JP2007520877A - ヘテロ接合を備える半導体デバイス - Google Patents
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Abstract
ヘテロ接合を有する半導体デバイス。このデバイスは、基板と少なくとも1つのナノ構造とを備える。この基板とナノ構造とは、異なる材料から成る。この基板は、例えばIV族半導体材料から成ることがあるのに対して、このナノ構造は、III−V族半導体材料から成ることもある。このナノ構造は、この基板によって支持され、この基板とエピタキシャルな関係にある。ナノ構造は、ゲートアラウンドトランジスタデバイスなどの電子デバイスの機能コンポーネントになる可能性がある。ゲートアラウンドトランジスタの一実施形態においては、ナノワイヤ(51)が、基板(50)によって支持され、この基板はドレインであり、このナノワイヤは電流チャネルであり、上部金属コンタクト(59)はソースである。薄いゲート絶縁膜(54)が、このナノワイヤとこのゲート電極(55A、55B)とを絶縁している。
Description
本発明は、異なる材料の、単一の電子デバイスへの集積化に関する。本発明は、詳細には、電子デバイス中における材料の間のヘテロ接合に関し、より詳細には、第2の材料の基板上における1つまたは複数の第1の材料のナノ構造の成長に関する。
半導体産業は、3つの最も応用される半導体技術、すなわちシリコン(Si)、ガリウムヒ素(GaAs)およびリン化インジウム(InP)に基づいた3つの主要なサブの産業へと区分することができる。シリコン技術は、用途および成熟度の観点から最も主流の技術であるが、シリコンの物理的特性は、高周波数用途および光学用途におけるシリコンの用途を制限し、これらの用途においては、ガリウムヒ素およびリン化インジウムが最も適切な材料となっている。IV族半導体材料であるシリコンと、共にIII−V族材料であるガリウムヒ素およびリン化インジウムとの間の大きな格子不整合および熱的な不整合が、これら3つの材料についての単一チップ上への集積化を困難なものにしている。
シリコン基板上へのIII−V族半導体の集積化については、光エレクトロニクスや高周波数デバイスなどの補完的なIII−V族デバイスの技術および性能をシリコン技術、例えばCMOS技術と組み合わせることができる可能性によって、かなりの関心を受けてきている。
III−V族半導体材料は、1つまたは複数のバッファ層を使用することにより、IV族半導体材料上に収容し、またはIV族半導体材料と集積化することができる。
米国特許出願公開第2003/0038299号においては、単結晶GaAs層は、その後の2層のバッファ層、例えば酸化シリコンおよびチタン酸ストロンチウムを使用することにより、シリコン基板上に成長することができる。これらのバッファ層を使用して、これらの層の間の格子不整合の一部に対応できるようにしている。
前述の従来技術において行われるようなバッファ層を利用する短所は、この上部層とこの基板の間に電気的コンタクトが存在しないこと、これらのバッファ層を形成するための別個のプロセスステップ数により、これらのバッファ層などを成長させることに費用がかかることを、含む可能性がある。
本発明は、改善された電気デバイスを提供しようとするものである。好ましくは、本発明は、1つまたは複数の上記または他の短所を1つずつまたは任意の組合せで軽減し、または緩和する。
したがって、第1の態様においては、
第1の材料の主表面を有する基板と、
第2の材料のナノ構造と、
を備え、第1の材料と第2の材料とが、相互の格子不整合を有し、このナノ構造がこの基板により支持され、この基板とのエピタキシャルな関係にある電気デバイスが提供される。
第1の材料の主表面を有する基板と、
第2の材料のナノ構造と、
を備え、第1の材料と第2の材料とが、相互の格子不整合を有し、このナノ構造がこの基板により支持され、この基板とのエピタキシャルな関係にある電気デバイスが提供される。
この第1の材料は、周期律表の第1のグループからの少なくとも1つの元素を含んでいてもよく、第2の材料は、第2のグループからの少なくとも1つの元素を含んでいてもよく、この第2のグループは、この第1のグループとは異なっている。
この電気デバイスは、電子デバイス、発光ダイオードや表示デバイスなどの発光デバイス、または他の任意のタイプの電気デバイスであってもよい。
この第1の材料および第2の材料は、IV族材料、III−V族材料、およびII−VI族材料から成るグループから選択されてもよい。この第1の材料および第2材料は、絶縁材料、すなわちこれらの材料を流れる電流が無視され得るような低導電率を有する材料であってもよく、これらの材料は、導電材料、すなわち金属材料の導電率を有する材料であってもよく、あるいはこれらの材料は、半導体材料、すなわち絶縁体と金属の間の中間の導電率を有し、この導電率がこの不純物レベルなど様々な特性に依存し得る材料であってもよい。この第1の材料と第2の材料とは、同じ導電性のものである必要はなく、すなわち、一方は絶縁体であるのに他方は半導体であってもよいが、両方の材料が半導体材料であってもよいなど、両方の材料が同じ導電性であってもよい。
この第1の材料および第2の材料は、それぞれ周期律表からの複数の元素を含んでいてもよく、すなわちこの第1の材料および/または第2の材料は、それぞれ二元化合物、三元化合物、または四元化合物であってもよく、またはそれぞれは5つの元素より多くを含む化合物であってもよい。この第1の材料は、シリコンやシリコン−ゲルマニウム(SiGe)などのIV族半導体材料であってもよく、この第2の材料は、InPやGaAsなどのIII−V族半導体材料であってもよい。この基板は、バルク材料の基板である必要はない。この基板は、同じ材料または異なる材料のバルク材料によって支持される第1の材料の最上部層であってもよい。この基板は、さらにバルク材料によって支持される複数の層のスタックであってもよく、この場合には、この複数の層のスタックの最上部層が、この第1の材料から成る。一実施例としては、この基板は、例えばSiウェーハとしてのSi基板によって支持されるSiGeの最上部層であってもよい。
第2の材料の上部層の代わりにこの第2の材料のナノ構造を提供することにより、これらの2つの材料の間の、例えば格子不整合を伴う問題は、緩和されることもある。第1の材料上に支持される第2の材料の間の可能性のある格子不整合は、このナノ構造中において歪みを増大させる必要がない。歪みは、このナノ構造の表面上で軽減されることもあり、それによって非常に少ない欠陥を有し、あるいは可能ならさらに欠陥さえないナノ構造にし、さらにこのナノ構造とこの基板との間のエピタキシャルな関係を可能にすることもできる。
本発明は、ある種の材料のある厚みを超えては、ある種の基板の上部にエピタキシャル上部層を成長させることができないという洞察に基づいたものである。例えば、SiGeなどのIV族の基板上には格子不整合からもたらされる歪みによって、ほぼ20nmを超える厚みのInPのエピタキシャル上部層を成長させることはできない。基板とエピタキシャルな関係にあるナノ構造を提供することにより、この同じ材料の上部層を用いて得ることができる厚みよりも厚い厚みをもつ構造を成長させることもできる。制限された横方向の寸法により、この歪みは、比較的小さく、このナノ構造の表面において緩和されることもあるので、20nmよりも大きな縦方向の寸法を有するInP構造のナノワイヤは、SiGe基板とエピタキシャルな関係に至らしめられることもある。
このナノ構造は、この基板から外へ突き出した細長い構造であってもよい。この細長いナノ構造は、固有のアスペクト比を有し、すなわち固有の長さ対直径の比率を有していてもよい。このアスペクト比は、25よりも大きいなど、50よりも大きいなど、100よりも大きいなど、250よりも大きいなど10より大きくてもよい。この直径は、このナノ構造の縦方向に対して直角に測られ(obtain)てもよい。
このナノ構造は、この基板と電気的に接触していてもよい。これらの第1の材料と第2の材料との間に電気的コンタクトを有して、電気デバイス中においてこれらの第1の材料と第2の材料との完全な集積化を達成する(obtain)ことが必要条件であることもある。
この電気的コンタクトは、いわゆるオーム接触(Ohmic contact)、すなわち低抵抗接触について当技術分野で使用される表現であってもよい。このナノ構造とこの基板との間の抵抗は、室温において、10−6オームcm2より低いなど、10−7オームcm2より低いなど、10−8オームcm2より低いなど、10−9オームcm2より低いなど、またはさらに低いことさえあるなど、10−5オームcm2より低くしてもよい。できるだけ低い抵抗を達成して、例えばこの接触領域における熱放散を低下させることが有利である。
この基板とこのナノ構造との間の格子不整合は、8%よりも小さいなど、6%よりも小さいなど、4%よりも小さいなど、2%よりも小さいなど、10%よりも小さくてもよい。この格子不整合は、0.1%より大きく、1%より大きく、および/または2%よりも大きくてもよい。III−V族半導体材料とIV族半導体材料との間の格子不整合の一実施例としては、InPとGeとの間、およびInPとSiとの間の格子不整合は、それぞれ3.7%および8.1%である。かかる相対的に大きな格子不整合を有する2つの材料間のエピタキシャルな関係を実現することが可能になり得ることが有利である。この格子不整合が大きくなればなるほど、この基板とエピタキシャルな関係が達成され得るこれらのナノ構造は、さらに薄くなることが予想される。
このナノ構造は、ナノチューブまたはナノワイヤ、あるいはチューブもワイヤも共に存在する場合の混合物の形態であってもよい。ナノチューブは、中空のコアを有する細長いナノ構造であってもよいのに対して、ナノワイヤは、このマントル(mantle)と同じ材料の中身のあるコアを有する細長いナノ構造であってもよい。格子不整合により、例えば歪みがこのナノワイヤの表面上で緩和される場合には、このナノワイヤのコアとマントルとは、異なる構造を有してもよい。このナノワイヤは、このマントルの材料とは異なる材料の中身のあるコアを有する細長いナノ構造であってもよい。
このナノ構造は、実質的に単結晶のナノ構造であってもよい。例えば、このナノ構造を流れる電流輸送の理論的な洗練化、またはこのナノ構造の特性に対する他のタイプの理論的支援または洞察に関連して、単結晶ナノ構造を提供することが有利なこともある。さらに、実質的に単結晶のナノ構造の他の利点は、より良く定義された動作を持つデバイスが達成されてもよいこと、例えば非単結晶ナノ構造に基づいたデバイスに比べて、より良好に定義された電圧しきい値を有し、より少ない漏れ電流を有し、より良好な導電率などを有するトランジスタデバイスが、取得されてもよいことを含んでいる。
このナノ構造は、p−形半導体になるようにドープされ、またはn−形半導体になるようにドープされる真性半導体であってもよい。さらに、このナノ構造は、少なくとも2つのセグメントを備えていてもよく、この場合には各セグメントは、真性半導体、あるいはn−形半導体またはp−形半導体のどちらかである。pn接合、pnp接合、npn接合などを備えるコンポーネントなど、異なるタイプの半導体デバイスコンポーネントは、それによって、実現されてもよい。この縦方向のセグメントは、例えば気相堆積法を使用して取得されてもよく、成長中にこの蒸気の組成を変化させることができる。
このナノ構造は、フォノンバンドギャップデバイス(phonon bandgap device)、量子ドットデバイス(quantum dot device)、熱電デバイス(thermoelectric device)、光デバイス、ナノ電気機械アクチュエータ(nanoelectromechanical actuator)、ナノ電気機械センサ(nanoelectromechanical sensor)、電界効果トランジスタ、赤外線検出器、共鳴トンネルダイオード、単一電子トランジスタ(single electron transistor)、赤外線検出器、磁気センサ、発光デバイス、光変調器、光検出器、光導波路、光カプラ、光スイッチ、およびレーザから成る群から選択されるデバイスの機能コンポーネントであってもよい。
複数のナノ構造は、アレイに配列されてもよい。これらのナノ構造をアレイに構成することにより、多数のトランジスタコンポーネントなど多数の単一電子コンポーネントを備える集積回路デバイスが、提供されてもよい。これらのナノ構造のアレイは、個々のナノ構造またはグループのナノ構造をアドレス指定するための選択線または選択グリッドと組み合わせて提供されてもよい。
この電気デバイスは、ゲートアラウンドタイプ(gate−around type)のトランジスタなどのトランジスタであってもよい。この電気デバイスは、したがってソース、ドレイン、電流チャネル、ゲート絶縁膜およびゲートを備えていてもよい。このドレインは、例えば基板の少なくとも一部分によって提供されてもよい。
第1の誘電体が、この電子デバイス中に存在することもある。この第1の誘電体は、このナノ構造の少なくとも一部分と接触していてもよい。このナノ構造は、ある種の実施形態においては、電流を伝えるチャネル、例えばトランジスタデバイス中における電流チャネルとしての役割を果たすことができる。この第1の誘電体は、1つまたは複数のゲート電極から基板を絶縁する誘電体バリアであってもよく、あるいは誘電体バリアを提供してもよい。この第1の誘電体は、SiO2やSOG(Spin−on−glass:スピンオングラス)などの任意の適切な材料であってよい。この第1の誘電体は、10〜1000nmの範囲内など、50〜500nmの範囲内など、100〜250nmの範囲内など、ある厚みの層として設けられてもよい。この第1の誘電体には、誘電体結合がもたらされて、この基板とこのゲート電極との間に、低いキャパシタンスまたは無視可能なキャパシタンスを取得し、あるいは寄生キャパシタンスをなくしてしまうことができる。この第1の誘電体には、SiO2の誘電率よりも低い誘電率が提供されてもよく、この第1の誘電体層は、低誘電率(low−K)材料であってもよく、このような材料は、当技術分野において知られている。使用されてもよい低誘電率材料の実施例は、SiLK(ダウケミカル(Dow Chemical)の商標)、ブラックダイアモンド(Black diamond)(アプライドマテリアルズ(Applied Materials)の商標)、およびオーロラ(Aurora)(ASMIの商標)のような材料である。
このデバイスは、第1の導電材料をさらに含んでいてもよく、ここで、この第1の導電材料は、この第1の誘電体層の少なくとも一部分と接触している。この第1の導電材料は、ゲート電極などの電極であってもよい。
このデバイスは、第2の導電材料をさらに含むこともあり、ここでこの第2の導電材料は、少なくとも1つのナノ構造と接触している。この第2の導電材料は、上部コンタクトとしての機能を果たすこともある。この上部コンタクトは、トランジスタのソースまたはドレインとしての機能を果たすこともある。
これらの第1の導電材料および第2の導電材料は、適切な任意の材料、例えば、金属、導電性ポリマ、またはITO(indium tin oxide:インジウムスズ酸化物)など他のタイプの導電材料であってもよい。これらの第1の導電材料と第2の導電材料は、同じ材料であってもよく、また異なる材料であってもよい。これらの第1の導電材料と第2の導電材料は、10〜1000nmの範囲内など、50〜500nmの範囲内など、100〜250nmの範囲内など、ある厚みで設けられてもよい。これらの第1の導電材料と第2の導電材料は、このナノ構造によって電気的に接続されてもよく、このナノ構造の導電率に応じて、導電接続または半導体接続が、取得されることもある。
このデバイスは、第2の誘電体をさらに含むこともあり、ここでこの第2の誘電体は、この第1の導電材料をこのナノ構造から絶縁している。
第2の誘電体は、この第1の導電材料とこのナノ構造との間の絶縁バリアを提供することもあり、本発明のある種の実施形態においては、この第2の誘電体は、ゲート絶縁膜を提供することもある。この第2の誘電体は、SiO2など適切な任意の材料から成ってもよい。この第2の誘電体は、1〜100nmの範囲内など、10〜75nmの範囲内など、20〜50nmの範囲内など、ある厚みで設けられてもよい。この第2の誘電体材料の厚みは、この第1の導電材料とこのナノ構造との間の十分な電気的絶縁を得るように、選択されてもよい。特に、この第2の誘電体材料の厚みの下限は、十分な電気的絶縁が得られることに依存することもある。この第2の誘電体は、SiO2の誘電率よりも高い誘電率を伴って設けられてもよく、この第2の誘電体は、高誘電率(high−K)材料であってもよく、かかる材料は、当技術分野において知られている。使用されてもよい高誘電率材料の例は、酸化タンタルまたは酸化ハフニウムのような材料である。
このデバイスは、少なくとも第3の誘電体をさらに備えることもある。この少なくとも第3の誘電体は、複数の層のスタックであってもよい。この少なくとも第3の誘電体は、この第2の導電材料とこの第1の導電材料とを絶縁することもある。この少なくとも第3の誘電体は、SiO2、SOG、フォトレジスト層などのスピンオンポリマ(spin−on−polymer)など、適切な任意の材料から成っていてもよい。フォトレジスト層の長所は、フォトレジスト層が、自己アセンブルされる垂直マスクとしての機能を果たすことができることである。この少なくとも第3の誘電体は、10nmから5ミクロンの範囲内など、100nmから2ミクロンの範囲内など、250nmから1ミクロンの範囲内など、500nmなど、ある厚みで設けられてもよい。この少なくとも第3の誘電体は、この第1の誘電体層と同様に低誘電率材料から成っていてもよい。
この第1の誘電体層およびこの少なくとも第3の誘電体は、それぞれこの第2の誘電体層の厚みより厚い厚みを有していてもよい。この違いは、10以上のファクタであることもある。この第1の誘電体層とこの第2の誘電体層との間の厚みの比率、および/またはこの少なくとも第3の誘電体層とこの第2の誘電体層との間の厚みの比率は、幾何学的厚みに関して取得されてもよいが、この厚みの比率はまた、これらの各層の誘電体カップリング定数を用いて正規化されて取得されてもよい。
本発明の第2の態様によれば、第1の材料とエピタキシャルの関係にある第2の材料を成長させる方法が提供されており、この第2の材料とこの第1の材料とが、相互の格子不整合を有し、この方法が、
第1の材料の基板を提供するステップと、
第2の材料のナノ構造を成長方法によって形成するステップと
を含み、この第1の材料が、周期律表中の第1のグループからの少なくとも1つの元素を含み、この第2の材料が、第2のグループからの少なくとも1つの元素を含み、この第2のグループが、この第1のグループとは異なり、このナノ構造が、この基板によって支持され、この基板とエピタキシャルな関係になっている。
第1の材料の基板を提供するステップと、
第2の材料のナノ構造を成長方法によって形成するステップと
を含み、この第1の材料が、周期律表中の第1のグループからの少なくとも1つの元素を含み、この第2の材料が、第2のグループからの少なくとも1つの元素を含み、この第2のグループが、この第1のグループとは異なり、このナノ構造が、この基板によって支持され、この基板とエピタキシャルな関係になっている。
このナノ構造は、VLS(vapour−liquid−solid:気体−液体−固体)成長メカニズムに従って成長されることもある。VLS成長においては、金属粒子は、このナノ構造が成長されるべき位置においてこの基板上へと供給される。この金属粒子は、金属、あるいはFe、Ru、Co、Rh、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Auから成るグループから選択される金属を含む合金であってもよい。
しかし、このナノ構造は、異なる成長方法を使用して成長させられてもよい。例えば、このナノ構造は、気相または液相からコンタクトホール、すなわちこのナノ構造の位置以外のこの基板を覆う誘電体層中のホール内にエピタキシャル成長させられてもよい。
ナノ構造(a nanostructure)、このナノ構造(the nanostructure)、1つのナノ構造(one nanostructure)などに対して行われる言及は、この言及が、単一のナノ構造のみを指し示すものではない。複数のナノ構造など、複数のナノ構造についても、かかる言及によってカバーされる。
本発明のこれらおよび他の態様、特徴および/または利点については、以降で説明されるこれらの実施形態に関して明らかであり、明らかにされることになる。
本発明の実施形態は、実施例としてのみ図面を参照して説明されることになる。
このセクション全体を通して、このテキスト中の他の場所で使用されるより広い用語ナノ構造ではなくて、ナノワイヤに対する言及が行われている。この用語ナノワイヤは、このセクション中で説明される特定の実施形態の説明に関連して使用されており、ナノ構造の一実施例として解釈されるべきであり、この用語ナノ構造の限定としては解釈されるべきではない。
図1から図3において、Ge(111)(IV族)上に成長させられたInPナノワイヤ(III−V族)についての様々な態様が、示されている。
このナノワイヤは、VLS−成長法を使用して成長させられた。2オングストローム(Å)の金層の等価物が、洗浄されたGe(111)基板上に堆積させられた。この基板は、この金の堆積の前に、この基板をHF緩衝溶液に浸すことによって洗浄された。この基板は、InとPの濃度がレーザアブレーション(laser ablation)を使用して設定されている間に、450〜495℃の範囲内の温度に維持され、またこのナノワイヤの成長中は維持された。
図1(a)は、SEM(scanning electron−microscopy:走査型電子顕微鏡法)イメージの平面図である。これらのナノワイヤは、明るくイメージ化されており、これらのナノワイヤが、結晶学的な3重の対称方向を有することが明らかである。図1(b)には、側面図が提供され、たとえ一部のナノワイヤがこの基板に関して35°の角度になっているとしても、これらのナノワイヤのほとんどがこの基板上で垂直に成長させられていることが理解されるであろう。図1(c)においては、1つのワイヤ1がイメージ化されている。
図2には、Ge(111)基板2上のInPワイヤ1のHRTEM(high−resolution transmission electron microscopy高分解能透過型電子顕微鏡法)イメージが示されている。このワイヤとこの基板との間の原子的に鮮明な境界面3が、容易に認識される。一部の積層欠陥4(3から5の双晶面)が存在するが、これらの積層欠陥は20nmを過ぎてから成長している。さらに、このGe格子(方向)は、このInP格子中へと続いており、これらのワイヤが実際にエピタキシャルに成長することを意味していることが観察されよう。
このナノワイヤとこの基板との間のエピタキシャル関係は、図3に関連してさらに詳しく述べられる。図3には、Ge(111)上に成長させられたInPナノ構造のXRD(X−ray diffraction:X線回折)極性図が示されている。
この図には、5組のスポットが示されており、この(111)スポット、(220)スポットおよび(200)スポットが、InP30、31、32について示されているのに対して、これらの(111)スポットおよび(220)スポットしか、Ge33、34については示されていない。このInP結晶の反射は、このGeの反射に関して同じ方向に見える。したがって、これらのワイヤは、確かにエピタキシャルに成長する。この同じ方向の他に、180度の面内回転もまた、観察される可能性がある。これは、InP結晶が、2つの原子から成り、Ge結晶が1つの原子から成り、これらのワイヤがこのGe上の2つの方向に成長することができること、またはこの[111]方向における回転双晶(rotational twin)が存在することに起因している。
Ge(111)上に成長させられたInPナノワイヤが、一例として提供されており、異なるタイプのナノワイヤが、本発明の範囲内のこの同じ基板上または異なる基板上に成長させられてもよい。特定の例としては、ナノワイヤは、Si(100)またはGe(100)の技術的に重要な表面上に成長させられてもよい。この場合には、次いでこれらのナノワイヤは、この[100]方向に沿って成長する。
図4には、ゲートアラウンドトランジスタ(gate−around−transistor)のアレイを提供する際に必要とされる4つのプロセスステップ((a)から(d))が、概略的に示されている。この左側の図(40A、40B、40Cおよび40D)は、平面図を示しているのに対して、この右側の図(41A、41B、41Cおよび41D)は、これらのプロセスステップの対応する側面図を示している。
この第1のプロセスステップ(図4(a))において、この基板材料の行42が、最初に設けられる。これらの行は、リソグラフィプロセスを使用して設けられてもよい。この基板は、II−VI族材料、III−V族材料、またはGe、Si、これらの混合物などのIV族材料から成っていてもよい。その後に、金粒子などの金属粒子43が、これらの基板行に沿ったアレイの形で提供される。これらの行は、この導電率を増大させるためにドープされてもよい。
図4(b)に示されたプロセスステップにおいて、例えばInPまたは他の半導体材料のナノワイヤが、このVLS成長法を使用して成長させられる。この金属粒子の位置においてこの基板から突き出したナノワイヤ44が、それによって設けられる。
この図4(c)におけるプロセスステップにおいて、第1の誘電体材料45が設けられる。たとえ明示的には示されていないとしても、薄い第2の誘電体層もまた、このナノワイヤに沿って設けられる(これについては以下で詳しく述べられることになる)。この第1の誘電体層の最上部上に第1の導電材料が行46の形で設けられる。これらの行は、適切なリソグラフィ法を使用して設けられてもよい。第3の誘電体層47もまた、この第1の導電材料の最上部上に設けられる。
この図4(d)におけるプロセスステップにおいて、第2の導電材料の行48が、設けられる。この第2の導電材料は、上部コンタクトとしての機能を果たすこともある。
したがって、この図4に示されるプロセスステップに続いて、アドレス指定されるどれかの行の組42、46、48を制御することにより、電気的接続が個々のナノワイヤに対して行われてもよい。この実施形態においては、1つのナノワイヤしか、これらの行の交差する点をカバーする領域内には存在していない。しかし、ナノワイヤの束など複数のナノワイヤが、これらの個々の交差する点をカバーする領域内に存在していてもよい。
図5および図6には、このゲートアラウンドトランジスタの製造に関与するプロセスステップのうちの2つの実施形態が示されている。最初に、図5に示されるこの実施形態について説明され、その後に図6に示される実施形態について説明される。これらの実施形態は、1つのゲートアラウンドトランジスタの製造に焦点を当てているが、これらのプロセスステップを図4に関連して説明されるこれらのプロセスステップと組み合わせることにより、ゲートアラウンドトランジスタのアレイが設けられる。しかし、ナノ構造のアレイを設けるための他のスキームも、把握されるであろう。
図5(a)では、ナノワイヤ51が、半導体基板50上にほぼ垂直に成長させられる。このナノワイヤは、VLS成長法を使用して成長させられてもよく、その結果、このナノワイヤは、その自由端において金属粒子52によって終端されることになる。
図5(b)に示されるような後続のプロセスステップにおいて、第1の誘電体層53がこの基板上に設けられる。この層は、ナノワイヤと接触していないこの基板のすべての部分を覆う。この層は、このナノワイヤの少なくとも一部分と隣接している。この第1の誘電体層は、例えば、スピンオングラス(SOG)であってもよい。この層の厚みは、ほぼ100nm程度である。以下で明らかになるように、このSOGは、この基板をこのゲート電極55Aから電気的に絶縁するために塗布される。このSOGは、堆積させられた後に300℃において熱的にアニールされる。このSOGは、例えば東京応化工業株式会社(Tokyo ohka)またはアライドシグナル(Allied Signal)社が提供しているタイプのものであってもよい。
図5(c)に示される後続のステップにおいて、第2の誘電体層54が設けられる。この層は、ほぼ1〜10nm程度の厚み70を有することもある。この層は、例えばPECVD(plasma enhanced chemical vapour depositionプラズマ助長化学気相成長法)またはALD(atomic layer deposition原子層堆積法)によって堆積されたSiO2層であってもよい。この層は、このサンプル温度がT=300℃に保持される間に堆積させられる。このようにして、この全体のサンプルが薄層で覆われるが、エッジにおいては、より多くの材料が、材料輸送特性により堆積させられることになる。この効果は、当技術分野においてシャドーイング効果(shadowing effect)として知られている(例えば、Silicon Processing in the VLSI era、S.Wolf and R.N.Tauber、第6版、1986、p.186、Attice Press、Sunset Beach、Californiaを参照)。この誘電体層は、この第1の誘電体層と直接接触している。
この図5(d)に示される後続のステップにおいて、第1の導電層55が、薄い(50nm)金属層の形態で設けられる。この第1の導電層は、この実施形態においてはアルミニウムであるが、Pt、Zr、Hf、TiW、Cr、TaまたはZn、ITOあるいは他の任意の適切な材料であってもよい。この層は、スパッタリング技法、または他の任意の関連技法を使用することにより堆積させられてもよい。
次のプロセスステップ(図5(e))においては、第3の誘電体層56が設けられる。この第3の誘電体層は、この第1の誘電体層と同様な厚みのものであってもよい。第3の誘電体層は、第2のSOG層であってもよく、あるいはこの金属層上にスピンキャスト(spincast)されたPMMA、PIQまたはBCBの層であってもよい。
この誘電体−金属境界面72は、下塗材、例えばHMDSによって修正されて、この表面と次の層との間の接触角を調整することが可能である。あるいは代わりに、(50nmなど)薄いSiO2層が、PECVDによって、この金属上に直接に堆積させられてもよい。
第3の誘電体層56上に突き出ているこの第1の導電層の一部分は、図5(f)に示されるように後続のステップ中においてエッチングされる。この第3の誘電体層の厚み71は、この第1の導電層の厚み70よりも厚い。この厚みの違いは、ファクタ10以上であってもよい。この厚みの違いの結果、この第3の誘電体層上に突き出ているこの第1の導電層の一部分のエッチングプロセスの後、この第1の導電層は、L−字形の55A、55Bを得ることになる。このエッチングは、Al層についてはPESを使用して実施されてもよく、これに対して、TiWは、H2O2/NH4OH混合液を使用してエッチングされてもよく、Ptは、HCl/HNO3混合液を使用してエッチングされてもよく、Znは、HClを使用してエッチングされてもよく、CoおよびNiは、H2O2/H2SO4混合液を使用してエッチングされてもよく、またTa、ZrおよびHfは、HFを使用してエッチングされてもよい。
この第3の誘電体層は、このエッチングプロセスの前にこの導電層の表面上でスピンキャストされてもよい。この第3の誘電体層は、この金属エッチングプロセス中に垂直マスクとしての機能を果たすことができる。この第3の誘電体層は、この金属膜の水平部分を覆うことになるにすぎないことが予想される。この第3の誘電体層は、リソグラフィによっては構造化されないが、表面構造それ自体によって構造化されるレジスト層であってもよく、したがって、この第3の誘電体層は、自己アセンブリするレジスト層であってもよい。エッチングの後に、このレジスト層は、沸騰するアセトン中でこのレジスト層を溶解させることによって除去されてもよい。
この全体のサンプルは、その後で図5(g)に示されるように、第4の誘電体層57(〜2ミクロンの厚み)によって覆われる。この層は、例えばT=300℃においてPECVDにより堆積させられるSiO2層であってもよい。
次いでこのサンプルは、このナノワイヤの上部方面58に達するまで研磨され、または、所望の厚みが得られ(図5(h))、またナノワイヤの一部分がこの第4の誘電体層から解放されるようにこの第4の誘電体層の上部が除去される(図5(i))まで研磨される。この研磨された層の上部の除去は、例えばエッチングによって達成されてもよい。SiO2層は、NH4FやHFなどのバッファ酸化膜エッチング液中においてエッチングされてもよい。
図5(j)において、第2の導電層59が上部層として設けられ、すなわち、上部コンタクト金属がこのナノワイヤ上に堆積させられる。フォトレジスト層が、この第2の導電層の上部上にスピンキャストされてもよい。このフォトレジスト層は、この第2の導電層の所望のパターンに従ってパターン形成されてもよく、例えばグリッドおよび金属パッドが設けられてもよい。上部コンタクト金属パッドの実施例として、Al/Au層が、n−形InPナノワイヤのために堆積させられてもよく、Zn/Au層が、p−形InPナノワイヤのために堆積させられてもよい。また例えばSi−チップ上のLEDなどの光電子工学用途のためのITO電極などの透明電極が、設けられてもよい。
よって、この図5(j)に示されるような電子デバイスは、ゲートアラウンドトランジスタである。このゲートアラウンドトランジスタは、ドレイン50、電流チャネル51、ソース59、ゲート電極55を備え、このゲート電極は、フィード部55Aを備え、部55Bは、このナノチューブを取り囲み、ゲート絶縁膜54は、このナノチューブをこの電極から絶縁している。
図6(a)から(h)には、一代替実施形態および代替プロセス図が、提示されている。図6(a)から(c)は、図5(a)〜(c)に関連して説明されたこれらのプロセスステップと同様である。
この図6(d)に説明されるプロセスステップにおいて、電極65は、熱気相成長の手段60によって堆積させられる。薄いアルミニウム層(50nm)が、例えば堆積させられてもよい。この気相成長プロセスにおいて、このナノワイヤの上部における鐘形のSiO2堆積物61は、シャドウマスクとしての機能を果たす。
この後続のステップ(e)から(h)は、図5(g)から図5(j)に関連して説明されるステップと同様である。
したがって、図5に関連して説明されるプロセスからもたらされるゲートアラウンドトランジスタと、図6に関連して説明されるプロセスからもたらされるゲートアラウンドトランジスタとの間の主要な構造上の違いは、このゲート電極の幾何学的態様である。
図6(h)に示されるような電子デバイスもまた、ゲートアラウンドトランジスタである。このゲートアラウンドトランジスタは、ドレイン50、電流チャネル51、ソース59、ゲート電極65を備え、ゲート絶縁膜54は、このナノチューブをこの電極から絶縁している。
図4〜6に関連して説明されるこれらのプロセスステップについては、ナノワイヤの材料が、この基板の材料の少なくとも1つのコンポーネントとは異なる少なくとも1つのコンポーネントを備えるという暗黙の構造的な特徴を用いて説明される。さらに、これらの実施形態においては、これらのナノワイヤは、VLS成長法を使用して成長させられる。しかし、これらのプロセスステップは、どのようにしてこれらのナノワイヤが設けられるかとは関係なくゲートアラウンドトランジスタを提供することができることに留意することが重要である。これらのプロセスステップが、ゲートアラウンドトランジスタを実現するためのただ1つの要件は、出発点として基板から突き出たほぼ垂直のほぼ円筒形のエレメントを設けることである。これらのワイヤはまた、一実施例としてSi上のSiワイヤなどのようにホモエピタキシャルに成長させられてもよい。
図5および図6に関連して以上で説明されたこれらのプロセスステップは、50nm技術ノード(technology node)を超えた従来のMOSFETを縮小するという問題に対する解決方法を、提供する。この50nmにおける障壁は、基本的な物理障壁である。2つのしばしば引用される問題は、この薄いゲート絶縁膜を介しての電荷キャリアのトンネリングと、このアクティブチャネル中における電荷密度の制御である。現在のプレーナMOSFET構造の改良は、ゲートアラウンドFETの実装である。このゲートアラウンド幾何学的配置においては、ゲートキャパシタンスが増大しており、このチャネルのより良好な静電的制御を提供する。
本発明と組み合わされて、一解決方法が、このようにして半導体デバイスの小型化と、III−V族材料やIV族材料など異なる半導体材料の単一の半導体デバイスにおける集積化との組み合わされた問題に対して提案される。
しかし、一般的な製造においては、垂直ナノワイヤに基づいたゲートアラウンド構造が、いくつかの利点を提供する。ゲートアラウンド幾何学的配置に関する増大されたゲートキャパシタンスが、得られる可能性がある。さらに、ナノワイヤエレメントが、所与のコンポーネントの要件に基づいて選択されてもよい。例えば、このチャネル中の電荷密度のより良好な制御が望ましい場合には、InGaAsなどの高移動度材料が、このチャネルとして成長させられてもよい。
本発明は、好ましい実施形態に関連して説明されてきているが、本明細書中に述べられた特定の形態だけに限定されることは意図されていない。もっと正確に言えば、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によってしか限定されない。
ヘテロ接合を有する半導体デバイス。このデバイスは、基板と少なくとも1つのナノ構造とを備える。この基板とナノ構造とは、異なる材料から成る。この基板は、例えばIV族半導体材料から成ることがあるのに対して、このナノ構造は、III−V族半導体材料から成ることもある。このナノ構造は、この基板によって支持され、この基板とエピタキシャルな関係にある。ナノ構造は、ゲートアラウンドトランジスタデバイスなどの電子デバイスの機能コンポーネントになる可能性がある。ゲートアラウンドトランジスタの一実施形態においては、ナノワイヤ51が、基板50によって支持され、この基板はドレインであり、このナノワイヤは電流チャネルであり、上部金属コンタクト59はソースである。薄いゲート絶縁膜54が、このナノワイヤとこのゲート電極55A、55Bとを絶縁している。
これらの前述の実施形態は、本発明を限定するのではなくて、本発明を例示していること、また当業者なら、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく多数の代替実施形態を設計することができるはずであることに留意されたい。特許請求の範囲において、括弧の間に配置されたどのような参照符号も、特許請求の範囲を限定するものと解釈されるべきではない。単語「備える」は、一請求項中にリストアップされたもの以外の他のエレメントまたはステップの存在を除外するものではない。1つの要素に先立つ単語「1つの(a)」または「1つの(an)」は、複数のかかるエレメントの存在を除外するものではない。
Claims (16)
- 第1の材料の主表面を有する基板と、
第2の材料のナノ構造と、
を備え、前記第1の材料および第2の材料が、相互の格子不整合を有し、前記ナノ構造が、前記基板によって支持され、前記基板とエピタキシャルな関係にある電気デバイス。 - 前記ナノ構造が、前記基板と電気的に接触している、請求項1に記載のデバイス。
- 前記ナノ構造と前記基板との間の抵抗が、10−5オームcm2よりも低い、請求項2に記載のデバイス。
- 前記ナノ構造が、ナノチューブであり、および/または、前記ナノ構造が、ナノワイヤである、請求項1に記載のデバイス。
- 前記基板と前記1つ(または複数)のナノ構造の間の格子不整合が、10%未満である、請求項1に記載のデバイス。
- 前記ナノ構造が、実質的に単結晶ナノ構造である、請求項1に記載のデバイス。
- 複数のナノ構造が、アレイに配列されている、請求項1に記載のデバイス。
- 電気デバイスが、ゲートアラウンドトランジスタである、請求項1に記載のデバイス。
- 第1の誘電体をさらに備え、前記第1の誘電体が、前記1つ(または複数)のナノ構造の少なくとも一部分と接触している、請求項8に記載のデバイス。
- 第1の導電材料をさらに備え、前記第1の導電材料が、前記第1の誘電体によって前記基板から電気的に絶縁される、請求項9に記載のデバイス。
- 第2の誘電体をさらに備え、前記第2の誘電体が、前記第1の導電材料を前記ナノ構造から電気的に絶縁している、請求項10に記載のデバイス。
- 前記第1の誘電体が、前記第2の誘電体よりも厚い、請求項11に記載のデバイス。
- 第2の導電材料をさらに備え、前記第2の導電材料が、少なくとも1つのナノ構造と接触している、請求項1に記載のデバイス。
- 少なくとも第3の誘電体をさらに備え、前記少なくとも第3の誘電体が、前記第2の導電材料を前記第1の導電材料から絶縁している、請求項13に記載のデバイス。
- 第1の材料とエピタキシャルな関係で第2の材料を成長させる方法であって、前記第2の材料と前記第1の材料とが、相互の格子不整合を有し、前記方法が、
前記第1の材料の基板を提供するステップと、
成長法により、前記第2の材料のナノ構造を形成するステップと
を備え、前記第1の材料が、周期律表中の第1のグループからの少なくとも1つの元素を含み、前記第2の材料が、第2のグループからの少なくとも1つの元素を含み、前記第2のグループが、前記第1のグループとは異なっており、前記ナノ構造が、前記基板によって支持され、前記基板とエピタキシャルな関係にある方法。 - 前記ナノ構造が、気体−液体−固体(VLS)成長法により成長させられる、請求項15に記載の方法。
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