JP2007511866A - 直列色素増感太陽電池及びその製造方法 - Google Patents

直列色素増感太陽電池及びその製造方法 Download PDF

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Abstract

【解決手段】
本発明は、2室構造又は多室構造の光起電力電池、その使用方法及びその製造方法を提供する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、2室構造又は多室構造の光起電力電池、その使用方法及びその製造方法に関する。
分子色素によるナノ結晶TiO2の増感に基づく光電化学電池(色素増感太陽電池、dye-sensitised solar cells:DSSC)が、その発表以来、効率的な光起電力素子として注目されている(B. O'Regan and M. Gratzel, Nature 353 (1991) 737; WO 91/16719 [A] )。最先端のDSSCの主な短所は、共通に採用されている色素増感剤の光活性領域が、主に太陽スペクトルの可視帯及び短波長の領域に制限されている点である。太陽スペクトルは、広い波長域を有するが、低エネルギの光子を電気エネルギに変換できない。この種の太陽電池の効率を向上させるために、1つのセル内で異なる色素を組み合わせることによって、吸収特性を改善することが研究されている。今までのところ、吸収スペクトルが異なる2つ以上の色素の無作為の混合物によっては、改善が実現されていない。これは、広い吸収スペクトルを有するこれまでの最良の色素を単独で用いた場合に比べて、用いられた色素の全体的な効率が低く、またピーク効率も低いためである。この結果、これらの色素の組合せの全体的な効率も低い(例えば、[Fang et al., Applied Surface Science 119,237 (1997)])。更に、ワイ・チバ(Y. Chiba)、エム・シミズ(M. Shimizu)、エル・ハン(L. Han)、アール・ヤマダ(R. Yamanaka)による米国特許出願2002/0134426号、発明の名称「光起電力電池及びその製造方法(Photovaltaic cell and process for producing the same)」には、1つの層が表面上に酸化マグネシウムを有し、この表面層をエッチングすることにより、この多孔層の粒子に吸着した色素分子をマグネシウム酸化層と共に取り除き、他の種類の色素分子に置換することができる二層システムが開示されている。豊田竜生、武石裕美子による特開平2000−243466号、発明の名称「光電変換素子」には、色素分子をTiO2ペースト内に混合し、異なる色素分子を有するペーストの複数の層をそれぞれスクリーン印刷によって形成する手法が開示されている。ヘイ・ジェイ(He J)、リンドストローム・エッチ(Lindstrom H)、ハグヘルド・エ(Hagfeldt A)、リーンドクビスト・エス・イー(Lindquist S-E)は、色素増感光電陰極を有する電池(Solar Energy Materials & Solar Cells, 62 (3), 265 (2000))を発表し、及びリーンドクビスト・エス・イー、ハグヘルド・エは、色素増感ナノ構造光起電力直列電池を発表した。国際特許出願WO99/63599号には、異なる色素が吸着された2つの異なる半導体に基づく電池が開示されている。第1の半導体電極が正孔として機能し、第2の半導体電極が電子輸送材料として機能し、電解質のレドックス電位と、2つの(アクティブ)電極との間の2つの電位差の合計が光電圧になる。両方の半導体電極は、1つの単一室構造の電池に組み合わされ、一方の電極が陰極として機能し、他方の電極が陽極として機能する。グレッチェル(Gratzel)、「光電気化学太陽エネルギ変換(Photoelectrochemical solar energy conversion by dye sensitisation)(AIP CP404,119 (1997),)」及びエム・グレッチェル(M. Gratzel)、ジェイ・オーガスチンスキー(J. Augustynski)、「可視光による水開裂用の直列電池(Tandem cell for water cleavage by visible light)」(国際特許出願WO01/02624Al号)には、増感剤なしで水を水素と酸素に分離する、1つの「通常の」DSSC及び1つの三酸化タングステン電極からなる直列電池が開示されている。なお、ここには、光子の電気への直接変換は、開示されていない。
上に列記した様々な手法の問題点を以下に示す。
第1の色素層をエッチングすることによって1つの多孔性TiO2層内に2つの異なる色素を塗布した場合(チバ他、米国特許出願2002/0134426号)、エッチングのために処理は制約され、及び複数の色素を用いることにより、一旦、第1の色素を形成すると、焼結工程が行えなくなるので、処理が困難になる。異なる色素分子を混合したスクリーン印刷TiO2ペーストで1つの多層膜TiO2膜に2つの異なる色素を塗布する場合(豊田他、特開平2000−243466号)、処理は、特別な材料(例えば、TiO2/色素混合物を高温に晒す必要がある場合、色素分子)に制限され、又は例えば、色素分子の温度感度のために高温処理を回避する必要があるため、処理が困難になる。2つの異なる色素が吸着された2つの異なる半導体電極を用いる手法((He et al., Solar Energy Materials & Solar Cells, 62/3), 265, (2000), WO 99/63599)では、全体的な効率は、両方の色素の変換効率に線形に依存する。このため、全体的な効率は、低い方の効率に制約され、したがって、良好な結果は未だ示されていない。
そこで、本発明の目的は、照射のために用いられる光源のスペクトル範囲全体を有効に利用できるという意味で、より高い効率を有する色素増感光起電力素子、例えば、太陽電池を提供することである。
更に、本発明の目的は、構造が簡単で他用途の光起電力素子、例えば、太陽電池等を提供することである。
具体的には、本発明の目的は、製造の間、如何なる加熱工程でも色素が破損又は分解されない光起電力素子、例えば、太陽電池を提供することである。
更に、本発明の目的は、熱処理の前にセルに既に塗布された如何なる色素も破損する畏れなく、熱処理工程を含む製造方法によって製造できる太陽電池を提供することである。
更に、本発明の目的は、異なる特性の異なる材料を1つのセルに容易に結合できる光起電力素子、例えば、太陽電池を提供することである。具体的には、本発明の目的は、1つの光起電力素子、例えば、太陽電池における2つ(又はこれ以上の)の異なる色素分子の効率的な組合せを提供することである。
更に、本発明の目的は、低エネルギ光子の吸収から電気を発生させることができる光起電力素子、例えば、太陽電池を提供することである。
上述の課題を解決するために、本発明に係る光起電力素子は、互いに隣接し、光が照射されると、それぞれが電気を発生する少なくとも2室を備える光起電力素子において、各室は、以下の順序で、(a)それ自体導電性を有し、又は透明な導電性酸化物層を含む更なる導電層を介して導電性を有するように形成された透明又は半透明層と、(c)色素を含む半導体材料の多孔層と、(d)半導体材料の多孔層に接触し、半導体材料の孔隙に少なくとも部分的に埋められた電荷輸送剤と、(e)透明、半透明又は不透明の背面電極とを備え、少なくとも2室の第1の室は、以下の順序で、(a)それ自体導電性を有し、又は透明な導電性酸化物層を含む更なる第1の導電層を介して導電性を有するように形成された第1の透明又は半透明層と、(c)第1の色素を含む半導体材料の第1の多孔層と、(d)半導体材料の第1の多孔層に接触し、半導体材料の第1の孔隙に少なくとも部分的に埋められた第1の電荷輸送剤と、(e)透明、半透明又は不透明の背面電極とを備え、少なくとも2室の第2の室は、以下の順序で、(a)それ自体導電性を有し、又は透明な導電性酸化物層を含む更なる第2の導電層を介して導電性を有するように形成された第2の透明又は半透明層と、(c)第2の色素を含む半導体材料の第2の多孔層と、(d)半導体材料の第2の多孔層に接触し、半導体材料の第2の孔隙に少なくとも部分的に埋められた第2の電荷輸送剤と、(e)透明、半透明、不透明又は反射性の背面電極と、(f)任意の第3の基板とを備え、少なくとも2室は、第1の背面電極と第2の透明基板の間で直接又は間欠材料を介して互いに接触する。
一実施形態においては、間欠材料は、好ましくは、第1及び/又は第2の透明基板と同じ又は類似した屈折率を有する間欠材料層として形成される。
一実施形態においては、間欠材料層は、第1の及び/又は第2の透明又は半透明層と同様の屈折率を有する。なお、本明細書で用いる「同様の屈折率」という表現は、間欠材料層の屈折率を100%とした場合、間欠材料層と、第1又は第2の基板との間の屈折率の差が、10%を超えず、好ましくは、5%を超えず、より好ましくは、2%を超えず、最も好ましくは、1%を超えないことを意味する。
一実施形態においてh、間欠材料、好ましくは間欠材料層は、気体、気体の混合物又は真空である。このように、一実施形態では、直列セルの2室は、空気、何らかの気体、気体の混合物又は真空の層によって分離される。このような構成の特定の適用例は、例えば、2枚のガラスシートを気体又は真空の層によって分離する二重ガラス窓(doubly glassed window)構造に見出すことができる。本願発明者らによって想定される適用例の1つでは、一方のガラスシートを本発明に基づく第1の室によって置換し、他方のガラスシートを本発明に基づく第2の室によって置換する。2つの室の間の空間は、気体、気体の混合物又は真空として形成する。この構成は、例えば、日光を電気に変換できる二重ガラス窓として用いることができる。なお、この構成は、二重ガラス窓に限定されず、三重ガラス窓又は多重ガラス窓にも同様に適用できる。
第1の背面電極は、第1及び第2の基板から独立し、第2の室の第2の基板に取り付けられた更なる透明又は半透明層上に取り付けられ、この更なる基板は、好ましくは、上述した間欠材料層を介して、第2の基板に取り付けられている。この第1の背面電極は、第2の室の第2の基板に、好ましくは、更なる基板及び/又は少しも間欠材料層を介さず、直接取り付けられている。
一実施形態においては、少なくとも2室の一方又は両方は、(b)透明基板と多孔層の間に、半導体材料の多孔層(c)と同じ半導体材料又は異なる半導体材料からなる半導体材料層を更に備え、半導体材料層(b)は、好ましくは、半導体材料の多孔層(c)より少ない孔隙を有し、又は孔隙を有さない。
このような半導体材料の更なる層(b)により、素子の性能が向上し及び/又は寿命が長くなることが見出された。
一実施形態においては、半導体材料層(b)は、透明又は半透明層(a)と電荷輸送剤(d)の間の空乏層として機能する。
一実施形態においては、第1の色素は、波長λmax1で第1の最大値を有する吸収スペクトルを有し、第2の色素は、波長λmax2で第2の最大値を有する吸収スペクトルを有し、λmax1<λmax2である。
第1及び/又は第2の色素が顕著な最大値を有さない場合、一実施形態では、第1の色素のスペクトルの中心波長λCM,1は、第2の色素の最大値の波長λmax2よりも短く、又は第2の色素のスペクトルの中心波長λCM,2よりも短く、又は第1の色素の最大値の波長λmax1は、第2の色素のスペクトルの中心波長λCM,2よりも短い。
好ましくは、半導体材料の第1及び/又は第2の多孔層は、半導体材料の粒子を含み、第1及び/又は第2の色素は、半導体材料の粒子、好ましくは、粒子の表面に吸着されている。
一実施形態においては、透明又は半透明層(a)は、任意の第3の基板(f)に接触している背面電極(e)に接触している電荷輸送剤(d)に接触している半導体材料の多孔層(c)に接触している。
他の実施形態においては、透明又は半透明層(a)は、任意の第3の基板(f)に接触している背面電極(e)に接触している電荷輸送剤(d)に接触している半導体材料の多孔層(c)に接触している半導体材料層(b)に接触している。
一実施形態においては、透明又は半透明層(a)と半導体材料層(b)、透明又は半透明層(a)と半導体材料の多孔層(c)、半導体材料層(b)と半導体材料の多孔層(c)、半導体材料の多孔層(c)と電荷輸送剤(d)、電荷輸送剤(d)と背面電極(e)及び/又は背面電極(e)と任意の第3の基板(f)の間に1つ以上の更なる間欠層を設けてもよい。
一実施形態においては、第1及び/又は第2の透明基板は、ガラス上のFTO、ITO、ZnO、SnO2及びこれらの組合せを含む透明な酸化物基板である。
一実施形態においては、第1の及び/又は第2の背面電極は、光活性でない。
好ましくは、少なくとも2室は、半導体材料の多孔層をそれぞれ1つのみ含み、より好ましくは、半導体材料の多孔層は、多層構造を有さない。
他の実施形態においては、半導体材料の第1又は第2の多孔層又は半導体材料の両方の層は、多層構造を含む。
半導体材料の第1の多孔層(c)は、好ましくは透明である。
一実施形態においては、半導体材料の第2の多孔層(c)は、散乱性を有し、すなわち、第1の多孔層よりも透明度が低い。
一実施形態においては、第1の電荷輸送剤と第2の電荷輸送剤は、同じであっても又は異なっていてもよい。
電荷輸送剤は、好ましくは、液体、固体又は準固体であり、電荷輸送剤が準固体である場合、電荷輸送剤は、ゲル、好ましくは、高分子ゲルである。
一実施形態においては、電荷輸送剤は、電解質である。
一実施形態においては、電荷輸送剤は、半導体材料の多孔層に隣接し、半導体材料の多孔層に密着し、半導体材料の多孔層に部分的に入り込む層を形成する。
一実施形態においては、電荷輸送剤は、レドックス対を含み、レドックス対の酸化還元種は、半導体材料の多孔層(c)に含まれる色素を再生する。
第1の背面電極及び/又は第2の背面電極は、好ましくは、例えばプラチナ層等の金属層である。
一実施形態においては、第1の電極は、80%以上の透過率を有する。
第1の背面電極と、第1の背面電極が取り付けられた基板との間には、導電材料層を設ける。第1の背面電極が取り付けられた基板は、第2の基板であってもよく、上述した更なる基板であってもよい。一実施形態においては、上述の実施形態に代えて又はこれに加えて、第2の背面電極と第3の基板の間に、又は第2の背面電極と、第2の背面電極の下にあり、第3の基板から独立し、第2の背面電極及び第3の基板の間に配設された更なる基板との間に形成された導電材料層を更に設けてもよい。
一実施形態においては、例えばプラチナ層である金属層は、連続した層として構成され、又は例えばプラチナストリップである複数の金属ストリップとして構成され、金属層が金属ストリップとして構成される場合、金属ストリップは、平行な又は蛇行するパターンに形成される。
一実施形態においては、金属層が金属ストリップとして構成されている場合、隣接する金属ストリップ間の距離をbとし、金属ストリップの幅をaとして、b:aの比は、4以上である。
一実施形態においては、金属層は、半透明層であり、この半透明層は、好ましくは、厚さが10nm未満、より好ましくは、5nm未満のプラチナ層である。
一実施形態においては、第2の背面電極は、反射性及び/又は散乱性を有する。
この場合、反射性の第2の背面電極を有する第2の室は、光起電力素子を照射する光源から最遠の室を形成する。
これは、本発明に基づく光起電力素子が2室しか備えない場合に好ましい構成である。
一実施形態においては、半導体材料の多孔層は、TiO2、SnO2、ZnO、Nb2O5、ZrO2、CeO2、WO3、SiO2、Al2O3、CuAlO2、SrTiO3、SrCu2O2を含む酸化物又はこれらの幾つかの酸化物を含む複合酸化物を含む。
第1の室と第2の室は、好ましくは、並列に又は直列に接続される。
一実施形態においては、光起電力素子は、第1のタイプの1又は複数の室と、第2のタイプの1又は複数の室とを含み、好ましくは、第2のタイプの室の全て又は幾つかは、不透明な、例えば、反射性又は散乱性を有する第2の背面電極を有する。
一実施形態においては、第1のタイプの1又は複数の室は、第1のモジュールを形成し、第2のタイプの1又は複数の室は、第2のモジュールを形成し、第1のモジュールが含む第1のタイプの室の数は、第2のモジュールが含む第2のタイプの室の数とは異なる。
一実施形態においては、第1のモジュールは、第2のモジュールに隣接して又は第2のモジュール上に配置される。
一実施形態においては、本発明に係る光起電力素子は、光が照射されると、それ自体電気を発生する第3の室を備え、第3の室は、以下の順序で、(a)それ自体導電性を有し、又は透明な導電性酸化物層を含む更なる第3の導電層を介して導電性を有するように形成された第3の透明又は半透明層と、(c)第3の色素を含む半導体材料の第3の多孔層と、(d)半導体材料の第3の多孔層に接触し、半導体材料の第3の孔隙に少なくとも部分的に埋められた第3の電荷輸送剤と、(e)透明、半透明、不透明又は反射性又は散乱性の背面電極とを備える。
第3の背面電極は、好ましくは、不透明であり、例えば、反射性又は散乱性を有し、本発明に基づく光起電力素子が3室から構成される場合、第3の室は、光起電力素子を照射する光源から最遠となるように、第1及び第2の室の下に配設される。
一実施形態においては、光起電力素子は、更なる室を備え、各更なる室は、以下の順序で、(a)請求項1記載の透明基板と、(c)請求項1記載の半導体材料の多孔層と、(d)請求項1記載の電荷輸送剤と、(e)請求項1記載の背面電極とを備え、更なる室は、(n+1)番目の室がn番目の室の下になるように、前の室の下に形成されており、ここで、最大のnであるnmaxを有する室は、そのnmax番目の基板に加えて、オプションとして(f)(nmax+1)番目の基板を備えていてもよい。一実施形態においては、更なる室の幾つか又は全ては、請求項2に定義する半導体材料層(b)を備えていてもよい。
nmax番目の背面電極は、好ましくは、不透明であり、例えば、反射性又は散乱性を有する。
nmax番目の背面電極を除くn番目の背面電極は、好ましくは、透明又は半透明である。
また、本発明の目的は、上述した光起電力素子を用いて光から電気を発生する光起電力素子の使用方法によっても達成される。
また、上述の目的を達成するために、本発明に係る光起電力素子の製造方法は、上述した光起電力素子の製造方法において、(a)それ自体導電性を有し、又は透明な導電性酸化物層を含む更なる第1の導電層を介して導電性を有するように形成された第1の透明又は半透明層を形成する工程と、(c)半導体材料の第1の多孔層を形成し、半導体材料の第1の多孔層を焼結し、均熱(soaking)、浸漬(immersing)又は吸収(imbibing)を含む手法により第1の色素を半導体材料の第1の多孔層に塗布する工程と、(d)半導体材料の第1の多孔層に接触し、半導体材料の第1の多孔層の孔隙に少なくとも部分的に埋められるように、第1の電荷輸送剤を塗布する工程と、(e)半透明又は透明の第1の背面電極を形成する工程と、(a)それ自体導電性を有し、又は透明な導電性酸化物層を含む更なる第2の導電層を介して導電性を有するように形成された第2の透明又は半透明層を形成する工程と、(c)半導体材料の第2の多孔層を形成し、半導体材料の第2の多孔層を焼結し、均熱(soaking)、浸漬(immersing)又は吸収(imbibing)を含む手法により第2の色素を半導体材料の第2の多孔層に塗布する工程と、(d)半導体材料の第1の多孔層に接触し、半導体材料の第2の多孔層の孔隙に少なくとも部分的に埋められるように、第2の電荷輸送剤を塗布する工程と、(e)透明、半透明又は不透明の第2の背面電極を形成する工程と、任意の工程として、(f)第1の背面電極が第2の透明又は半透明層に、直接又は間欠材料を介して接触し、及び第1の室と第2の室を並列に又は直列に接続する基板を形成する工程とを有する。
本発明では、2つの分離されたセル室を有する直列色素増感太陽電池(tandem dye-sensitised solar cell:TDSSC)の設計(図1)によって、上述した問題点を解決する。第1の室では、多孔性の半導体層が、直接又は薄いバルク半導体の空乏層を介して、導電性基板、好ましくは、導電性の透明な酸化物基板に取り付けられている。多孔性の半導体層は、定義された吸収スペクトルを有する色素分子を含む。これらの色素分子は、好ましくは、ナノ多孔性半導体粒子の表面に吸着される。入射光の一部は、色素分子に吸収され、励起された電子が半導体に注入される。層全体の孔隙には、電荷輸送剤が完全に又は部分的に入り込む。背面電極からの電子は、背面電極から半導体電極に如何なる形式で輸送してもよく、これにより、励起及び半導体材料への電子注入の後に、色素イオンが生成される。電子回路は、導電性透明酸化物と背面電極の間の外部負荷によって閉じることができる。背面電極は、多くの場合、金属面を有する。この特定応用では、背面電極は、透明であるか又は少なくとも半透明である必要がある。背面電極の背面において、第2の室は、第1の室に接続される。これは、第1の室と類似する構造を有するが、多孔層に吸着された色素分子は、第1の室の色素分子とは異なる吸収スペクトルを有する。したがって、第1の室によって輸送された光子は、第2の室の多孔層に吸着された色素によって吸収される。第2の室内の背面電極は、反射性を有していてもよい。なお、室の数は、2つに制限されないことは明らかである。3つ以上の室を設けてもよく、各室は、第1の室の色素が、第2の室の色素とは異なる吸収特性を有し、第2の室の色素が、第3の室の色素とは異なる吸収特性を有しているという意味で、異なっていてもよく、n番目の室の最大吸収波長をλmaxnとして、λmax1<λmax2<λmax3としてもよい。1又は複数の色素が顕著な最大値を有さない場合、n番目の室のスペクトルの中心波長をλCM,nとして、スペクトルの中心波長λCM,1、λCM,2、λCM,3は、λCM,1<λCM,2<λCM,3の関係を有することが望ましい。本発明を説明するために、光起電力素子は、nmax個の室を備え、(n+1)番目の室は、光起電力素子を照射する光源から、n番目の室よりも遠くにあり、第1の室が光源に最も近く、nmax番目の室が光源から最も遠いとする。
幾つかの適用例では、λmaxn=λmax(n+l)又はλCM,n=λCM,(n+1)とした方が有益である場合もある。したがって、一実施形態では、λmaxn=λmaxn+1又はλCM,n=λCM,n+1としてもよく、これらを組み合わせてもよく、すなわち、λmaxn=λCM,n+1等としてもよい。
第1及び第2の室は、並列に接続してもよく、直列に接続してもよい(図2)。第1及び第2の室の光電圧を調整するために(これらが並列接続されており、2つの光電圧が異なる場合)は、1つのモジュールが上側の室を含み、及び/又は1つのモジュールが下側の室を含み、上下のモジュールでセルの数が異なるマルチモジュール設計が可能である。
第1及び第2の室の光電流を調整するために(これらが直列接続されており、2つの光電流が異なる場合)は、1つのモジュールが上側の室を含み、及び/又は1つのモジュールが下側の室を含み、上下のモジュールでセルの数が異なるマルチモジュール設計が可能である。所望の電圧又は電流に調整するために、上下のセル室を含む他の如何なるタイプのモジュールを設計してもよい。
本明細書で用いる「光活性の電極」という用語は、その電極に関連している色素から電荷が注入される電極を指す。このような「光活性の電極」は、通常、半導体材料の多孔層を含む。
本明細書において、層、基板等に関して用いる「半透明」という用語は、その層、基板等の可視光の透過率が30%以上、好ましくは、70%以上、より好ましくは、80%以上、最も好ましくは、90%である状態を意味する。
また、半導体材料の多孔層について用いられる「多層構造を有さない」という表現は、その半導体材料の多孔層内において、区別できる副層がないことを意味する。
あらゆる種類の2つの層について、互いに「接触する」とは、それらの層が物理的に直接接触すること、又は導電的に接続されていること、又は間欠層を介して互いに接続されていることを意味する。
また、「多層構造」とは、例えば、色、吸光度、孔径、粒径、粒子形状等の異なる組織的特徴を有することにより区別できる独立した層が複数あり、これらの層が幾つも重ね合わされている構造を意味する。
本発明に基づく光起電力電池の製造方法では、当業者にとって周知の一連の技術を用いて、異なる層を形成することができる。これらの技術は、以下に限定されるものではないが、スピンコーティング法、ドクターブレード法、スクリーン印刷、ドロップキャスティング法、リフトオフ法、ゾル−ゲル法及びこれらの任意の組合せを含む。
半導体材料層の多孔度を高めるための後の焼結工程は、100℃〜500℃、好ましくは、200℃〜450℃、より好ましくは、350℃〜450℃の範囲の温度で行うとよい。
実施例1
プロトタイプTDSSCを以下のように組み立てた。第1の室として、FTO(ガラス上約100nm、単位面積当たり20Ω(20 Ohm per square))上に厚さ30nmのバルクTiO2の空乏層を形成した。平均直径14nmの粒子の10μm厚の多孔層を空乏層にスクリーン印刷し、30分間、450℃で焼結した。エタノールの溶液(0.3mM)から、自己組織化法により赤色色素N3を粒子に吸着させ、多孔層にレドックス対(15mM)としてI−/I3−を含む電解質を埋め込んだ。多孔層から6μmの距離に、FTO(ガラス上約100nm、単位面積当たり20Ω)上に、2nmのプラチナからなる半透明の背面電極をスパッタリングして形成した。
第2の室として、FTO(ガラス上約100nm、単位面積当たり20Ω)上に厚さ30nmのバルクTiO2の空乏層を形成した。平均直径の20nmの粒子80wt%及び平均直径300nmの粒子20wt%からなる10μm厚の多孔層を空乏層にスクリーン印刷し、30分間、450℃で焼結した。エタノールの溶液(0.3mM)から、自己組織化法により、黒色色素分子(ルテニウム620)を粒子に吸着させ、多孔層にレドックス対(15mM)として、I−/I3−を含む電解質を埋め込んだ。多孔層から6μmの距離に反射性を有するプラチナ背面電極を形成した。
ガラス基板と同じ又は類似した屈折率を有する液体を用いて2室を接続した。
図4は、プロトタイプTDSSCの電圧の関数として、I−V特性及び効率ηを示している。シミュレートされた太陽光(AM1.5)の光強度は100mW/cm2であり、TDSSCの照射面積は0.09cm2である。特に、2つの単一室の短絡電流密度は、TDSSCにおいて、合計でJsc=22.4mA/cm2になり、この値は、これまでに報告されている同等の条件下で測定された単一の如何なる室DSSCよりも高い。このTDSSCの最大の電力変換効率は、文献で報告されている最良値に匹敵するη=10.6%と判定される。TDSSCの値は、更なる最適化により、単一室のDSSCの最良値を上回ることが予想される。
実施例2
2.1サンプル準備
以下の実施例では、それぞれ異なるポリフィリン色素及びこのようなポリフィリン色素の混合物を含む単一室セル間の比較を行う。更に、同じセルの異なる室内に異なるポリフィリン色素を有するTDSSCについて説明する。
単一室及び直列構造セルの両方について、同じ準備工程を適用する。単一室は、ガラス基板上のフッ素ドープ酸化スズ(FTO)の100nmの薄膜を備える。この透明導電性酸化物上には、FTOから電解質への電荷輸送をブロックするために、チタンアセチルアセトネートから、500℃の温度による噴霧熱分解法によって、薄膜バルクTiO2層を形成した。多孔性TiO2層は、熱加水分解によって成長したナノ微粒子を含み(C. J. Barbe, F. Arendse, P. Comte, M. Jirousek, F. Lenzmann, V. Shklover, and M. Gratzel, J. Am.Ceram.Soc.80 (1997) 3157)、反応条件は、粒径及び各層の凝集を最適化するように調整した。ポリフィリンセルについては、例えば、窒素吸着法によって画定された14nmの平均直径を有するTiO2粒子を用いる。このような粒子から形成された約10μmの厚さの膜は、非常に透明度が高く、多孔層における吸収の測定を容易にする。450℃でTiO2を焼結させた後に、層の多孔度εは、ε=0.63〜0.68になり、0.3mMのエタノール色素溶液から、自己組織化により、色素分子の単層が形成される。第1の実験用に用いた色素分子は、中心金属イオンM(II)としてPd(II)又はZn(II)を有する5,10,15,20−テトラキス(4−カルボキシフェニル)−ポリフィリン−M(II)(TCPP)のクラスから選択した。色素の混合物を含む溶液からの自己組織化により、TiO2粒子上に混合色素層が形成された。他方の粒子への色素の選択吸着は観察されなかった。実際、表面に吸着した異なる色素分子の比率は、溶液内の混合比を反映することがUV−Visスペクトル観測及びNaOHにおける色素脱離により確認された。TCPP色素によって着色された全ての多孔層について、総表面被覆率は、一定であった。純粋なTCPP色素の溶液の吸収スペクトルを図5に示す。紫外線の強い吸収以外に最低のπ→π*遷移及びバイブロニックな側波帯(vibronic side bands)のため可視領域において著しい吸収ピークが観測される。この遷移の最大吸収は、中心イオンの電子構造に応じてシフトする(D. Dolphin, Ed.,"The Porphyrins", vol. III, Academic Press, New York (1978))。着色の後に、多孔層には、レドックス対としてI3−/I−を有するPEO(分子量>200000,3w%)、炭酸プロピレン(PC)及び炭酸エチレン(EC)の混合物に基づく高分子ゲル電解質が入り込んだ。I3−濃度は15mmであり、PC:ECの比率は1であった。この種の電解質内のI3−の拡散係数Dは、D=3.2×10−6cm2/sと測定された(M. Durr, G. Kron, U. Rau, J. H. Werner, A. Yasuda, and G. Nelles (submitted))。Pt対電極は、6pm厚のスペーサホイルによって表面電極(front electrode)から分離され、高分子ゲル電解質に接触して取り付けられている。
直列セル構造の場合、上側の室のPt対電極の厚さは、2nmのみであり、したがって、半透明である。これにより、最大70%の光が、上側の室に取り込まれず、下側の室に透過する。TCPP−Pd及びTCPP−Znを有する直列セルでは、セルの上下の室において、それぞれ直径14nmの粒子からなる多孔層が形成される。下側の室の対電極は、Ptミラーであった。両方の室の電極は、外部で並列に接続される。
2.2色素混合物を有する多孔層の光学的特性及び光起電力特性
多孔層の吸光効率は、図5内の挿入グラフに示すTCPP色素で着色された層に関する透過スペクトルのグラフによって示されている。1つの単一の種類の色素分子で着色された層については、各色素の可視スペクトル内の最も強い吸収帯、すなわちQ(1,0)帯では透過率が0であることがわかり、したがって、この波長域のほとんど全ての光子は、層内に吸収されている。TCPP−PdのQ(1,0)帯の領域における吸収の飽和度が高いため、TCPP−Pd及びTCPP−Znの混合溶液によって着色され、それぞれの色素物質がTiO2表面の約50%を覆う多孔層についても、TCPP−Pdの吸収の最大値において、透過率は0である。更に、この層について、透過率は、約560nmのTCPP−ZnのQ(1,0)帯の領域及び約600mnのQ(0,0)帯で大幅に減少する。したがって、色素混合物によって多孔層を着色することによって、吸収の範囲は、実際に広くなる。吸収が増える、短絡電流密度(Jsc)が高まることが予想されるため、各多孔層から太陽電池を組み立てることにより、このような吸収の増加のために効率が向上すると容易に結論づけることができる。しかしながら、TCPP−Pd及びTCPP−Znの異なる混合物によって着色された多孔層によって組み立てられた一連のセルは、TiO2表面のTCPP−Znのパーセンテージの増加に応じて、Jscの一定の減少を示した。このような、一見、予想と相反する結果を図6内の挿入グラフに示す。Jscの最高値は、TCPP−Pdのみよって着色された多孔層を有するセルで測定され、TCPP−Znによって着色されたセルでは、半分のJsc値しか得ることができなかった。色素混合物を有する全てのセルについて、純粋なTCPP−Znの値に近い結果が観測され、TCPP−Znによって4分の1だけが覆われた多孔層を有するセルについても同様の結果が観測された。白色光源からTCPP−Zn層に取り込まれる光子の数は、TCPP−Pdセルに取り込まれる光子の数に匹敵するか又は上回るため、TCPP−Pd及びTCPP−Znを有する2つの純粋な色素セル間の差分は、TCPP−Znの内部量子効率を低下させる。このように、TCPP−Zn分子は、吸収された光子を電流に変換する能力は低いが、図5内の挿入グラフの透過曲線に示すように、全体的な吸収効率が高まるので、Jscが高まることがある。
この点を明らかにするために、純粋な色素セル及びTCPP−PdとTCPP−Znの混合物(表面上の色素の比率は、約1:1とした。)によって染色されたセルの両方の波長の関数として、光電変換効率(IPCE)を図6に示す。純粋な色素セルのIPCE曲線は、主に、図5内の挿入グラフの透過曲線を反映し、すなわち、透過率がゼロに近いか等しい位置で、波長に対して顕著な最大値が現れている。透過曲線と同様に、(図5の吸収スペクトルとの比較により)TCPP−Pd及びTCPP−Znのそれぞれについて、550nm及び600nmにおいて、強度が弱いQ(0,0)帯の重要性がが明らかに確認される。両方の色素について、400nm〜450nmの波長において、最高のIPCE値が測定された。この領域において、第2の励起一重項状態(excited singlet state)のB(0,0)帯は、最大値を有し(D. Dolphin, Ed.,"The Porphyrins", vol. III, Academic Press, New York (1978))、このより高い励起電子状態からTiO2の伝導帯への注入特性が明らかに良好である。可視領域におけるTCPP−Pd及びTCPP−ZnのIPCEスペクトル間の比較により、2つの主な違いが分かる。第1に、吸収及び透過スペクトルに対応して、560nmで長波長のショルダ(long-wavelength shoulder)を有する530nmにおけるTCPP−PdのIPCE最大値は、560nm及び600nmにおけるTCPP−ZnのIPCEスペクトルの2つの最大値よりも短い波長に位置している。第2に、TCPP−Pd及びTCPP−Znの両方について、主な最大吸収の領域では、透過率が0あるが、TCPP−Znでは、最大値におけるIPCE値がより低い。したがって、全ての入射光が両方の色素の最大吸収率で吸収されるので、内部量子効率は低くなる。また、この観察は、表面に吸着されたTCPP−Pd及びTCPP−Znの1:1混合物を有するセルのIPCEスペクトルに反映される。純粋なTCPP色素を有するセルのスペクトルから予想されるように、可視領域において、3つの最大値が観測される。なお、TCPP−Pd色素分子に起因する波長が530nm周囲の最大値は、係数2で減少し、混合層のスペクトルは、2つの純粋な色素層の1つのスペクトルのより高い値よりも常に低い。両方の色素が同じIPCE値を有する波長(550nmにおける約0.2)においても、混合色素層では、性能が低下している。
如何なる理論に頼ることもなく、表面に対する色素の相互作用及びセル効率に対する影響をこれらの結果から得ることができる。第1に、重なり合う異なる吸収スペクトルを有し、内部量子効率が異なる2つの色素の組合せにより、総合的なIPCEスペクトルがより広い波長域をカバーしていても、総合的なIPCEスペクトルが低下するために、総合的な電力変換効率が低下することがある。これは、その層内に存在しているより効率的な色素が吸収する可能性があった光子を、吸収された光子を光電流に変換する効率が低い色素が吸収するために生じると推察することができる。実際、TCPP−Pd及びTCPP−Znの実施例では、TCPP−PdがTCPP−Znよりも遙かに効率的な約530nmの波長においてこのような現象が生じている。TCPP−Pdと、TCPP−Pd及びTCPP−Znの1:1の混合物とを比較すると、明らかに、この現象は、拡大されたIPCEスペクトルによっては、過大に補償することができない。第2に、1つの多孔層内に両方の色素が存在することは、使用した物質自体の一方又は両方の色素分子の内部量子効率に影響すると考えられる。1つの種類の色素のみが吸着された両方の層のIPCE値が等しい波長においては、色素混合物を有する層が、純粋な色素層と同様のIPCE値を有すると予想される。しかしながら、TCPP−Zn/TCPP−Pd混合物の場合、TCPP−Pd及びTCPP−Zn層が同じ値を有する波長である550nmにおけるIPCE値は、純粋な色素層のIPCE値よりも低い。
2.3直列色素増感太陽電池(TDSSC)
混合色素層のこれらの短所を克服するために、図1に示す直列セルでは、セルの上下の室を、それぞれTCPP−Pd及びTCPP−Znを用いて形成した。100mW/cm2の白色光(スペクトル不整合係数(spectral mismatch factor)約0.7の硫黄ランプ)により照射を行うと、2室が並列接続された直列セルについて、図7の電流電圧曲線からJsc=11.4mA/cm2の短絡電流密度が得られる。開放電圧Voc=517mVであり、充填比FF=0.70であった。第1及び第2の室の値は、それぞれ、Jsc,1st=9.9mA/cm2,Foc,1st=565mV,FF1st=0.67,Jsc,2nd= 1.5mA/cm2,VOC,2nd=440mV,FF2nd=0.73であった。直列セルの短絡電流密度については、Jsc=Jsc,1st+Jsc,2ndが好適に適用される。これは、吸収された波長の範囲を拡大することができたことを示している。
第2の室のVoc,2ndが低いため、第1の室の値に比べて、直列セルのVoc、及びしたがってVmaxも低下する。この影響は、第2の室が貢献する更なる短絡電流密度によって補償される分よりも大きい。この結果、直列セルの最大の光電変換効率は、Vmax=385mVにおいて得られ、ηmax,1st=4.1%と測定された。この値は、2つの単一室の値であるηmax,1st=3.8%及びηmax,2nd=0.5%よりも高いが、これらの2つの値の合計値よりも低い。
実施例3
プロトタイプ二重ガラス窓(prototype doubly glassed window)を以下のように組み立てた。第1の室として、FTO(ガラス上約100nm、単位面積当たり20Ω)上にnm範囲のバルクTiO2の空乏層を形成した。平均直径がnm範囲の粒子からなるμm範囲の多孔層を空乏層上にスクリーン印刷し、高温で焼結した。第1日目には、エタノールの溶液から、自己組織化法により、例えば、赤色色素N3を粒子に吸着させ、多孔層に、レドックス対としてI−/I3−を含む電解質を埋め込んだ。FTO(ガラス上約100nm、単位面積当たり20Ω)上の多孔層から固定された距離に、例えば、2nmのプラチナからなる半透明の背面電極をスパッタリングして形成した。
第2の室として、FTO(ガラス上約100nm、単位面積当たり20Ω)上にnm範囲のバルクTiO2の空乏層を形成した。平均直径がnm範囲の粒子からなるpm範囲の多孔層を空乏層上にスクリーン印刷し、高温で焼結した。エタノールの溶液から、自己組織化法により、第2の色素、例えば、黒色色素(ルテニウム620)を粒子に吸着させ、多孔層に、レドックス対としてI−/I3−を含む電解質を埋め込んだ。FTO(ガラス上約100nm、単位面積当たり20Ω)上の多孔層から固定された距離に、例えば、2nmのプラチナからなる半透明の背面電極をスパッタリングして形成した。
これらの2室は、間に空間を空けて、一緒に取り付けられている。
更なる実施形態においては、不透明な二重ガラス窓を形成するために、室の1つが、nm範囲の異なる平均直径の粒子を有する多孔層を備えていてもよい。
この実施形態では、直列セルの2室は、空気、何らかの気体又は混合気体又は真空を介して分離される。このような構成の特定の適用例は、何らかの理由で2枚のガラスシートが必要である二重ガラス窓に見出すことができる。一方のガラスシートは、本発明に基づく第1の室によって置換でき、他方のガラスシートは、本発明に基づく第2の室によって置換できる。
先に列挙した従来の設計(上述)に対する本発明の主な特徴は、異なる吸収特性を有する2つのDSSCを含む2の分離された室の組合せを用いる点である。これにより、セルの製造を複雑にすることなく、最高の短絡電流(上述)が得られる。更に、最適化により、最高の光電変換効率を実現できる。
明細書、特許請求の範囲及び添付の図面に開示した本発明の特徴は、それぞれ独立して又は任意に組み合わせて、本発明を様々な形式で実現する要素となる。
本発明に基づく直列色素増感太陽電池(TDSSC)の例示的な構造を示す図である。 本発明に基づく光起電力素子内で2つの例示的な室を接続する手法を示す図である。 半透明の背面電極の構成例を示す図である。 100mW/cm2、大気通過量1.5(AM1.5)の条件下で測定した本発明に基づく光起電力電池の第1の室及び第2の室のI−V及びV特性及び本発明に基づく直列色素増感太陽電池のI−V及びV特性を示すグラフ図である。 エタノール(c=0.12mM)に溶解したTCPP−Pd(実線)及びTCPP−Zn(破線)の吸光度を波長の関数として示すグラフ図であり、挿入図は、TCPP−Pd(細い実線)、TCPP−Zn(破線)及びTCPP−PdとTCPP−Znの1:1混合物(太い実線)で着色された10μm厚の多孔層の透過スペクトルを示すグラフ図である。 TCPP−Pd(細い実線)、TCPP−Zn(破線)及びTCPP−PdとTCPP−Znの1:1混合物(太い実線)で着色された多孔層を有するDSSCについて、波長の関数として、光電変換効率(IPCE)を示すグラフ図であり、挿入図は、多孔層上のTCPP−Pd及びTCPP−Znの比率が異なるセルの短絡電流密度Jscを示すグラフ図である。 100mW/cm2の白色光により、0.24cm2の範囲を照射した場合の直列セルの単一室及びTDSSC全体について、電圧Vの関数として電流密度J及び(黒塗りのシンボル)効率η(白抜きのシンボル)を示すグラフ図である。

Claims (45)

  1. 互いに隣接し、光が照射されると、それぞれが電気を発生する少なくとも2室を備える光起電力素子において、各室は、以下の順序で、
    (a)それ自体導電性を有し、又は透明な導電性酸化物層を含む更なる導電層を介して導電性を有するように形成された透明又は半透明層と、
    (c)色素を含む半導体材料の多孔層と、
    (d)上記半導体材料の多孔層に接触し、該半導体材料の孔隙に少なくとも部分的に埋められた電荷輸送剤と、
    (e)透明、半透明又は不透明の背面電極とを備え、
    上記少なくとも2室の第1の室は、以下の順序で、
    (a)それ自体導電性を有し、又は透明な導電性酸化物層を含む更なる第1の導電層を介して導電性を有するように形成された第1の透明又は半透明層と、
    (c)第1の色素を含む半導体材料の第1の多孔層と、
    (d)上記半導体材料の第1の多孔層に接触し、該半導体材料の第1の孔隙に少なくとも部分的に埋められた第1の電荷輸送剤と、
    (e)透明、半透明又は不透明の背面電極とを備え、
    上記少なくとも2室の第2の室は、以下の順序で、
    (a)それ自体導電性を有し、又は透明な導電性酸化物層を含む更なる第2の導電層を介して導電性を有するように形成された第2の透明又は半透明層と、
    (c)第2の色素を含む半導体材料の第2の多孔層と、
    (d)上記半導体材料の第2の多孔層に接触し、該半導体材料の第2の孔隙に少なくとも部分的に埋められた第2の電荷輸送剤と、
    (e)透明、半透明、不透明又は反射性の背面電極と、
    (f)任意の第3の基板とを備え、
    上記少なくとも2室は、上記第1の背面電極と上記第2の透明基板の間で直接又は間欠材料を介して互いに接触する光起電力素子。
  2. 上記間欠材料は、第1及び/又は第2の透明基板と同じ又は類似した屈折率を有する間欠材料層として形成されることを特徴とする請求項1記載の光起電力素子。
  3. 上記間欠材料は、気体、気体の混合物又は真空であることを特徴とする請求項1又は2記載の光起電力素子。
  4. 上記少なくとも2室の一方又は両方は、
    (b)上記透明基板と上記多孔層の間に、上記半導体材料の多孔層(c)と同じ半導体材料又は異なる半導体材料からなる半導体材料層を更に備えることを特徴とする請求項1乃至3いずれか1項記載の光起電力素子。
  5. 上記第1の背面電極は、上記第1及び第2の基板から独立し、上記第2の室の第2の基板に取り付けられた更なる透明又は半透明層上に取り付けられていることを特徴とする請求項1乃至4いずれか1項記載の光起電力素子。
  6. 上記更なる基板は、上記間欠材料層を介して、上記第2の基板に取り付けられていることを特徴とする請求項5記載の光起電力素子。
  7. 上記第1の背面電極は、上記第2の室の第2の基板に、好ましくは、更なる基板及び/又は少しも間欠材料層を介さず、直接取り付けられていることを特徴とする請求項1乃至4いずれか1項記載の光起電力素子。
  8. 上記半導体材料層(b)は、上記半導体材料の多孔層(c)よりも少ない孔隙を有し、又は孔隙を有さないことを特徴とする請求項4乃至7いずれか1項記載の光起電力素子。
  9. 上記第1の色素は、波長λmax1で第1の最大値を有する吸収スペクトルを有し、上記第2の色素は、波長λmax2で第2の最大値を有する吸収スペクトルを有し、λmax1<λmax2であることを特徴とする請求項1乃至8いずれか1項記載の光起電力素子。
  10. 上記半導体材料の第1及び/又は第2の多孔層は、半導体材料の粒子を含み、上記第1及び/又は第2の色素は、該半導体材料の粒子、好ましくは、該粒子の表面に吸着されていることを特徴とする請求項1乃至9いずれか1項記載の光起電力素子。
  11. 請求項1乃至3いずれか1項記載に従属し、請求項4に従属しない場合、上記透明又は半透明層(a)は、上記任意の第3の基板(f)に接触している上記背面電極(e)に接触している上記電荷輸送剤(d)に接触している上記半導体材料の多孔層(c)に接触していることを特徴とする請求項1乃至10いずれか1項記載の光起電力素子。
  12. 請求項4に従属する場合、上記透明又は半透明層(a)は、上記任意の第3の基板(f)に接触している上記背面電極(e)に接触している上記電荷輸送剤(d)に接触している上記半導体材料の多孔層(c)に接触している上記半導体材料層(b)に接触していることを特徴とする請求項1乃至10いずれか1項記載の光起電力素子。
  13. 上記透明又は半透明層(a)と上記半導体材料層(b)、該透明又は半透明層(a)と上記半導体材料の多孔層(c)、該半導体材料層(b)と該半導体材料の多孔層(c)、該半導体材料の多孔層(c)と上記電荷輸送剤(d)、該電荷輸送剤(d)と上記背面電極(e)及び/又は該背面電極(e)と上記任意の第3の基板(f)の間に1つ以上の更なる間欠層を備えることを特徴とする請求項1乃至12いずれか1項記載の光起電力素子。
  14. 上記第1の及び/又は第2の背面電極は、光活性でないことを特徴とする請求項1乃至13いずれか1項記載の光起電力素子。
  15. 上記少なくとも2室は、上記半導体材料の多孔層(c)をそれぞれ1つのみ含むことを特徴とする請求項1乃至14いずれか1項記載の光起電力素子。
  16. 上記第1及び/又は第2の透明基板は、ガラス上のFTO、ITO、ZnO、SnO2及びこれらの組合せを含む透明な酸化物基板であることを特徴とする請求項1乃至15いずれか1項記載の光起電力素子。
  17. 上記半導体材料の第1の多孔層(c)は、透明であることを特徴とする請求項1乃至16いずれか1項記載の光起電力素子。
  18. 上記半導体材料の第2の多孔層(c)は、散乱性を有し、上記第1の多孔層よりも透明度が低いことを特徴とする請求項1乃至17いずれか1項記載の光起電力素子。
  19. 上記第1の電荷輸送剤と上記第2の電荷輸送剤は、同じ又は異なることを特徴とする請求項1乃至18いずれか1項記載の光起電力素子。
  20. 上記電荷輸送剤は、液体、固体又は準固体であることを特徴とする請求項1乃至19いずれか1項記載の光起電力素子。
  21. 上記電荷輸送剤が準固体である場合、該電荷輸送剤は、ゲル、好ましくは、高分子ゲルであることを特徴とする請求項20記載の光起電力素子。
  22. 上記電荷輸送剤は、電解質である請求項1乃至21いずれか1項記載の光起電力素子。
  23. 上記電荷輸送剤は、上記半導体材料の多孔層に隣接し、該半導体材料の多孔層に密着し、該半導体材料の多孔層に部分的に入り込む層を形成することを特徴とする請求項1乃至22いずれか1項記載の光起電力素子。
  24. 上記電荷輸送剤は、レドックス対を含み、該レドックス対の酸化還元種は、上記半導体材料の多孔層(c)に含まれる色素を再生することを特徴とする請求項1乃至23いずれか1項記載の光起電力素子。
  25. 上記第1の背面電極及び/又は第2の背面電極は、プラチナ層を含む金属層であることを特徴とする請求項1乃至24いずれか1項記載の光起電力素子。
  26. 上記第1の電極は、80%以上の透過率を有することを特徴とする請求項25記載の光起電力素子。
  27. 上記第1の背面電極と、上記第2の基板又は上記請求項5記載の更なる基板のいずれかである第1の背面電極が取り付けられた基板との間に形成された導電材料層を更に備える請求項1乃至26いずれか1項記載の光起電力素子。
  28. 上記第2の背面電極と上記第3の基板の間に、又は該第2の背面電極と、該第2の背面電極の下にあり、該第3の基板から独立し、該第2の背面電極と該第3の基板の間に配設された更なる基板との間に形成された導電材料層を更に備える請求項1乃至27いずれか1項記載の光起電力素子。
  29. 上記プラチナ層を含む金属層は、連続した層として構成され、又はプラチナストリップを含む複数の金属ストリップとして構成されていることを特徴とする請求項25乃至28いずれか1項記載の光起電力素子。
  30. 上記金属層が金属ストリップとして構成されている場合、該金属ストリップは、平行な又は蛇行するパターンに形成されていることを特徴とする請求項29記載の光起電力素子。
  31. 上記金属層が金属ストリップとして構成されている場合、隣接する金属ストリップ間の距離をbとし、該金属ストリップの幅をaとして、b:aの比は、4以上であることを特徴とする請求項29乃至30いずれか1項記載の光起電力素子。
  32. 上記第2の背面電極は、反射性及び/又は散乱性を有することを特徴とする請求項1乃至31いずれか1項記載の光起電力素子。
  33. 上記反射性の第2の背面電極を有する第2の室は、当該光起電力素子を照射する光源から最遠の室を形成することを特徴とする請求項32記載の光起電力素子。
  34. 上記半導体材料の多孔層は、TiO2、SnO2、ZnO、Nb2O5、ZrO2、CeO2、WO3、SiO2、Al2O3、CuAlO2、SrTiO3、SrCu2O2を含む酸化物又はこれらの幾つかの酸化物を含む複合酸化物を含むことを特徴とする請求項1乃至33いずれか1項記載の光起電力素子。
  35. 上記第1の室と上記第2の室は、並列に又は直列に接続されていることを特徴とする請求項1乃至34いずれか1項記載の光起電力素子。
  36. 当該光起電力素子は、第1のタイプの1又は複数の室と、第2のタイプの1又は複数の室とを含むことを特徴とする請求項1乃至35いずれか1項記載の光起電力素子。
  37. 上記第1のタイプの1又は複数の室は、第1のモジュールを形成し、上記第2のタイプの1又は複数の室は、第2のモジュールを形成し、該第1のモジュールが含む第1のタイプの室の数は、第2のモジュールが含む第2のタイプの室の数とは異なることを特徴とする請求項36記載の光起電力素子。
  38. 上記第1のモジュールは、上記第2のモジュールに隣接して又は上記第2のモジュール上に配置されていることを特徴とする請求項37記載の光起電力素子。
  39. 光が照射されると、それ自体電気を発生する第3の室を備え、
    上記第3の室は、以下の順序で、
    (a)それ自体導電性を有し、又は透明な導電性酸化物層を含む更なる第3の導電層を介して導電性を有するように形成された第3の透明又は半透明層と、
    (c)第3の色素を含む半導体材料の第3の多孔層と、
    (d)上記半導体材料の第3の多孔層に接触し、該半導体材料の第3の孔隙に少なくとも部分的に埋められた第3の電荷輸送剤と、
    (e)透明、半透明、不透明又は反射性又は散乱性の背面電極とを備えることを特徴とする請求項1乃至38いずれか1項記載の光起電力素子。
  40. 当該光起電力素子は、3室のみを備え、
    上記第3の室は、当該光起電力素子を照射する光源から最遠となるように、上記第1及び上記第2の室の下に配設されていることを特徴とする請求項39記載の光起電力素子。
  41. 当該光起電力素子は、更なる室を備え、
    上記それぞれの更なる室は、以下の順序で、
    (a)請求項1記載の透明基板と、
    (c)請求項1記載の半導体材料の多孔層と、
    (d)請求項1記載の電荷輸送剤と、
    (e)請求項1記載の背面電極とを備え、
    該更なる室は、(n+1)番目の室がn番目の室の下になるように、前の室の下に形成されていることを特徴とする請求項1乃至40いずれか1項記載の光起電力素子。
  42. 請求項1乃至41いずれか1項記載の光起電力素子を用いて光から電気を発生する光起電力素子の使用方法。
  43. 請求項1乃至41いずれか1項記載の光起電力素子の製造方法において、
    (a)それ自体導電性を有し、又は透明な導電性酸化物層を含む更なる第1の導電層を介して導電性を有するように形成された第1の透明又は半透明層を形成する工程と、
    (c)半導体材料の第1の多孔層を形成し、該半導体材料の第1の多孔層を焼結し、均熱、浸漬又は吸収を含む手法により第1の色素を上記半導体材料の第1の多孔層に塗布する工程と、
    (d)上記半導体材料の第1の多孔層に接触し、該半導体材料の第1の多孔層の孔隙に少なくとも部分的に埋められるように、第1の電荷輸送剤を塗布する工程と、
    (e)半透明又は透明の第1の背面電極を形成する工程と、
    (a)それ自体導電性を有し、又は透明な導電性酸化物層を含む更なる第2の導電層を介して導電性を有するように形成された第2の透明又は半透明層を形成する工程と、
    (c)半導体材料の第2の多孔層を形成し、該半導体材料の第2の多孔層を焼結し、均熱、浸漬又は吸収を含む手法により第2の色素を上記半導体材料の第2の多孔層に塗布する工程と、
    (d)上記半導体材料の第1の多孔層に接触し、該半導体材料の第2の多孔層の孔隙に少なくとも部分的に埋められるように、第2の電荷輸送剤を塗布する工程と、
    (e)透明、半透明又は不透明の第2の背面電極を形成する工程と、
    任意の工程として、
    (f)上記第1の背面電極が上記第2の透明又は半透明層に、直接又は間欠材料を介して接触し、及び上記第1の室と上記第2の室を並列又は直列に接続する基板を形成する工程とを有する光起電力素子の製造方法。
  44. 上記間欠材料は、上記第1及び/又は第2の基板と同じ又は同様の屈折率を有する間欠材料層として形成されることを特徴とする請求項43記載の光起電力素子の製造方法。
  45. 上記間欠材料は、気体、気体の混合物又は真空であることを特徴とする請求項43乃至44いずれか1項記載の光起電力素子の製造方法。
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