JP2007324819A - 遅延時間発生回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】構成素子の全体を集積回路で実現できる上に、遅延時間の精度を向上でき、しかも集積回路ごとの遅延時間のばらつきを低減できる遅延時間発生回路の提供。
【解決手段】電圧検出回路1は、電源電圧が所定値を上回るときに、その旨を示す検出信号を出力する。カウンタ3は、電圧検出回路1から検出信号が出力されたときに、発振回路3からのクロックの計数動作を開始する。メモリ5には、電圧検出回路1から検出信号があったときを起点とする任意の遅延時間、および発振回路1の発振周波数に基づいて決定される設定値が予め格納されている。コンパレータ7は、カウンタ3の計数値をメモリ5に格納される設定値と比較し、その計数値がその設定値と一致したときに遅延信号を出力する。
【選択図】図1
【解決手段】電圧検出回路1は、電源電圧が所定値を上回るときに、その旨を示す検出信号を出力する。カウンタ3は、電圧検出回路1から検出信号が出力されたときに、発振回路3からのクロックの計数動作を開始する。メモリ5には、電圧検出回路1から検出信号があったときを起点とする任意の遅延時間、および発振回路1の発振周波数に基づいて決定される設定値が予め格納されている。コンパレータ7は、カウンタ3の計数値をメモリ5に格納される設定値と比較し、その計数値がその設定値と一致したときに遅延信号を出力する。
【選択図】図1
Description
本発明は、電源の投入時にその電圧を監視し、電源電圧が一定値を超えたことを起点に、その起点から所定時間(例えば100ms)を経過後に遅延パルスを発生させる遅延時間発生回路に関するものである。
この種の第1の従来回路としては、特許文献1に記載されるようなパワーオンリセット回路が知られている。
このパワーオンリセット回路は、電源の投入時に、抵抗によって決まる電流でコンデンサを充電し、その充電電圧が所定値になるとリセット信号を発生するようになっている。すなわち、CR回路の充電特性を利用して時間遅れ(遅れ時間)を決定している。このため、その遅れ時間はCR回路の時定数で決まり、例えば遅れ時間が100msの場合には、抵抗Rの値を1MΩとするとコンデンサCの容量値は100nFとなる。
このパワーオンリセット回路は、電源の投入時に、抵抗によって決まる電流でコンデンサを充電し、その充電電圧が所定値になるとリセット信号を発生するようになっている。すなわち、CR回路の充電特性を利用して時間遅れ(遅れ時間)を決定している。このため、その遅れ時間はCR回路の時定数で決まり、例えば遅れ時間が100msの場合には、抵抗Rの値を1MΩとするとコンデンサCの容量値は100nFとなる。
ところで、この種の回路の各構成要素を半導体集積回路で実現する場合には、1MΩ程度の抵抗は実現可能である。しかし、コンデンサの場合には、その値が100nF程度になると非常に大きなチップ面積を必要とするので、実用的な集積回路としては実現するのが不可能である。
一方、この種の第2の従来回路としては、特許文献2に記載されるような回路が知られている。
一方、この種の第2の従来回路としては、特許文献2に記載されるような回路が知られている。
この第2の従来回路は、電源の投入時に電源電圧を検出してリセット信号を発生するリセット回路と、発振回路およびカウンタからなるタイマと、を備えたものである。カウンタは、リセット回路からのリセット信号によりリセットされ、発振回路のパルスを計数動作するようになっている。そして、そのカウンタの計数値が所定値になると、すなわち所定の遅延時間の経過後に、その旨の信号を出力するようになっている。
しかし、その遅延時間の精度を必要とする場合には、発振回路の構成素子として水晶振動子などの共振子を使用しなければ実現できない。一例として挙げられている発振周波数が32KHzの場合には、発振の起動に数100msの時間を必要とし、その時間の精度は周辺の環境などに大きく左右される。このため、発振回路の起動を含める場合には、遅延時間に精度を持たせることができないという不具合がある。
しかも、発振回路の構成素子として共振子を使用する場合には、構成素子全体を1チップに集積回路化することができないという不具合もある。
特開昭60−75913号公報
特開昭59−153177号公報
そこで、本発明の目的は、上記の点に鑑み、構成素子の全体を集積回路で実現できる上に、遅延時間の精度を向上でき、しかも集積回路ごとの遅延時間のばらつきを低減することができる遅延時間発生回路を提供することにある。
上記の課題を解決し本発明の目的を達成するために、各発明は、以下のような構成からなる。
すなわち、第1の発明は、電源電圧を所定値と比較し、前記電源電圧が前記所定値を上回るときにその旨を示す検出信号を出力する電圧検出回路と、所定の周波数からなるクロックを発生する発振回路と、前記電圧検出回路から検出信号が出力されたときに、前記発振回路からのクロックの計数動作を開始するカウンタと、電圧検出回路から検出信号があったときを起点とする任意の遅延時間に係る設定値を予め格納しておく不揮発性メモリと、を備え、前記カウンタの計数値と前記不揮発性メモリに格納される設定値とに基づいて遅延信号を生成するようになっている。
すなわち、第1の発明は、電源電圧を所定値と比較し、前記電源電圧が前記所定値を上回るときにその旨を示す検出信号を出力する電圧検出回路と、所定の周波数からなるクロックを発生する発振回路と、前記電圧検出回路から検出信号が出力されたときに、前記発振回路からのクロックの計数動作を開始するカウンタと、電圧検出回路から検出信号があったときを起点とする任意の遅延時間に係る設定値を予め格納しておく不揮発性メモリと、を備え、前記カウンタの計数値と前記不揮発性メモリに格納される設定値とに基づいて遅延信号を生成するようになっている。
第2の発明は、第1の発明において、前記不揮発性メモリに予め格納する設定値は、電圧検出回路から検出信号があったときを起点とする任意の遅延時間、および前記発振回路の発振周波数に基づいて決定される値である。
第3の発明は、第1または第2の発明において、前記カウンタの計数値を前記不揮発性メモリに格納される設定値と比較し、前記計数値が前記設定値と一致したときに遅延信号を出力するコンパレータを、さらに備えている。
第3の発明は、第1または第2の発明において、前記カウンタの計数値を前記不揮発性メモリに格納される設定値と比較し、前記計数値が前記設定値と一致したときに遅延信号を出力するコンパレータを、さらに備えている。
第4の発明は、第1乃至第3のうちのいずれかの発明において、前記発振回路は、前記電圧検出回路からの検出信号に基づいて起動するようになっている。
第5の発明は、第1乃至第3のうちのいずれかの発明において、前記発振回路は、前記遅延信号の発生後に動作を停止するようになっている。
第6の発明は、第3至第5うちのいずれかの発明において、前記コンパレータが比較する際の基準値を格納する比較基準レジスタを、さらに備えている。
第5の発明は、第1乃至第3のうちのいずれかの発明において、前記発振回路は、前記遅延信号の発生後に動作を停止するようになっている。
第6の発明は、第3至第5うちのいずれかの発明において、前記コンパレータが比較する際の基準値を格納する比較基準レジスタを、さらに備えている。
第7の発明は、第6の発明において、前記比較基準レジスタは、前記電圧検出回路から検出信号が出力されたときに格納データが最大値に初期化され、その後、前記不揮発性メモリに格納される設定値が新たに設定されるようになっている。
第8の発明は、第6の発明において、前記比較基準レジスタは、前記発振回路の出力開始時に少なくとも上位の1ビットのデータが格納され、その後、前記不揮発性メモリに格納される設定値が新たに設定されるようになっている。
第9の発明は、第8の発明において、前記比較基準レジスタに格納される少なくとも上位1ビットのデータは、Hに固定するようにした。
第8の発明は、第6の発明において、前記比較基準レジスタは、前記発振回路の出力開始時に少なくとも上位の1ビットのデータが格納され、その後、前記不揮発性メモリに格納される設定値が新たに設定されるようになっている。
第9の発明は、第8の発明において、前記比較基準レジスタに格納される少なくとも上位1ビットのデータは、Hに固定するようにした。
第10の発明は、電源電圧を所定値と比較し、前記電源電圧が前記所定値を上回るときにその旨を示す検出信号を出力する電圧検出回路と、所定の周波数からなるクロックを発生する発振回路と、電圧検出回路から検出信号があったときを起点とする任意の遅延時間に係る設定値を予め格納しておく不揮発性メモリと、前記発振回路からのクロックを入力し、このクロックによって設定されている初期値を減算させていくダウンカウンタと、前記ダウンカウンタの出力がゼロになったことを検出し、ゼロを検出したときに遅延信号を出力するゼロ検出回路とを備え、前記ダウンカウンタは、電圧検出回路からの検出信号によってリセットされ、前記発振回路からのクロックによって前記不揮発性メモリに格納される設定値が前記初期値として設定されるようになっている。
このような構成からなる本発明によれば、構成素子の全体を集積回路で実現できる上に、遅延時間の精度を向上でき、しかも、集積回路ごとの遅延時間のばらつきを低減することができる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
(第1実施形態)
本発明の遅延時間発生回路の第1実施形態の構成について、図1を参照しながら説明する。
この第1実施形態は、電源電圧の投入時に、その電源電圧が所定値以上になったか否かを検出し、これが検出されたタイミングを起点に所定の遅延時間を経過したときに遅延信号を出力するものである。
(第1実施形態)
本発明の遅延時間発生回路の第1実施形態の構成について、図1を参照しながら説明する。
この第1実施形態は、電源電圧の投入時に、その電源電圧が所定値以上になったか否かを検出し、これが検出されたタイミングを起点に所定の遅延時間を経過したときに遅延信号を出力するものである。
このため、この第1実施形態は、図1に示すように、電圧検出回路1と、発振回路2と、カウンタ3と、制御回路4と、メモリ5と、比較基準レジスタ6と、コンパレータ7とを備えている。
また、この第1実施形態は、上記の各構成要素を半導体基板上に形成して例えば1チップの集積回路で構成可能となっている。
また、この第1実施形態は、上記の各構成要素を半導体基板上に形成して例えば1チップの集積回路で構成可能となっている。
電圧検出回路1は、電源の投入時に電源電圧VDDを基準値(所定値)VREFと比較し、電源電圧VDDが基準値VREF以上になったときに、その旨を示す検出信号を出力するようになっている。
発振回路2は、所定の周波数からなるクロックを発生(発振)するものであり、電圧検出回路1から検出信号が出力されたときに起動されるようになっている。この発振回路2は、CR発振回路、リングオシレータ、LC発振回路などからなり、水晶発振回路などに比べて発振に要する起動時間が短いものである。
発振回路2は、所定の周波数からなるクロックを発生(発振)するものであり、電圧検出回路1から検出信号が出力されたときに起動されるようになっている。この発振回路2は、CR発振回路、リングオシレータ、LC発振回路などからなり、水晶発振回路などに比べて発振に要する起動時間が短いものである。
カウンタ3は、発振回路2からのクロックを計数するものであり、電圧検出回路1からの検出信号によりリセットされるようになっている。すなわち、カウンタ3は、そのリセットにより初期化され、発振回路2からのクロックの計数動作を開始するようになっている。
制御回路4は、発振回路2からのクロックに基づき、後述のようにメモリ5に予め格納される設定値を読み出し、この読み出した設定値を比較基準レジスタに6に設定するようになっている。
制御回路4は、発振回路2からのクロックに基づき、後述のようにメモリ5に予め格納される設定値を読み出し、この読み出した設定値を比較基準レジスタに6に設定するようになっている。
メモリ5は、発振回路2の発振周波数、および電圧検出回路1から検出信号があったタイミングを起点とする任意の遅延時間に基づき、これらに対応する設定値(設定データ)を予め格納しておくものである。
このメモリ5は、データをいったん格納した場合に電源がオフとなってもその格納データが消去されない、いわゆる不揮発性メモリからなる。また、このメモリ5は、EEPROMなどの書き込み自在な不揮発性メモリの他に、ポリシリコンやアルミ配線を用いたヒューズなどを含むものである。
このメモリ5は、データをいったん格納した場合に電源がオフとなってもその格納データが消去されない、いわゆる不揮発性メモリからなる。また、このメモリ5は、EEPROMなどの書き込み自在な不揮発性メモリの他に、ポリシリコンやアルミ配線を用いたヒューズなどを含むものである。
ここで、メモリ5に書き込む設定データは、集積回路の出荷検査時に、テスタなどで書き込むことができる。その作業を容易化するために、発振回路4の発振周波数をモニタできる試験用端子を設け、その発振周波数を計測し、その計測周波数から一意にメモリ5に設定する値を決定する。例えば、発振周波数の測定値が200KHzで、設定したい遅延時間が100msの場合には、メモリ5に設定するデータは20000(10進法)と決定し、これをメモリ5に書き込む。
比較基準レジスタ6は、コンパレータ7が比較する際の基準値を格納するレジスタである。この比較基準レジスタ6は、電圧検出回路1から検出信号が出力されたときに、その格納データが最大値に初期化されるようになっている。また、比較基準レジスタ6は、その最大値に初期化後に、制御回路4がメモリ5から読み出した設定値が新たに格納されるようになっている。
コンパレータ7は、カウンタ3の計数値を比較基準レジスタ6に格納される基準値と比較し、その計数値がその設定値と一致したときに遅延信号(遅延パルス)を出力するようになっている。
なお、上記の発振回路2は、電圧検出回路1からの検出信号を使用せずに起動させるようにしても良い。すなわち、発振の起動に必要な時間が上記の遅延時間を無視できないほど長い場合には、電源の投入と同時に起動させるのが好ましい。この点については、他の実施形態における発振回路についても同様である。
なお、上記の発振回路2は、電圧検出回路1からの検出信号を使用せずに起動させるようにしても良い。すなわち、発振の起動に必要な時間が上記の遅延時間を無視できないほど長い場合には、電源の投入と同時に起動させるのが好ましい。この点については、他の実施形態における発振回路についても同様である。
次に、このような構成からなる第1実施形態の動作例について、図1および図2を参照して説明する。
いま、電源が投入されると、その電源電圧VDDは図2(A)に示すように上昇していく。電圧検出回路1は、その電源電圧VDDを基準値VREFと比較し、電源電圧VDDが基準値VREF以上になったときに、その旨を示す検出信号を出力する。
いま、電源が投入されると、その電源電圧VDDは図2(A)に示すように上昇していく。電圧検出回路1は、その電源電圧VDDを基準値VREFと比較し、電源電圧VDDが基準値VREF以上になったときに、その旨を示す検出信号を出力する。
その検出信号は発振回路2を起動させるので、図2(B)に示すように、発振回路2はクロックの生成を開始する。また、その検出信号は、カウンタ3を初期化させる。さらに、その検出信号は、比較基準レジスタ6の値を最大値に初期化させるので、コンパレータ7の基準値は、図2(D)に示すようにその初期化された最大値となる。
発振回路2から出力されるクロックはカウンタ3に入力されるので、カウンタ3はそのクロックの計数動作を開始する(図2(E)参照)。また、そのクロックに基づき、制御回路4は、メモリ5に予め格納される設定値を読み出し、この読み出した設定値を比較基準レジスタに6に設定する。このため、コンパレータ7の基準値は、図2(D)に示すように最大値からその設定値に変更される。
発振回路2から出力されるクロックはカウンタ3に入力されるので、カウンタ3はそのクロックの計数動作を開始する(図2(E)参照)。また、そのクロックに基づき、制御回路4は、メモリ5に予め格納される設定値を読み出し、この読み出した設定値を比較基準レジスタに6に設定する。このため、コンパレータ7の基準値は、図2(D)に示すように最大値からその設定値に変更される。
その後、コンパレータ7は、カウンタ3の計数値をその比較基準レジスタ6の値である設定値と比較し、その計数値がその設定値に一致すると、遅延パルスを出力する。すなわち、それらが一致すると、コンパレータ7の出力は、図2(F)に示すようにLレベルからHレベルに変化する。
コンパレータ7の出力がLレベルからHレベルに変化した後は、発振回路2の動作を停止することが消費電流を低く抑えるためにより好ましい。以下の実施形態でも同様である。
以上のように、この第1実施形態では、その構成部品として大容量のコンデンサや共振子を必要としないので、構成素子の全体を集積回路で実現できる。
コンパレータ7の出力がLレベルからHレベルに変化した後は、発振回路2の動作を停止することが消費電流を低く抑えるためにより好ましい。以下の実施形態でも同様である。
以上のように、この第1実施形態では、その構成部品として大容量のコンデンサや共振子を必要としないので、構成素子の全体を集積回路で実現できる。
また、この第1実施形態では、発振回路2からのクロックをカウンタ3で計数し、この計数値とメモリ5に格納される設定値とをコンパレータ7で比較し、その両者が一致したときに遅延信号を出力するようにした。そして、メモリ5に予め格納される設定値は、発振回路2の発振周波数、および遅延時間(図2(F)参照)に基づき、これらに対応するものである。
このため、この第1実施形態では、メモリ5に発振回路2の発振周波数および遅延時間に応じた設定値を書き込む場合に、発振周波数に誤差があっても、その誤差に応じてその設定値を変更することにより、遅延時間の誤差を小さくすることができる。
このため、この第1実施形態では、メモリ5に発振回路2の発振周波数および遅延時間に応じた設定値を書き込む場合に、発振周波数に誤差があっても、その誤差に応じてその設定値を変更することにより、遅延時間の誤差を小さくすることができる。
なお、コンパレータ7、メモリ5、および比較基準レジスタ6は、カウンタ3が取り扱うことができるビット数のデータを、同じように取り扱うことができることが好ましい。しかし、遅延時間の精度を必要としないような場合には、それらのデータを同じように扱えなくても良く、その精度に応じて、コンパレータ7、メモリ5、および比較基準レジスタ6は、上位ビットだけを比較、保持できるような構成にすることができる。
この場合には、例えばカウンタ3がnビットのデータを扱うことができても、上記のようにしてメモリ5に予め格納する設定データは、そのnビットのうちの上位のビットだけで良い。
この場合には、例えばカウンタ3がnビットのデータを扱うことができても、上記のようにしてメモリ5に予め格納する設定データは、そのnビットのうちの上位のビットだけで良い。
(第2実施形態)
本発明の遅延時間発生回路の第2実施形態の構成について、図3及び図4を参照しながら説明する。
この第2実施形態は、電源電圧の投入時に、その電源電圧が所定値以上になったか否かを検出し、これが検出されたタイミングを起点に所定の遅延時間を経過したときに遅延信号を出力するものであるが、第1実施形態の場合に比べて、その遅延時間の精度が要求されない場合のものである。
本発明の遅延時間発生回路の第2実施形態の構成について、図3及び図4を参照しながら説明する。
この第2実施形態は、電源電圧の投入時に、その電源電圧が所定値以上になったか否かを検出し、これが検出されたタイミングを起点に所定の遅延時間を経過したときに遅延信号を出力するものであるが、第1実施形態の場合に比べて、その遅延時間の精度が要求されない場合のものである。
このため、この第2実施形態は、図3に示すように構成され、図1に示す第1実施形態の制御回路4および比較基準レジスタ6を、制御回路4Aおよび比較基準レジスタ6Aに置き換えるようにしたものである。
従って、この第2実施形態の他の部分の構成要素は、図1に示す第1実施形態の構成要素と基本的に同様であるので、同一の構成要素には同一符号を付してその構成の説明はできるだけ省略する。
従って、この第2実施形態の他の部分の構成要素は、図1に示す第1実施形態の構成要素と基本的に同様であるので、同一の構成要素には同一符号を付してその構成の説明はできるだけ省略する。
図3に示す比較基準レジスタ6Aは、図1に示す比較基準レジスタ6と比べると、電圧検出回路1からの検出信号によって最大値に初期化する機能が省略されている。そして、比較基準レジスタ6Aには、その最大値に代えて、設定可能なデータのうち少なくとも上位の1ビットを「H」に固定させ、その後に、メモリ5に格納されるデータが新たに設定されるようになっている。この設定は、制御回路4Aにより行われるようになっている。
例えば、コンパレータ7が8ビットのデータを比較する場合であって、メモリ5に格納しておく設定値の範囲が128〜255の場合には、コンパレータ7の基準値として最初に比較基準レジスタ6Aの上位ビットとして「H」に固定させ、カウンタ3の計数値が128にカウントアップするまでにメモリ5に格納されている設定値を比較基準レジスタ6Aに設定するようにすれば良い。
次に、このような構成からなる第2実施形態の動作例について、図3および図4を参照して説明する。
この例では、メモリ5に予め格納しておく設定値は、例えば128〜255の場合を例にとって説明する。
いま、電源が投入されると、その電源電圧VDDは図4(A)に示すように上昇していく。電圧検出回路1は、その電源電圧VDDを基準値VREFと比較し、電源電圧VDDが基準値VREF以上になったときに、その旨を示す検出信号を出力する。
この例では、メモリ5に予め格納しておく設定値は、例えば128〜255の場合を例にとって説明する。
いま、電源が投入されると、その電源電圧VDDは図4(A)に示すように上昇していく。電圧検出回路1は、その電源電圧VDDを基準値VREFと比較し、電源電圧VDDが基準値VREF以上になったときに、その旨を示す検出信号を出力する。
その検出信号は発振回路2を起動させるので、図4(B)に示すように、発振回路2はクロックの生成を開始する。また、その検出信号は、カウンタ3を初期化させる。
発振回路2から出力されるクロックは、カウンタ3および制御回路4Aにそれぞれ入力される。このため、カウンタ3は、そのクロックの計数動作を開始する(図4(E)参照)。そして、制御回路4Aは、比較基準レジスタ6Aに対して、設定可能な8ビットのデータのうちの上位(MSB)の1ビットを「H」に固定または設定させる(図4(D)参照)。
発振回路2から出力されるクロックは、カウンタ3および制御回路4Aにそれぞれ入力される。このため、カウンタ3は、そのクロックの計数動作を開始する(図4(E)参照)。そして、制御回路4Aは、比較基準レジスタ6Aに対して、設定可能な8ビットのデータのうちの上位(MSB)の1ビットを「H」に固定または設定させる(図4(D)参照)。
その後、カウンタ3の計数値は図4(E)に示すように増加していくが、その計数値が「128」になるまでに、制御回路4Aは、メモリ5に予め格納される設定値を読み出し、この読み出した設定値を比較基準レジスタ6Aに設定する。このため、コンパレータ7の基準値は、図4(D)に示すようにMSB=1からその設定値に変更(更新)される。
その後、コンパレータ7は、カウンタ3の計数値をその比較基準レジスタ6Aの値である設定値と比較し、その計数値がその設定値に一致すると、遅延パルスを出力する。すなわち、それらが一致すると、コンパレータ7の出力は、図4(F)に示すようにLレベルからHレベルに変化する。
その後、コンパレータ7は、カウンタ3の計数値をその比較基準レジスタ6Aの値である設定値と比較し、その計数値がその設定値に一致すると、遅延パルスを出力する。すなわち、それらが一致すると、コンパレータ7の出力は、図4(F)に示すようにLレベルからHレベルに変化する。
(第3実施形態)
本発明の遅延時間発生回路の第3実施形態の構成について、図5を参照しながら説明する。
この第3実施形態は、図1に示す第1実施形態において、発振回路2から得られるクロックの周期が遅延時間に対して十分に短く、メモリ5などからの読み出し時間が短いような場合において好適なものである。
本発明の遅延時間発生回路の第3実施形態の構成について、図5を参照しながら説明する。
この第3実施形態は、図1に示す第1実施形態において、発振回路2から得られるクロックの周期が遅延時間に対して十分に短く、メモリ5などからの読み出し時間が短いような場合において好適なものである。
このために、この第3実施形態は、図5に示すように、電圧検出回路11と、発振回路12と、ダウンカウンタ13と、制御回路14と、メモリ15と、ゼロ検出回路16と、を備えている。
また、この第3実施形態は、上記の各構成要素が半導体基板上に形成されて集積回路で構成可能なものである。
また、この第3実施形態は、上記の各構成要素が半導体基板上に形成されて集積回路で構成可能なものである。
電圧検出回路11は、電源の投入時に電源電圧VDDを基準値VREFと比較し、電源電圧VDDが基準値VREF以上になったときに、その旨を示す検出信号を出力するようになっている。
発振回路12は、所定の周波数からなるクロックを発生するものであり、電圧検出回路11から検出信号が出力されたときに起動されるようになっている。この発振回路は、CR発振回路、リングオシレータ、LC発振回路などからなる。
発振回路12は、所定の周波数からなるクロックを発生するものであり、電圧検出回路11から検出信号が出力されたときに起動されるようになっている。この発振回路は、CR発振回路、リングオシレータ、LC発振回路などからなる。
ダウンカウンタ13は、発振回路12からのクロックを入力し、このクロックによって設定されている初期値を順次減算させていくようになっている。すなわち、ダウンカウンタ13は、電圧検出回路11からの検出信号によってリセットされ、発振回路12からのクロックによってメモリ15に格納される設定値が初期値として設定されるようになっている。
制御回路14は、発振回路12からのクロックに基づき、後述のようにメモリ15に予め格納される設定値を読み出し、この読み出した設定値をダウンカウンタ13に設定するようになっている。
制御回路14は、発振回路12からのクロックに基づき、後述のようにメモリ15に予め格納される設定値を読み出し、この読み出した設定値をダウンカウンタ13に設定するようになっている。
メモリ15は、発振回路12の発振周波数、および電圧検出回路11から検出信号があったタイミングを起点とする任意の遅延時間に基づき、これらに対応する設定値を予め格納しておくものである。このメモリ15は、図1に示すメモリ5とその構成やデータの設定方法は同様である。
ゼロ検出回路16は、ダウンカウンタ13の出力がゼロになったことを検出し、ゼロを検出したときに遅延パルスを出力するようになっている。
ゼロ検出回路16は、ダウンカウンタ13の出力がゼロになったことを検出し、ゼロを検出したときに遅延パルスを出力するようになっている。
次に、このような構成からなる第3実施形態の動作例について、図5を参照して説明する。
いま、電源が投入されると、その電源電圧VDDは上昇していく。電圧検出回路11は、その電源電圧VDDを基準値VREFと比較し、電源電圧VDDが基準値VREF以上になったときに、その旨を示す検出信号を出力する。
いま、電源が投入されると、その電源電圧VDDは上昇していく。電圧検出回路11は、その電源電圧VDDを基準値VREFと比較し、電源電圧VDDが基準値VREF以上になったときに、その旨を示す検出信号を出力する。
その検出信号は発振回路12を起動させるので、発振回路12はクロックの生成を開始する。また、その検出信号は、ダウンカウンタ13を初期化させる。
発振回路12から出力されるクロックは、制御回路14およびダウンカウンタ13にそれぞれ入力される。
このため、制御回路14は、発振回路12からのクロックに基づき、メモリ15に予め格納される設定値を読み出し、この読み出した設定値をダウンカウンタ13に初期値として設定する。
発振回路12から出力されるクロックは、制御回路14およびダウンカウンタ13にそれぞれ入力される。
このため、制御回路14は、発振回路12からのクロックに基づき、メモリ15に予め格納される設定値を読み出し、この読み出した設定値をダウンカウンタ13に初期値として設定する。
ダウンカウンタ13は、発振回路12からのクロックを入力し、このクロックによって、上記で設定された設定値(初期値)を順次減算させていく。このため、ダウンカウンタ13から出力される計数値は、順次減っていく。
ゼロ検出回路16は、ダウンカウンタ13の出力(計数値)がゼロになったことを検出すると、その旨を示す遅延パルスを出力する。
ゼロ検出回路16は、ダウンカウンタ13の出力(計数値)がゼロになったことを検出すると、その旨を示す遅延パルスを出力する。
(その他)
上記の例では、メモリ5に設定データを書き込む際に、発振回路4の発振周波数を計測し、その計測周波数から設定データを決定するようにしたが、これに代えて以下のように設定データを決定するようにしても良い。
すなわち、メモリ5に所定値(所定データ)を予め格納しておく。この状態で実施形態の全体を動作させ、電圧検出回路1の検出信号(リセット信号)およびコンパレータ7の出力(遅延パルス)を測定し、遅延時間を測定する。
上記の例では、メモリ5に設定データを書き込む際に、発振回路4の発振周波数を計測し、その計測周波数から設定データを決定するようにしたが、これに代えて以下のように設定データを決定するようにしても良い。
すなわち、メモリ5に所定値(所定データ)を予め格納しておく。この状態で実施形態の全体を動作させ、電圧検出回路1の検出信号(リセット信号)およびコンパレータ7の出力(遅延パルス)を測定し、遅延時間を測定する。
そして、その測定時間などに基づき、以下の(1)式によりメモリ5に書き込むための設定値(調整値)を決定し、この決定した設定値をメモリ5に書き込む。
設定値=(所定値×所望の遅延時間)÷測定時間・・・(1)
例えば、所定値を「10000」、所望の遅延時間を「100ms」、測定時間を「125ms」とすると、(1)式によって設定値は「8000」となる。
このような方法を採用すると、発振回路の発振周波数をモニタする調整用端子が不要となる。
このような方法を採用すると、発振回路の発振周波数をモニタする調整用端子が不要となる。
1、11・・・電圧検出回路、2、12・・・発振回路、3・・・カウンタ、4、4A、14・・・制御回路、5、15・・・メモリ、6、6A・・・比較基準レジスタ、7・・・コンパレータ、16・・・ダウンカウンタ
Claims (10)
- 電源電圧を所定値と比較し、前記電源電圧が前記所定値を上回るときにその旨を示す検出信号を出力する電圧検出回路と、
所定の周波数からなるクロックを発生する発振回路と、
前記電圧検出回路から検出信号が出力されたときに、前記発振回路からのクロックの計数動作を開始するカウンタと、
電圧検出回路から検出信号があったときを起点とする任意の遅延時間に係る設定値を予め格納しておく不揮発性メモリと、を備え、
前記カウンタの計数値と前記不揮発性メモリに格納される設定値とに基づいて遅延信号を生成するようになっていることを特徴とする遅延時間発生回路。 - 前記不揮発性メモリに予め格納する設定値は、電圧検出回路から検出信号があったときを起点とする任意の遅延時間、および前記発振回路の発振周波数に基づいて決定される値であることを特徴とする請求項1に記載の遅延時間発生回路。
- 前記カウンタの計数値を前記不揮発性メモリに格納される設定値と比較し、前記計数値が前記設定値と一致したときに遅延信号を出力するコンパレータを、さらに備えていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の遅延時間発生回路。
- 前記発振回路は、前記電圧検出回路からの検出信号に基づいて起動するようになっていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のうちのいずれかに記載の遅延時間発生回路。
- 前記発振回路は、前記遅延信号の発生後に動作を停止することを特徴とする請求項1乃至請求項3のうちのいずれかに記載の遅延時間発生回路。
- 前記コンパレータが比較する際の基準値を格納する比較基準レジスタを、さらに備えていることを特徴とする請求項3乃至請求項5のうちのいずれかに記載の遅延時間発生回路。
- 前記比較基準レジスタは、前記電圧検出回路から検出信号が出力されたときに格納データが最大値に初期化され、その後、前記不揮発性メモリに格納される設定値が新たに設定されるようになっていることを特徴とする請求項6に記載の遅延時間発生回路。
- 前記比較基準レジスタは、前記発振回路の出力開始時に少なくとも上位の1ビットのデータが格納され、その後、前記不揮発性メモリに格納される設定値が新たに設定されるようになっていることを特徴とする請求項6に記載の遅延時間発生回路。
- 前記比較基準レジスタに格納される少なくとも上位1ビットのデータは、Hに固定するようにしたことを特徴とする請求項8に記載の遅延時間発生回路。
- 電源電圧を所定値と比較し、前記電源電圧が前記所定値を上回るときにその旨を示す検出信号を出力する電圧検出回路と、
所定の周波数からなるクロックを発生する発振回路と、
電圧検出回路から検出信号があったときを起点とする任意の遅延時間に係る設定値を予め格納しておく不揮発性メモリと、
前記発振回路からのクロックを入力し、このクロックによって設定されている初期値を減算させていくダウンカウンタと、
前記ダウンカウンタの出力がゼロになったことを検出し、ゼロを検出したときに遅延信号を出力するゼロ検出回路とを備え、
前記ダウンカウンタは、電圧検出回路からの検出信号によってリセットされ、前記発振回路からのクロックによって前記不揮発性メモリに格納される設定値が前記初期値として設定されるようになっていることを特徴とする遅延時間発生回路。
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---|---|---|---|
JP2006151442A JP2007324819A (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | 遅延時間発生回路 |
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JP2006151442A JP2007324819A (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | 遅延時間発生回路 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8816888B2 (en) | 2012-10-04 | 2014-08-26 | Fujitsu Semiconductor Limited | Ad conversion circuit, semiconductor device, and ad conversion method |
JP2016225910A (ja) * | 2015-06-02 | 2016-12-28 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 遅延回路及び半導体装置 |
JP2019165330A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 株式会社東芝 | デジタル時間変換器及び情報処理装置 |
JP2019176376A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | ローム株式会社 | 電子回路、半導体集積回路およびそれを搭載した監視回路,電子機器 |
-
2006
- 2006-05-31 JP JP2006151442A patent/JP2007324819A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8816888B2 (en) | 2012-10-04 | 2014-08-26 | Fujitsu Semiconductor Limited | Ad conversion circuit, semiconductor device, and ad conversion method |
CN103716052B (zh) * | 2012-10-04 | 2017-04-12 | 株式会社索思未来 | Ad转换电路、半导体装置以及ad转换方法 |
JP2016225910A (ja) * | 2015-06-02 | 2016-12-28 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 遅延回路及び半導体装置 |
JP2019165330A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 株式会社東芝 | デジタル時間変換器及び情報処理装置 |
JP2019176376A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | ローム株式会社 | 電子回路、半導体集積回路およびそれを搭載した監視回路,電子機器 |
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