JP2007514316A - Soiボディコンタクトトランジスタを製造する方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図中の要素が簡便さや明瞭さを期して示され、必ずしも実寸に従い図示されていないことは、当業者にとって明らかである。例えば、図中の構成要素の寸法は、本発明の実施形態の理解を一層深めるため、他の構成要素と比較して誇張されていることがある。
Claims (18)
- シリコンオンインシュレータトランジスタであって、
絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられるアクティブ領域と、
そのアクティブ領域は、内部ボディ領域と、前記絶縁層上に設けられ、内部ボディ領域に横方向に隣接し、前記内部ボディ領域との電気的コンタクトを形成するボディ結合アクセス領域と、前記ボディ結合アクセス領域から横方向にオフセットされ、前記ボディ結合アクセス領域に電気的に接続されるボディ結合拡散部とを有し、
前記シリコンオンインシュレータトランジスタの前記内部ボディ領域を電気的に制御するため、前記内部ボディ領域を覆い、前記ボディ結合アクセス領域の一部を覆うように延在しているゲート電極と、
前記内部ボディ領域の対向する両側面に隣接する第1及び第2の電流電極と
を備えるシリコンオンインシュレータトランジスタ。 - 請求項1記載のシリコンオンインシュレータトランジスタにおいて、
前記ボディ結合アクセス領域を覆うゲート電極の一部を含むボディ結合アクセス領のほぼ全てを覆う誘電体層を更に備えているシリコンオンインシュレータトランジスタ。 - 請求項2記載のシリコンオンインシュレータトランジスタにおいて、
前記誘電体層は、前記ゲート電極の側壁スペーサーとして機能するシリコンオンインシュレータトランジスタ。 - 請求項2記載のシリコンオンインシュレータトランジスタにおいて、
前記誘電体層の下層にあるボディ結合アクセス領域の一部は、ボディ結合アクセス領域のドーピング濃度を高くして前記ボディ結合アクセス領域での空乏領域の形成を大幅に低減する被ドーピング材料からなるシリコンオンインシュレータトランジスタ。 - 請求項4記載のシリコンオンインシュレータトランジスタにおいて、
前記ボディ結合アクセス領域の部分的なドーピングは、前記誘電体層を形成するため、第1のマスクのパターン形状を使用し、かつ第2のマスクの前記パターンを再度使用して行われるシリコンオンインシュレータトランジスタ。 - 請求項1記載のシリコンオンインシュレータトランジスタにおいて、
前記ゲート電極は、寄生ゲート静電容量及び電流漏出を低減するため、前記ボディ結合アクセス領域の1/2を超えて延在していないシリコンオンインシュレータトランジスタ。 - シリコンオンインシュレータトランジスタの製造方法であって、
絶縁層を提供するステップ、
前記絶縁層上にアクティブ領域を形成するステップであって、前記アクティブ領域の一部が内部ボディ領域を提供するステップ、
前記アクティブ領域内において、前記絶縁層上に設けられ、前記内部ボディ領域に横方向に隣接するボディ結合アクセス領域を形成するステップであって、前記ボディ結合アクセス領域が前記内部ボディ領域との電気的コンタクトを形成するステップ、
前記シリコンオンインシュレータトランジスタの内部ボディ領域を電気的に制御するため前記内部ボディ領域上に設けられ、寄生容量及びゲート電極漏出を低減するため前記ボディ結合アクセス領域の一部を覆うように延在するゲート電極を形成するステップ、
前記内部ボディ領域の対向する両側に隣接して第1及び第2の電流電極を形成するステップ、及び
前記アクティブ領域内において、前記ボディ結合アクセス領域から横方向にずれして位置し、前記ボディ結合アクセス領域に電気的に接続されるボディ結合拡散部を形成するステップ
を備える方法。 - 請求項7記載の方法は、更に、
前記ボディ結合アクセス領域上に設けられた前記ゲート電極の部分を含む前記ボディ結合アクセス領域のほぼ全てを覆う誘電体層を形成するステップを備える方法。 - 請求項8記載の方法は、更に、
前記ボディ結合アクセス領域での空乏領域の形成を大幅に低減させるため、前記ボディ結合アクセス領域のドーピング濃度を増大させて、前記誘電体層の下層にある前記ボディ結合アクセス領域の一部をドーピングするステップを備える方法。 - 請求項9記載の方法において、
前記ドーピングするステップは、更に、前記ドーピング用の第1の選択的ブロックとして第1のマスクのパターン形状を使用し、かつ第2の選択的ブロックとして第2のマスクに同パターン形状を再度使用して前記誘電体層を提供するステップを備える方法。 - 請求項7記載の方法は、更に、
前記ボディ結合アクセス領域の1/2を超えて前記ゲート電極を延在させないことによって、寄生ゲート静電容量及び電流漏出を低減させるステップを備える方法。 - シリコンオンインシュレータトランジスタの製造方法であって、
絶縁基板を形成するステップ、
前記シリコンオンインシュレータトランジスタの位置を決めるアクティブ領域を画定するステップ、
所望のドーピング濃度の内部ボディ領域を形成するため、前記アクティブ領域に所定の拡散材料を注入するステップ、
前記アクティブ領域を覆うマスクに開口を形成してボディ結合アクセス領域を画定するステップ、
前記ボディ結合アクセス領域を形成するため前記アクティブ領域を注入するステップであって、ボディ結合アクセス抵抗を低減させるため、前記ボディ結合アクセス領域が所定のドーピング濃度を有しているステップ、
前記内部ボディ領域及び前記ボディ結合アクセス領域の両方を覆うゲート酸化物を形成するステップ、
前記内部ボディ領域及び前記ボディ結合アクセス領域の一部を覆うほぼ一定長さのゲート電極材料を成膜及びパターニングするステップ、
前記ボディ結合アクセス領域からのドーパントのハロー/拡大注入をほぼ遮断しながら、前記内部ボディ領域内へのドーパントのハロー/拡大注入を形成するステップ、
ほぼ一定長さのゲート電極材料及びボディ結合アクセス領域を覆う側壁スペーサー誘電体材料を形成するステップ、
マスクを用いて前記ボディ結合アクセス領域をほぼ覆う領域をマスキングするステップ、
前記ボディ結合アクセス領域を覆うと共に、ほぼ一定長さのゲート電極材料に隣接する部分を除くあらゆる場所で、前記側壁スペーサー誘電体材料を除去するステップ、
ソース拡散領域及びドレイン拡散領域を形成するステップ、及び
ボディ結合拡散領域を形成するステップ
を備える方法。 - 請求項12記載の方法は、更に、
前記ソース拡散領域、前記ドレイン拡散領域、前記ボディ結合拡散部及びほぼ一定長さのゲート電極材料を覆うケイ素化合物層を形成することによって、前記ソース拡散領域、前記ドレイン拡散領域、前記ボディ結合拡散部及びほぼ一定長さのゲート電極材料との電気的コンタクトを形成するステップを備える方法。 - 請求項12記載の方法は、更に、
前記ソース拡散領域及び前記ドレイン拡散領域に注入されるドーパントの前記ボディ結合拡散部内への注入を防止し、その逆も防止するのに必要な最小限の距離を有するように、前記ボディ結合アクセス領域のマスキングに使用されるマスクの寸法を規定するステップを備える方法。 - 請求項12記載の方法は、更に、
前記ソース拡散領域、前記ドレイン拡散領域、ほぼ一定長さのゲート電極材料及び前記ボディ結合拡散領域をそれぞれ選択的に覆う導電材料を成膜及び形成して、それらとの電気的コンタクトを形成するステップを備える方法。 - 請求項15記載の方法は、更に、
前記ソース拡散領域、前記ドレイン拡散領域、前記ボディ結合拡散領域及びほぼ一定長さのゲート電極材料とそれぞれ接触するケイ素化合物による電気的短絡を防止するのに十分な大きさ有するように、前記マスクの寸法を規定するステップを備える方法。 - 請求項12記載の方法は、更に、
前記マスクの使用によって、前記内部ボディ領域を覆うゲート酸化物の第2の厚さよりも大きい第1の厚さを有するように、前記ボディ結合アクセス領域上に前記ゲート酸化物を形成するステップを備える方法。 - 請求項12記載の方法は、更に、
前記ボディ結合アクセス領域の1/2未満を覆うように、ほぼ一定長さのゲート電極材料を延在させるステップを備える方法。
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