JP2008009874A - メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 - Google Patents
メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008009874A JP2008009874A JP2006181732A JP2006181732A JP2008009874A JP 2008009874 A JP2008009874 A JP 2008009874A JP 2006181732 A JP2006181732 A JP 2006181732A JP 2006181732 A JP2006181732 A JP 2006181732A JP 2008009874 A JP2008009874 A JP 2008009874A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flash memory
- area
- read
- instruction information
- register
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 180
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 62
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000012005 ligant binding assay Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
- G06F12/023—Free address space management
- G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
- G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Memory System (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明によるメモリコントローラは、アクセス処理を指示する情報としてセクタ数レジスタR2に書き込まれたセクタ数がmの場合に、mより大きい値n(n>m)がセクタ数として書き込まれたときと同等の値をフラッシュメモリインターフェースブロック8内の物理ブロックアドレスレジスタR11、セクタ番号レジスタR12及びカウンタR13に設定して、アクセス処理を開始する。その後、次のアクセス処理を指示する情報がコマンドレジスタR1、セクタ数レジスタR2及びLBAレジスタR3に書き込まれ、その情報に基づくアクセス領域が連続していれば、アクセス処理を続行する。
【選択図】図6
Description
NAND型フラッシュメモリは、上記のメモリシステムで特に多く用いられるフラッシュメモリの一種である。NAND型フラッシュメモリに含まれている複数のメモリセルのそれぞれは、他のメモリセルとは独立して、論理値“1”に対応する消去状態から、論理値“0”に対応する書込状態へと変化することができる。
NAND型フラッシュメモリを用いたメモリシステムの外部バス5のホストインターフェースには、通常、磁気ディスク装置で用いられているATA(AT Attachment)が採用されている。NAND型フラッシュメモリにおけるページ若しくはページに含まれるセクタ領域を、磁気ディスク装置におけるセクタに対応させれば、比較的容易に、磁気ディスク装置を、NAND型フラッシュメモリを用いたメモリシステムに置換えることができるからである。このため、NAND型フラッシュメモリを用いたメモリシステムは、従来の磁気ディスク装置を置換える用途に使用されることが多くなっている。
ホストシステム4側のアドレス空間は、図3(a)に示したようにセクタ(512バイト)単位で分割した領域に付けた通番であるLBA(Logical Block Address)で管理されている。更に複数個のセクタをまとめたものを論理ブロックと呼び、複数個の論理ブロックをまとめたものを論理ゾーンと呼んでいる。また、図3(b)に示したように論理ブロックに付けられた通番を論理ブロック番号(LBN)と呼び、論理ゾーンに付けられた通番を論理ゾーン番号(LZN)と呼んでいる。また、各論理ゾーンに含まれた論理ブロックの各論理ゾーン内での通番を論理ゾーン内ブロック番号(LZIBN)と呼んでいる。尚、LBAレジスタには、LBAの値で読み出し若しくは書き込みを開始するセクタのアドレスが設定される。
メモリコントローラ3は、図4に示すような各種レジスタ、バッファ9、ワークエリア(図示せず)を備える。すなわち、ホストインタフェースブロック7は、コマンドレジスタR1、セクタ数レジスタR2及びLBAレジスタR3等を備えている。また、フラッシュメモリインターフェースブロック8は、物理ブロックアドレスレジスタR11,セクタ番号レジスタR12、カウンタR13等を備えている。
2 フラッシュメモリ
3 メモリコントローラ
4 ホストシステム
5 外部バス
6 内部バス
7 ホストインタフェースブロック
8 フラッシュメモリインターフェースブロック
9 バッファ
12 指示情報保持手段
13 判別手段
14 制御手段
15 アドレス情報保持手段
R1 コマンドレジスタ
R2 セクタ数レジスタ
R3 LBAレジスタ
R11 物理ブロックアドレスレジスタ
R12 セクタ番号レジスタ
R13 カウンタ
Claims (4)
- ホストシステムから与えられる指示情報に基づいて、ブロック単位で記憶データの消去が行われるフラッシュメモリに対するアクセスを制御するメモリコントローラであって、
前記指示情報に基づいて特定される読み出し領域又は書き込み領域を超える領域に対して前記フラッシュメモリに記憶されているデータの読み出し処理又は前記フラッシュメモリへのデータの書き込み処理を開始する読出書込手段と、
前記指示情報を保持する指示情報保持手段と、
前記ホストシステムから与えられる新たな指示情報に基づいて特定される読み出し領域又は書き込み領域が、前記指示情報保持手段により保持された情報に基づいて特定される読み出し領域又は書き込み領域と連続する領域であるか否かを判別する判別手段と、
前記判別手段が、連続する領域であると判断した場合には、前記読出書込手段が実行中の読み出し又は書き込み処理を続行させ、連続する領域でないと判断した場合には、前記読出書込手段が実行中の読み出し又は書き込み処理を停止させる制御手段と、
を備えることを特徴とするメモリコントローラ。 - 前記読出書込手段は、前記指示情報に基づいて特定されるブロック内最終ページまでの領域に対して前記フラッシュメモリに記憶されているデータの読み出し処理又は前記フラッシュメモリへのデータの書き込み処理を開始することを特徴とする請求項1に記載のメモリコントローラ。
- 請求項1又は2に記載のメモリコントローラとフラッシュメモリを備えることを特徴とするフラッシュメモリシステム。
- ホストシステムから与えられる指示情報に基づいて、ブロック単位で記憶データの消去が行われるフラッシュメモリに対するアクセスを制御するフラッシュメモリの制御方法であって、
前記指示情報に基づいて特定される読み出し領域又は書き込み領域を超える領域に対して前記フラッシュメモリに記憶されているデータの読み出し処理又は前記フラッシュメモリへのデータの書き込み処理を開始する読出書込ステップと、
前記指示情報を保持する指示情報保持ステップと、
前記ホストシステムから与えられる新たな指示情報に基づいて特定される読み出し領域又は書き込み領域が、前記指示情報保持ステップにより保持された情報に基づいて特定される読み出し領域又は書き込み領域と連続する領域であるか否かを判別する判別ステップと、
前記判別ステップで、連続する領域であると判断した場合には、前記読出書込ステップで開始した読み出し又は書き込み処理を続行させ、連続する領域でないと判断した場合には、前記読出書込ステップで開始した読み出し又は書き込み処理を停止させる制御ステップと、
を備えることを特徴とするフラッシュメモリの制御方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006181732A JP4182993B2 (ja) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 |
US11/766,549 US20080016267A1 (en) | 2006-06-30 | 2007-06-21 | Memory controller, flash memory system having memory controller, and method for controlling flash memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006181732A JP4182993B2 (ja) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008009874A true JP2008009874A (ja) | 2008-01-17 |
JP4182993B2 JP4182993B2 (ja) | 2008-11-19 |
Family
ID=38950577
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006181732A Active JP4182993B2 (ja) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080016267A1 (ja) |
JP (1) | JP4182993B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009110630A1 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system |
JP2012514247A (ja) * | 2008-12-30 | 2012-06-21 | マイクロン テクノロジー, インク. | シリアル不揮発性メモリに対する向上されたアドレス能力 |
JP2013030145A (ja) * | 2011-06-23 | 2013-02-07 | Panasonic Corp | メモリカードコントローラ、メモリカードアダプタおよびメモリカードドライブ |
JP2014182626A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Axell Corp | メモリ格納情報読出し方法及びメモリインターフェース |
JP2015008021A (ja) * | 2014-10-15 | 2015-01-15 | マイクロン テクノロジー, インク. | シリアル不揮発性メモリに対する向上されたアドレス能力 |
US9800225B2 (en) | 2013-06-28 | 2017-10-24 | River Eletec Corporation | Elastic wave device |
US11550476B2 (en) | 2008-02-28 | 2023-01-10 | Memory Technologies Llc | Extended utilization area for a memory device |
US11733869B2 (en) | 2009-06-04 | 2023-08-22 | Memory Technologies Llc | Apparatus and method to share host system RAM with mass storage memory RAM |
US11782647B2 (en) | 2012-04-20 | 2023-10-10 | Memory Technologies Llc | Managing operational state data in memory module |
US11797180B2 (en) | 2012-01-26 | 2023-10-24 | Memory Technologies Llc | Apparatus and method to provide cache move with non-volatile mass memory system |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7844867B1 (en) * | 2007-12-19 | 2010-11-30 | Netlogic Microsystems, Inc. | Combined processor access and built in self test in hierarchical memory systems |
US8352671B2 (en) | 2008-02-05 | 2013-01-08 | Spansion Llc | Partial allocate paging mechanism using a controller and a buffer |
US8332572B2 (en) * | 2008-02-05 | 2012-12-11 | Spansion Llc | Wear leveling mechanism using a DRAM buffer |
US8275945B2 (en) | 2008-02-05 | 2012-09-25 | Spansion Llc | Mitigation of flash memory latency and bandwidth limitations via a write activity log and buffer |
KR101529290B1 (ko) * | 2008-10-02 | 2015-06-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 디스크 장치 및 그것의 데이터 처리 방법 |
JP2012068936A (ja) | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | メモリシステム |
KR101888009B1 (ko) * | 2012-02-28 | 2018-09-07 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치 |
CN103049395B (zh) * | 2012-12-10 | 2015-12-23 | 记忆科技(深圳)有限公司 | 缓存存储设备数据的方法及其系统 |
US9158678B2 (en) * | 2013-03-13 | 2015-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory address management system and method |
KR102295223B1 (ko) | 2015-01-13 | 2021-09-01 | 삼성전자주식회사 | 속도 모드 관리자를 포함하는 저장 장치 및 사용자 장치 |
JP7438924B2 (ja) * | 2020-12-15 | 2024-02-27 | 株式会社東芝 | 情報処理装置、方法及びプログラム |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6728851B1 (en) * | 1995-07-31 | 2004-04-27 | Lexar Media, Inc. | Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices |
JP4079506B2 (ja) * | 1997-08-08 | 2008-04-23 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリシステムの制御方法 |
EP1103978B1 (en) * | 1999-11-25 | 2009-01-28 | STMicroelectronics S.r.l. | Non-volatile memory device with burst mode reading and corresponding reading method |
US7234040B2 (en) * | 2002-01-24 | 2007-06-19 | University Of Washington | Program-directed cache prefetching for media processors |
JP3913704B2 (ja) * | 2003-04-22 | 2007-05-09 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置及びこれを用いた電子装置 |
US6906961B2 (en) * | 2003-06-24 | 2005-06-14 | Micron Technology, Inc. | Erase block data splitting |
WO2005106673A1 (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 不揮発性記憶装置及びデータ書込み方法 |
US8756399B2 (en) * | 2006-01-25 | 2014-06-17 | Seagate Technology Llc | Mutable association of a set of logical block addresses to a band of physical storage blocks |
TW200805394A (en) * | 2006-07-07 | 2008-01-16 | Alcor Micro Corp | Memory storage device and the read/write method thereof |
-
2006
- 2006-06-30 JP JP2006181732A patent/JP4182993B2/ja active Active
-
2007
- 2007-06-21 US US11/766,549 patent/US20080016267A1/en not_active Abandoned
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11550476B2 (en) | 2008-02-28 | 2023-01-10 | Memory Technologies Llc | Extended utilization area for a memory device |
US11907538B2 (en) | 2008-02-28 | 2024-02-20 | Memory Technologies Llc | Extended utilization area for a memory device |
US11829601B2 (en) | 2008-02-28 | 2023-11-28 | Memory Technologies Llc | Extended utilization area for a memory device |
JP2009217391A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Toshiba Corp | メモリシステム |
WO2009110630A1 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system |
US9075740B2 (en) | 2008-03-07 | 2015-07-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system |
JP2012514247A (ja) * | 2008-12-30 | 2012-06-21 | マイクロン テクノロジー, インク. | シリアル不揮発性メモリに対する向上されたアドレス能力 |
US11733869B2 (en) | 2009-06-04 | 2023-08-22 | Memory Technologies Llc | Apparatus and method to share host system RAM with mass storage memory RAM |
US11775173B2 (en) | 2009-06-04 | 2023-10-03 | Memory Technologies Llc | Apparatus and method to share host system RAM with mass storage memory RAM |
JP2013030145A (ja) * | 2011-06-23 | 2013-02-07 | Panasonic Corp | メモリカードコントローラ、メモリカードアダプタおよびメモリカードドライブ |
US11797180B2 (en) | 2012-01-26 | 2023-10-24 | Memory Technologies Llc | Apparatus and method to provide cache move with non-volatile mass memory system |
US11782647B2 (en) | 2012-04-20 | 2023-10-10 | Memory Technologies Llc | Managing operational state data in memory module |
JP2014182626A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Axell Corp | メモリ格納情報読出し方法及びメモリインターフェース |
US9800225B2 (en) | 2013-06-28 | 2017-10-24 | River Eletec Corporation | Elastic wave device |
JP2015008021A (ja) * | 2014-10-15 | 2015-01-15 | マイクロン テクノロジー, インク. | シリアル不揮発性メモリに対する向上されたアドレス能力 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4182993B2 (ja) | 2008-11-19 |
US20080016267A1 (en) | 2008-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4182993B2 (ja) | メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 | |
US8131911B2 (en) | Data writing method, and flash storage system and controller using the same | |
US8250286B2 (en) | Block management method, and storage system and controller using the same | |
TWI385669B (zh) | 用於快閃記憶體的平均磨損方法、儲存系統與控制器 | |
JP4245585B2 (ja) | メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 | |
JP4373943B2 (ja) | メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 | |
JP2010191782A (ja) | メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 | |
JP5093294B2 (ja) | メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 | |
JP4267682B1 (ja) | Nandフラッシュメモリのリフレッシュ方法 | |
JP2010086009A (ja) | 記憶装置およびメモリ制御方法 | |
JP4594944B2 (ja) | メモリ制御装置 | |
JP4661191B2 (ja) | メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 | |
JP2005115562A (ja) | フラッシュrom制御装置 | |
JP2007323159A (ja) | メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法 | |
JP4177292B2 (ja) | メモリンコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 | |
JP4697146B2 (ja) | メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 | |
JP4177301B2 (ja) | メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 | |
JP3934659B1 (ja) | メモリコントローラ及びフラッシュメモリシステム | |
JP4235595B2 (ja) | メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 | |
JP4254930B2 (ja) | メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 | |
JP2010027140A (ja) | ハードディスクドライブ装置の読取装置及びハードディスクドライブ装置の読取装置を備えたコピー装置。 | |
JP2010250534A (ja) | メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 | |
JP4366283B2 (ja) | メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム | |
JP2008077468A (ja) | メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 | |
JP2003263894A (ja) | 不揮発性半導体メモリ装置の制御方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080304 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080421 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080812 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080825 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4182993 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120912 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130912 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |