JP2007512514A - ガス・センサ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本装置は、半導体基板と、前記半導体基板の表面上に堆積された1つ以上の触媒ゲート電極と、前記半導体基板の前記表面上に堆積された1つ以上のオーミック・コンタクトと、前記表面の少なくとも一部分の上に堆積された不動態化層とを含んでいる。半導体基板は、炭化珪素、ダイヤモンド、III 族窒化物、III 族窒化物の合金、酸化亜鉛、及びこれらの任意の組合せより成る群から選択された材料を含んでいる。
【選択図】図2
Description
ができる。パッケージは、ガス・センサ装置の1つ以上の触媒ゲート電極に接触するガス種目の種類及び/又は量を制限又は調整するための手段を含むことができる。ガス種目の種類及び/又は量を制限又は調整するための適当な手段は、限定としてではなく例として挙げると、入口孔を覆うカプトン又はテフロン(登録商標)のような薄いフィルム、多孔質隔膜のフィルタ媒体(例えば、鋼ウール又は石英ウール)、及びこれらの任意の組合せである。ガス・センサ装置のアレイに異なる隔膜材料を設けるパッケージ技術により、様々なガスについての選択性が得られる。
図3は、MISHFET構成にした一例のガス・センサ装置32を示す。このMISHFET構成の例では、不純物添加してないGaN基板34上に、不純物添加してないAlGaNヘテロ構造障壁層36が設けられている。ここで、これらの半導体材料が前に述べた広いバンド・ギャップの材料、例えば、二元及び三元III 族窒化物のいずれかと置換できることを理解されたい。この例での基板34及びヘテロ構造障壁層36は、フォトリソグラフィを使用してパターン形成し、誘導結合プラズマ強化反応性イオン・エッチング(ICP−RIE)を使用してエッチングする。ICP−RIEは、GaN及びSiCのようなロバストな材料を乾式エッチングする特別に強化した方法であり、半導体処理技術を実用している者には広く知られている。LPCVD成長の窒化珪素及び/又は二酸化珪素のような不動態化層38が堆積される。不動態化層38は、オーミック・コンタクト40及び42を堆積する領域からエッチングにより除去される。オーミック・コンタクト40及び42は、例えば、チタン(Ti)層、アルミニウム(Al)層、Ti層及び金(Au)層(200Å/1000Å/450Å/550Å)より成る多層積重体を構成するように堆積して、例えば約800℃の温度で約60秒の間、アニールする。触媒ゲート電極44が、例えば、単一の白金(Pt)層、Ti層、Al層及びAu層(500Å/200Å/500Å/5000Å)より成る多層積重体を構成するように不動態化層38上に堆積される。この例のようなMISHFET型ガス・センサ装置は、過酷な環境内で400℃以上のような高い温度で高い安定性及び再現性を有する。また、この例では1つの触媒ゲート電極を示しているけれども、1つ以上の触媒ゲート電極を各ガス・センサ装置に設けることができること、及び/又はガス・センサ装置のアレイ(配列)を用いることができることを留意されたい。
図4は、HFET構成にした別の例のガス・センサ装置48を示す。このHFET構成のガス・センサ装置の例では、不純物添加してないGaN基板50に、不純物添加してないAlGaNヘテロ構造障壁層52が設けられている。ここで、これらの半導体材料が前に述べた広いバンド・ギャップの材料、例えば、二元及び三元III 族窒化物のいずれかと置換できることを理解されたい。基板50及びヘテロ構造障壁層52は、フォトリソグラフィを使用してパターン形成し、ICP−RIEを使用してエッチングする。オーミック・コンタクト54及び56が、例えば、Ti層、Al層、Ti層及びAu層(200Å/1000Å/450Å/550Å)より成る多層積重体を構成するようにヘテロ構造障壁層52上に堆積される。オーミック・コンタクトは例えば約800℃の温度で、約60秒の間、アニールすることができる。触媒ゲート電極58が、例えば、Pt層、Ti層、Al層及びAu層(500Å/200Å/500Å/5000Å)より成る多層積重体を構成するようにヘテロ構造障壁層52上に堆積される。窒化珪素のような不動態化層60が装置の上に堆積される。また、この例では1つの触媒ゲート電極を示しているけれども、1つ以上の触媒ゲート電極を各ガス・センサ装置に設けることができること、及び/又はガス・センサ装置のアレイ(配列)を用いることができることを留意されたい。
図5は、ショットキーダイオード構成にした更に別の例のガス・センサ装置62を示す。このショットキーダイオード構成のガス・センサ装置の例では、不純物添加したGaN基板64が、フォトリソグラフィを使用してパターン形成され、ICP−RIEを使用してエッチングされている。ここで、これらの半導体材料が前に述べた広いバンド・ギャップの材料、例えばAlGaN、AlInN及び炭化珪素のいずれかと置換できることを理解されたい。オーミック・コンタクト66及び68が、例えば、Ti層、Al層、Ti層及びAu層(200Å/1000Å/450Å/550Å)より成る多層積重体を構成するように基板64上に堆積される。オーミック・コンタクトは例えば約800℃の温度で、約60秒の間、アニールすることができる。触媒ゲート電極70が、例えば、Pt層、Ti層、Al層及びAu層(500Å/200Å/500Å/5000Å)より成る多層積重体を構成するように基板64上に堆積される。窒化珪素のような不動態化層72が装置の上に堆積される。また、この例では1つの触媒ゲート電極を示しているけれども、1つ以上の触媒ゲート電極を各ガス・センサ装置に設けることができること、及び/又はガス・センサ装置のアレイ(配列)を用いることができることを留意されたい。
図6は、MOSFET構成にしたまた更に別の例のガス・センサ装置74を示す。このMOSFET構成のガス・センサ装置の例では、炭化珪素のn型基板76の上に、4ミクロン(μm)の厚さを持つ5el5p型エピタキシャル層のようなp−エピタキシャル層78が設けられている。メサ80がエッチングにより形成され、そのためには、レジストを堆積し、像を形成し、パターン形成し、エピタキシャル層78をエッチングし、そしてレジストを剥離する。次いで、n−チャンネル82が注入(implantation)により形成され、そのためには、フォトレジスト・マスク及びRIEエッチ酸化物を使用して1μmのHTO酸化物層を堆積して緻密化し、スクリーン酸化物を堆積し、箱形分布を得るために3つのインプラント(implant) を使用するn−チャンネル82を600℃、180KeV、nイオンでエピタキシャル層78の中に注入し、そして酸化物を剥離する。次いで、N+ソース84及びN+ドレイン86が注入により形成され、そのためには、フォトレジスト・マスク及びRIEエッチ酸化物を使用して1μmのHTO酸化物層を堆積して緻密化し、スクリーン酸化物を堆積し、箱形分布を得るために3つのインプラントを使用するN+ソース84及びN+ドレイン86を600℃、nイオンでエピタキシャル層78の中に注入し、そして酸化物を剥離する。次いで、頂部又は本体部コンタクト用のP+インプラント88がイオン注入により形成され、そのためには、フォトレジスト・マスク及びRIEエッチ酸化物を使用して1μmのHTO酸化物層を堆積して緻密化し、スクリーン酸化物を堆積し、箱形分布を得るために4つのインプラントを使用するP+コンタクト88を1000℃、180KeV、Al及び/又はCイオンでエピタキシャル層78の中に注入し、そして酸化物を剥離する。インプラント82、84、86及び88は、次いで、1300℃でアニールされる。表面損傷を除くために犠牲的な酸化が必要とされることがある。次いで、SiO2 のようなフィールド酸化物層90を、熱酸化によって300オングストローム成長させ、1μmのHTO酸化物層及び珪酸燐ガラス(PSG)を堆積して緻密化し、フォトレジストでパターン成形し、ICPエッチング(80%)し、チャンネルにおいて湿式エッチング(20%)する。フィールド酸化物層90はガス・センサ装置の表面を保護するのに役立つ。次いで、高品質のSiO2 のようなゲート酸化物92を1100℃の蒸気酸化によって(500オングストローム)成長させ、950℃の蒸気で再酸化アニールする。次いで、ニッケル又はモリブデンのようなゲート金属94が堆積され、そのために、光パターン形成を行い、約4000オングストロームのゲート金属を蒸着又はスパッタリングし、そしてフォトレジストを除去する。次いで、ニッケル及び/又は金のようなオーミック・コンタクト94及び96が堆積され、そのために、酸化物エッチバックを持つ光パターン形成を行い、ニッケル及び/又は金を蒸着又はスパッタリングし、金属のリフトオフ(lift-off)を行う。次いで、Ti/Al及び/又はNi/AlのようなP−オーミック・コンタクト98が堆積され、そのためには、酸化物エッチバックを持つ光パターン形成を行い、P+コンタクト88の頂部上にTi/Al及び/又はNi/Al層を蒸着又はスパッタリングし、金属をリフトオフし、975℃で(N2及び/又はAr雰囲気中で約2分間)オーミック・コンタクト94、96及び98をアニールする。ゲート金属94は、光パターン形成を行い、約3000オングストロームの触媒ゲート電極材料を蒸着又はスパッタリングし、フォトレジストを剥離し、そして触媒を活性化するために600℃でアールすることによって、堆積される。次いで、Ti/Ni/Auのようなオーバーレイ100が堆積され、そのためには、光パターン形成を行い、Ti/Ni/Auを蒸着し、そしてフォトレジストを剥離する。次いで、不動態化層102が堆積される。ここで、この例では1つの触媒ゲート電極を示しているけれども、1つ以上の触媒ゲート電極を各ガス・センサ装置に設けることができること、及び/又はガス・センサ装置のアレイ(配列)を用いることができることも留意されたい。
図7は、更に別の例のガス・センサ装置106の上面図を示し、該装置は不動態化層108並びに相互接続用の白金の突出部116、118及び120を持つ。白金の突出部116、118及び120はオーミック・コンタクト110及び112並びに触媒ゲート電極114の上に堆積される。ここで、相互接続用の白金の突出部は、オーミック・コンタクトのみの上に、又は触媒ゲート電極のみの上に、又は両方の上に設けてもよいことに留意されたい。また、この例では1つの触媒ゲート電極を示しているけれども、1つ以上の触媒ゲート電極を各ガス・センサ装置に設けることができること、及び/又はガス・センサ装置のアレイを用いることができることに留意されたい。
図8は、カプセル封止手段124を持つ別の例のガス・センサ装置122をす。基板126の上にオーミック・コンタクト128及び130並びに2つの触媒ゲート電極132及び134が設けられている。触媒ゲート電極132及び134は、ガス種目が触媒材料と接触することができるように、カプセル封止手段の外側に露出している。この例はまた、オーミック・コンタクト128及び130が白金の突出部140及び142によってリード136及び138へ相互接続されているフリップ・チップ配置構成を示している。また、この例では二重触媒ゲート電極を示しているけれども、1つ以上の触媒ゲート電極を各ガス・センサ装置に設けることができること、及び/又はガス・センサ装置のアレイを用いることができることに留意されたい。
図9は、一例のガス・センサ装置146のための一例のパッケージ144を示す。ガス・センサ装置146は第1の管148内に配置される。第1の管148は第2の管150の中に、ガス種目が第1の管148内の空間149に入って、ガス・センサ装置146を通り過ぎ、次いで第1の管148と第2の管150との間の第2の空間151を通って出て行くように、配置される。ガスの方向は逆向きに流れるようにもすることができる。パッケージ144はまた、基板152、熱障壁154、シュラウド156及び信号接続部158を含んでいる。
12、22 半導体基板
14、26、28、30触媒ゲート電極
16、18、24 オーミック・コンタクト
32 MISHFET構成のガス・センサ装置
34 GaN基板
36 ヘテロ構造障壁層
38 不動態化層
40、42 オーミック・コンタクト
44 触媒ゲート電極
48 HFET構成のガス・センサ装置
50 GaN基板
52 ヘテロ構造障壁層
54、56 オーミック・コンタクト
58 触媒ゲート電極
60 不動態化層
62 ショットキーダイオード構成のガス・センサ装置
64 GaN基板
66、68 オーミック・コンタクト
70 触媒ゲート電極
72 不動態化層
74 MOSFET構成のガス・センサ装置
76 p型基板
78 p−エピタキシャル層
80 メサ
82 n−チャンネル
84 N+ソース
86 N+ドレイン
88 P+コンタクト
90 フィールド酸化物層
92 ゲート酸化物
94 ゲート金属
98 P−オーミック・コンタクト
100 オーバーレイ
102 不動態化層
106 ガス・センサ装置
108 不動態化層
110、112 オーミック・コンタクト
114 触媒ゲート電極
116、118、120 相互接続用の白金の突出部
122 ガス・センサ装置
124 カプセル封止手段
126 基板
128、130 オーミック・コンタクト
132、134 触媒ゲート電極
136、138 リード
140、142 白金の突出部
144 パッケージ
146 ガス・センサ装置
148 第1の管
149 第1の空間
150 第2の管
151 第2の空間
154 熱障壁
156 シュラウド
158 信号接続部
Claims (10)
- 表面を持ち、且つ炭化珪素、ダイヤモンド、III 族窒化物、III 族窒化物の合金、酸化亜鉛、及びこれらの任意の組合せより成る群から選択された材料を含む半導体層(12)と、
前記表面上に堆積された1つ以上の触媒ゲート電極(14)と、
前記表面上に堆積された1つ以上のオーミック・コンタクト(16)と、
不動態化層(38,60,72)と
を有しているガス・センサ装置(10)。 - 前記半導体層は、炭化珪素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム・ガリウム、及びこれらの任意の組合せより成る群から選択された材料を含んでいる、請求項1記載のガス・センサ装置。
- 前記ガス・センサは、HFET、窒化珪素の不動態化層を持つMISFET、MESFET、MISHFET及びショットキーダイオードより成る群から選択されたものである、請求項1記載のガス・センサ装置。
- 前記ガス・センサは、約−40℃〜約800℃の範囲の周囲環境内で動作可能である、請求項1記載のガス・センサ装置。
- 更に、加熱手段を含んでいる請求項1記載のガス・センサ装置。
- 前記ガス・センサは、NO、NO2 、N2 O、NH3 、CO、SO、SO2 、SO3 、CO2 、O2 、H2 、炭化水素、及びこれらの任意の組合せより成る群から選択されたガスを検知することができる、請求項1記載のガス・センサ装置。
- 表面を持ち、且つ炭化珪素、ダイヤモンド、III 族窒化物、III 族窒化物の合金、酸化亜鉛、及びこれらの任意の組合せより成る群から選択された材料を含む半導体基板(12)であって、少なくとも1つの不純物添加層を含む半導体基板(12)と、
前記表面上に堆積された1つ以上の触媒ゲート電極(14)と、
前記表面上に堆積された1つ以上のオーミック・コンタクト(16)と、
前記表面の少なくとも一部分の上に堆積された不動態化層(38,60,72)と、
当該ガス・センサ装置をカプセル封止する手段(124)と
を有しているガス・センサ装置(10)。 - 表面を持ち、且つ窒化珪素、炭化珪素、ダイヤモンド、III 族窒化物、III 族窒化物の合金、酸化亜鉛、及びこれらの任意の組合せより成る群から選択された材料を含む半導体基板(12)と、
前記表面上に堆積された1つ以上の触媒ゲート電極(14)と、
前記表面上に堆積された1つ以上のオーミック・コンタクト(16)と、
前記1つ以上のオーミック・コンタクト及び/又は前記1つ以上の触媒ゲート電極の内の少なくとも一部分の上に堆積された白金及び/又は金の層(116)と、を有するガス・センサ装置(10)であって、
当該ガス・センサがフリップ・チップ(122)であることを特徴とするガス・センサ装置(10)。 - 表面を持ち、且つ炭化珪素、ダイヤモンド、III 族窒化物、III 族窒化物の合金、酸化亜鉛、及びこれらの任意の組合せより成る群から選択された材料を含む半導体基板(12)と、
絶縁層(38)と、
前記絶縁層の表面上に堆積された1つ以上の触媒ゲート電極(14)と、
前記半導体基板の表面上に堆積された1つ以上のオーミック・コンタクト(16)と、を有するガス・センサ装置(10)であって、
当該ガス・センサがMISFETであることを特徴とするガス・センサ装置(10)。 - ヘテロ構造障壁層及び表面を持ち、且つ炭化珪素、ダイヤモンド、III 族窒化物、III 族窒化物の合金、酸化亜鉛、及びこれらの任意の組合せより成る群から選択された材料を含む半導体基板(12)と、
前記表面上に堆積された1つ以上の触媒ゲート電極(14)と、
前記表面上に堆積された1つ以上のオーミック・コンタクト(16)と、
前記1つ以上の触媒ゲート電極の下の前記表面の少なくとも一部分の上に堆積された不動態化層(38,60,72)と、を有するガス・センサ装置(10)であって、
当該ガス・センサがMISHFETであることを特徴とするガス・センサ装置(10)。
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