JP2007523440A - イオン注入方法及び装置 - Google Patents
イオン注入方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007523440A JP2007523440A JP2006523885A JP2006523885A JP2007523440A JP 2007523440 A JP2007523440 A JP 2007523440A JP 2006523885 A JP2006523885 A JP 2006523885A JP 2006523885 A JP2006523885 A JP 2006523885A JP 2007523440 A JP2007523440 A JP 2007523440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin plate
- ions
- ion implantation
- ion
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 123
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims abstract description 29
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 31
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000004969 ion scattering spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30472—Controlling the beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
- H01J2237/31706—Ion implantation characterised by the area treated
- H01J2237/31708—Ion implantation characterised by the area treated unpatterned
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
簡単且つ容易に、厚い領域に均一にイオン注入するイオン注入方法及び装置を提供する。試料に打ち込まれるイオンを一旦略一定の速度を有するように加速した後、振動する不均一な厚さの薄板を通過させることによって、イオンが通過した薄板の厚さに応じてイオンを減速させ、当該イオンの速度を不均一に減速し、試料に打ち込むことができる。従って試料の所定のイオン注入部位には、不均一な速度を有するイオンが注入され、各イオンの有する速度によりイオンの注入深さが異なるため、厚い注入領域を形成することができる。
【選択図】図1
【選択図】図1
Description
本発明は、厚い領域に均一にイオンを注入するためのイオン注入方法及び装置に関する。
半導体の不純物添加や光デバイス作製等において、イオン注入技術は幅広く用いられている。一般にイオン注入は、所望するイオンを加速して被処理体に照射することによって行われ、イオンの注入深さは、イオンの加速エネルギーが等しいと略一定の深さとなる。しかし、用途によっては深さ方向に厚い注入領域が要求される場合もあり、このような場合には、従来、イオンの加速エネルギーを変化させて、複数回イオン注入を行うことによって、厚い注入領域を形成している。
図8は、このような従来のイオン注入方法及び装置を説明するための図であり、図8(A)の101は2.40MeVで加速した水素イオンを不純物としてSiO2ガラス試料(被処理体)に注入したときの、ガラス表面からの深さと水素の分布との関係を示したグラフである。一方、図8(B)はイオンの加速エネルギーを変化させて複数回イオン注入を行った場合の、ガラス表面からの深さと水素の分布との関係を示したグラフである。図8(B)においてグラフ102,103,104,105,106は、それぞれ2.30,2.35,2.40,2.45,2.50MeVで加速した水素イオンを試料に注入したときの、水素のガラス内での深さ方向の分布を示したもので、太線107は、それら5回のイオン注入を行った場合を合計した水素分布を示している。図8(A)で示すように、単一のエネルギー2.40MeVでイオンを注入した場合、約60μmの深さのところに、幅Wa=2μm程度にイオン注入されているが、図8(B)で示すように、加速エネルギーを変化させて複数回イオン注入すると、約20μmの厚い注入領域Wbを得ることができる。
しかし、この図8(B)で示す手法は、加速エネルギーを変化させて複数回イオン注入するため、その都度イオンビームの調整等煩雑な作業が必要であり、時間がかかり、実際の半導体製造工程等で使用する場合、スループットを著しく低下させるという問題がある。
一方、イオンの加速電圧の間隔を大きくしてイオン注入回数を減らすこともできるが、その場合、イオンの分布にムラができてしまい一様な注入領域を得ることができない。図8(C)は、2.30,2.40,2.50MeVの3段階の加速電圧で加速した水素イオンを試料に注入したときの、水素のガラス内での深さ方向の分布と、それら3回のイオン注入を行った場合を合計した水素分布108を示している。図示のように、図8(B)と比べて加速電圧の間隔が2倍になると、合計の水素分布108に凹凸が生じてしまい均一なイオン分布を得ることができない。
このような課題に対して、従来、イオンの加速電圧を変調させてターゲットに照射したり、ターゲット試料を高周波で振動させてイオンと試料との相対速度を変化させて注入領域を厚く形成する方法も考えられている(例えば、特開平7−12226号公報参照。)。
しかし、上記文献に記載されたような、加速電圧調整機構又は高周波振動機構を設ける方法も、装置が複雑になり、また、ビームが変動するためにその調整が困難である等という問題がある。
本発明はこのような課題を解決するためになされたもので、簡単且つ容易に、厚い領域に均一にイオンを注入するイオン注入方法及び装置を提供することを目的とする。
本発明のイオン注入方法は、イオン源で発生されたイオンを略均一な速度に加速し、該加速されたイオンを被処理体に注入するイオン注入方法において、前記イオンを、略均一な速度に加速した後、被処理体に注入する前に、不均一な厚さを有する薄板を通過させることによって、不均一に減速させることを特徴とする。
これによると、一旦、被処理体に打ち込まれるイオンを、略一定の速度を有するように加速した後、不均一な厚さを有する薄板を通過させ、通過した部分の厚さに応じてイオンを減速させ、当該イオンの速度を不均一に減速して被処理体に打ち込むことができる。従って、被処理体の所定のイオン注入部位には、様々な速度を有するイオンが注入され、これらイオンは各イオンの有する速度に応じた深さまで進んで停止し、厚い注入領域を形成することができる。
また、上記のイオン注入方法において、前記薄板の板厚が、前記薄板の一方から他方に向かって漸増しており、前記薄板が前記イオンの注入方向に対して垂直に振動していることを特徴とする。
これよると、板厚が一方から他方に向かって漸増する薄板を振動させるため、被処理体に到達するイオンは、ちょうどイオンが通過したときにそこに存在していた薄板の部分の厚さに応じて不均一に減速される。そしてそのように不均一に減速されたイオンが、被処理体に到達する際の速度によってその進入深さが異なるため、イオンの停止位置がばらつき、その結果として厚い注入領域を得ることができる。
また、上記のイオン注入方法において、前記薄板の表面に単数または複数の凹凸が設けられており、前記薄板が前記イオンの注入方向に対して垂直に振動していることを特徴とする。
これによると、表面に単数または複数の凹凸が設けられている薄板を振動させるため、被処理体に到達するイオンは、ちょうどイオンが通過したときにそこに存在していた薄板の部分の厚さに応じて不均一に減速される。そしてそのように不均一に減速されたイオンが、被処理体に到達する際の速度によってその進入深さが異なるため、イオンの停止位置がばらつき、その結果として厚い注入領域を得ることができる。
更に、上記のイオン注入方法において、前記薄板の表面に複数の凹凸が設けられ、前記薄板と前記被処理体との間が離間していることを特徴とする。
これによると、前記薄板には複数の凹凸が設けられているため、イオンは、通過する位置の薄板の厚さに応じて速度が減速される。また、イオンは、薄板を通過する際に、散乱の影響等によって僅かに広がるが、被処理体との間の距離が離れているため、その散乱の影響により、被処理体の特定のイオン注入部位には、薄板のいろいろな部分を通ったイオンが到達するようになる。従って、当該部位にはいろいろな速度を有するイオンが到達し、イオンの停止位置がばらつき、その結果として厚い注入領域を得ることができる。
本発明のイオン注入装置は、被処理体に注入されるイオンを略均一な速度に加速する加速手段と、被処理体を保持する保持台と、を備えたイオン注入装置において、前記加速手段と前記保持台との間に、不均一な厚さを有する薄板を更に備え、前記イオンが、前記薄板を通過することによって、不均一に減速されるようになっていることを特徴とする。
これによると、一旦、加速手段において被処理体に打ち込まれるイオンを、略一定の速度を有するように加速した後、不均一な厚さを有する薄板を通過させ、通過した部分の厚さに応じてイオンを減速させ、当該イオンの速度を不均一に減速して被処理体に打ち込むことができる。従って、被処理体の所定のイオン注入部位には、様々な速度を有するイオンが注入され、これらイオンは各イオンの有する速度に応じた深さまで進んで停止し、厚い注入領域を形成することができる。
また、上記のイオン注入装置において、前記薄板を前記イオンの注入方向に対して垂直に振動させる振動手段を備え、前記薄板の厚さは、前記薄板の一方から他方に向かって漸増することによって不均一になっていることを特徴とする。
これよると、板厚が一方から他方に向かって漸増する薄板が振動するため、被処理体に到達するイオンは、ちょうどイオンが通過したときにそこに存在していた薄板の部分の厚さに応じて不均一に減速される。そしてそのように不均一に減速されたイオンが、被処理体に到達する際の速度によってその進入深さが異なるため、イオンの停止位置がばらつき、その結果として厚い注入領域を得ることができる。
また、上記のイオン注入装置において、前記薄板を前記イオンの注入方向に対して垂直に振動させる振動手段を備え、前記薄板の厚さは、前記薄板の表面に単数または複数の凹凸を備えることによって不均一になっていることを特徴とする。
これよると、表面に単数または複数の凹凸を備える薄板が振動するため、被処理体に到達するイオンは、ちょうどイオンが通過したときにそこに存在していた薄板の部分の厚さに応じて不均一に減速される。そしてそのように不均一に減速されたイオンが、被処理体に到達する際の速度によってその進入深さが異なるため、イオンの停止位置がばらつき、その結果として厚い注入領域を得ることができる。
また、上記のイオン注入装置において、前記薄板と前記被処理体との間が離間しており、前記薄板の厚さは、前記薄板の表面に複数の凹凸を備えることによって不均一になっていることを特徴とする。
これによると、前記薄板には複数の凹凸が設けられているため、イオンは、通過する位置の薄板の厚さに応じて速度が減速される。また、イオンは、薄板を通過する際に、散乱の影響等によって僅かに広がるが、被処理体との間の距離が離れているため、散乱の影響により、被処理体の特定のイオン注入部位には、薄板のいろいろな部分を通ったイオンが到達するようになる。従って、当該部位にはいろいろな速度を有するイオンが到達し、イオンの停止位置がばらつき、その結果として厚い注入領域を得ることができる。
以下、本発明によるイオン注入方法の好適な実施形態について添付図面を参照しながら説明する。
図1は本発明の第1実施形態のイオン注入装置1の概略図である。図示のように、イオン注入装置1は、所望の原子や分子をイオン化するイオン源2と、イオン源2から引き出されたイオンの中から磁場による質量分離によって所望のイオンを選別する質量分析器3と、選別したイオンを所望の速度に加速する加速管4と、加速されたイオンからなるイオンビームを成形する四重極レンズ5と、成形されたイオンビームを試料に注入する注入室6とを備える。場合によっては、イオン注入装置1は加速管4と注入室6との間のいずれかの箇所に質量分析器3を有しても良い。
注入室6には、試料Sが保持される保持台7が設けられており、また注入室6の壁部には、イオンビームを通過させる注入口8が設けられている。そして、注入口8と保持台7との間には、更に、イオンビームの進行方向Aに対して略垂直に薄板9が配置され、この薄板9は、イオンビームの進行方向Aに対して垂直な向きBに、例えば、スライダ、ピストン等の駆動機構(図示せず)によって振動可能となっている。ここでは、薄板9が注入室6の中に配置されている例を示したが、薄板9は加速されたイオンが試料に照射される際のイオンビームの軌道上ならどこに配置されても良い。
図2は薄板9の斜視図である。図示のように、薄板9がイオンビームの進行方向Aに垂直な断面が略矩形で、また方向A及び振動方向Bに沿った断面は略三角形、即ち一端10から他端11に厚みが漸増する形状となっている。なお、薄板9の材料としては、本実施形態ではSiN、Si3N4、SiC、ダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボン等の硬い材料が好ましいが、これらに限定されず他の材料であってもよい。また、複数の材料の複合によって形成されても良い。例えば、上述のようなSiN、Si3N4、SiC、ダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボン等の薄板材料上に、塗布、堆積等により他の材料を積層して形成してもよい。薄板9の厚さは、端部11において約10μmであるが、これに限定されず、薄板の材料、イオンを注入する試料の材料、所望するイオン注入深さ及び幅、イオン種、イオンの加速エネルギー等によって異なる。
次に、本実施形態の作用について説明する。なお、本実施形態ではSiO2ガラスにイオンを注入する場合について説明するが、これに限定されず、他の物質にイオン注入することもできる。
まず、保持台7に試料Sを載置する。次いで、イオン源2において、プラズマ等によって例えば水素ガスをイオン化し、そのイオンを引き出し電極(図示せず)によって引き出す。そしてこのイオンを、質量分析器3を通過させて必要なイオンを選別し、これら選別されたイオンを加速器で約2MeVで加速する。加速されたイオンは各イオンが略同じ速度を有するイオンビームとなり、四重極レンズ5で成形された後、注入室6に入射される。
この際に、薄板9を駆動機構によって図1及び2に示すB方向に振動させておくと、注入室6に入射されたイオンは、振動する薄板9に入射してこれを通過して試料Sに注入される。即ち、イオンは不均一な厚さを有する薄板9の異なる厚さ部分を通過することになる。例えば、薄板9がSi3N4製であり、図4(A)に示すように、ある時間t=taでは、イオンビームは薄板9の最も厚い10μmの部分近傍を通過すると、速度の減速の度合いが大きく、薄板9を通過したイオンビームの速度は他と比較すると遅くなる。従って試料Sに注入されるイオンはあまり深く進入せず、図中の表面からd=30μm近傍のaで停止する。これに対して、図4(C)に示すように、それから所定時間経過したt=tcの場合、イオンビームは薄板9の最も薄い部分を通過するため、速度の減速の度合いは小さい。従って、試料Sに注入されるイオンは比較的深く進入し、表面から約45μm近傍のcで停止する。また、図4(B)に示すように時間tがtaとtcとの間の、tbの場合、イオンビームは薄板9の中間の厚さの約5μmの部分を通過するため、速度の減速の度合いも中間の度合いとなる。従って、試料Sに注入されるイオンは、aとcとの中間の表面から約37μm近傍のbの位置で停止する。従って、振動する薄板9を通過したイオンビームの試料Sへの注入領域は、試料の表面から約30μm〜45μmというある程度幅をもった領域となり、図4(D)に示すように厚い注入領域を得ることができる。
ここで、Si3N4製の薄板9の最も厚い部分の厚さが10μmであるにも係わらず、イオン注入領域は約15μmの幅を持つ、と言う現象が見られる。これは、イオンの速度の失い方が、Si3N4中とSiO2中で異なる為である。このことから、薄板を形成する材料によって、注入されるイオンの深さ方向分布幅を調整することができることが分かる。同一形状の薄板を用いる場合、より幅の広いイオン注入領域を形成したい場合には、イオンを減速させやすい材料によって薄板を形成すれば良く、然程広いイオン注入領域が必要でない場合には、イオンを減速させにくい材料によって薄板を形成すれば良い。
以上、本実施形態によると、イオン源2から発生されたイオンを、加速管4で略均一な速度に加速した後、試料Sに注入する前に、不均一な厚さの薄板9を通過させ、イオンを不均一に減速するため、試料Sの所定のイオン注入部位に、不均一な速度を有するイオンを注入することができる。そして、各イオンの有する速度によりイオンの注入深さが異なるため、結果として厚い注入領域を形成することができる。
以上では、薄板9が図2に示した形状を持つ場合について説明したが、薄板9の形状は必ずしもこのような形である必要は無い。例えば、図2の形状では、先端10が破損しやすいため、図3(A)の様に薄い平板の上に薄板9を形成してもよいし、図3(B)、(C)、(D)に示すような台形凸型、三角凸型、三角凹型などでも良い。また、図3(E)に示すように、複数の凹凸を持つものでも良い。また、図中の三角形の頂点は必ずしも尖っている必要は無く、この三角形は円形、楕円形、台形などに置き換えることも可能である。
また、この薄板9は数μmから数十μm程度の厚さであるため、直接保持するのは難しい。よって、保持しやすい厚さを持つ台に固定されていることが望ましい。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。イオン注入装置1の全体的構成は、図1で示した第1実施形態と同様であるので説明を省略する。第2実施形態が第1実施形態と異なる点は、注入室6に配置された薄板20が振動しないことと、薄板20が微小な凹凸を有し、場所的に不均一な厚さをしていることである。図5に当該薄板20の斜視図を示す。図示のように、薄板20の上面には、凹凸としてピラミッド状の微小な山21が連続して形成されている。薄板20の材料は、第1実施形態と同様にSiN、Si3N4、SiC、ダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボン等の硬い材料が好ましく、また、複数の材料の複合によって形成されても良い。薄板20の最大厚さは約10μm程度で、山の高さ及び幅は約2μmである。ただし、これらの値は、第1実施形態と同様に、薄板20の材料、イオン種、イオンの加速エネルギー、対象とする試料、所望の注入深さ及び幅等によって異なる。なお、これらの微小な山21は、例えば基板に異方性エッチングを施すことや、薄板材料上に微細パターンメッキすることによって作成可能である。ただし、この製法もこれに限定されるものではない。また凹凸の形状もこれらの微小な山21に限定されるものではなく、他の凹凸形状、例えば図6に断面形状を示すような、滑らかな凹凸22(A)、ランダムな凹凸23(B)であってもよい。ランダムな凹凸23の場合は、均一な厚さの薄板上に、材料を吹きつけることによって容易に形成することができる。
次に、第2実施形態の作用について説明する。まず、第1実施形態の場合と同様に、保持台に試料Sを載置する。それからイオン源2で例えば水素などのガスをイオン化し、当該イオンを質量分析器3で選別し、加速器4で加速して、四重極レンズ5で成形した後、注入室6に入射する。注入室に入射されたイオンは、図7(A)に示すように表面に複数の山21が形成された薄板20に入射する。この際、散乱等の影響によってイオンのビームは僅かに広がる。その結果、薄板20と試料Sとの間が離間していると、試料Sの特定の位置にはいろいろな方向からのイオンが到達し、全体として均一且つ厚い注入領域を得ることができる。
なお、図7(B)に示すように薄板20が試料Sに密着している場合、又は両者の間の距離が短い場合、イオンの軌道が散乱によって曲げられたことによって生じる、試料内部へのイオンの到達位置のずれは僅かである。このため、薄板20の表面形状と同じような形にイオンが注入され、均一な密度の注入領域が形成されない。従って、図7(A)に示すように薄板20と試料Sとはある程度距離を開ける必要がある。この試料Sと薄板20との間の距離は、薄板20に形成されるパターンの大きさやイオンの散乱度合いによって決定されるものであるが、パターンの大きさが大きい場合はこの距離は長く取る必要があり、パターンが小さくなるほど、短くて良い。山21の高さが10μm、幅が10μm程度なら、薄板20と試料Sとの距離は数mmから数cm以上が好適である。
このように、本実施形態によると、前記薄板の表面に複数の微小な凹凸21,22,23が設けられ、薄板20と試料Sとの間が離隔している。従って、薄板20のイオンが通過する場所の厚さに応じて、イオンの速度が減速される。また、イオンビームは薄板を通過する際に、散乱の影響等によって僅かに広がり、試料Sと薄板20との間の距離が離れているため、試料Sの特定の部位には、薄板のいろいろな場所を通ったイオンが到達するようになる。従って、当該部位にはいろいろな速度を有するイオンが到達し、厚い注入領域を得ることができる。
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。
Claims (8)
- イオン源で発生されたイオンを略均一な速度に加速し、該加速されたイオンを被処理体に注入するイオン注入方法において、前記イオンを、略均一な速度に加速した後、被処理体に注入する前に、不均一な厚さを有する薄板を通過させることによって、不均一に減速させることを特徴とするイオン注入方法。
- 前記薄板の板厚が、前記薄板の一方から他方に向かって漸増しており、前記薄板が前記イオンの注入方向に対して垂直に振動していることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入方法。
- 前記薄板の表面に単数または複数の凹凸が設けられており、前記薄板が前記イオンの注入方向に対して垂直に振動していることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入方法。
- 前記薄板の表面に複数の凹凸が設けられ、前記薄板と前記被処理体との間が離間していることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入方法。
- 被処理体に注入されるイオンを略均一な速度に加速する加速手段と、被処理体を保持する保持台と、を備えたイオン注入装置において、前記加速手段と前記保持台との間に、不均一な厚さを有する薄板を更に備え、前記イオンが、前記薄板を通過することによって、不均一に減速されるようになっていることを特徴とするイオン注入装置。
- 前記薄板を前記イオンの注入方向に対して垂直に振動させる振動手段を備え、前記薄板の厚さは、前記薄板の一方から他方に向かって漸増することによって不均一になっていることを特徴とする請求項5に記載のイオン注入装置。
- 前記薄板を前記イオンの注入方向に対して垂直に振動させる振動手段を備え、前記薄板の厚さは、前記薄板の表面に単数または複数の凹凸を備えることによって不均一になっていることを特徴とする請求項5に記載のイオン注入装置。
- 前記薄板と前記被処理体との間が離間しており、前記薄板の厚さは、前記薄板の表面に複数の凹凸を備えることによって不均一になっていることを特徴とする請求項5に記載のイオン注入装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004040983 | 2004-02-18 | ||
PCT/JP2005/003089 WO2005078758A1 (en) | 2004-02-18 | 2005-02-18 | Ion implantation method and ion implantation apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007523440A true JP2007523440A (ja) | 2007-08-16 |
Family
ID=34857909
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006523885A Pending JP2007523440A (ja) | 2004-02-18 | 2005-02-18 | イオン注入方法及び装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007523440A (ja) |
WO (1) | WO2005078758A1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017005180A (ja) * | 2015-06-15 | 2017-01-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2018014486A (ja) * | 2016-06-06 | 2018-01-25 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag | パワー半導体素子を処理するためのエネルギフィルタ |
JP2019040671A (ja) * | 2017-08-22 | 2019-03-14 | 住重アテックス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2019522326A (ja) * | 2016-04-04 | 2019-08-08 | エムアイツー‐ファクトリー ジーエムビーエイチ | ウェハの製造に使用されるイオン注入システムのためのエネルギーフィルタ要素 |
JP2020038975A (ja) * | 2015-02-06 | 2020-03-12 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag | SiCベースの超接合半導体装置 |
JP2020513645A (ja) * | 2016-11-25 | 2020-05-14 | エムアイツー‐ファクトリー ジーエムビーエイチ | ウェハにイオンを注入するための方法および装置 |
JP2022532999A (ja) * | 2019-05-15 | 2022-07-21 | エムアイツー‐ファクトリー ジーエムビーエイチ | 基板に粒子を注入するための装置および方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62122044A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Hitachi Ltd | イオン加速器 |
JPH07122226A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Hitachi Ltd | イオン注入方法及びその装置 |
JP3340361B2 (ja) * | 1997-10-01 | 2002-11-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4543457B2 (ja) * | 1999-10-28 | 2010-09-15 | 富士電機システムズ株式会社 | イオン注入用遮蔽マスクと半導体装置の製造方法 |
-
2005
- 2005-02-18 WO PCT/JP2005/003089 patent/WO2005078758A1/en active Search and Examination
- 2005-02-18 JP JP2006523885A patent/JP2007523440A/ja active Pending
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020038975A (ja) * | 2015-02-06 | 2020-03-12 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag | SiCベースの超接合半導体装置 |
JP2017005180A (ja) * | 2015-06-15 | 2017-01-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2021073647A (ja) * | 2016-04-04 | 2021-05-13 | エムアイツー‐ファクトリー ジーエムビーエイチ | ウェハの製造に使用されるイオン注入システムのためのエネルギーフィルタ要素 |
JP7384480B2 (ja) | 2016-04-04 | 2023-11-21 | エムアイツー‐ファクトリー ジーエムビーエイチ | ウェハの製造に使用されるイオン注入システムのためのエネルギーフィルタ要素 |
JP2019522326A (ja) * | 2016-04-04 | 2019-08-08 | エムアイツー‐ファクトリー ジーエムビーエイチ | ウェハの製造に使用されるイオン注入システムのためのエネルギーフィルタ要素 |
JP7134508B2 (ja) | 2016-04-04 | 2022-09-12 | エムアイツー‐ファクトリー ジーエムビーエイチ | ウェハの製造に使用されるイオン注入システムのためのエネルギーフィルタ要素 |
JP2022174091A (ja) * | 2016-04-04 | 2022-11-22 | エムアイツー‐ファクトリー ジーエムビーエイチ | ウェハの製造に使用されるイオン注入システムのためのエネルギーフィルタ要素 |
US10403468B2 (en) | 2016-06-06 | 2019-09-03 | Infineon Technologies Ag | Energy filter for processing a power semiconductor device |
JP2018014486A (ja) * | 2016-06-06 | 2018-01-25 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag | パワー半導体素子を処理するためのエネルギフィルタ |
US10242840B2 (en) | 2016-06-06 | 2019-03-26 | Infineon Technologies Ag | Energy filter for processing a power semiconductor device |
JP2020513645A (ja) * | 2016-11-25 | 2020-05-14 | エムアイツー‐ファクトリー ジーエムビーエイチ | ウェハにイオンを注入するための方法および装置 |
JP2019040671A (ja) * | 2017-08-22 | 2019-03-14 | 住重アテックス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2022532999A (ja) * | 2019-05-15 | 2022-07-21 | エムアイツー‐ファクトリー ジーエムビーエイチ | 基板に粒子を注入するための装置および方法 |
JP2023029981A (ja) * | 2019-05-15 | 2023-03-07 | エムアイツー‐ファクトリー ジーエムビーエイチ | 基板に粒子を注入するための方法 |
JP7210071B2 (ja) | 2019-05-15 | 2023-01-23 | エムアイツー‐ファクトリー ジーエムビーエイチ | 基板に粒子を注入するための装置および方法 |
JP7450975B2 (ja) | 2019-05-15 | 2024-03-18 | エムアイツー‐ファクトリー ジーエムビーエイチ | 基板に粒子を注入するための方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005078758A1 (en) | 2005-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007523440A (ja) | イオン注入方法及び装置 | |
JP5704577B2 (ja) | プラズマ処理装置および処理対象物を処理する方法 | |
JP4097695B2 (ja) | 平行イオン光学素子および高電流低エネルギイオンビーム装置 | |
US9520267B2 (en) | Bias voltage frequency controlled angular ion distribution in plasma processing | |
JP6634021B2 (ja) | 可変エネルギー制御を伴うイオン注入システムおよび方法 | |
US9288889B2 (en) | Apparatus and techniques for energetic neutral beam processing | |
KR101364304B1 (ko) | 가변 개구를 이용하는 것에 의한 주입 방법 및 주입기 | |
JP5212820B2 (ja) | 汚染物収集面を備えたイオン注入装置 | |
JP5249955B2 (ja) | 電子顕微鏡検鏡用試料の作製法 | |
WO2010055724A1 (ja) | イオン注入方法およびイオン注入装置 | |
CN105580113B (zh) | 用于处理衬底的系统以及处理衬底的方法 | |
JP5313893B2 (ja) | イオンデポジション装置 | |
WO2008053879A1 (fr) | Procédé d'aplanissement d'une surface solide avec un faisceau ionique d'agrégats gazeux, et dispositif d'aplanissement de surface solide | |
US9514918B2 (en) | Guard aperture to control ion angular distribution in plasma processing | |
CN110904414A (zh) | 磁体组件、包括该磁体组件的装置和方法 | |
CN109570783B (zh) | 一种激光加工晶圆的方法及装置 | |
JP7547483B2 (ja) | 薄膜の異方性堆積のためのリボンビームプラズマ化学気相堆積システム | |
US8487280B2 (en) | Modulating implantation for improved workpiece splitting | |
US6849858B2 (en) | Apparatus and method for forming alignment layers | |
JP3731883B2 (ja) | 配向層形成装置および配向層形成方法 | |
JP2007248091A (ja) | 試料作製装置及び試料作成方法 | |
JPS63153265A (ja) | スパツタ装置 | |
TW202433051A (zh) | 使用聚焦離子束及創新掃描策略創造光滑對角表面的方法 | |
JPH05211120A (ja) | 高輝度集束イオンビームを用いた化合物の薄膜パターン生成方法 | |
JP2004062098A (ja) | 配向層形成装置および形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061205 |