JP2007329483A - エンハンスモード電界効果デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】このタイプのエンハンスメントモードのデバイス、即ちノーマリオフのデバイスを製造する方法は、AlGaN層の上にパッシベーション層を提供し、パッシベーション層に孔をエッチングし、孔にゲートコンタクトを形成し、一方、パッシベーション層の上に直接ソースおよびドレインを形成する。活性層および/またはゲートの特性は、ゼロ電圧がゲートに供給された場合に、ゲートの下に2次元電子ガス層が存在しないように選択される。この発明は、同様に、この特性を備えたデバイスにも関する。
【選択図】図1
Description
基板(1)、
第1活性層(2)、例えばGaN層、
第2活性層(3)、例えばAlGaN層、
パッシベーション層(5)、例えばSiN層、
パッシベーション層上のソース(8)およびドレイン(9)コンタクト
ソース(8)およびドレイン電極(9)の間の、パッシベーション層中の少なくとも1つの孔(6)、
孔の中のゲート電極(7)、
可能であれば、ゲート電極と第2活性層との間の誘電体層(10)、例えばSiO2層、
第1および第2活性層の間に配置された2次元電子ガス(2DEG)。ゲートがフローティングや接地された場合、即ち0Vがゲートに与えられた場合、パッシベーション層中の孔の下には、2DEGは存在しない。
Claims (25)
- 半導体装置であって、
基板(1)と、
基板上の第1活性層(2)と、
第1活性層上の第2活性層(3)であって、第1活性層と比較した場合、より大きなバンドギャップを有する第2活性層(3)と、
第2活性層上のパッシベーション層(5)と、
パッシベーション層(5)の上に直接接触したソースコンタクト(8)およびドレインコンタクト(9)と、
パッシベーション層(5)の中にあり、パッシベーション層の下の層の中には無い少なくとも1つの孔(6)であって、ソースとドレインの間に配置された孔(6)と、
孔の中のゲートコンタクト(7)と、を含み、
2次元電子ガス層(4)は、ゲートコンタクト(7)の位置の外側の、活性層(2、3)の間に存在し、
ゲートとソースコンタクトが同電圧の場合に、ゲートコンタクト(7)の直下の、活性層の間には実質的に2次元電子ガス層(4)が存在しないことを特徴とする半導体装置。 - 更に、パッシベーション層(5)の少なくとも一部の上と孔(6)の中に誘電体層(10)を含み、ゲートコンタクト(7)が誘電体層(10)の上に存在することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 基板(1)が、シリコン、サファイア、SiC、GaN、AlN、GaAs、およびダイアモンドからなる組から選択される材料を含む請求項1または2に記載の半導体装置。
- 第1および/または第2活性層(2、3)は、III族ナイトライド半導体材料を含む請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 第1活性層(2)が、GaN、AlGaN、InGaN、InAlGaN、およびBNからなる組から選択される材料を含む請求項4に記載の半導体装置。
- 第2活性層(3)が、AlGaN、AlInN、およびAlInGaNからなる組から選択される材料を含む請求項4に記載の半導体装置。
- 第2活性層(3)が、1nmと10nmの間の厚みである請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 第2活性層(3)が、3nmと8nmの間の厚みである請求項7に記載の半導体装置。
- パッシベーション層(5)が、電子供給元素と窒素を含む材料を含む請求項1〜8のいずれか1つに記載の半導体装置。
- パッシベーション層(5)が、SiN、BN、Si、CN、およびGeNからなる組から選択される材料を含む請求項9に記載の半導体装置。
- パッシベーション層(5)が、1nmと5000nmの間の厚みである請求項1〜10のいずれか1つに記載の半導体装置。
- パッシベーション層(5)が、3nmと20nmの間の厚みである請求項2に記載の半導体装置。
- 誘電体層(10)が、SiO2、Al2O3、Ta2O5、HfO2、ZrO2、SiN、およびSiONからなる組から選択される材料を含む請求項2に記載の半導体装置。
- パッシベーション層(5)が、孔(6)の中で完全に除去された請求項1〜13のいずれか1つに記載の半導体装置。
- パッシベーション層が、孔(6)中で完全には除去されていない請求項1〜13のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 更に、第1活性層と第2活性層との間にスペーサ層を含む請求項1〜13のいずれか1つに記載の半導体装置。
- スペーサ層が、AlN層である請求項16に記載の半導体装置。
- 半導体装置を製造する方法であって、
反応チャンバ内に基板(1)を配置する工程と、
基板上に第1活性層(2)を形成する工程と、
第1活性層上に第2活性層(3)を形成する工程であって、第2活性層は第1活性層に比較して大きなバンドギャップを有する工程と、
第2活性層上にパッシベーション層(5)を形成する工程と、
パッシベーション層(5)に直接、電気的に接続されたソース電極(8)とドレイン電極(9)とを形成する工程と、
パッシベーション層(5)に少なくとも1つの孔(6)をエッチングする工程であって、孔はソースコンタクトとドレインコンタクト(8、9)の間に配置される工程と、
孔(6)の中にゲートコンタクト(7)を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 - 第2活性層(3)は、第2活性層の上に追加の層が形成されない場合、第1活性層(2)と第2活性層(3)の間に2次元電子ガスが存在しないような組成、厚さ、および歪を有し、
パッシベーション層の形成後に、第1活性層と第2活性層の間に2次元電子ガス(4)が形成されるようにかつそのような材料特性を有するようにパッシベーション層(5)が形成され、
ゲートコンタクト(7)は、ゲートコンタクトとソースコンタクトが同電圧の場合に、実質的に2次元電子ガスがゲートコンタクトの下に存在しないようにかつ材料特性を有するようにゲートコンタクトが形成される請求項18に記載の製造方法。 - 第2活性層(3)は、第2活性層の上に追加の層が形成されない場合、第1活性層(2)と第2活性層(3)の間に2次元電子ガスが存在するような組成、厚さ、および歪を有し、
パッシベーション層の形成後に、第1活性層と第2活性層の間に2次元電子ガス(4)が形成されるようにかつそのような材料特性を有するようにパッシベーション層(5)が形成され、
孔(6)は、パッシベーション層(5)の全膜厚を通してエッチングされ、
更に、孔に対応する位置の2次元電子ガスを除去するために、孔(6)により露出した第2活性層の一部をプラズマ処理する工程を含む請求項18に記載の製造方法。 - 第2活性層(3)は、第2活性層の上に追加の層が形成されない場合、第1活性層(2)と第2活性層(3)の間に2次元電子ガスが存在するような組成、厚さ、および歪を有し、
パッシベーション層の形成後に、第1活性層と第2活性層の間に2次元電子ガス(4)が形成されるようにかつそのような材料特性を有するようにパッシベーション層(5)が形成され、
ゲートコンタクト(7)は、ゲートコンタクト(7)の下の2次元電子ガス(4)を除去するような仕事関数を有する請求項18に記載の製造方法。 - 孔(6)のエッチング後に、第2活性層(3)の上に誘電体層(10)を形成する工程を含み、ゲートコンタクト(7)は誘電体層(10)の上に形成される請求項18に記載の製造方法。
- パッシベーション層(5)は、第2活性層(3)の上にその場成長される請求項18〜22のいずれか1つに記載の製造方法。
- 第1活性層(2)、第2活性層(3)、およびパッシベーション層(5)は、金属有機物化学気相成長(MOCVD)で形成される請求項18〜23のいずれか1つに記載の製造方法。
- ドレイン電極(9)がソース(8)に比較して大きなポテンシャルを有するように、ソースコンタクトとドレインコンタクト(8、9)の間に電圧を与える工程と、
ソースコンタクトのポテンシャルに対して正の、しきい値電圧を超える電圧を、ゲートコンタクト(7)に与え、ゲートコンタクトの下の、第1活性層と第2活性層の間に、2次元電子ガス層を形成し、これによりソースコンタクトとドレインコンタクトの間に電流を形成する請求項1〜18のいずれか1つに記載の半導体装置を使用する方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009081584A1 (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Nec Corporation | 半導体装置 |
JP2010045343A (ja) * | 2008-07-15 | 2010-02-25 | Imec | 半導体デバイス |
EP2306500A2 (en) | 2009-10-02 | 2011-04-06 | Fujitsu Limited | Compound semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2011082332A (ja) * | 2009-10-07 | 2011-04-21 | National Chiao Tung Univ | 高電子移動度トランジスタの構造、その構造を含んだデバイス及びその製造方法 |
KR20110137809A (ko) * | 2009-04-08 | 2011-12-23 | 이피션트 파워 컨버젼 코퍼레이션 | 증가형 GaN HEMT 장치 및 그 제조 방법 |
JP2013084783A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
US8912571B2 (en) | 2010-12-03 | 2014-12-16 | Fujitsu Limited | Compound semiconductor device including first film on compound semiconductor layer and second film on first film and method of manufacturing the same |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002359256A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Fujitsu Ltd | 電界効果型化合物半導体装置 |
JP2003037118A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電界効果トランジスタ |
WO2003071607A1 (fr) * | 2002-02-21 | 2003-08-28 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Transistor a effet de champ gan |
JP2005086171A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006024927A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-26 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
2007
- 2007-06-07 JP JP2007151238A patent/JP5183975B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002359256A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Fujitsu Ltd | 電界効果型化合物半導体装置 |
JP2003037118A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電界効果トランジスタ |
WO2003071607A1 (fr) * | 2002-02-21 | 2003-08-28 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Transistor a effet de champ gan |
JP2005086171A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006024927A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-26 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009081584A1 (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Nec Corporation | 半導体装置 |
JPWO2009081584A1 (ja) * | 2007-12-26 | 2011-05-06 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
US8344422B2 (en) | 2007-12-26 | 2013-01-01 | Nec Corporation | Semiconductor device |
JP2010045343A (ja) * | 2008-07-15 | 2010-02-25 | Imec | 半導体デバイス |
KR20110137809A (ko) * | 2009-04-08 | 2011-12-23 | 이피션트 파워 컨버젼 코퍼레이션 | 증가형 GaN HEMT 장치 및 그 제조 방법 |
KR101666910B1 (ko) * | 2009-04-08 | 2016-10-17 | 이피션트 파워 컨버젼 코퍼레이션 | 증가형 GaN HEMT 장치 및 그 제조 방법 |
US9331190B2 (en) | 2009-10-02 | 2016-05-03 | Fujitsu Limited | Compound semiconductor device and method of manufacturing the same |
EP2306500A2 (en) | 2009-10-02 | 2011-04-06 | Fujitsu Limited | Compound semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2011082216A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-21 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
US8357602B2 (en) | 2009-10-02 | 2013-01-22 | Fujitsu Limited | Compound semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2011082332A (ja) * | 2009-10-07 | 2011-04-21 | National Chiao Tung Univ | 高電子移動度トランジスタの構造、その構造を含んだデバイス及びその製造方法 |
US8912571B2 (en) | 2010-12-03 | 2014-12-16 | Fujitsu Limited | Compound semiconductor device including first film on compound semiconductor layer and second film on first film and method of manufacturing the same |
JP2013084783A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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