7b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 7c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 8a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 8b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 8c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 9a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 9b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 9c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 10a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 10b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 10c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 11a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 11b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 11c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 12a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 12b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 12c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 13a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 13b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 13c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 14a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 14b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 14c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 15a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 15b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 15c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 16a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 16b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 16c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 16d는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 17a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 17b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 17c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.

이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 각 도면은, 발명을 이해할 수 있을 정도로 구성 요소의 형상, 크기 및 배치가 개략적으로 도시되어 있는 것에 불과하다. 본 발명은 이하의 기술에 의해 한정되는 것이 아니며, 각 구성 요소는 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하다. 이하의 설명에 사용하는 도면에 있어서, 마찬가지의 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 부여하여 나타내고, 중복되는 설명에 관해서는 생략하는 경우가 있다. 또한, 본 발명의 실시 형태에 관한 구성은, 반드시 도시예의 배치로 제조되거나 사용되거나 하는 것은 아니다.

본 발명의 표시 장치는, 지지 기판과, 지지 기판 상에 설치되는 복수의 유기 전계발광 소자와, 유기 전계발광 소자의, 지지 기판의 두께 방향 Z의 한쪽에서 본 경우(「평면에서 보아」라고 하는 경우가 있다)에 있어서의 외주를 각각 둘러싸도록 설치되는 격벽을 구비하는 표시 장치이며, 격벽은 외주 중 일부에 면하여 설치되는 제1 격벽과, 외주 중 일부를 제외한 잔여 부분에 면하여 설치되는 제2 격벽을 가지며, 제1 격벽은 외주를 둘러싸는 측면과 저면이 이루는 각이 예각인 순테이퍼 형상의 격벽이고, 제2 격벽은 외주를 둘러싸는 측면과 저면이 이루는 각이 둔각인 역테이퍼 형상의 격벽인 표시 장치이다.

본 발명은 복수의 유기 전계발광 소자의 각 제2 전극이 이어져 형성되는 표시 장치에 적용된다. 이러한 표시 장치로서 본 실시 형태에서는 일례로서 액티브 매트릭스 구동형의 표시 장치에 대하여 설명한다.

<표시 장치의 구성>

도 1 내지 도 6을 참조하여, 우선 표시 장치의 구성에 대하여 설명한다. 도 1은 본 실시 형태의 표시 장치(1)의 일부를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다. 도 ２는 도 1에 도시하는 절단면선 A-A의 위치에서 절단한 표시 장치를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다. 도 3은 도 1에 도시하는 절단면선 B-B의 위치에서 절단한 표시 장치를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다. 도 4는 도 1에 도시하는 절단면선 C-C의 위치에서 절단한 표시 장치를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다. 도 5는 도 1에 도시하는 절단면선 D-D의 위치에서 절단한 표시 장치를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다. 도 6은 도 1에 도시하는 절단면선 E-E의 위치에서 절단한 표시 장치를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 표시 장치(1)는, 주로 지지 기판(2)과, 이 지지 기판(2) 상에 있어서 미리 설정되는 구획을 구획 형성하는 격벽(3)과, 격벽(3)에 의해 구획 형성되는 구획에 설치되는 복수의 유기 전계발광 소자(4)를 포함한다.

격벽(3)은 복수의 유기 전계발광 소자(4)의 외주 각각을 평면에서 보아 둘러싸도록 설치된다. 격벽(3)은 평면에서 보아 유기 전계발광 소자(4)의 외주를 각각 둘러싸도록 설치되면 되는데, 예를 들어 평면에서 보아 각 유기 전계발광 소자(4)가 설치되는 영역을 제외한 영역에 설치된다.

본 실시 형태에서는 복수의 유기 전계발광 소자(4)는 각각 매트릭스상으로 배치되어 있다(상세한 것은 후술함). 격벽(3)은 매트릭스상으로 배치되는 유기 전계발광 소자(4)를 제외한 영역에 설치된다. 그 때문에 격벽(3)은 지지 기판(2) 상에 있어서 격자상으로 형성된다.

지지 기판(2) 상에는 격벽(3)과 지지 기판(2)에 의해 규정되는 복수의 오목부(5)가 설정된다. 이 오목부(5)가 격벽(3)에 의해 구획 형성되는 구획에 상당한다.

지지 기판(2) 상에는 격자상의 격벽(3)이 설치되기 때문에, 본 실시 형태에서는 복수의 오목부(5)가 평면에서 보아 매트릭스상으로 배치되어 있다. 즉 복수의 오목부(5)는 행방향 X로 소정의 간격을 둠과 함께, 열방향 Y로도 소정의 간격을 두고 정렬하여 설치되어 있다. 각 오목부(5)의 평면에서 보면 형상은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 오목부(5)는 평면에서 보아 대략 직사각 형상, 대략 타원 형상 등으로 형성된다. 본 실시 형태에서는, 긴 방향으로 연장되는 장축과, 장축에 직교하는 짧은 방향으로 연장되는 단축을 갖고 있는, 평면에서 보아 대략 타원 형상의 오목부(5)가 설치되어 있다. 또한 본 명세서에 있어서 상기한 행방향 X 및 열방향 Y는 지지 기판(2)의 두께 방향 Z에 직교하고, 서로 직교하고 있다. 여기에서 「대략 타원 형상」에는, 타원 형상뿐만 아니라, 예를 들어 서로 평행하게 배치된 2개의 선분의 일단부끼리 및 타단부끼리 곡선으로 결합한 형상이 포함된다.

격벽(3)은 제1 격벽(3a)과 제2 격벽(3b)을 포함한다. 제1 격벽(3a)은, 평면에서 보아, 유기 전계발광 소자(4)의 외주 중 일부, 즉 유기 전계발광 소자(4)의 짧은 방향에 위치하는 외주에 면하여 설치된다. 제2 격벽(3b)은, 상기 유기 전계발광 소자(4)의 외주 중 상기 일부를 제외한 잔여 부분, 즉 유기 전계발광 소자(4)의 긴 방향에 위치하는 외주에 면하여 설치된다.

특히, 도 1, 도 2, 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 유기 전계발광 소자(4)의 외주는, 일부가 제1 격벽(3a)을 접하고 있으며, 상기 일부를 제외한 잔량부가 제2 격벽(3b)을 접하고 있다. 이렇게 유기 전계발광 소자(4)의 외주는, 제1 격벽(3a)과 제2 격벽(3b)에 의해 둘러싸여 있다.

본 실시 형태에서는 격벽(3)은 격자상으로 형성되기 때문에, 격벽(3)은 행방향 X로 직선적으로 연장되는 복수개의 격벽 부재와, 열방향 Y로 직선적으로 연장되는 복수개의 격벽 부재를 포함한다. 본 실시 형태에 있어서의 격벽(3)은 열방향 Y로 연장되는 복수개의 제1 격벽(3a)과, 행방향 X로 연장되는 복수개의 제2 격벽(3b)으로 구성된다. 복수개의 제1 격벽(3a)은, 각각 행방향 X에 인접하는 유기 전계발광 소자(4)끼리의 사이에 설치된다.

또한 도 2에 도시된 바와 같이, 복수개의 제2 격벽(3b)은, 각각 열방향 Y에 인접하는 유기 전계발광 소자(4)끼리의 사이에 설치된다. 이렇게 격벽(3)을 배치함으로써, 유기 전계발광 소자(4)의 행방향 X의 한쪽 및 다른 쪽 단부면에는 제1 격벽(3a)이 접하여 설치된다. 제1 격벽(3a)은, 평면에서 보아 유기 전계발광 소자(4)의 외주를 둘러싸는 측면과 저면이 이루는 각 θ1이 예각인 순테이퍼 형상의 격벽이다.

도 3에 도시된 바와 같이, 유기 전계발광 소자(4)의 열방향 Y의 한쪽 및 다른 쪽 단부면에는, 제2 격벽(3b)이 접하여 설치된다. 제2 격벽(3b)은, 평면에서 보아, 유기 전계발광 소자(4)의 외주를 둘러싸는 측면과 저면이 이루는 각 θ2가 둔각인 역테이퍼 형상의 격벽이다.

또한 제1 격벽(3a)의 저면이란, 제1 격벽(3a)의 외주면 중에서 가장 지지 기판(2) 가까이의 평면을 의미한다. 또한 제1 격벽(3a)의 측면이란, 제1 격벽(3a)의 외주면 중에서 가장 지지 기판(2)으로부터 이격한 평면(상면)과 저면을 제외한 면, 즉, 평면에서 보아 유기 전계발광 소자(4)의 외주(윤곽)를 둘러싸도록 위치하는 면을 의미한다. 그리고, 제1 격벽(3a)의 측면과 제1 격벽(3a)의 저면이 이루는 각 θ1이란, 제1 격벽(3a)이 연장되는 방향(본 실시 형태에서는 열방향 Y)에 직교하는 평면에서 제1 격벽(3a)을 절단했을 때의 단면에 있어서의 각도를 의미한다.

제2 격벽(3b)의 저면이란, 제2 격벽(3b)의 외주면 중에서 가장 지지 기판(2) 가까이의 평면을 의미한다. 또한 제2 격벽(3b)의 측면이란, 제2 격벽(3b)의 외주면 중에서 가장 지지 기판(2)으로부터 이격한 평면(상면)과 저면을 제외한 면, 즉, 평면에서 보아 유기 전계발광 소자(4)의 외주(윤곽)를 둘러싸도록 위치하는 면을 의미한다. 그리고, 제2 격벽(3b)의 측면과 제2 격벽(3b)의 저면이 이루는 각 θ2는, 제2 격벽(3b)의 연장되는 방향(본 실시 형태에서는 행방향 X)에 직교하는 평면에서 제2 격벽(3b)을 절단했을 때의 단면에 있어서의 각도를 의미한다.

본 실시 형태에서는 열방향 Y로 연장되는 복수개의 제1 격벽(3a)과 행방향 X로 연장되는 복수개의 제2 격벽(3b)은 평면에서 보아 중첩된다. 제1 격벽(3a)과 제2 격벽(3b)이 중첩되는 부위에서는 제1 격벽(3a)과 제2 격벽(3b) 중 어느 하나가 지지 기판(2) 가까이에 배치될 수도 있다. 제1 격벽(3a)과 제2 격벽(3b)이 중첩되는 부위에서는, 제2 격벽(3b)이 제1 격벽(3a)보다도 지지 기판(2) 가까이에 배치되는 것이 바람직하다. 즉, 제1 격벽(3a)과 제2 격벽(3b)이 중첩되는 부위에서는, 상기 제2 격벽(3b)은 상기 지지 기판(2)과 상기 제1 격벽 사이에 설치되는 것이 바람직하다. 이렇게 제1 격벽(3a) 및 제2 격벽(3b)을 배치하면, 후술하는 바와 같이 제1 격벽(3a) 상에 도전성 박막(10a)이 설치되므로, 형성되는 도전성 박막(10a)이 격벽(3) 상에서 절단될 우려가 없어져, 제1 격벽(3a)의 연장 방향(본 실시 형태에서는 열방향 Y)에 인접하는 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)이 제1 격벽(3a) 상의 도전성 박막(10a)을 통해 확실하게 이어진다.

각 θ1의 각도는 통상 10°내지 85°이며, 30°내지 60°가 바람직하다. 또한 각 θ2의 각도는 통상 95°내지 170°이며, 110°내지 135°가 바람직하다.

유기 전계발광 소자(4)는 격벽(3)에 의해 구획 형성되는 구획(즉 오목부(5))에 설치된다. 본 실시 형태와 같이 격자상의 격벽(3)이 설치되는 경우, 복수의 유기 전계발광 소자(4) 각각은 오목부(5)마다 설치된다. 즉 복수의 유기 전계발광 소자(4)는, 오목부(5)와 마찬가지로 매트릭스상으로 배치된다. 복수의 유기 전계발광 소자(4)는 지지 기판(2) 상에서, 행방향 X로 소정의 간격을 둠과 함께, 열방향 Y로도 소정의 간격을 두고 정렬하여 설치되어 있다.

본 실시 형태에서는 3종류의 유기 전계발광 소자(4)가 설치된다. 즉, (1) 적색의 광을 출사하는 적색 발광 유기 전계발광 소자(4R), (2) 녹색의 광을 출사하는 녹색 발광 유기 전계발광 소자(4G) 및 (3) 청색의 광을 출사하는 청색 발광 유기 전계발광 소자(4B)가 설치된다. 이들 3종류의 유기 전계발광 소자(4)(4R, 4G, 4B)는, 도 1에 도시된 바와 같이 예를 들어 이하의 (I), (II), (III)의 행을, 열방향 Y로 이 순으로 반복하여 배치함으로써 구성된다.

(I) 복수의 적색 발광 유기 전계발광 소자(4R)가 행방향 X로 각각 소정의 간격을 두고 배치되는 행.

(II) 복수의 녹색 발광 유기 전계발광 소자(4G)가 행방향 X로 각각 소정의 간격을 두고 배치되는 행.

(III) 복수의 청색 발광 유기 전계발광 소자(4B)가 행방향 X로 각각 소정의 간격을 두고 배치되는 행.

또한 다른 실시 형태로서, 상기 3종류의 유기 전계발광 소자 외에, 예를 들어 백색의 광을 출사하는 유기 전계발광 소자가 더 설치될 수도 있다. 또한 1종류만의 유기 전계발광 소자를 설치함으로써, 모노크롬 표시 장치를 실현할 수도 있다.

유기 전계발광 소자(4)는, 제1 전극(6), 유기층, 제2 전극(10)이 지지 기판측부터 이 순으로 적층되어 구성된다. 유기 전계발광 소자(4)는 유기층으로서 적어도 1층의 발광층을 구비한다. 또한 유기 전계발광 소자(4)는 1층의 발광층 외에, 필요에 따라 발광층과는 상이한 층을 더 구비하는 경우도 있다. 예를 들어 제1 전극(6)과 제2 전극(10) 사이에는, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 블록층, 전자 수송층 및 전자 주입층 등이 설치된다. 또한 제1 전극(6)과 제2 전극(10) 사이에는 2층 이상의 발광층이 설치되는 경우도 있다. 나아가 제1 전극(6)과 제2 전극(10) 사이에는 무기층, 또는 유기물과 무기물을 포함하는 혼합층이 설치되는 경우도 있다.

유기 전계발광 소자(4)는, 양극 및 음극을 포함하는 한 쌍의 전극으로서 제1 전극(6)과 제2 전극(10)을 구비한다. 제1 전극(6) 및 제2 전극(10) 중 한쪽 전극은 양극으로서 설치되고, 다른 쪽 전극은 음극으로서 설치된다.

본 실시 형태에서는 일례로서, 양극으로서 기능하는 제1 전극(6), 정공 주입층으로서 기능하는 제1 유기층(7), 발광층으로서 기능하는 제2 유기층(9), 음극으로서 기능하는 제2 전극(10)이 이 순으로 지지 기판(2) 상에 적층되어 구성되는 유기 전계발광 소자(4)에 대하여 설명한다.

본 실시 형태에서는 3종류의 유기 전계발광 소자(4)가 설치된다. 이들 3종류의 유기 전계발광 소자(4)는 제2 유기층(본 실시 형태에서는 발광층)(9)의 구성이 각각 상이하다. 적색 발광 유기 전계발광 소자(4R)는 적색의 광을 방사하는 적색 발광층(9R)을 구비하고, 녹색 발광 유기 전계발광 소자(4G)는 녹색의 광을 방사하는 녹색 발광층(9G)을 구비하고, 청색 발광 유기 전계발광 소자(4B)는 청색의 광을 방사하는 청색 발광층(9B)을 구비한다.

본 실시 형태에서는, 제1 전극(6)은 유기 전계발광 소자(4)마다 설치된다. 즉 유기 전계발광 소자(4)와 동일수의 제1 전극(6)이 지지 기판(2) 상에 설치된다. 제1 전극(6)은 유기 전계발광 소자(4)의 배치에 대응하여 설치되고, 유기 전계발광 소자(4)와 마찬가지로 매트릭스상으로 배치된다. 또한 도 2, 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이 본 실시 형태의 격벽(3)은, 주로 제1 전극(6) 밖의 영역에 격자상으로, 제1 전극(6)의 일부분인 주연부를 덮도록 형성되어 있다.

정공 주입층으로서 기능하는 제1 유기층(7)은 오목부(5)의 제1 전극(6) 상에 각각 설치된다. 이 제1 유기층(7)은, 필요에 따라 유기 전계발광 소자(4)의 종류마다 그 재료 또는 두께를 상이하게 하여 설치된다. 또한 제1 유기층(7)의 형성 공정의 간이성의 관점에서는, 동일한 재료, 동일한 두께로 모든 제1 유기층(7)을 형성하는 것이 바람직하다.

발광층으로서 기능하는 제2 유기층(9)은 오목부(5)에 있어서 제1 유기층(7) 상에 설치된다. 상술한 바와 같이 발광층은 유기 전계발광 소자(4)의 종류에 따라 설치된다. 그 때문에 적색 발광층(9R)은 적색 발광 유기 전계발광 소자(4R)가 설치되는 오목부(5)에 설치되고, 녹색 발광층(9G)은 녹색 발광 유기 전계발광 소자(4G)가 설치되는 오목부(5)에 설치되고, 청색 발광층(9B)은 청색 발광 유기 전계발광 소자(4B)가 설치되는 오목부(5)에 설치된다.

본 실시 형태에서는, 복수의 유기 전계발광 소자(4)가 설치되는 표시 영역에 걸쳐 도전성 박막(10a)이 형성된다. 즉 도전성 박막(10a)은, 제2 유기층(9) 상뿐만 아니라 격벽(3) 상에도 걸치도록 형성된다. 이 도전성 박막(10a) 중에서, 제2 유기층(9) 상에 설치되는 것을 본 명세서에서는 제2 전극(10)이라고 칭한다.

또한 제2 전극(10)은, 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)의 단부에서 절단되는 경우가 있다. 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 예를 들어 평면에서 보아 유기 전계발광 소자(4)와 제2 격벽(3b)이 접하는 제2 격벽(3b)의 단부에서, 제2 전극(10)이 절단된 상태를 나타내고 있다. 한편, 도 2 및 도 5에 도시된 바와 같이, 순테이퍼 형상의 제1 격벽(3a)의 단부에서는, 제2 전극(10)이 절단되는 일은 없다. 이렇게 제1 격벽(3a) 상에 형성된 도전성 박막(10a)과 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)은 이어져 일체적으로 형성된다. 그로 인해, 행방향 X에 인접하는 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)이 제1 격벽(3a) 상의 도전성 박막(10a)을 통해 일체적으로 이어져 형성되어 있다. 또한 본 실시 형태에서는 제1 격벽(3a)이 열방향 Y로 연장되어 형성되어 있기 때문에, 열방향 Y에 인접하는 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)이 제1 격벽(3a) 상의 도전성 박막(10a)을 통해 일체적으로 이어져 형성되어 있다. 이에 의해, 제1 격벽(3a) 상의 도전성 박막(10a)을 통해 모든 유기 전계발광 소자의 제2 전극(10)이 이어지도록 형성된다. 그 때문에 제2 전극(10)이 모든 유기 전계발광 소자(4)에 공통되는 전극으로서 기능한다.

이상의 실시 형태에서는, 격벽(3)은 제1 전극(6)의 주연부를 덮고, 지지 기판(2)에 접하여 설치되어 있다. 다른 실시 형태로서, 격벽(3)과 지지 기판(2) 사이에 절연막을 더 설치할 수도 있다. 절연막은 예를 들어 격벽(3)과 마찬가지로 격자상으로 형성되고, 제1 전극(6)의 주연부를 덮어 형성된다. 이러한 절연막은 바람직하게는 격벽(3)보다도 친액성을 나타내는 재료에 의해 형성된다.

이하, 도 7a 내지 도 15c를 참조하면서 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 또한 a 도면은 형성 도중의 하나의 유기 전계발광 소자를 확대하여 모식적으로 도시하는 평면도이며, b 도면은 도 1의 절단면선 A-A의 위치에서 절단한 형성 도중의 하나의 유기 전계발광 소자를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이며, c 도면은 도 1의 절단면선 D-D의 위치에서 절단한 형성 도중의 하나의 유기 전계발광 소자를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다. 또한 각 도면의 a 도면 내지 c 도면에 있어서, 대응하는 부재의 축척은 반드시 서로 대응하는 것은 아니다.

(지지 기판을 준비하는 공정)

도 7a, 도 7b 및 도 7c에 도시된 바와 같이, 본 공정에서는 제1 전극(6)이 형성된 지지 기판(2)을 준비한다. 또한 본 공정에서는 제1 전극(6)이 형성된 지지 기판을 시장으로부터 입수함으로써, 지지 기판(2)을 준비하는 공정으로 해도 좋다. 또한, 본 공정은 지지 기판(2) 상에 제1 전극(6)을 형성하는 공정을 포함할 수도 있다.

표시 장치를 액티브 매트릭스형으로 하는 경우, 복수의 유기 전계발광 소자를 개별로 구동하기 위한 회로가 미리 형성된 기판을 지지 기판(2)으로서 사용할 수 있다. 예를 들어 TFT(Thin Film Transistor) 및 캐패시터 등이 미리 형성된 기판을 지지 기판으로서 사용할 수 있다.

우선 준비한 지지 기판(2) 상에 복수의 제1 전극(6)을 매트릭스상으로 형성한다. 제1 전극(6)은, 예를 들어 지지 기판(2) 상의 일면에 도전성 박막을 형성하고, 이것을 포토리소그래피법에 의한 마스크 패턴의 형성 공정 및 형성된 마스크 패턴을 마스크로서 사용하는 패터닝 공정에 의해 매트릭스상으로 패터닝함으로써 형성한다. 또한 예를 들어 소정의 부위에 개구가 형성된 마스크를 지지 기판(2) 상에 배치하고, 이 마스크를 통해 지지 기판(2) 상의 소정의 부위에 도전성 재료를 선택적으로 퇴적함으로써 제1 전극(6)을 패턴 형성할 수도 있다. 제1 전극(6)의 재료에 관해서는 후술한다.

(격벽을 형성하는 공정)

본 공정에서는 격벽(3)을 형성한다. 본 실시 형태에서는 격벽(3)은, 예를 들어 (1) 포토리소그래피법에 의해 감광성 수지 조성물의 층을 패터닝함으로써, 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b) 및 순테이퍼 형상의 제1 격벽(3a)을 형성하는, 구체적으로는 예를 들어 제1 격벽(3a) 및 제2 격벽(3b) 각각을, 감광성 수지 조성물의 층을 패터닝함으로써 형성할 수 있고, (2) 포토리소그래피법으로 감광성 수지 조성물의 층을 패터닝하여 우선 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)을 형성하고, 이어서, 형성한 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b) 중 격벽으로서 남기는 부분을 감광성 수지 조성물로 덮고, 건식 에칭법에 의해 역테이퍼 형상을 순테이퍼 형상으로 가공함으로써, 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b) 및 순테이퍼 형상의 제1 격벽(3a)을 형성할 수 있다.

도 8a, 도 8b 및 도 8c에 도시된 바와 같이, 본 실시 형태에서는 우선 제2 격벽(3b)을 형성한다. 포토리소그래피법에 의해 제2 격벽(3b)을 형성하는 경우, 우선 감광성 수지 조성물을 지지 기판(2) 상에 도포 성막한다. 감광성 수지 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어 스핀 코트법, 슬릿 코트법 등을 들 수 있다.

감광성 수지 조성물을 상기 지지 기판(2) 상에 도포 성막한 후, 통상은 프리베이크 공정을 행한다. 프리베이크 공정은, 예를 들어 80℃ 내지 110℃의 온도에서 60초간 내지 180초간 지지 기판을 가열함으로써 행해진다. 이 프리베이크 공정에 의해 감광성 수지 조성물 중의 용제 성분을 제거하여, 제2 격벽 형성용 막(8b)을 형성한다.

다음에 제2 격벽 형성용 막(8b)이 형성된 지지 기판(2)의 위쪽에, 광을 차광하는 소정의 패턴의 포토마스크(21b)를 배치하고, 이 포토마스크(21b)를 통해, 제2 격벽 형성용 막(8b)을 노광하는 노광 공정을 행한다. 제2 격벽 형성용 막(8b)이 포함할 수 있는 감광성 수지로서는, 포지티브형 감광성 수지 및 네가티브형 감광성 수지가 있지만, 본 공정에서는 어떤 타입의 수지든 사용할 수 있다.

제2 격벽 형성용 막(8b)이 포함할 수 있는 감광성 수지로서 포지티브형의 감광성 수지를 사용한 경우에는, 형성된 제2 격벽 형성용 막(8b) 중, 주로 제2 격벽(3b)이 형성되어야 할 부위 외의 잔여 부위에 광 L을 조사한다. 또한 감광성 수지로서 네가티브형의 감광성 수지를 사용한 경우에는, 제2 격벽 형성용 막(8b) 중, 제2 격벽(3b)이 형성되어야 할 부위에 광 L을 조사한다.

본 공정에서는 제2 격벽 형성용 막(8b)이 포함할 수 있는 감광성 수지로서 네가티브형의 감광성 수지를 사용한 경우에 대하여 설명한다.

지지 기판(2)의 위쪽에 포토마스크(21b)를 배치하고, 이 포토마스크(21b)를 통해 광 L을 조사한다. 이에 의해 제2 격벽 형성용 막(8b) 중, 제2 격벽(3b)이 형성되어야 할 부위에 광 L이 조사된다. 도 8b 및 도 8c에 있어서, 제2 격벽 형성용 막(8b)에 조사되는 광 L은 모식적으로 외곽선의 화살표로 나타나 있다.

도 9에 도시된 바와 같이, 이어서 현상 공정을 행한다. 이에 의해 제2 격벽(3b)이 패턴 형성된다. 현상 공정 후, 포스트베이크 공정을 행한다. 포스트베이크 공정은, 예를 들어 200℃ 내지 230℃의 온도에서 15분간 내지 60분간 기판을 가열함으로써 제2 격벽 형성용 막(8b)을 경화하여 제2 격벽(3b)을 형성한다. 이렇게 포스트베이크 공정을 행함으로써, 후술하는 제1 격벽(3a)을 형성할 때의 현상 공정에 있어서, 제2 격벽(3b)이 에칭되는 것을 방지할 수 있다.

본 실시 형태에서는 소위 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)을 형성한다. 제2 격벽(3b)의 측면과 제2 격벽(3b)의 저면이 이루는 각 θ2의 각도는, 후술하는 요소를 적절히 조정함으로써 임의의 각도로 조정할 수 있다.

도 10에 도시된 바와 같이, 다음에 본 실시 형태에서는 제1 격벽(3a)을 형성한다. 포토리소그래피법에 의해 제1 격벽(3a)을 형성하는 경우, 우선 감광성 수지 조성물을 지지 기판(2) 상에 도포 성막한다. 감광성 수지 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어 스핀 코트법, 슬릿 코트법 등을 들 수 있다.

감광성 수지 조성물을 지지 기판(2) 상에 도포 성막한 후, 통상은 프리베이크 공정을 행한다. 프리베이크 공정은, 예를 들어 80℃ 내지 110℃의 온도에서 60초간 내지 180초간 지지 기판(2)을 가열함으로써 행해진다. 이 프리베이크 공정에 의해 용제 성분을 제거하여 제1 격벽 형성용 막(8a)을 형성한다.

다음에 지지 기판(2)의 위쪽에 소정의 패턴으로 광을 차광하는 포토마스크(21a)를 배치하고, 이 포토마스크(21a)를 통해, 제1 격벽 형성용 막(8a)을 노광한다. 감광성 수지에는, 포지티브형 감광성 수지 및 네가티브형 감광성 수지가 있다. 본 공정에서는 어떤 타입의 감광성 수지든 사용할 수 있다. 포지티브형의 감광성 수지를 사용한 경우에는, 제1 격벽 형성용 막(8a) 중, 주로 제1 격벽(3a)이 형성되어야 할 부위 외의 잔여 부위에 광 L을 조사한다. 또한 네가티브형의 감광성 수지를 사용한 경우에는, 제1 격벽 형성용 막(8a) 중, 주로 제1 격벽(3a)이 형성되어야 할 부위에 광 L을 조사한다. 본 공정에서는 포지티브형의 감광성 수지를 사용한 경우에 대해, 도 10을 참조하여 설명한다.

도 10a, 도 10b 및 도 10c에 도시된 바와 같이, 지지 기판(2)의 위쪽에 포토마스크(21a)를 배치하고, 이 포토마스크(21a)를 통해 광 L을 조사한다. 광 L은, 제1 격벽 형성용 막(8a) 중, 주로 제1 격벽(3a)이 형성되어야 할 부위 외의 잔여 부위에 조사된다. 또한 도 10b 및 도 10c에서는 제1 격벽 형성용 막(8a)에 조사되는 광 L이 모식적으로 외곽선의 화살표로 나타나 있다.

도 11a, 도 11b 및 도 11c에 도시된 바와 같이, 다음에 현상 공정을 행한다. 이에 의해 제1 격벽(3a)이 패턴 형성된다. 제1 격벽 형성용 막(8a)을 현상할 때에는, 현상액이 제2 격벽(3b)에 접촉하게 된다. 그러나, 전술한 바와 같이 제2 격벽(3b)은 포스트베이크 공정이 실시되기 때문에, 제2 격벽(3b)은 가령 현상액에 접했다고 해도 에칭되지 않는다.

현상 공정 후, 포스트베이크 공정을 행한다. 포스트베이크 공정은, 예를 들어 200℃ 내지 230℃의 온도에서 15분간 내지 60분간 지지 기판(2)을 가열함으로써 제1 격벽 형성용 막(8a)을 경화하여, 제1 격벽(3a)을 형성한다.

본 실시 형태에서는 순테이퍼 형상의 제1 격벽(3a)을 형성한다. 제1 격벽(3a)의 측면과 제1 격벽(3a)의 저면이 이루는 각 θ1의 각도는, 이하의 요소를 적절히 조정함으로써 임의의 각도로 조정할 수 있다.

제1 격벽(3a)의 측면과 제1 격벽(3a)의 저면이 이루는 각 θ1의 각도, 제2 격벽(3b)의 측면과 제2 격벽(3b)의 저면이 이루는 각 θ2의 각도는 주로 사용하는 감광성 수지의 종류에 따라 정해진다. 따라서, 예를 들어 시장으로부터 입수 가능한 복수 종류의 감광성 수지 중에서, 소정의 조건에서 노광 공정 및 현상 공정을 행함으로써 순테이퍼 형상의 격벽(3)(제1 격벽인 3a)을 형성할 수 있는 재료 또는 소정의 조건에서 노광 공정 및 현상 공정을 행함으로써 역테이퍼 형상의 격벽(3)(제2 격벽인 3b)을 형성할 수 있는 재료를 적절히 선택하고, 이것을 사용하여 격벽을 형성하면 된다.

또한 현상 시간을 조정함으로써도 격벽의 측면과 격벽의 저면이 이루는 각을 조정할 수 있다. 네가티브형의 감광성 수지를 사용하여 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)을 형성하는 경우, 일반적으로 현상 시간을 길게 할수록, 제2 격벽(3b)의 측면과 제2 격벽(3b)의 저면이 이루는 각 θ2의 각도가 커지는 경향이 있다.

또한 노광량을 조정함으로써도 격벽의 측면과 격벽의 저면이 이루는 각을 조정할 수 있다. 네가티브형의 감광성 수지를 사용하여 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)을 형성하는 경우, 일반적으로 노광량을 적게 할수록 제2 격벽(3b)의 측면과 제2 격벽(3b)의 저면이 이루는 각 θ2의 각도가 작아지는 경향이 있다.

또한 포토마스크(21b)와 지지 기판(2)의 거리를 조정함으로써도 격벽의 측면과 격벽의 저면이 이루는 각을 조정할 수 있다. 네가티브형의 감광성 수지를 사용하는 경우, 포토마스크(21b)와 지지 기판(2)의 거리를 작게 할수록 순테이퍼 형상의 제1 격벽(3a)을 형성하는 경우에는, 일반적으로 제1 격벽(3a)의 측면과 제1 격벽(3a)의 저면이 이루는 각 θ1이 커지는 경향이 있고, 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)을 형성하는 경우에는, 일반적으로 제2 격벽(3b)의 측면과 제2 격벽(3b)의 저면이 이루는 각 θ2가 작아지는 경향이 있다.

감광성 수지 조성물은, 일반적으로 바인더 수지, 가교제, 광반응 개시제, 용매 및 그 밖의 첨가제를 배합하여 사용된다.

바인더 수지는, 미리 중합된 수지이다. 바인더 수지의 예로서는, 스스로 중합성을 갖지 않는 비중합성 바인더 수지, 중합성을 갖는 치환기가 도입된 중합성 바인더 수지를 들 수 있다. 바인더 수지는, 폴리스티렌을 표준으로 하여 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 구해지는 중량 평균 분자량이 5000 내지 400000의 범위에 있다.

바인더 수지로서는, 예를 들어 페놀 수지, 노볼락 수지, 멜라민 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 바인더 수지로서는, 단량체는 각각 단독 또는 2종 이상을 조합한 공중합체를 사용할 수도 있다. 바인더 수지의 비율은, 상기 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 질량 분율로 통상 5％ 내지 90％이다.

가교제는, 광을 조사함으로써 광 중합 개시제로부터 발생한 활성 라디칼, 산 등에 의해 중합할 수 있는 화합물이다. 가교제로서, 예를 들어 중합성 탄소-탄소 불포화 결합을 갖는 화합물을 들 수 있다. 가교제는, 분자 내에 중합성 탄소-탄소 불포화 결합을 1개 갖는 단관능의 화합물일 수도 있고, 중합성 탄소-탄소 불포화 결합을 2개 이상 갖는 2관능 이상의 다관능의 화합물일 수도 있다. 상기 감광성 수지 조성물에 있어서, 가교제는, 바인더 수지와 가교제의 합계량을 100질량부로 하면, 통상 0.1질량부 이상 70질량부 이하이다. 또한 상기 감광성 수지 조성물에 있어서 광반응 개시제는, 바인더 수지와 가교제의 합계량을 100질량부로 하면, 통상 1질량부 이상 30질량부 이하이다.

포지티브형 감광성 수지는, 광의 조사 부분이 현상액에 대하여 용해하는 수지이다. 포지티브형 감광성 수지는, 일반적으로는 수지와 광반응에 의해 친수화되는 화합물을 복합화함으로써 구성된다.

포지티브형 감광성 수지로서는, 노볼락 수지, 폴리히드록시스티렌, 아크릴 수지, 메타아크릴 수지, 폴리이미드 등의 내약품성 및 밀착성을 갖는 수지와 광분해성 화합물을 조합한 수지를 사용할 수 있다.

현상에 사용되는 현상액으로서는, 예를 들어 염화칼륨 수용액, 수산화테트라메틸암모늄(TMAH) 수용액 등을 들 수 있다.

상술한 바와 같이, 제1 격벽(3a)의 측면과 제1 격벽(3a)의 저면이 이루는 각 θ1, 제2 격벽(3b)의 측면과 제2 격벽(3b)의 저면이 이루는 각 θ2는 주로 사용하는 감광성 수지의 종류에 따라 정해지지만, 시장으로부터 입수 가능한 복수의 종류의 감광성 수지 중 대부분은 순테이퍼 형상의 격벽(제1 격벽(3a))을 형성하는 재료로서 사용할 수 있다. 또한 역테이퍼 형상의 격벽(제2 격벽(3b))을 형성하기 위한 재료의 예로서는, 닛본 제온 가부시끼가이샤제의 재료(ZPN2464, ZPN1168) 등을 들 수 있다.

격벽(3)의 형상 및 그의 배치는 화소수 및 해상도 등의 표시 장치의 사양, 제조의 용이함 등에 따라 적절히 설정된다. 예를 들어 격벽(3)의 행방향 X 또는 열방향 Y의 폭은 5㎛ 내지 50㎛ 정도이고, 격벽(3)의 높이는 0.5㎛ 내지 5㎛ 정도이고, 행방향 X 또는 열방향 Y에 인접하는 격벽(3) 사이의 간격, 즉 오목부(5)의 행방향 X 또는 열방향 Y의 폭은 10㎛ 내지 200㎛ 정도이다. 또한, 제1 전극(6)의 행방향 X 또는 열방향 Y의 폭은 각각 10㎛ 내지 200㎛ 정도이다.

(유기층을 형성하는 공정)

본 공정에서는 유기층을 형성한다. 본 실시 형태에서는 1층 이상의 유기층 중 적어도 1층의 유기층을 도포법에 의해 형성한다. 본 실시 형태에서는, 제1 유기층(7) 및 제2 유기층(9)을 도포법에 의해 형성한다.

우선 정공 주입층으로서 기능하는 제1 유기층(7)을 형성한다. 도 12a, 도 12b 및 도 12c에 도시된 바와 같이, 우선 제1 유기층(7)으로 되는 재료를 포함하는 잉크(22)를 격벽(3)에 둘러싸인 영역(오목부(5))에 공급한다. 잉크(22)는, 격벽(3)의 형상, 성막 공정의 간이성 및 성막성 등을 감안하여 적절히 최적의 방법에 의해 공급된다. 잉크(22)는 예를 들어 잉크젯 프린트법, 노즐 코트법, 철판 인쇄법, 요판 인쇄법 등에 의해 오목부(5)에 공급된다.

도 13a, 도 13b 및 도 13c에 도시된 바와 같이, 다음에, 공급된 잉크(22)를 고화하여, 제1 유기층(7)을 형성한다.

잉크(22)의 고화는, 예를 들어 자연 건조, 가열 건조, 진공 건조에 의해 행할 수 있다. 또한 잉크(22)가 에너지를 가함으로써 중합되는 재료를 포함하는 경우, 잉크(22)를 오목부(5)에 공급한 후에 잉크(22)를 가열하거나 잉크(22)에 광을 조사하거나 함으로써, 잉크(22)에 포함되는 유기층을 구성하는 재료를 중합할 수도 있다. 이렇게 유기층을 구성하는 재료를 중합함으로써 제1 유기층(7)을 형성하고, 이 제1 유기층(7) 상에 제2 유기층을 더 형성할 때에 사용하는 잉크에 대하여, 제1 유기층(7)을 난용화할 수 있다.

도 14a, 도 14b 및 도 14c에 도시된 바와 같이, 다음에 발광층으로서 기능하는 제2 유기층(9)을 형성한다. 제2 유기층(9)은 제1 유기층(7)과 마찬가지로 형성할 수 있다. 즉, 적색 발광층(9R), 녹색 발광층(9G), 청색 발광층(9B)으로 되는 재료를 각각 포함하는 3종류의 잉크를 격벽(3)에 둘러싸인 소정의 영역(오목부(5))에 각각 공급하고, 이것을 더 고화함으로써 적색 발광층(9R), 녹색 발광층(9G), 청색 발광층(9B)이 형성된다.

(제2 전극을 형성하는 공정)

도 15a, 도 15b 및 도 15c에 도시된 바와 같이, 다음에 제2 전극(10)을 형성한다. 본 실시 형태에서는, 적어도 복수의 유기 전계발광 소자가 설치되는 표시 영역에 있어서, 일면(전체면)에 도전성 박막(10a)을 형성한다. 예를 들어 증착법에 의해 일면에 도전성 박막(10a)을 형성한다. 상술한 바와 같이 이 도전성 박막(10a) 중에서, 제2 유기층(9) 상에 설치되는 부분이 제2 전극(10)에 상당한다.

도 15c에 도시된 바와 같이, 제2 전극(10)의 두께가 얇은 경우, 예를 들어 일면에 도전성 박막(10a)을 형성했다고 해도, 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b) 상에서는 그 단부에서 도전성 박막(10a)이 절단되는 경우가 있고, 그 때문에 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)과 제2 격벽(3b) 상의 도전성 박막(10a)이 절단되는 경우가 있다.

도 15b에 도시된 바와 같이, 순테이퍼 형상의 제1 격벽(3a) 상에서는, 그 측면(제1 격벽(3a)의 저면에 대하여 각 θ1을 이루는 면) 상에도 도전성 박막(10a)이 형성되기 때문에, 제1 격벽(3a)의 단부에서 제2 전극(10)이 절단되는 일이 없어, 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)과 제1 격벽(3a) 상의 도전성 박막(10a)이 이어지도록 형성된다. 그로 인해, 행방향 X에 인접하는 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)끼리, 제1 격벽(3a) 상의 도전성 박막(10a)을 통해 이어지도록 형성된다.

이렇게 유기 전계발광 소자(4)의 외주 중 일부에 면하여 순테이퍼 형상의 제1 격벽(3a)이 설치되면, 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)과 제1 격벽(3a) 상의 도전성 박막(10a)이 이어지도록 형성된다. 그 때문에 비록 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)이 설치된다고 해도, 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)이 격벽(3)의 단부에서 절단되는 것을 방지할 수 있어, 복수의 유기 전계발광 소자(4) 상에 걸쳐 이어지는 제2 전극(10)을 형성할 수 있다.

상술한 바와 같이 역테이퍼 형상의 격벽(3)(제2 격벽(3b))이 설치되는 경우, 제2 전극(10)의 두께가 얇으면 역테이퍼 형상의 격벽(3)의 단부에서 제2 전극(10)이 절단되는 경우가 있지만, 순테이퍼 형상의 제1 격벽(3a)을 설치함으로써, 제2 전극(10)의 두께를 필요 이상으로 두껍게 하지 않으면서, 복수의 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)끼리 이어지도록 형성할 수 있다.

또한 본 실시 형태에서는, 제1 격벽(3a)은, 지지 기판(2)의 두께 방향 Z에 직교하는 제1 방향(본 실시 형태에서는 행방향 X)으로 각각 연장되고, 두께 방향 Z 및 제1 방향(X)에 각각 직교하는 제2 방향(본 실시 형태에서는 열방향 Y)으로 소정의 간격을 두고 배치되는 복수개의 순테이퍼 형상의 격벽으로 구성되고, 평면에서 보아 제1 격벽(3a)과 제2 격벽(3b)이 중첩되는 부위에서는, 제2 격벽(3b)은 지지 기판(2)과 제1 격벽(3a) 사이에 설치된다. 그로 인해, 평면에서 보아 제1 격벽(3a)과 제2 격벽(3b)이 중첩되는 부위에서는, 제2 격벽(3b)은 제1 격벽(3a)에 덮이는, 즉 제1 격벽(3a)가 노출되게 된다. 이러한 제1 격벽(3a)이 설치된 지지 기판(2) 상의 전체면에 도전성 박막(10a)을 형성하면, 평면에서 보아 제1 격벽(3a)과 제2 격벽(3b)이 중첩되는 부위에서는, 제2 격벽(3b)이 제1 격벽(3a)에 덮여 있기 때문에, 제1 격벽(3a)의 연장 방향을 따라, 해당 제1 격벽(3a) 상에 도전성 박막(10a)이 일렬로 형성된다. 본 실시 형태에서는 제1 격벽(3a)이 열방향 Y로 연장되도록 형성되어 있기 때문에, 열방향 Y에 인접하는 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)끼리, 제1 격벽(3a) 상의 도전성 박막(10a)을 통해 이어지도록 형성되어 있다. 이에 의해, 제1 격벽(3a) 상의 도전성 박막(10a)을 통해 모든 유기 전계발광 소자의 제2 전극(10)끼리 이어지도록 형성된다. 그 때문에 제2 전극(10)이 모든 유기 전계발광 소자(4)에 공통되는 전극으로서 기능한다.

또한 본 실시 형태에서는, 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)이 유기 전계발광 소자(4)에 면하여 유기 전계발광 소자(4)를 둘러싸도록 배치되기 때문에, 격벽(3)에 둘러싸인 영역(오목부(5))에 공급된 잉크(22)는 모세관 현상에 의해, 제1 전극(16)과 제2 격벽(3b)이 접속되는 부분의 근방의 끝이 가는 형상의 부위에 흡입되도록 충전된 상태로 된다. 이 상태를 유지한 상태에서 잉크의 용매를 증발시킴으로써, 제1 전극(6)과 격벽(3)이 접속되는 부위의 근방의 끝이 가는 형상의 부위에도 유기층이 형성된다. 이에 의해 균일한 두께의 유기층을 얻을 수 있다.

또한 순테이퍼 형상의 제1 전극(6)과 제1 격벽(3a)이 접속되는 부위에서는, 격벽(3)에 둘러싸인 영역(오목부(5))에 공급된 잉크(22)는 제1 격벽(3a)에 튀기면서 건조되는 경우가 있을 수 있다. 그러나, 유기 전계발광 소자(4)에 면하여 유기 전계발광 소자(4)의 일부분을 둘러싸도록 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)을 설치함으로써, 적어도 유기층 전체적으로는 순테이퍼 형상의 격벽에만 둘러싸인 오목부에 유기층을 형성하는 경우보다도 평탄하고 균일한 두께의 유기층이 얻어진다.

또한 오목부(5)에 있어서, 유기층의 두께가 보다 얇아지는 부위는, 평면에서 보면 오목부(5)의 형상에 크게 의존한다. 예를 들어 순테이퍼 형상의 격벽에만 둘러싸인 오목부에, 지지 기판의 두께 방향에 수직인 소정의 방향으로 연장되는 형상을 갖는 유기 전계발광 소자를 형성하는 경우, 즉, 본 실시 형태와 같이 열방향 Y로 연장되는 유기 전계발광 소자를 형성하는 경우, 오목부에 공급된 잉크는 긴 방향(열방향 Y)의 일단부 및 타단부 중 어느 하나, 또는 짧은 방향(행방향 X)의 중앙부에 모이는 경향이 있다. 이 경우, 유기층은, 긴 방향(열방향 Y)의 일단부측 및 타단부측 중 어느 하나의 두께가 더 얇아지거나, 짧은 방향(행방향 X)의 일단부측 및 타단부측의 두께가 더 얇아지거나 하는 경향이 있다.

이렇게 소정의 방향으로 연장되는 유기 전계발광 소자의 경우에는, 본 실시 형태와 같이 제1 격벽(3a)은, 평면에서 보아 유기 전계발광 소자(4)의 짧은 방향(행방향 X)의 한쪽 및 다른 쪽 단부면에 면하고, 즉, 유기 전계발광 소자의 짧은 방향의 직선적인 외주를 둘러싼(외주에 면함) 측면이 평면에서 보아 긴 방향으로 직선적으로 연장되도록 배치되고, 제2 격벽(3b)은, 유기 전계발광 소자(4)의 긴 방향(열방향 Y)의 한쪽 및 다른 쪽 단부면에 면하고, 즉, 유기 전계발광 소자의 긴 방향의 원호형의 외주를 둘러싸는(외주에 면함) 측면이 평면에서 보아 짧은 방향으로 원호형으로 연장되도록 배치되는 것이 바람직하다. 제2 격벽(3b)을 이렇게 배치하면, 오목부(5)에 공급된 잉크(22)는, 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)의 측면에 면하는 긴 방향(열방향 Y)의 일단부측 및 타단부측의 끝이 가는 형상의 부위에 모세관 현상에 의해 가까이 끌어당겨져, 제2 격벽(3b)의 측면에서 구속되어 박막으로 되기 때문에, 순테이퍼 형상의 격벽에만 둘러싸인 오목부에 형성되는 유기층보다도 평탄하고 균일한 두께의 유기층이 얻어진다.

또한 제1 격벽(3a)이 유기 전계발광 소자(4)의 짧은 방향(행방향 X)의 한쪽 및 다른 쪽 단부면에 면하여 배치되고, 제2 격벽(3b)이 유기 전계발광 소자(4)의 긴 방향(열방향 Y)의 한쪽 및 다른 쪽 단부면에 면하여 배치되면, 평면에서 보아 제2 전극(10)이 절단될 우려가 있는 긴 방향(열방향 Y)의 일단부측과 타단부측(짧은 변)이며, 제2 전극(10)은 짧은 방향(행방향 X)의 일단부측과 타단부측(긴 변)에서 격벽(3) 상의 도전성 박막(10a)과 접속하고 있다. 이러한 본 실시 형태와, 제2 전극(10)이 짧은 방향(행방향 X)의 일단부측과 타단부측에 의해 절단되어 있는 형태를 비교하면, 격벽(3) 상의 도전성 박막(10a)과 분단되어 있는 영역은 본 실시 형태의 유기 전계발광 소자(4)가 더 적고, 격벽(3) 상에서 도전성 박막(10a)이 일체적으로 구성되어 있는 영역은 본 실시 형태의 유기 전계발광 소자(4)가 더 많아지기 때문에, 배선 저항을 작게 할 수 있다.

<유기 전계발광 소자의 구성>

이하에서는 유기 전계발광 소자의 구성에 대하여 더욱 상세하게 설명한다. 유기 전계발광 소자는, 유기층으로서 적어도 1층의 발광층을 갖는다. 유기 전계발광 소자는, 상술한 바와 같이 예를 들어 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 블록층, 정공 블록층, 전자 수송층 및 전자 주입층 등의 소정의 층을 더 구비하는 경우가 있다.

본 실시 형태의 유기 전계발광 소자의 취할 수 있는 층 구성의 일례를 이하에 나타낸다.

a) 양극/발광층/음극

b) 양극/정공 주입층/발광층/음극

c) 양극/정공 주입층/발광층/전자 주입층/음극

d) 양극/정공 주입층/발광층/전자 수송층/음극

e) 양극/정공 주입층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극

f) 양극/정공 수송층/발광층/음극

g) 양극/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극

h) 양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극

i) 양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극

j) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/음극

k) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극

l) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극

m) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극

n) 양극/발광층/전자 주입층/음극

o) 양극/발광층/전자 수송층/음극

p) 양극/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극

(여기서, 기호 「/」는, 기호 「/」를 사이에 두는 각 층이 인접하여 적층되어 있는 것을 나타낸다. 이하 동일하다)

상술한 실시 형태에서는 제1 전극(6)이 양극으로서 기능하고, 제2 전극(10)이 음극으로서 기능하는 유기 전계발광 소자(4)에 대하여 설명했다. 이 형태에서는, 예를 들어 상기 a) 내지 p)의 각 구성 요소는, 보다 좌측에 나타낸 양극부터 순차적으로 지지 기판(2) 상에 적층된다. 또한 제1 전극(6)이 음극으로서 기능하고, 제2 전극(10)이 양극으로서 기능하는 유기 전계발광 소자(4)에서는, 예를 들어 상기 a) 내지 p)의 층 구성의 각 구성 요소는, 보다 우측에 나타낸 음극부터 순차적으로 지지 기판(2) 상에 적층된다.

<지지 기판>

지지 기판(2)에는, 유기 전계발광 소자(4)를 제조하는 공정에 있어서 화학적으로 변화시키지 않는 것이 적절하게 사용되고, 예를 들어 유리, 플라스틱, 고분자 필름 및 실리콘판, 및 이들을 적층한 기판 등이 사용된다.

<양극>

발광층으로부터 방사되는 광이 양극을 통하여 외계에 출사하는 구성의 유기 전계발광 소자의 경우, 양극에는 광투과성을 나타내는 전극이 사용된다. 광투과성을 나타내는 전극으로서는, 금속 산화물, 금속 황화물 및 금속 등의 박막을 사용할 수 있고, 전기 전도도 및 광투과율이 높은 것이 적절하게 사용된다. 구체적으로는 산화인듐, 산화아연, 산화주석, 인듐주석 산화물(Indium Tin Oxide: ITO), 인듐아연 산화물(Indium Zinc Oxide: IZO), 금, 백금, 은 및 구리 등을 포함하는 박막이 사용되고, 이들 중에서도 ITO, IZO 또는 산화주석을 포함하는 박막이 적절하게 사용된다.

양극의 제작 방법의 예로서는, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 도금법 등을 들 수 있다. 또한, 양극으로서, 폴리아닐린 또는 그의 유도체, 폴리티오펜 또는 그의 유도체 등의 유기의 투명 도전막을 사용할 수도 있다.

<음극>

음극의 재료로서는, 일함수가 작고, 발광층에 대한 전자 주입이 용이하고, 전기 전도도가 높은 재료가 바람직하다. 또한 양극측으로부터 광을 취출하는 구성의 유기 전계발광 소자에서는, 발광층으로부터 방사되는 광을 음극에서 양극측에 반사하기 때문에, 음극의 재료로서는 가시광에 대한 반사율이 높은 재료가 바람직하다. 음극에는, 예를 들어 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 전이 금속 및 주기율표의 제13족 금속 등을 사용할 수 있다. 음극의 재료로서는, 예를 들어 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨, 알루미늄, 스칸듐, 바나듐, 아연, 이트륨, 인듐, 세륨, 사마륨, 유로퓸, 테르븀, 이테르븀 등의 금속, 상기 금속 중의 2종 이상의 합금, 상기 금속 중의 1종 이상과, 금, 은, 백금, 구리, 망간, 티타늄, 코발트, 니켈, 텅스텐, 주석 중 1종 이상의 합금 또는 그래파이트 또는 그래파이트 층간 화합물 등이 사용된다. 합금의 예로서는, 마그네슘-은 합금, 마그네슘-인듐 합금, 마그네슘-알루미늄 합금, 인듐-은 합금, 리튬-알루미늄 합금, 리튬-마그네슘 합금, 리튬-인듐 합금, 칼슘-알루미늄 합금 등을 들 수 있다. 또한 음극으로서는 도전성 금속 산화물 및 도전성 유기물 등을 포함하는 투명 도전성 전극을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 도전성 금속 산화물의 예로서 산화인듐, 산화아연, 산화주석, ITO 및 IZO를 들 수 있다. 도전성 유기물의 예로서 폴리아닐린 또는 그의 유도체, 폴리티오펜 또는 그의 유도체 등을 들 수 있다. 또한 음극은, 2층 이상을 적층한 적층체로 구성되어 있을 수도 있다.

또한 전자 주입층이 음극으로서 사용되는 경우도 있다.

음극의 제작 방법의 예로서는, 진공 증착법, 이온 플레이팅법 등을 들 수 있다.

양극 또는 음극의 두께는, 요구되는 특성, 성막 공정의 간이성 등을 고려하여 적절히 설정할 수 있다. 양극 또는 음극의 두께는, 예를 들어 10nm 내지 10㎛이며, 바람직하게는 20nm 내지 1㎛이며, 더욱 바람직하게는 50nm 내지 500nm이다.

<정공 주입층>

정공 주입층을 구성하는 정공 주입 재료의 예로서는, 산화바나듐, 산화몰리브덴, 산화루테늄 및 산화알루미늄 등의 산화물, 페닐아민 화합물, 스타버스트형 아민 화합물, 프탈로시아닌 화합물, 아몰퍼스 카본, 폴리아닐린 및 폴리티오펜 유도체 등을 들 수 있다.

정공 주입층의 성막 방법으로서는, 예를 들어 정공 주입 재료를 포함하는 용액으로부터의 성막을 들 수 있다. 정공 주입층은, 예를 들어 정공 주입 재료를 포함하는 용액을 소정의 도포법에 의해 도포 성막하고, 이것을 더 고화함으로써 형성할 수 있다.

정공 주입층의 두께는, 요구되는 특성, 공정의 간이성 등을 고려하여 적절히 설정된다. 정공 주입층의 두께는, 예를 들어 1nm 내지 1㎛이며, 바람직하게는 2nm 내지 500nm이며, 더욱 바람직하게는 5nm 내지 200nm이다.

<정공 수송층>

정공 수송층을 구성하는 정공 수송 재료의 예로서는, 폴리비닐카르바졸 또는 그의 유도체, 폴리실란 또는 그의 유도체, 측쇄 또는 주쇄에 방향족 아민을 갖는 폴리실록산 유도체, 피라졸린 유도체, 아릴아민 유도체, 스틸벤 유도체, 트리페닐 디아민 유도체, 폴리아닐린 또는 그의 유도체, 폴리티오펜 또는 그의 유도체, 폴리아릴아민 또는 그의 유도체, 폴리피롤 또는 그의 유도체, 폴리(p-페닐렌비닐렌) 또는 그의 유도체, 또는 폴리(2,5-티에닐렌비닐렌) 또는 그의 유도체 등을 들 수 있다.

정공 수송층의 두께는, 요구되는 특성, 성막 공정의 간이성 등을 고려하여 설정된다. 정공 수송층의 두께는, 예를 들어 1nm 내지 1㎛이며, 바람직하게는 2nm 내지 500nm이며, 더욱 바람직하게는 5nm 내지 200nm이다.

<발광층>

발광층은, 통상 주로 형광 및／또는 인광을 발광하는 유기물 또는 상기 유기물과 이것을 보조하는 도펀트로 형성된다. 도펀트는, 예를 들어 발광 효율을 향상시키고, 발광 파장을 변화시키기 위하여 가해진다. 또한 발광층을 구성하는 유기물은 저분자 화합물일 수도 있고, 고분자 화합물일 수도 있으며, 도포법에 의해 발광층을 형성하는 경우에는, 발광층은 고분자 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 발광층을 구성하는 고분자 화합물의 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량은 예를 들어 10³ 내지 10⁸ 정도이다. 발광층을 구성하는 발광 재료로서는, 예를 들어 이하의 색소 재료, 금속 착체 재료, 고분자 재료, 도펀트 재료를 들 수 있다.

(색소 재료)

색소 재료로서는, 예를 들어 시클로펜다민 유도체, 테트라페닐부타디엔 유도체 화합물, 트리페닐아민 유도체, 옥사디아졸 유도체, 피라졸로퀴놀린 유도체, 디스티릴벤젠 유도체, 디스티릴아릴렌 유도체, 피롤 유도체, 티오펜 환 화합물, 피리딘 환 화합물, 페리논 유도체, 페릴렌 유도체, 올리고티오펜 유도체, 옥사디아졸 이량체, 피라졸린 이량체, 퀴나크리돈 유도체, 쿠마린 유도체 등을 들 수 있다.

(금속 착체 재료)

금속 착체 재료로서는, 예를 들어 Tb, Eu, Dy 등의 희토류 금속 또는 Al, Zn, Be, Ir, Pt 등을 중심 금속에 갖고, 옥사디아졸, 티아디아졸, 페닐피리딘, 페닐벤조이미다졸, 퀴놀린 구조 등을 배위자에 갖는 금속 착체를 들 수 있다. 금속 착체 재료로서는, 예를 들어 이리듐 착체, 백금 착체 등의 삼중항 여기 상태로부터의 발광을 갖는 금속 착체, 알루미늄퀴놀리놀 착체, 벤조퀴놀리놀베릴륨 착체, 벤조옥사졸릴아연 착체, 벤조티아졸아연 착체, 아조메틸아연 착체, 포르피린아연 착체, 페난트롤린유로퓸 착체 등을 들 수 있다.

(고분자 재료)

고분자 재료의 예로서는, 폴리파라페닐렌비닐렌 유도체, 폴리티오펜 유도체, 폴리파라페닐렌 유도체, 폴리실란 유도체, 폴리아세틸렌 유도체, 폴리플루오렌 유도체, 폴리비닐카르바졸 유도체, 상기 색소 재료, 금속 착체 발광 재료를 고분자화한 재료 등을 들 수 있다.

발광층의 두께는, 통상 약 2nm 내지 200nm이다.

<전자 수송층>

전자 수송층을 구성하는 전자 수송 재료로서는, 공지의 재료를 사용할 수 있다. 전자 수송 재료의 예로서는, 옥사디아졸 유도체, 안트라퀴노디메탄 또는 그의 유도체, 벤조퀴논 또는 그의 유도체, 나프토퀴논 또는 그의 유도체, 안트라퀴논 또는 그의 유도체, 테트라시아노안트라퀴노디메탄 또는 그의 유도체, 플루오레논 유도체, 디페닐디시아노에틸렌 또는 그의 유도체, 디페노퀴논 유도체, 또는 8-히드록시퀴놀린 또는 그의 유도체의 금속 착체, 폴리퀴놀린 또는 그의 유도체, 폴리퀴녹살린 또는 그의 유도체, 폴리플루오렌 또는 그의 유도체 등을 들 수 있다.

전자 수송층의 두께는, 요구되는 특성, 성막 공정의 간이성 등을 고려하여 적절히 설정된다. 전자 수송층의 두께는, 예를 들어 1nm 내지 1㎛이며, 바람직하게는 2nm 내지 500nm이며, 더욱 바람직하게는 5nm 내지 200nm이다.

<전자 주입층>

전자 주입층을 구성하는 재료로서는, 발광층의 종류에 따라 최적의 재료가 적절히 선택된다. 전자 주입층을 구성하는 재료의 예로서는, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 알칼리 금속 및 알칼리 토금속 중 1종류 이상을 포함하는 합금, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 산화물, 할로겐화물, 탄산염 및 이들 물질의 혼합물 등을 들 수 있다.

알칼리 금속, 알칼리 금속의 산화물, 할로겐화물 및 탄산염의 예로서는, 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘, 산화리튬, 불화리튬, 산화나트륨, 불화나트륨, 산화칼륨, 불화칼륨, 산화루비듐, 불화루비듐, 산화세슘, 불화세슘, 탄산리튬 등을 들 수 있다. 또한, 알칼리 토금속, 알칼리 토금속의 산화물, 할로겐화물, 탄산염의 예로서는, 마그네슘, 칼슘, 바륨, 스트론튬, 산화마그네슘, 불화마그네슘, 산화칼슘, 불화칼슘, 산화바륨, 불화바륨, 산화스트론튬, 불화스트론튬, 탄산마그네슘 등을 들 수 있다. 전자 주입층은, 2층 이상을 적층한 적층체로 구성될 수도 있고, 예를 들어 LiF층 및 Ca층의 적층체 등을 들 수 있다.

전자 주입층의 두께는, 1nm 내지 1㎛ 정도가 바람직하다.

상술한 각 유기층은, 예를 들어 노즐 프린팅법, 잉크젯 프린팅법, 철판 인쇄법, 요판 인쇄법 등의 도포법, 진공 증착법, 스퍼터링법 또는 CVD법 등에 의해 형성할 수 있다.

또한 도포법에서는, 각 유기층으로 되는 유기 전계발광 재료를 포함하는 잉크를 도포 성막하고, 도포 성막된 잉크를 더 고화함으로써 유기층을 형성한다. 사용되는 잉크의 용매에는, 예를 들어 클로로포름, 염화메틸렌, 디클로로에탄 등의 염소 용매, 테트라히드로푸란 등의 에테르 용매, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소 용매, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤 용매, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에스테르 용매 및 물 등이 사용된다.

실시예

본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위하여 이하에 실시예를 나타낸다. 본 발명은 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.

(실시예 1)

제1 전극으로서 기능하는 ITO 박막이 형성된 지지 기판(TFT 기판)을 준비한다(도 7a, 도 7b 및 도 7c 참조). 이 지지 기판 상에, 네가티브형 감광성 수지 용액 1(닛본 제온 가부시끼가이샤제 ZPN2464)을 스핀 코터를 사용하여 도포 성막하고, 핫 플레이트 상에서 110℃에서 90초간 가열하는 프리베이크 공정을 실시함으로써 용제 성분을 기화시킨다(도 8a, 도 8b 및 도 8c 참조). 다음에 프록시미티 노광기를 사용하여 노광량 100mJ/㎠로 노광한다. 또한 현상액(가부시끼가이샤 토쿠야마제 SD-1(TMAH 2.38중량％))을 사용하여 80초간 현상하여, 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)을 형성한다. 다음에 230℃에서 30분간 가열하는 포스트베이크 공정을 실시함으로써 수지를 경화시켜, 두께가 0.8㎛인 제2 격벽(3b)을 형성한다. 이와 같이 하여 형성된 제2 격벽(3b)의 측면과 제2 격벽(3b)의 저면이 이루는 각 θ2의 각도는 약 115°로 된다.

다음에 포지티브형 감광성 수지 용액(닛본 제온 가부시끼가이샤제 ZPN6216)을 스핀 코터를 사용하여 도포 성막하고, 핫 플레이트 상에서 110℃에서 90초간 가열하는 프리베이크 공정을 실시함으로써 용제 성분을 기화시킨다(도 10a, 도 10b 및 도 10c 참조). 다음에 프록시미티 노광기에 의해 노광량 100mJ/㎠로 노광한다. 또한 현상액(가부시끼가이샤 토쿠야마제 SD-1(TMAH 2.38중량％))을 사용하여 70초간 현상하여, 순테이퍼 형상의 제1 격벽(3a)을 형성한다. 다음에 230℃에서 30분간 가열하는 포스트베이크 공정을 실시함으로써 수지를 경화시켜, 두께가 1.0㎛인 제1 격벽(3a)을 형성한다(도 11a, 도 11b 및 도 11c 참조). 이와 같이 하여 형성된 제1 격벽(3a)의 측면과 제1 격벽(3a)의 저면이 이루는 각 θ1의 각도는 약 30°로 된다.

격벽이 형성된 지지 기판에 산소 플라즈마에 의한 표면 처리를 행하고, 계속하여 CF₄ 플라즈마에 의한 표면 처리를 행하여, ITO 표면을 친액화하고, 격벽의 표면에 발액성을 부여한다.

다음에 잉크젯 장치(울박(ULVAC)사 제조 리트렉스(Litlex)142P)를 사용하여 잉크(고형분 농도 1.5％의 폴리(에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT) 및 폴리스티렌술폰산(PSS)의 수분산액(바이엘사 제조 AI4083))를 도포한다(도 12a, 도 12b 및 도 12c 참조). 격벽(3)의 상면은 잉크를 튀기기 때문에, 격벽(3)에 둘러싸인 소정의 오목부 내에 잉크가 충전된다. 그 외에, 잉크는, 오목부의 행방향 X의 일단부측 및 타단부측에 면하는 역테이퍼 형상의 제2 격벽을 따라 모세관 현상에 의해 그 단부, 즉 측면의 하단부 근방의 끝이 가는 간극에 가까이 끌어당겨짐으로써, 화소(오목부) 내에 균일하게 퍼진다. 이 기판을 200℃에서 소성하여 균일한 두께(50nm)의 정공 주입층(7)을 형성한다(도 13a, 도 13b 및 도 13c 참조).

다음에 적색의 광을 방사하는 고분자 발광 재료를, 그 농도가 0.8중량％로 되도록 유기 용매에 혼합하여 적색 발광 잉크를 제조한다. 마찬가지로, 녹색의 광을 방사하는 고분자 발광 재료를, 그 농도가 0.8중량％로 되도록 유기 용매에 혼합하여 녹색 발광 잉크를 제조한다. 또한 청색의 광을 방사하는 고분자 발광 재료를, 그 농도가 0.8중량％로 되도록 유기 용매에 혼합하여 청색 발광 잉크를 제조한다. 이들 적색 발광 잉크, 녹색 발광 잉크, 청색 발광 잉크를 각각 잉크젯 장치(울박사 제조 리트렉스142P)를 사용하여 소정의 오목부 내에 도포한다.

격벽(3)의 상면은 잉크를 튀기기 때문에, 격벽(3)에 둘러싸인 소정의 오목부 내에 잉크가 충전된다. 그 외에, 잉크는, 오목부의 행방향 X의 일단부 및 타단부에 면하는 역테이퍼 형상의 제2 격벽을 따라 모세관 현상에 의해 그 단부에 가까이 끌어당겨져, 화소 내에 균일하게 퍼진다. 이 기판을 130℃에서 소성하여 균일한 두께(60nm)의 발광층(9)을 형성한다(도 14a, 도 14b 및 도 14c 참조).

다음에 진공 증착법에 의해 두께가 20nm인 Ca층, 두께가 150nm인 Al 층을 포함하는 제2 전극(음극)(10)을 형성한다. 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)의 단부에서는 그 단차 때문에 제2 전극(음극)(10)은 분단되는 경우도 있지만(도 15c 참조), 순테이퍼 형상의 제1 격벽(3a)의 단부에서는 제2 전극(음극)(10)은 분단하는 일이 없기 때문에, 모든 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)이 이어지도록 형성된다. 이에 의해 배선 저항을 저하되도록 할 수 있어, 의도한 대로 발광하는 복수의 유기 전계발광 소자를 지지 기판 상에 제작할 수 있고, 제작된 유기 전계발광 소자는, 패널면 내에서 각 유기 전계발광 소자가 서로 동등한 휘도로 발광함과 함께, 각 유기 전계발광 소자가 개별로 화소 내에서 균일하게 발광한다.

1: 표시 장치
2: 지지 기판
3: 격벽
3a: 제1 격벽
3b: 제2 격벽
4: 유기 전계발광 소자
5: 오목부
6: 제1 전극
7: 제1 유기층(정공 주입층)
8: 격벽 형성용 막
9: 제2 유기층(발광층)
10: 제2 전극
10a: 도전성 박막
12: 지지 기판
13: 격벽
15: 격벽에 둘러싸인 영역
16: 제1 전극
17: 잉크
18: 유기층
19: 제2 전극
21: 포토마스크
22: 잉크

Claims (5)

1. 지지 기판과, 제1 전극과 제2 전극 사이에 설치되는 적어도 1층의 발광층을 포함하고, 상기 지지 기판 상에 설치되는 복수의 유기 전계발광 소자와, 상기 유기 전계발광 소자의, 상기 지지 기판의 두께 방향의 한쪽에서 본 경우에 있어서의 외주를 각각 둘러싸도록 설치되는 격벽을 구비하는 표시 장치이며,
   상기 격벽은 상기 외주 중 일부에 면하여 설치되는 제1 격벽과, 상기 외주 중 상기 일부를 제외한 잔여 부분에 면하여 설치되는 제2 격벽을 가지고,
   상기 제1 격벽은 상기 외주를 둘러싸는 측면과 저면이 이루는 각이 예각인 순테이퍼 형상의 격벽이며,
   상기 제2 격벽은 상기 외주를 둘러싸는 측면과 저면이 이루는 각이 둔각인 역테이퍼 형상의 격벽이고,
   상기 제1 격벽은, 상기 지지 기판의 두께 방향에 직교하는 제1 방향으로 각각 연장되고, 상기 두께 방향 및 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 소정의 간격을 두고 배치되는 복수개의 격벽 부재로 구성되며,
   상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽이 중첩되는 부위에서는, 상기 제2 격벽은 상기 지지 기판과 상기 제1 격벽 사이에 설치되는 표시 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 유기 전계발광 소자는 상기 지지 기판의 두께 방향에 직교하는 소정의 방향으로 연장되는 형상을 갖고,
   상기 제1 격벽은, 상기 유기 전계발광 소자의 짧은 방향의 한쪽 및 다른 쪽 상기 외주를 둘러싸도록 배치되고,
   상기 제2 격벽은, 상기 유기 전계발광 소자의 긴 방향의 한쪽 및 다른 쪽 상기 외주를 둘러싸도록 배치되는 표시 장치.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 격벽 및 제2 격벽 각각이 감광성 수지 조성물의 층이 패터닝됨으로써 형성되는 표시 장치.
4. 제1항에 기재된 표시 장치의 제조 방법이며,
   지지 기판 상에 격벽을 형성하는 공정과,
   상기 지지 기판 상에 복수의 유기 전계발광 소자를 형성하는 공정을 포함하며,
   상기 격벽을 형성하는 공정에서는, 포토리소그래피법에 의해 감광성 수지 조성물의 층을 패터닝함으로써 제1 격벽과 제2 격벽을 각각 형성하는, 표시 장치의 제조 방법.
5. 삭제

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