JP2007530548A - ヒドロキシスチレンおよびそのアセチル化誘導体を製造する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
a)一般構造:
を有するフェノール性基質を準備する工程;
b)i)非アミン塩基性触媒;および
ii)少なくとも1種の極性有機溶媒または極性有機溶媒混合物;
を含んでなる反応混合物を準備する工程;
c)フェノール性基質を脱炭酸化生成物に脱炭酸化するのに十分な時間、少なくとも約100℃の温度で(a)のフェノール性基質を(b)の反応混合物と接触させる工程;
を含んでなる、フェノール性基質を脱炭酸化してビニルモノマーを製造する方法を提供することは本発明の範囲内である。場合により脱炭酸化生成物は当技術分野でよく知られている手段によって回収される。
a)一般構造:
を有するフェノール性基質を準備する工程;
b)i)非アミン塩基性触媒;および
ii)少なくとも1種の極性非プロトン性有機溶媒または極性非プロトン性有機溶媒混合物;
を含んでなる反応混合物を準備する工程;
c)フェノール性基質を脱炭酸化して脱炭酸化生成物を生成せしめるのに十分な時間、少なくとも約100℃の温度で(a)のフェノール性基質を(b)の反応混合物と接触させる工程;
d)(c)の脱炭酸化生成物をアセチル化剤と接触させて、一般構造:
を有するアセチル化生成物を生成せしめる工程;
の連続した工程を含んでなる、フェノール性基質からアセチル化生成物を合成する方法を提供する。
一般式:
を有する、ビニルモノマー、具体的にはヒドロキシスチレンを製造する方法を含んでなる。本発明の方法によって製造されるヒドロキシスチレンの例としては、限定されないが、4−ヒドロキシスチレン、3−メトキシ−4−ヒドロキシスチレン、3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシスチレン、3,4−ジヒドロキシスチレン、2−ヒドロキシスチレンおよびα−シアノ−4−ヒドロキシスチレンが挙げられる。
を有するアセチル化生成物が得られる。
本発明で使用されるフェノール性基質は、一般構造:
を有する。適切なフェノール性基質の例としては、限定されないが、4−ヒドロキシケイ皮酸、フェルラ酸、シナピン酸、コーヒー酸、2−ヒドロキシケイ皮酸、およびα−シアノ−4−ヒドロキシケイ皮酸が挙げられる。立体障害のあるフェノールよりも生成物分解する傾向がある、立体障害のないフェノール基質でさえ、高収率の脱炭酸化生成物が得られることが発見された。本明細書において立体障害のあるフェノールは、R2およびR4位置の両方で、t−ブチルなどの大きな嵩高い基として定義される。立体障害のないフェノールは、R2およびR4位置の両方で、大きな嵩高い基を保持しないフェノールである。立体障害のないフェノール基質としては、限定されないが、R2またはR4のうちの少なくとも1つが、H、OH、OCH3、メチル、エチル、またはプロピルであるフェノールが挙げられる。さらに、生成物分解する傾向があるオルト非置換フェノール基質でさえ、高収率の脱炭酸化生成物が得られることが発見された。本明細書においてオルト非置換フェノールは、R2またはR4のうちの少なくとも1つがHであるフェノールとして定義される。
本発明の方法では、非アミン塩基性触媒を使用する。非アミン塩基性触媒は、アミンを含有しない本発明の反応を促進することができる塩基性化合物である。比較として、アミン含有触媒の例は、ピリジンおよびエチレンジアミンである。実質的に、本発明の反応条件と適合性の非アミン塩基性触媒が使用され、金属塩および特にカリウム塩または酢酸塩が好ましい。本発明において特に適している触媒としては、限定されないが、酢酸カリウム、炭酸カリウム、水酸化カリウム、酢酸ナトリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウムおよび酸化マグネシウムが挙げられる。
脱炭酸反応のみについては、極性非プロトン性有機溶媒およびプロトン性極性有機溶媒を含む多種多様な有機溶媒が使用される。単一のプロトン性極性溶媒または単一の極性非プロトン性溶媒を使用することができる。さらに、極性非プロトン性溶媒の混合物、プロトン性極性溶媒の混合物、極性非プロトン性溶媒とプロトン性極性溶媒との混合物、および非プロトン性もしくはプロトン性溶媒と非極性溶媒との混合物を使用することができ、極性非プロトン性溶媒またはその混合物が好ましい。適切な極性非プロトン性溶媒としては、限定されないが、N,N−ジメチルホルムアミド、1−メチル−2−ピロリジノン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミド、およびヘキサメチル亜リン酸トリアミドが挙げられる。適切なプロトン性極性溶媒としては、限定されないが、ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル(ドワノール(Dowanol)(商標)DPM)、ジ(エチレングリコール)メチルエーテル、2−ブトキシエタノール、エチレングリコール、2−メトキシエタノール、プロピレングリコールメチルエーテル、n−ヘキサノール、およびn−ブタノールが挙げられる。
本発明の方法において重合防止剤が有用であるが、必要ではない。本発明に記載の脱炭酸反応に必要な温度に耐性のある適切な重合防止剤が使用される。適切な重合防止剤の例としては、限定されないが、ヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエーテル、4−tert−ブチルカテコール、フェノチアジン、N−オキシル(ニトロキシド)防止剤、例えば、プロスタブ(Prostab)(登録商標)5415(ニューヨーク州タリータウンのチバ・スペシャリティ・ケミカルズ社(Ciba Specialty Chemicals,Tarrytown,NY)から市販されているビス(1−オキシル−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−4−イル)セバケート,CAS#2516−92−9)、4−ヒドロキシ−TEMPO(TCIアメリカ社(TCI America)から市販されている4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−1−イルオキシ,CAS#2226−96−2)およびユビナル(Uvinul)(登録商標)4040P(マサチューセッツ州ウスターのBASF社(BASF Corp.,Worcester,MA)から市販されている1,6−ヘキサメチレン−ビス(N−ホルミル−N−(1−オキシル−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−4−イル)アミン)が挙げられる。
場合によっては、本発明の反応に重合防止剤と組み合わせて重合遅延剤を使用することも有利である。重合遅延剤は当技術分野でよく知られており、重合反応を遅くするが、重合をすべては防ぐことができない化合物である。一般的な遅延剤は、ジニトロ−オルト−クレゾール(DNOC)およびジニトロブチルフェノール(DNBP)などの芳香族ニトロ化合物である。重合遅延剤の製造方法は一般的であり、技術分野でよく知られており(例えば米国特許第6,339,177号明細書;パーク(Park)ら、Polymer(Korea)(1988)、12(8)、710−19参照)、スチレン重合の制御でのその使用はかなり記録に残されている(例えばブッシュビー(Bushby)ら、Polymer(1998)、39(22)、5567−5571参照)。
フェノール性基質、非アミン塩基性触媒、および有機溶媒を反応器に添加して、反応混合物を形成する。いずれかの適切な反応器が使用される。
一実施形態において、脱炭酸反応が終了した後に、アセチル化剤を反応混合物に直接添加することによって、脱炭酸化されたフェノール系生成物がアセチル化誘導体に変換される。一般に、アセチル化剤は過剰量で添加され、基質に比べて少なくとも1モル当量の濃度が好ましい。適切なアセチル化剤としては、限定されないが、無水酢酸、塩化アセチル、および酢酸が挙げられる。一実施形態において、アセチル化剤は無水酢酸である。
反応の終了後に、当技術分野で公知の適切な方法を使用して、脱炭酸化生成物またはアセチル化生成物を単離する。例えば、反応混合物を氷水上に注ぎ、酢酸エチルまたはジエチルエーテルなどの有機溶媒中に抽出する。次いで、減圧での蒸発を用いて溶媒を除去することによって、生成物を回収する。一実施形態において、ヒドロキシスチレン生成物の生成物収率は、理論収量の少なくとも63%である。他の実施形態において、アセチル化生成物の収率は、理論収量の少なくとも63%である。
試薬:
別段の指定がない限り、パラ−ヒドロキシケイ皮酸は、アルドリッチ社(Aldrich)(ウィスコンシン州ミルウォーキー(Milwaukee,WI))およびTCIアメリカ社(TCI America)(オレゴン州ポートランド(Portland,OR))から入手し;3,4ジヒドロキシケイ皮酸は、アルドリッチ社(Aldrich)から入手した。すべての溶媒は試薬用であり、アルドリッチ社(Aldrich)から入手した。塩基性触媒は、アルドリッチ社(Aldrich)またはEMサイエンス社(EM Science)(ニュージャージー州ギブスタウン(Gibbstown,NJ))から入手した。重合防止剤プロスタブ(Prostab)(登録商標)5415は、ニューヨーク州タリータウンのチバ・スペシャリティ・ケミカルズ社(Ciba Specialty Chemicals,Tarrytown,NY)から入手した。
TLC法:
固体担体としてシリカゲル(Silica gel)60F254(EMサイエンス社(EM Science))を使用して、TLCを行った。pHCAの分析に移動相として、エチルアセテートとヘキサンの1:1混合物を使用し、エチルアセテートとヘキサンの1:4混合物をpHSに使用した。その試料をpHCAおよびpHSの基準試料と比較した。254nmの紫外線ランプを使用して、TLCプレートを観察した。
方法1:
逆相ゾルバックス(Zorbax)SB−C8カラム(4.6mm×150mm,3.5μm,ペンシルバニア州チャッズフォードのMAC−MODアナリティカル社(MAC−MOD Analytical Inc.,Chadds Ford,PA)によって供給されている)と共に、アジレント(Agilent)1100HPLCシステム(デラウェア州ウィルミントンのアジレント・テクノロジーズ社(Agilent Technologies,Wilmington,DE))を使用した。2種類の溶媒:溶媒A、HPLCグレードの水中の0.1%トリフルオロ酢酸および溶媒B、アセトニトリル中の0.1%トリフルオロ酢酸を合わせた勾配を用いて、HPLC分離を達成した。移動相の流量は1.0mL/分であった。使用された溶媒勾配を表1に示す。温度45℃および試料注入量5μLを用いた。
ブルカー(Bruker)DRX(マサチューセッツ州ビルリカのブルカーNMR社(Bruker NMR,Billerica,MA))を使用して、500MHzでプロトンNMRデータを得た。
ヒューレット・パッカード(Hewlett Packard)LC/MSDシリーズ1100装置(デラウェア州ウィルミントンのアジレント社(Agilent Technologies,Wilmington,DE))をLC−MS分析に使用した。2つの溶媒:溶媒A、水中の0.05%トリフルオロ酢酸および溶媒B、アセトニトリル中の0.05%トリフルオロ酢酸からなる溶媒勾配でのLC分離において、ゾルバックス・エクリプス(Zorbax Eclipse)XDB−C18カラム(2.1mm×50mm,MAC−MODアナリティカル社(MAC−MOD Analytical Inc.))を使用した。勾配は、4.5分間にわたって溶媒A95%から溶媒A0%となり、続いて溶媒A0%で2.5分間、次いで溶媒A95%に戻り、流量は0.8mL/分であった。220nmでの検出で、温度60℃にてLC分離を行った。
パラ−ヒドロキシケイ皮酸の脱炭酸化による4−ヒドロキシスチレンの製造
これらの実施例の目的は、塩基性触媒および溶媒の種々の組み合わせを用いて、重合防止剤の存在下にて、パラ−ヒドロキシケイ皮酸の熱的塩基触媒脱炭酸化によって4−ヒドロキシスチレンを製造することである。
DMF中で塩基性触媒として酢酸カリウムを使用して、パラ−ヒドロキシケイ皮酸を脱炭酸化することによる4−ヒドロキシスチレンの製造
この実施例の目的は、重合防止剤(プロスタブ(Prostab)(登録商標)5415 1000ppm)の存在下にて、DMF中で塩基性触媒として酢酸カリウム(10モル%)を使用して、パラ−ヒドロキシケイ皮酸を熱的塩基触媒脱炭酸化することによって、4−ヒドロキシスチレンを製造することである。三口丸底フラスコに、pHCA(5g,30.458mmol,1当量)、DMF30mL(pHCAの1M溶液を調製するため)、プロスタブ(Prostab)(登録商標)5415 1000ppm(5mg)、および酢酸カリウム(0.3g,10モル%)を添加した。攪拌しながら、かつ還流冷却器を使用して、窒素下にて反応を行った。油浴および温度調節器(ガス温度過昇防止装置を備えた)を用いて、反応を150℃に加熱した。酢酸カリウムは室温では可溶性ではないが、熱を加えると溶解し、淡黄色の溶液が得られた。上記のようにTLCによって、反応をモニターした。150℃で1.5時間後、TLCによって決定されるように、反応が終了した。加熱を止め、反応混合物を室温に冷却した。次いで、反応混合物を氷水100mL上に注ぎ、それを塩化ナトリウムで飽和させ、酢酸エチル(75mL分)で2回抽出した。2回の抽出から得られた有機層を合わせ、2%NaHCO3溶液100mLで洗浄し、次いで水100mLで洗浄した。有機層をNa2SO4で乾燥させ、濾過し、回転蒸発器で蒸発させることによって濃縮した。残留物を−20℃で一晩保存した。次いで、その残留物をさらに、減圧(10Pa)下にて乾燥させ、淡黄色/黄褐色固体3.44gを得た(理論収量の94%)。1H NMRを用いて、生成物を分析した。
1H NMR(500MHz,MeOD):δ(ppm)7.998(0.04H,s),7.275(2H,ABq,J=9.0Hz),6.758(2H,ABq,J=9.1Hz),6.65(1H,dd,J=17.6および11.0Hz),5.575(1H,dd,J=17.6および1.1Hz),5.048(1H,dd,J=11.0および1.4Hz)。
DMF中で塩基性触媒として酢酸カリウムを使用して、パラ−ヒドロキシケイ皮酸を脱炭酸化することによる4−ヒドロキシスチレンの製造
この実施例の目的は、重合防止剤(プロスタブ(Prostab)(登録商標)5415 100ppm)の存在下にて、DMF中で塩基性触媒として酢酸カリウム(3モル%)を使用して、パラ−ヒドロキシケイ皮酸を熱的塩基触媒脱炭酸化することによって、4−ヒドロキシスチレンを製造することである。
1H NMR(500MHz,MeOD):δ(ppm)7.993(0.22H,s),7.275(2H,ABq,J=8.6Hz),6.76(2H,ABq,J=8.6Hz),6.65(1H,dd,J=17.6および10.9Hz),5.577(1H,dd,J=17.6および1.4Hz),5.048(1H,dd,J=11.0および0.7Hz)。
単一容器反応においてパラ−ヒドロキシケイ皮酸を脱炭酸化し、続いてアセチル化することによる4−アセトキシスチレンの製造
この実施例の目的は、2工程の単一容器反応において、パラ−ヒドロキシケイ皮酸を熱的塩基触媒脱炭酸化し、続いて、得られた4−ヒドロキシスチレンを無水酢酸でアセチル化することにより4−アセトキシスチレンを製造することである。濃度100ppmでプロスタブ(Prostab)(登録商標)5415を重合防止剤として使用した。
1H NMR(500MHz,CDCl3):δ(ppm)7.40(2H,ABq,J=8.6Hz),7.045(2H,ABq,J=8.5Hz),6.693(1H,dd,J=17.5および11.0Hz),5.693(1H,dd,J=17.6および0.7Hz),5.234(1H,dd,J=10.9および0.8Hz),2.29(2.64H,s)
単一容器反応においてパラ−ヒドロキシケイ皮酸を脱炭酸化し、続いてアセチル化することによる4−アセトキシスチレンの製造
この実施例の目的は、パラ−ヒドロキシケイ皮酸を熱的塩基触媒脱炭酸化し、続いて、2工程の単一容器反応において、得られた4−ヒドロキシスチレンを無水酢酸でアセチル化することにより4−アセトキシスチレンを製造することである。濃度1000ppmでプロスタブ(Prostab)(登録商標)5415を重合防止剤として使用した。
1H NMR(500MHz,CDCl3):δ(ppm)7.40(2H,ABq,J=8.4Hz),7.04(2H,ABq,J=8.5Hz),6.695(1H,dd,J=17.6および11.0Hz),5.695(1H,d,J=17.6Hz),5.235(1H,d,J=10.9Hz),2.29(3H,s)。
単一容器反応において3,4−ジヒドロキシケイ皮酸を脱炭酸化し、続いてアセチル化することによる3,4−ジアセトキシスチレンの製造
この実施例の目的は、2工程の単一容器反応において、3,4−ジヒドロキシケイ皮酸を熱的塩基触媒脱炭酸化し、続いて、得られた3,4−ヒドロキシスチレンを無水酢酸でアセチル化することにより3,4−ジアセトキシスチレンを製造することである。濃度1000ppmでプロスタブ(Prostab)(登録商標)5415を重合防止剤として使用した。
1H NMR(500MHz,CDCl3):δ(ppm)7.26(1H,dd,J=8および2Hz),7.22(1H,d,J=2Hz),7.13(1H,d,J=9Hz),6.65(1H,dd,J=18および11Hz),5.68(1H,dd,J=18および1Hz),5.26(1H,d,J=11Hz),2.27(3H,s),2.26(3H,s)。
重合防止剤の非存在下でのパラ−ヒドロキシケイ皮酸の脱炭酸化による4−ヒドロキシスチレンの製造
この実施例の目的は、重合防止剤の非存在下でDMAc中で塩基性触媒として酢酸カリウム(1モル%)を使用して、濃(concentrated)パラ−ヒドロキシケイ皮酸(4mまたは2.54M)を熱的塩基触媒脱炭酸化することによって4−ヒドロキシスチレンを製造することである。
DMAc中で塩基性触媒として異なるレベルの酢酸カリウムを使用して、パラ−ヒドロキシケイ皮酸を脱炭酸化することによる4−ヒドロキシスチレンの製造
これらの実施例の目的は、塩基性触媒として異なるレベルで酢酸カリウムを使用して、DMAc中で濃パラ−ヒドロキシケイ皮酸(2.5M)を熱的塩基触媒脱炭酸化することにより4−ヒドロキシスチレンを製造することである。
ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル中で塩基性触媒として酢酸カリウムを使用して、パラ−ヒドロキシケイ皮酸を脱炭酸化することによる4−ヒドロキシスチレンの製造
この実施例の目的は、プロトン性溶媒ジ(プロピレングリコール)メチルエーテル(ドワノール(Dowanol)(商標)DPM;ミシガン州ミッドランドのダウ・ケミカル社(Dow Chemical Co.,Midland,MI))中で塩基性触媒として酢酸カリウム(10モル%)を使用して、パラ−ヒドロキシケイ皮酸(2.5m)を熱的塩基触媒脱炭酸化することによって4−ヒドロキシスチレンを製造することである。
マイクロ波加熱を用いて、DMF中で塩基性触媒として酢酸カリウムを使用して、パラ−ヒドロキシケイ皮酸を脱炭酸化することによる4−ヒドロキシスチレンの製造
この実施例の目的は、重合防止剤(プロスタブ(Prostab)(登録商標)5415 1000ppm)の存在下で、DMF中で塩基性触媒として酢酸カリウムを使用して、パラ−ヒドロキシケイ皮酸を熱的塩基触媒脱炭酸化することによって4−ヒドロキシスチレンを製造することである。この実施例では、マイクロ波加熱を用い、その結果、温度が高いほど、反応時間が短くなる。
単一容器反応においてパラ−ヒドロキシケイ皮酸を脱炭酸化し、続いてアセチル化することによる4−アセトキシスチレンの製造
この実施例の目的は、2工程の単一容器反応において、パラ−ヒドロキシケイ皮酸を熱的塩基触媒脱炭酸化し、続いて、得られた4−ヒドロキシスチレンを無水酢酸でアセチル化することにより4−アセトキシスチレンを製造することである。重合防止剤はこの実施例では使用せず、出発pHCAは、チロシンの生物変換から誘導され、およそ純度85%であった。
Claims (39)
- a)一般構造:
[式中、R1、R3、およびR5はH、OH、またはOCH3であり;R2およびR4はH、OH、OCH3または直鎖状もしくは分岐状アルキルであり;R6およびR7はH、ハロ、またはシアノであり、ただし、R1、R3、またはR5のうち少なくとも1つはOHであり、そしてR2およびR4は両方同時にt−ブチルではない]
を有するフェノール性基質を準備する工程;
b)i)非アミン塩基性触媒;および
ii)少なくとも1種の極性有機溶媒または極性有機溶媒混合物;
を含んでなる反応混合物を準備する工程;
c)フェノール性基質を脱炭酸化生成物に脱炭酸化するのに十分な時間、少なくとも約100℃の温度で(a)のフェノール性基質を(b)の反応混合物と接触させる工程;
を含んでなる、フェノール性基質を脱炭酸化してビニルモノマーを製造する方法。 - R3がOHである請求項1に記載の方法。
- フェノール性基質が4−ヒドロキシケイ皮酸、フェルラ酸、シナピン酸、コーヒー酸、2−ヒドロキシケイ皮酸、およびα−シアノ−4−ヒドロキシケイ皮酸よりなる群から選択される請求項1に記載の方法。
- 脱炭酸化生成物が4−ヒドロキシスチレン、3−メトキシ−4−ヒドロキシスチレン、3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシスチレン、3,4−ジヒドロキシスチレン、2−ヒドロキシスチレンおよびα−シアノ−4−ヒドロキシスチレンよりなる群から選択される請求項1に記載の方法。
- 非アミン塩基性触媒がカリウムを含んでなる請求項1に記載の方法。
- 非アミン塩基性触媒が酢酸塩である請求項1に記載の方法。
- 非アミン塩基性触媒が金属塩である請求項1に記載の方法。
- 非アミン塩基性触媒が酢酸カリウム、炭酸カリウム、水酸化カリウム、酢酸ナトリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウムおよび酸化マグネシウムよりなる群から選択される請求項7に記載の方法。
- 非アミン塩基性触媒が反応混合物中で基質に対して約1モル%〜約30モル%の濃度である請求項1に記載の方法。
- 極性有機溶媒が非プロトン性である請求項1に記載の方法。
- 極性非プロトン性有機溶媒がN,N−ジメチルホルムアミド、1−メチル−2−ピロリジノン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミド、およびヘキサメチル亜リン酸トリアミドよりなる群から選択される請求項10に記載の方法。
- 極性有機溶媒がプロトン性である請求項1に記載の方法。
- プロトン性溶媒がジ(プロピレングリコール)メチルエーテル(ドワノール(Dowanol)(商標)DPM)、ジ(エチレングリコール)メチルエーテル、2−ブトキシエタノール、エチレングリコール、2−メトキシエタノール、プロピレングリコールメチルエーテル、n−ヘキサノール、およびn−ブタノールよりなる群から選択される請求項12に記載の方法。
- 反応混合物が場合により重合防止剤を含んでなる請求項1に記載の方法。
- 重合防止剤がヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエーテル、4−tert−ブチルカテコール、フェノチアジン、N−オキシル(ニトロキシド)防止剤、4−ヒドロキシ−TEMPO(4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−1−イルオキシ,CAS#2226−96−2)およびユビナル(Uvinul)(登録商標)4040P(1,6−ヘキサメチレン−ビス(N−ホルミル−N−(1−オキシル−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−4−イル)アミン)よりなる群から選択される請求項14に記載の方法。
- 重合防止剤がプロスタブ(Prostab)(登録商標)5415(ビス(1−オキシル−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−4−イル)セバケート,CAS#2516−92−9)である請求項15に記載の方法。
- 反応混合物が場合により重合遅延剤を含んでなる請求項1に記載の方法。
- 重合遅延剤がジニトロ−オルト−クレゾール(DNOC)およびジニトロブチルフェノール(DNBP)よりなる群から選択される請求項17に記載の方法。
- 脱炭酸化生成物の収率が63%を超える請求項1に記載の方法。
- 温度が約100℃〜約200℃である請求項1に記載の方法。
- a)一般構造:
[式中、R1、R3、およびR5はH、OH、またはOCH3であり;R2およびR4はH、OH、OCH3または直鎖状もしくは分岐状アルキルであり;R6およびR7は、H、ハロ、またはシアノであり、ただし、R1、R3、またはR5のうち少なくとも1つはOHである]
を有するフェノール性基質を準備する工程;
b)i)非アミン塩基性触媒;および
ii)少なくとも1種の極性非プロトン性有機溶媒または極性非プロトン性有機溶媒混合物;
を含んでなる反応混合物を準備する工程;
c)フェノール性基質を脱炭酸化して脱炭酸化生成物を生成せしめるのに十分な時間、少なくとも約100℃の温度で(a)のフェノール性基質を(b)の反応混合物と接触させる工程;
d)(c)の脱炭酸化生成物をアセチル化剤と接触させて、一般構造:
[式中、R8、R10、およびR12はH、O(C=O)CH3またはOCH3であり;R9およびR11はH、OH、OCH3または直鎖状もしくは分岐状アルキルであり;R13およびR14はH、ハロ、またはシアノであり、ただし、R8、R10、またはR12のうちの少なくとも1つはO(C=O)CH3である]
を有するアセチル化生成物を生成せしめる工程;
の連続した工程を含んでなる、フェノール性基質からアセチル化生成物を合成する方法。 - アセチル化剤が無水酢酸、塩化アセチル、および酢酸よりなる群から選択される請求項21に記載の方法。
- アセチル化剤が無水酢酸である請求項21に記載の方法。
- アセチル化生成物が4−アセトキシスチレン、3−メトキシ−4−アセトキシスチレン、3,5−ジメトキシ−4−アセトキシスチレン、3,4−ジアセトキシスチレン、2−アセトキシスチレン、およびα−シアノ−4−アセトキシスチレンよりなる群から選択される請求項21に記載の方法。
- アセチル化生成物が4−アセトキシスチレンである請求項21に記載の方法。
- フェノール性基質が4−ヒドロキシケイ皮酸、フェルラ酸、シナピン酸、コーヒー酸、2−ヒドロキシケイ皮酸、およびα−シアノ−4−ヒドロキシケイ皮酸よりなる群から選択される請求項21に記載の方法。
- 非アミン塩基性触媒がカリウムを含んでなる請求項21に記載の方法。
- 非アミン塩基性触媒が酢酸塩である請求項21に記載の方法。
- 非アミン塩基性触媒が金属塩である請求項21に記載の方法。
- 非アミン塩基性触媒が酢酸カリウム、炭酸カリウム、水酸化カリウム、酢酸ナトリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウムおよび酸化マグネシウムよりなる群から選択される請求項28に記載の方法。
- 非アミン塩基性触媒が反応混合物中で基質に対して約1モル%〜約30モル%の濃度である請求項21に記載の方法。
- 極性非プロトン性有機溶媒がN,N−ジメチルホルムアミド、1−メチル−2−ピロリジノン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミド、およびヘキサメチル亜リン酸トリアミドよりなる群から選択される請求項21に記載の方法。
- 反応混合物が場合により重合防止剤を含んでなる請求項21に記載の方法。
- 重合防止剤がヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエーテル、4−tert−ブチルカテコール、フェノチアジン、N−オキシル(ニトロキシド)防止剤、4−ヒドロキシ−TEMPO(4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−1−イルオキシ,CAS#2226−96−2)およびユビナル(Uvinul)(登録商標)4040P(1,6−ヘキサメチレン−ビス(N−ホルミル−N−(1−オキシル−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−4−イル)アミン)よりなる群から選択される請求項33に記載の方法。
- 重合防止剤がプロスタブ(Prostab)(登録商標)5415(ビス(1−オキシル−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−4−イル)セバケート,CAS#2516−92−9)である請求項34に記載の方法。
- 反応混合物が場合により重合遅延剤を含んでなる請求項21に記載の方法。
- 重合遅延剤がジニトロ−オルト−クレゾール(DNOC)およびジニトロブチルフェノール(DNBP)よりなる群から選択される請求項36に記載の方法。
- アセチル化生成物の収率が63%を超える請求項21に記載の方法。
- 工程(c)における温度が約100℃〜約200℃であり、そして工程(d)における温度が室温〜約150℃である請求項21に記載の方法。
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