JP2008004949A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 複数の半導体素子と、
   前記複数の半導体素子のそれぞれの一方の面にＹ軸方向に複数取り付けられた第１の電極と、
   前記複数の半導体素子のそれぞれの他方の面にＹ軸方向に延びるように一つ取り付けられた第２の電極と、
   一端側が複数の前記第１の電極にそれぞれ接続され、他端側がＸ軸方向に延びたＸ軸配線へ接続し前記第１の電極から基板へ前記第１の電極からの信号をそれぞれ出力する複数の第１の信号線と、
   一端側が複数の前記第２の電極にそれぞれ接続され、他端側が前記第２の電極から基板へ前記第２の電極からの信号をそれぞれ出力する複数の第２の信号線とを備え、
   複数の前記第２の電極は絶縁材を挟んで向き合うことを特徴とする半導体放射線検出器。
2. 前記半導体素子は、少なくとも２つの半導体素子の向き合う前記第１の電極同士を衝合することを特徴とする請求項１に記載の半導体放射線検出器。
3. 前記半導体素子は、少なくとも２つの半導体素子の向き合う前記第１の電極同士で絶縁材を挟むことを特徴とする請求項１に記載の半導体放射線検出器。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体放射線検出器を含むことを特徴とする半導体放射線撮像装置。
5. 請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体放射線検出器を含むことを特徴とするシングルフォトエミッションＣＴ装置。
6. 請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体放射線検出器を含むことを特徴とするポジトロンエミッショントモグラフィ装置。