JP2008010833A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ビア孔形成のためのエッチングとアッシング工程との間の時間的制約、工程間処理制御を不要とし、かつ金属配線の酸化を防止して、金属配線と接続プラグとの間の抵抗の上昇を抑制すること。
【解決手段】基板の上部に金属配線を形成する工程と、金属配線の表面にＴｉまたはＴａを含有する高融点金属層を形成する工程と、高融点金属層を覆うように層間絶縁層を形成する工程と、層間絶縁層を、有機フッ化物を含むエッチングガスで選択的にエッチングして、高融点金属層が露出する孔を形成する工程と、孔の内部を有機薬液で処理して、エッチング工程で生じた、孔の内部に存在するＴｉまたはＴａのフッ素化物およびフッ化炭素のうち、ＴｉまたはＴａのフッ素化物を除去するとともに、フッ化炭素を高融点金属層の表面に残す工程と、孔の内部をプラズマ処理して、フッ化炭素を除去する工程とを含む、半導体装置の製造方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体素子が形成された基板の上部に素子間をつなぐ配線層を形成するに際して、ＴｉまたはＴａを含有する高融点金属層が金属配線上に設けられた配線構造を有する半導体装置の製造方法に関する。

近年、半導体装置の高集積化、高速化に伴って、配線抵抗、配線間容量の低減が求められている。また、多層配線構造の半導体装置においては、アルミニウムや銅などが配線材料として用いられており、この際、絶縁膜中へこれら金属が拡散するのを防止するためにバリアメタル層が設けられている。

特許文献１には、アッシング工程におけるレジストからのフッ素またはフルオロカーボンの活性種の放出を抑制するように、プラズマエッチング工程とアッシング工程との間に有機薬液処理を行うことにより、フッ化炭素を溶解除去する技術が開示されている。

特許文献２は、少なくともシリコンまたは銅を含有するアルミニウム薄膜のパターニングに使用する第１のフォトレジストを除去し、このアルミニウム薄膜上に再度第２のフォトレジストを塗布するレジスト再生工程を含む、半導体集積回路装置の製造方法が開示されている。
特開２００４−２３５３４４号公報 特開平１０−１５４６９４号公報

ところで、実際の製造工程においては、仕掛品が多い場合、工程間の待機時間が長くなることがある。特許文献１の製造方法においても、プラズマエッチング工程後の有機薬液処理が終了してから次のアッシング工程までの間、ウェハが長時間放置されるロットがある。この場合、ビア底の金属窒化膜の露出部分が大気中の水分に長時間曝されることにより酸化されてしまう。

ビア底の金属窒化膜の露出部が酸化されると、このビア孔に、例えばタングステンを埋めてビアを形成したときに、このビアにおける通電時の抵抗（ビア抵抗）が上昇してしまい、得られる半導体装置の信頼性が低下することがある。

従来は、ビア底の金属窒化膜の露出部分における酸化を防ぐために、有機薬液処理からアッシング工程までの時間的制約、工程間処理制御等が必要であり、このため生産性の低下につながっていた。

一方、ビア底の金属窒化膜表面の酸化膜を還元処理により復元することも考えられる。しかし、ビア底の金属窒化膜表面の酸化膜は、いわゆる錆びた状態であり、その表面の凸凹度合いは、（１）製造ラインの大気中の水分、（２）配線に蓄積されたチャージ量、（３）露出部分のＴｉＦ、ＴｉＯＦの量などに左右され、この凸凹の形態は様々であり、この凸凹の程度が大きい場合には完全な空洞を形成する場合がある。一度酸化されたＴｉを、形状を含め元通りの形態に復元するのは困難である。すなわち、半導体装置の信頼性を上げるためには、ビア底部の酸化が起こらないようにすることが必要である。

本発明は上記の課題を鑑みなされたものであり、ビア孔形成のためのエッチングの後の有機薬液処理が終了してからアッシング工程までの間における、時間的制約、工程間処理制御を不要にし、かつビア底の金属窒化膜の酸化を防止する手段を提供するものである。

即ち、本発明は、基板の上部に金属配線を形成する工程と、
前記金属配線の表面にＴｉまたはＴａを含有する高融点金属層を形成する工程と、
前記高融点金属層を覆うように層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層を有機フッ化物を含むエッチングガスで選択的にエッチングして、前記高融点金属層が露出する孔を形成する工程と、
前記孔の内部を有機薬液で処理して、前記エッチング工程で生じた、前記孔の内部に存在するＴｉまたはＴａのフッ素化物およびフッ化炭素のうち、前記ＴｉまたはＴａのフッ素化物を除去するとともに、前記フッ化炭素を前記高融点金属層の表面に残す工程と、
前記孔の内部をプラズマ処理して、前記フッ化炭素を除去する工程とを含む、半導体装置の製造方法、に関する。

本発明は、孔の内部を有機薬液で処理して、エッチング工程で生じた、孔の内部に存在するチタン（Ｔｉ）またはタンタル（Ｔａ）のフッ素化物およびフッ化炭素のうち、ＴｉまたはＴａのフッ素化物を除去するとともに、フッ化炭素を残す工程を含む。これによりＴｉまたはＴａのフッ素化物が除かれ、金属配線の清浄度が高まる。また、疎水性のフッ化炭素が残されることにより、水分の吸着が抑制されて、金属配線の酸化が抑制される。その後、フッ化炭素が除かれて、清浄な金属配線を得ることができ、ビア抵抗の増加が抑制される。

本発明によれば、金属配線の酸化を防ぎつつ、金属配線の清浄度を高め、金属配線と接続プラグとの間のビア抵抗の増加を抑制することができる。

以上説明したように、本発明の半導体装置の製造方法は、本発明の有機薬液で処理して、ＴｉまたはＴａのフッ素化物を除去すると共に、フッ化炭素を残すことにより、大気中に長時間放置された場合であってもＴｉ_ｘＯ_ｙまたはＴａ_ｘＯ_ｙの成長が抑制され、それによりビア抵抗の増大を抑え、半導体装置の品質低下を防止する効果がある。

以下、本発明にかかる半導体装置の製造方法の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。

図５は、本実施形態にかかる半導体装置の概略図である。
図５においてシリコン基板１３正面にトランジスタ１４が形成されている。トランジスタ１４を構成する不純物拡散層１６の上部に接してコンタクトプラグ１５が設けられ、さらにコンタクトプラグ１５の上面にＡｌ配線１７が形成されている。Ａｌ配線１９はビアプラグ１８を介してＡｌ配線１７に接続されている。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、以下の工程を含む：
（ｉ）基板の上部に金属配線を形成する工程、
（ｉｉ）前記金属配線の表面にＴｉまたはＴａを含有する高融点金属層を形成する工程、
（ｉｉｉ）前記高融点金属層を覆うように層間絶縁層を形成する工程、
（ｉｖ）前記層間絶縁層を有機フッ化物で選択的にエッチングして、前記高融点金属層が露出する孔を形成する工程、
（ｖ）前記孔の内部を有機薬液で処理して、前記エッチング工程で生じた、前記孔の内部に存在するＴｉまたはＴａのフッ素化物およびフッ化炭素のうち、前記ＴｉまたはＴａのフッ素化物を除去するとともに、前記フッ化炭素を残す工程、
（ｖｉ）前記孔の内部をプラズマ処理して、前記フッ化炭素を除去する工程。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、
（ｖｉｉ）前記孔に導電膜を形成し、前記金属配線と接続する接続プラグを形成する工程をさらに含む。以下に、各工程について説明する。

図１（ａ）に示したように、基板１の上部に層間絶縁層２を形成し、層間絶縁層２の上部には、ＴｉＮ層を介して、アルミニウム（Ａｌ）が主成分である金属配線３を形成し（工程（ｉ））、その表面にＴｉＮ層４を積層する（ＴｉＮ層形成工程、工程（ｉｉ））。なお、この基板１には、素子（不図示）が予め形成されている。続いて、ＴｉＮ層４を覆うように層間絶縁層５を積層する（絶縁層形成工程、工程（ｉｉｉ））。さらに、層間絶縁層５の表面にレジスト６を形成する（レジスト層形成工程）。ここで、金属配線３には、図示しないが、配線材料が層間絶縁層２に拡散するのを抑えるためのバリアメタル層が含まれる。金属配線に用いる金属としては、アルミニウムの他、銅などの貴金属を用いることができる。バリアメタル層の材料としては、ＴｉＮ（上）／Ｔｉ（下）を使用できる。

工程（ｉｉ）で使用されるＴｉまたはＴａを含有する高融点金属層としては、ＴｉＮの他に、ＴｉＮ／Ｔｉ、Ｔｉ、ＴａＮ、ＴａＮ／ＴａおよびＴａを用いることができる。

続いて、図１（ｂ）に示したように、レジスト６をパターニング処理して、開口領域７を形成する。引き続き、パターニング後残ったレジスト６をマスクとして、通常のドライエッチングの条件下、例えば並行平板型のプラズマエッチャーを用いて、０〜１００℃程度にて、有機フッ化物を含むエッチングガスを用いて、通常のドライエッチングで印加するパワーを上部電極および下部電極に印加するなどの条件下、層間絶縁層５のプラズマエッチング処理を行って、図１（ｃ）に示したように、孔８を形成する（エッチング工程、工程（ｉｖ））。このエッチング処理は、ＴｉＮ層４が露出したところでストップするようにする。

有機フッ化物としては、ＣｎＦ_２ｎ＋２（ｎは整数）で表される化合物を用いることができる。このようなフルオロカーボンとして、Ｃ_３Ｆ_８、ＣＦ_４等が挙げられる。本実施形態においては、ＣＦ_４を用いることができる。

このとき、ビア底となるＴｉＮ層４の露出部９に、炭素（Ｃ）、フッ素（Ｆ）、チタン（Ｔｉ）、酸素（Ｏ）による変質層１０が形成される。

続いて、変質層１０を有機薬液で処理する（工程（ｖ））。この工程において、ウェハ表面に例えば塗布装置などを用いて、ウェハを回転させながら、有機薬液（例えばシンナー）を滴下させる。有機薬液滴下後は、ウェハ表面の薬液を振り切るため、３０００ｒｐｍでウェハを回転させる。この工程は、変質層１０に含まれるＴｉＦまたはＴｉＯＦを除去すると共に、ＣＦ系堆積物を残すように調節できる。有機薬液の処理時間およびウェハの回転数は、図３および４に基づいて、ビア抵抗の増加を抑制できる範囲で選択する。

続いて、高温プラズマ処理を行う（工程（ｖｉ））。ここでは、チャンバー内に酸素ガスを導入して、例えば基板温度を２００度以上にして、且つ、３０秒以上プラズマ処理を行う。並行平板型のプラズマエッチャーの場合、上部電極は任意の電力を、下部電極は例えば５００Ｗ以上の電力を印加して行う。

このように高温プラズマ剥離処理を行うことで、ラジカル化した酸素の反応性が高まり、ＣＦ系堆積物およびレジストが除去される（図２（ｄ））。

さらに、所定の紫外線光源より露光して紫外線処理を行う紫外線処理工程を経ることで、エッチング後にプラスに帯電しやすくなっている金属配線３を除電することができ、（図２（ｅ）〜（ｆ））、この段階での変質層の形成、成長を抑えることができる。

こうしてビア孔を開けた後に、図２（ｇ）に示したように、このビアに窒化チタン成膜などを行って、ＴｉＮ層１１を形成して、ビア形成工程に移り、ビア形成を行う。さらに、ビア孔に金属（タングステン）を充填して、ビアプラグを完成する。

以下、本実施形態の効果について説明する。

本実施形態では、エッチング後の有機薬液処理により、ＴｉＮ膜４の露出部９の変質層１０が、露出部９が酸化されにくい変質層１２へ変えられる。このため、ウェハが次の工程までの間に長時間放置されたとしても、ＴｉＮ層４の露出部９の酸化を防止することが可能となる。すなわち、プラズマ剥離工程（図２（ｅ））までは、ビア底が、酸化されにくいＣＦ系堆積物で覆われているため、大気中に放置されても酸化が起こらなくなり、ビア抵抗の増大が抑制され、これにより半導体装置の品質低下を防止することができる。

さらに、本実施形態では、ビア底部のＴｉ_ｘＯ_ｙの成長を抑制することによって、従来必要とされたプラズマ剥離工程までの時間的制約、工程間処理制御が不要となり、生産性が向上するという効果がもたらされる。

上記のような本実施形態に対し、特許文献１に記載の方法では、アッシング工程におけるレジストからのフッ素あるいは、フルオロカーボンの活性種を抑える（段落００１８）ようにフッ化炭素を除去しているが、ＣＦ系堆積物を残しておかないので、次のアッシング工程までの間、ウェハが大気中に放置されることでビア底が酸化されることが本発明者らにより確認された。

有機薬液で処理する工程を含む半導体装置の製造方法としては、特許文献２に、シンナーによる第１のフォトレジストの溶解工程を含む半導体集積回路装置の製造方法として記載されている。この方法は、フォトレジストを溶解するに過ぎず、本実施形態で実施しようとするＴｉのフッ素化物を除去するとともにフッ化炭素を残すことは困難であるため、上述の本実施形態の効果は得られない。

ここで本実施形態の有機薬液について説明する。本実施形態で使用する有機薬液（シンナー）は、ビア開口後に（１）ＴｉＦまたはＴｉＯＦを除去可能、（２）ＴｉＦまたはＴｉＯＦの除去レートよりＣＦ系堆積物の除去レートが遅い、（３）水分を実質的に含まない、という性質を有するため、上記露出したＴｉＮ層４の露出部９が酸化されにくいビア底部の実現が可能である。

尚、ＣＦ系堆積物が全て除去されるような長い有機薬液処理を行ってしまうと露出部９が大気中の水分と接触してしまうため、上記効果が失われてしまう。有機薬液処理時間は実験等により最適な時間に設定しておく必要があることは言うまでもない。さらに、シンナー自体（３）水分を実質的に含まないため、水分による酸化も起こらない。

本実施形態で用いる有機薬液について、「水分を実質的に含まない」とは、有機薬液の含水量が、Ｔｉの酸化を誘導しない量であることを表す。好ましくは、有機薬液の水に対する溶解度（２５℃）は、５ｇ／１００ｇ水以下であり、より好ましくは、３ｇ／１００ｇ水以下である。

本実施形態で使用される有機薬液の好ましい例としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）または酢酸ブチル等が挙げられる。これらの有機薬液は単独で用いても、複数組み合わせて用いてもよい。このような有機薬液を用いることにより、ＴｉＦまたはＴｉＯＦを除去すると共に、ＣＦ系堆積物を残すことができる。また、これらの有機薬液は、水を実質的に含まないため、ＴｉＮ層の酸化が抑制される。

以下に、露出したＴｉＮ層が、水分により酸化されてＴｉ_ｘＯ_ｙ（酸化チタン）が形成されるメカニズムを示す。

まず、露出したＴｉＮ層４の露出部９を大気中に放置しておくと、Ｔｉが酸化する（錆びる）現象が起こる。これは、鉄を大気中に放置しておくと錆びてしまう現象と同じである。

Ｔｉが酸化する（錆びる）過程を化学式で示すと以下のようになる。ここでは、分かりやすくするため、酸化チタンをＴｉＯ_２と示す。

Ｔｉ＋４Ｈ_２Ｏ→Ｔｉ（ＯＨ）_４＋２Ｈ_２
Ｔｉ（ＯＨ）_４→ＴｉＯ_２＋２Ｈ_２Ｏ
上記化学式は、Ｔｉが水（Ｈ_２Ｏ）と反応する過程において、一旦Ｔｉ（ＯＨ）_４（水酸化チタン）となり、水分が取れてＴｉＯ_２（酸化チタン）になることを示している。即ち、Ｔｉ_ｘＯ_ｙの形成には水（水分）が必要である。

次に、別の知見として、Ｔｉがプラスにチャージしていると、
Ｔｉ＋４Ｈ_２Ｏ→Ｔｉ（ＯＨ）_４＋２Ｈ_２
の反応速度が飛躍的に速くなることが知られている。即ち、プラスチャージはＴｉｘＯｙの形成を促進する働きがある。

エッチング工程でプラスにチャージしたイオンをウェハ表面にスパッタすることによってビア孔を形成するので、ＴｉＮ層４を含む配線３全体がプラスに帯電している。よって、エッチング工程（図１（ｃ））後から紫外線光源より露光して紫外線処理を行う紫外線処理工程（図２（ｆ））前までは、配線３全体がプラスに帯電しているので、露出したＴｉＮ層４の露出部９が酸化されやすい状態であると言える。

さらに、もう一つ別の知見として、ビア底の変質層に含まれるＴｉＦ、ＴｉＯＦ、ＣＦ系堆積物の性質について述べる。

まず、ＴｉＦやＴｉＯＦは親水性であり、大気中の水分を吸収する働きがある。特にＴｉＦは、潮解性（大気中の水蒸気を吸収してそれに溶解し水溶液をつくる現象）を有し、大気中の水分を吸収するため、Ｔｉ_ｘＯ_ｙの形成を促進する働きがある。

これに反し、ＣＦ系堆積物は疎水性であることが知られている。すなわち大気中の水分を寄せ付けない性質があり、Ｔｉ_ｘＯ_ｙの形成を抑制する働きがある。すなわち、露出したＴｉＮ層４の露出部９が酸化されにくい変質層の組成は、ＴｉＦやＴｉＯＦが少なく、ＣＦ系堆積物が多いこと、が条件となる。
以上、Ｔｉについて説明したが、Ｔｉの代わりにＴａを用いても良い。

以下に実施例について説明する。本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
変質層１０に含まれるＴｉＦまたはＴｉＯＦを除去すると共に、ＣＦ系堆積物を残すことができる有機薬液の処理時間およびウェハの回転数を、以下のようにして得た。

図３および４は、有機薬液の処理時間および回転数とビア抵抗との関係を示す図である。これらは以下の条件を用いて得られたものである。
有機薬液：ＰＭシンナー（組成：ＰＧＭＥＡ、水溶解度１ｇ／１００ｇ水（２５℃））
層間絶縁層：ＳｉＯ_２（酸化膜）
エッチングガス：ＣＦ_４／Ｏ_２／Ａｒ混合ガス
金属配線：ＡｌＣｕ（Ｃｕを含むＡｌ）
基板サイズ：８インチ
高融点金属層：ＴｉＮ
実験方法：基板に金属配線を形成し、この金属配線の表面にＴｉＮ層を形成した。このＴｉＮ層の表面に層間絶縁膜を形成し、エッチングガスを用いて選択的にエッチングして孔を形成した。この孔の内部をスピンコートを用いて有機薬液で処理して、孔の内部に存在するＴｉのフッ化物およびフッ化炭素のうち、Ｔｉのフッ化物を除去するとともに、フッ化炭素をＴｉＮ層表面に残した。その後、この孔をプラズマ処理してフッ化炭素を除去し、孔の埋め込みを行って導電膜を形成し、導電膜と金属配線との間の抵抗を測定した。

図３の横軸は有機薬液での処理時間（秒）であり、縦軸はビア抵抗の相対値であり、処理時間５秒の場合のビア抵抗値を１とした。図４の横軸は回転数（ｒｐｍ）であり、縦軸はビア抵抗値の相対値であり、回転数５００ｒｐｍの場合のビア抵抗値を１とした。回転数０、５００、１０００および１５００ｒｐｍの場合のビア抵抗相対値の値は、それぞれ、１．９×１０^８、１、４．５および１１．７であった。図３において、処理時間が４５秒を越えて長くなると、ＣＦ系堆積物が無くなるためビア抵抗値が上昇することが示された。図４において、回転数が１０００ｒｐｍを越えて高くなるとビア抵抗値が上昇することが示された。

本実施例において、回転数は、５００〜１０００ｒｐｍ、滴下量は１００ｍｌ／ｍｉｎ程度であり、好ましい滴下時間は、１〜４５秒、より好ましくは１〜１７秒であることが明らかになった。有機薬液滴下後は、ウェハ表面の薬液を振り切るため、３０００ｒｐｍでウェハを回転させた。

（実施例２）
ＸＰＳ分析（Ｘ線光電子分光分析）によりビア底の堆積物成分の組成を、ＰＭシンナー処理（処理時間＝１７秒）前後で比較したところ、組成比率がＴｉＦまたはＴｉＯＦは４２％減少し、ＣＦ系堆積物は２９％減少した。

（実施例３）
以下の条件を用いて得られたビアプラグを、ビア抵抗について評価した。
有機薬液：ＰＭシンナー（組成：ＰＧＭＥＡ、水溶解度１ｇ／１００ｇ水（２５℃））
層間絶縁層：ＳｉＯ_２（酸化膜）
エッチングガス：ＣＦ_４／Ｏ_２／Ａｒ混合ガス
金属配線：ＡｌＣｕ（Ｃｕを含むＡｌ）
基板サイズ：８インチ
高融点金属層：ＴｉＮ
実験方法：基板に金属配線を形成し、この金属配線の表面にＴｉＮ層を形成した。このＴｉＮ層の表面に層間絶縁膜を形成し、エッチングガスを用いて選択的にエッチングして孔を形成した。この孔の内部をスピンコートを用いて有機薬液で処理して、孔の内部に存在するＴｉのフッ化物およびフッ化炭素のうち、Ｔｉのフッ化物を除去するとともに、フッ化炭素をＴｉＮ層表面に残した。その後、この孔をプラズマ処理してフッ化炭素を除去し、孔の埋め込みを行って導電膜を形成し、導電膜と金属配線との間の抵抗を測定した。

（実施例４）
有機薬液として酢酸ブチル（水溶解度２．２ｇ／１００ｇ水）を用いた以外は、実施例３と同様にして、ビアプラグを作成した。

（比較例１）
有機薬液での処理を行わなかったこと以外は、実施例３と同様にしてビアプラグを作成した。

（比較例２）
実施例２の有機薬液の代わりに、ジメチルスルホキシド、ヒドロキシルアミン及び水（１５〜２５％以上含有）を含んだ剥離液を使用した以外は、実施例３と同様にして、ビアプラグを作成した。

（比較例３）
実施例２の有機薬液の代わりに、ジメチルスルホキシド、フッ化アンモニウムおよび水（約３０％含有）を含んだ剥離液を使用した以外は、実施例３と同様にして、ビアプラグを作成した。

（結果）
実施例３、４、および比較例１〜３で得られたウェハ上の１１２点の抵抗値を測定し、平均値を求めた。ビア抵抗値（平均値）の比較を行なうと、実施例３、４の抵抗値に対して比較例１では８倍、比較例２では４倍、比較例３では２倍の抵抗値となった。

図１は、本発明の実施形態の製造方法を示す工程図である。図１では、層間配線である金属配線３が形成された半導体基板上にビアを形成する例を示している。 図２は、本発明の実施形態の製造方法を示す工程図である。図２では、層間配線である金属配線３が形成された半導体基板上にビアを形成する例を示している。 図３は、ビア抵抗の相対値を有機薬液の処理時間（秒）の関数として示す。 図４は、ビア抵抗値の相対値をウェハの回転数（ｒｐｍ）の関数として示す。 図５は、本発明の実施形態に従う、トランジスタ上に適用された配線層の断面図である。

符号の説明

１ 基板
２ 層間絶縁層
３ 金属配線
４ ＴｉＮ層
５ 層間絶縁層
６ レジスト
７ 開口領域
８ 孔
９ 露出部
１０ 変質層
１１ ＴｉＮ層
１２ ＣＦ系堆積物が多く残った変質層
１３ シリコン基板、
１４ トランジスタ
１５ コンタクトプラグ
１６ 不純物拡散層
１７ Ａｌ配線
１８ ビアプラグ
１９ Ａｌ配線

Claims (6)

1. 基板の上部に金属配線を形成する工程と、
   前記金属配線の表面にＴｉまたはＴａを含有する高融点金属層を形成する工程と、
   前記高融点金属層を覆うように層間絶縁層を形成する工程と、
   前記層間絶縁層を、有機フッ化物を含むエッチングガスで選択的にエッチングして、前記高融点金属層が露出する孔を形成する工程と、
   前記孔の内部を有機薬液で処理して、前記エッチング工程で生じた、前記孔の内部に存在するＴｉまたはＴａのフッ素化物およびフッ化炭素のうち、前記ＴｉまたはＴａのフッ素化物を除去するとともに、前記フッ化炭素を前記高融点金属層の表面に残す工程と、
   前記孔の内部をプラズマ処理して、前記フッ化炭素を除去する工程とを含む、半導体装置の製造方法。
2. 前記孔に導電膜を形成し、前記金属配線と接続する接続プラグを形成する工程をさらに含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記高融点金属層がＴｉ含有層であり、前記有機薬液はＴｉのフッ素化物を除去可能であり、前記有機薬液のフッ化炭素除去レートは、Ｔｉのフッ素化物の除去レートより遅い、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記有機薬液は水分を実質的に含まない、請求項１または３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記有機薬液が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）である、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記有機薬液が、酢酸ブチルである、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。

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