JP2007321012A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂系硬化剤、(C)無機充填材、(D)エポキシ樹脂の硬化反応を促進し得るカチオン部と、前記硬化反応を促進するカチオン部の触媒活性を抑制するシリケートアニオン部を有する硬化促進剤(d1)を含む硬化促進剤、(E)メルカプト基を有するシランカップリング剤(e1)を含むカップリング剤を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
【選択図】なし
Description
その最大の問題点は、表面実装の採用により半導体装置が半田浸漬或いは半田リフロー工程で急激に200℃以上の高温にさらされ、吸湿した水分が爆発的に気化する際の応力により、半導体装置内、特に半導体素子、リードフレーム、インナーリード上の金メッキや銀メッキ等の各種メッキされた各接合部分とエポキシ樹脂組成物の硬化物の界面で剥離が生じたりして、信頼性が著しく低下する現象である。また、環境問題に端を発した有鉛半田から無鉛半田への移行に伴い、半田処理時の温度が高くなり、半導体装置中に含まれる水分の気化によって発生する爆発的な応力による耐半田性の低下が、従来以上に大きな問題となってきている。
[1] (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂系硬化剤、(C)無機充填材、(D)硬化促進剤、(E)カップリング剤を含むエポキシ樹脂組成物において、前記硬化促進剤(D)がエポキシ樹脂の硬化反応を促進し得るカチオン部と、前記硬化反応を促進するカチオン部の触媒活性を抑制するシリケートアニオン部とを有する硬化促進剤(d1)を含み、前記カップリング剤(E)がメルカプト基を有するシランカップリング剤(e1)を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[2] 前記硬化促進剤(d1)のカチオン部が燐カチオンを含むものである第[1]項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[5] 第[1]項ないし第[4]項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、
である。
以下、本発明について詳細に説明する。
無機充填材(C)の含有量は、特に限定されないが、全エポキシ樹脂組成物中80重量%以上、94重量%以下が好ましい。この範囲内であると、耐半田性の低下、流動性の低下等を抑えることができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の各種の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。
なお、実施例、比較例で用いた硬化促進剤の内容について以下に示す。
硬化促進剤1:下記化学式(2)で表される化合物
メタノールを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシラン、2,3−ジヒドロキシナフタレンを加えて溶かし、次に室温攪拌下水酸化ナトリウムを滴下した。さらにそこへ予め用意したテトラホスホニウムブロマイドのメタノール溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出した。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥し、薄桃色結晶を得た。
溶融球状シリカ2:(平均粒径0.5μm、比表面積5.9m2/g)
100重量部
硬化促進剤1 5重量部
カップリング剤1:γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(信越化学(株)製、商品名KBM−803) 3重量部
離型剤:カルナバワックス(日興ファインプロダクツ(株)製、商品名ニッコウカルナバ) 3重量部
カーボンブラック:(三菱化学(株)製、商品名#5) 3重量部
をミキサーにて混合し、熱ロールを用いて、95℃で8分間混練して冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を、以下の方法で評価した。また、後述する高温リーク試験用に、上記成分から着色剤1のみを除いた成分を、上記と同様にミキサーにて混合し、熱ロールを用いて、95℃で8分間混練して冷却後粉砕したものを作成し、評価に用いた。結果を表1に示す。
スパイラルフロー:低圧トランスファー成形機を用いて、EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用金型に、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間120秒の条件で、エポキシ樹脂組成物を注入し、流動長を測定した。
表1、2、3の配合に従い、実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得て、実施例1と同様にして評価した。結果を表1、2、3に示す。
実施例1以外で用いた原材料を以下に示す。
エポキシ樹脂2:下記式(11)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、商品名YX−4000、エポキシ当量190、融点105℃)
カップリング剤3:γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン(GE東芝シリコーン(株)製、商品名A−1891)
カップリング剤4::γ−アミノプロピルトリエトキシシラン(信越化学(株)製、商品名KBE−903)
カップリング剤5:γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学(株)製、商品名KBM−403)
カップリング剤6:ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド(GE東芝シリコーン(株)製、商品名A−1289)
カップリング剤7:γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン(東レ・ダウコーニング(株)製、商品名AZ−6118)
カップリング剤8:γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン(GE東芝シリコーン(株)製、商品名A−1310)
カップリング剤9:ビニルトリメトキシシラン(チッソ(株)製、商品名S210)
特に、(E)カップリング剤としてメルカプト基を有するシランカップリング剤(e1)とアニリノ基を有するシランカップリング剤(e2)とを併用した実施例8及び実施例12では、メルカプト基を有するシランカップリング剤(e1)のみを用いた点のみで異なる実施例7及び実施例11と比較して、さらに流動性と硬化性が向上する結果が得られた。
一方、硬化促進剤(D)として本願発明の硬化促進剤(d1)は用いてはいるものの、カップリング剤(E)として本願発明のメルカプト基を有するシランカップリング剤(e1)を用いていない比較例1ないし3では、特に銀メッキ又は金メッキを施したリードフレームとの密着性が低く、耐半田性が顕著に劣る結果となった。また、比較例1ないし3では、流動性も劣る結果となった。また、カップリング剤(E)として本願発明のメルカプト基を有するシランカップリング剤(e1)を用いてはいるものの、硬化促進剤(D)として本願発明の硬化促進剤(d1)を用いていない比較例4ないし6では、特に流動性、ゲートブレイク性が顕著に劣る結果となった。また、比較例4ないし6では、銀メッキ又は金メッキを施したリードフレームとの密着性も低く、耐半田性も劣る結果となった。また、硬化促進剤6又は7を用いた比較例5、6では、硬化性も劣る結果となった。
特に、実施例1ないし10における銀メッキ又は金メッキを施したリードフレームとの密着強度は、比較例1ないし6のいずれよりも高く、これにより、無鉛半田に対応する高温の半田処理によっても剥離やクラックが発生しないという極めて良好な耐半田性を示す結果となっている。これは、硬化促進剤(d1)とメルカプト基を有するシランカップリング剤(e1)とを併用することによる相乗効果が現われているものと考えられる。
2 ダイボンド材硬化体
3 ダイパッド
4 金線
5 リードフレーム
6 封止用樹脂組成物の硬化体
Claims (5)
- (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂系硬化剤、(C)無機充填材、(D)硬化促進剤、(E)カップリング剤を含むエポキシ樹脂組成物において、前記硬化促進剤(D)がエポキシ樹脂の硬化反応を促進し得るカチオン部と、前記硬化反応を促進するカチオン部の触媒活性を抑制するシリケートアニオン部とを有する硬化促進剤(d1)を含み、前記カップリング剤(E)がメルカプト基を有するシランカップリング剤(e1)を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記硬化促進剤(d1)のカチオン部が燐カチオンを含むものである請求項1に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記硬化促進剤(d1)が下記一般式(1)で表されるものである請求項1又は請求項2に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記カップリング剤(E)が、さらにアニリノ基を有するシランカップリング剤(e2)を含む請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
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