JP2007317501A - 大気圧プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】電極端部への処理残渣の堆積を防止する大気圧プラズマ処理装置の提供。
【解決手段】搬送される被処理物1を挟むように所定間隔を有して被処理物1の搬送方向に直交方向に延びる細長い一対の電極10−1,10−2と一対の電極10−1,10−2を覆う誘電体部12−1,12−2を有するプラズマ生成部を備え、一対の電極10−1,10−2は、端部に近づくほど被処理物1に対する距離が広がるようなテーパー部を両端に備える。
【選択図】図4
【解決手段】搬送される被処理物1を挟むように所定間隔を有して被処理物1の搬送方向に直交方向に延びる細長い一対の電極10−1,10−2と一対の電極10−1,10−2を覆う誘電体部12−1,12−2を有するプラズマ生成部を備え、一対の電極10−1,10−2は、端部に近づくほど被処理物1に対する距離が広がるようなテーパー部を両端に備える。
【選択図】図4
Description
本発明は、大気圧プラズマ処理装置および大気圧プラズマ処理方法に関し、さらに詳しくは、大気圧またはその近傍の圧力下において、プラズマを発生させ、このプラズマにおいて生成した活性種による化学反応を用いて各種被処理物、例えば、液晶ディスプレイ用のパネル基板での薄膜形成、加工、表面処理等の処理を行う大気圧プラズマ処理装置に関する。
対向配置される電極間に放電空間を形成し、少なくとも一方の電極の放電空間側に誘電体を設け、プラズマ生成用ガスの存在下で交番電圧を印加することによって放電空間に大気圧近傍の圧力下で放電を生じさせ、この放電により生成されるプラズマに被処理物を暴露させるようにしたプラズマ処理装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2004−103423
しかしながら、対向配置される電極間に被処理物の搬送を行い、処理を行う場合、被処理物の搬送方向に直交する両端に電界が集中することで、プラズマ密度の濃い領域が生まれ、結果的に所望の処理よりも過大な処理が行われて、誘電体の両端近傍に被処理物の残渣の堆積が生じるという問題がある。
この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、残渣の堆積を防止することが可能なプラズマ処理装置を提供するものである。
この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、残渣の堆積を防止することが可能なプラズマ処理装置を提供するものである。
この発明は、板状の被処理物を所定方向に搬送する搬送部材と、搬送される被処理物を挟むように所定間隔を有して被処理物の搬送方向に直交方向に延びる細長い一対の電極を有するプラズマ生成部を備え、一対の電極は、端部に近づくほど被処理物に対する距離が広がるようなテーパー部を両端に備える大気圧プラズマ処理装置を提供するものである。
一対の主電極は、対向する間隔が全長に渡って等しくなるような厚さの誘電体層であってもよい。
一対の主電極は、対向する間隔が全長に渡って等しくなるような厚さの誘電体層であってもよい。
テーパー部は、電界強度が電極の中央部の75%以下であってもよい。
テーパー部は、端部に近づくほど被処理物に対する距離が直線状に広がってもよいし、所定の曲線に沿って広がってもよい。
所定の曲線が円弧又は楕円弧であってもよい。
また、一対の電極は、厚さが均一な誘電体層を対向面にそれぞれ備えてもよい。
テーパー部は、端部に近づくほど被処理物に対する距離が直線状に広がってもよいし、所定の曲線に沿って広がってもよい。
所定の曲線が円弧又は楕円弧であってもよい。
また、一対の電極は、厚さが均一な誘電体層を対向面にそれぞれ備えてもよい。
電極端部付近での電極間の距離を広げることにより、被処理物の端部への電界集中を防止することができ、それによって過大な処理がなくなり、電極への処理残渣の堆積を無くすことができる。
以下、図面に示す実施例を用いてこの発明の実施形態を説明する。
図1に、この発明の大気圧プラズマ処理装置の実施例1を示す。図1は、この大気圧プラズマ処理装置を、板状の被処理物1に垂直で、かつ、被処理物1を搬送する方向に伸びる線分を含む面で切断した断面を示す断面図である。被処理物1としては、一例として液晶ディスプレイ用のガラス基板がある。
この大気圧プラズマ処理装置は、図1に示すように、チャンバー上部2と、チャンバー下部3を備え、図3に示すように上部電極ユニット4と、下部電極ユニット5を備える。チャンバー上部2とチャンバー下部3が、チャンバーを構成している。このチャンバーは、被処理物搬送方向の両端で、チャンバー上部2とチャンバー下部3との間に被処理物1の出入り口18−1,18−2を有している。
上部電極ユニット4(図3)は、チャンバー上部2の略中央に設置されている。チャンバー上部2には上部電極ユニット4に続くガス供給口6−1を有する。
上部電極ユニット4(図3)は、チャンバー上部2の略中央に設置されている。チャンバー上部2には上部電極ユニット4に続くガス供給口6−1を有する。
また、下部電極ユニット5(図3)はチャンバー下部3の略中央に配置され、上部電極ユニット4に対して所定の間隔を隔てて対向している。この下部電極ユニット5の両側には、ローラー軸で支持された搬送用ローラー7が配置されている。また、チャンバー下部3の側壁の外側にも、搬送用ローラー7が配置されている。この搬送用ローラー7で被処理物1を所定の平面上で搬送可能になっている。このチャンバー下部3は、下部電極ユニット5に続くガス供給口6−2を有する。また、チャンバー下部3は、下部電極ユニット5の両側に貫通している排気口8−1、8−2を有する。
また、チャンバー上部2とチャンバー下部3は、上部電極ユニット4と下部電極ユニット5を支持している。加えて、チャンバー上部2とチャンバー下部3は、排気口8−1、8−2から使用後の処理ガスを排出するまでの間、処理ガスを溜めておき、外部に漏れないようにする役割を果たす。
つまり、チャンバーは、被処理物1が出入口18−1、18−2と排気口8−1、8−2以外では、ガスが漏れない気密な構造になっている。さらに、処理プロセスや使用する処理ガスの種類によっては、被処理物1の出入口18−1、18−2にカーテン機構やシャッター機構を有していてもよい。
つまり、チャンバーは、被処理物1が出入口18−1、18−2と排気口8−1、8−2以外では、ガスが漏れない気密な構造になっている。さらに、処理プロセスや使用する処理ガスの種類によっては、被処理物1の出入口18−1、18−2にカーテン機構やシャッター機構を有していてもよい。
図3に電極ユニットの詳細図を示す。上部電極ユニット4は、中心部に配置された第一の電極としての主電極10−1と、主電極10−1の側面に対向する側面を有する第3の電極としての側電極11−1A、11−1Bを有する。主電極10−1と側電極11−1A、11−1Bは金属材料から適宜選ばれる。
主電極10−1は、固体誘電体からなる第1の誘電体部12−1で覆われている。また、側電極11−1A、11−1Bは、固体誘電体からなる第2の誘電体部13−1A、13−1Bで覆われており、第2の誘電体部13−1A、13−1Bは、所定の間隙を隔てて第1の誘電体部12−1と対向しており、この間隙が予備放電領域14−1A、14−1Bとなっている。
主電極10−1は、固体誘電体からなる第1の誘電体部12−1で覆われている。また、側電極11−1A、11−1Bは、固体誘電体からなる第2の誘電体部13−1A、13−1Bで覆われており、第2の誘電体部13−1A、13−1Bは、所定の間隙を隔てて第1の誘電体部12−1と対向しており、この間隙が予備放電領域14−1A、14−1Bとなっている。
また、第1の誘電体部12−1と、第2の誘電体部13−1A、13−1Bとの間隙は、上部チャンバー2から供給された処理ガスのガス流路19−1A、19−1Bとしての役割も果たす。また、第2の誘電体部13−1A、13−1Bは、凹部からなるガス溜り15−1A、15−1Bを有し、このガス溜り15−1A、15−1Bはガス流路19−1A、19−1Bおよびガス供給口6−1に連通している。ガス溜り15−1A、15−1B、ガス流路19−1A、19−1Bおよびガス供給口6−1がガス供給部を構成している。また、ガス流路19−1A、19−1Bは、予備放電領域14−1A、14−1Bに処理ガスを供給する。
また、主電極10−1には、貫通孔20−1が形成されていて、この貫通孔20−1に冷媒を流通させることで、主電極10−1を冷却するようになっている。
第1の電極である主電極10−1(図3)は電力伝達路を通じて図1に示すように第1の電力供給部である高周波電源16−1に接続される。高周波電源16−1は接地されている。また、側電極11−1A、11−1B(図1,図3)も接地されている。
一方、下部電極ユニット5は、図3に示すように、上部電極ユニット4と略同じ構造であり、中心部に配置された第2の電極としての主電極10−2と、この主電極10−2の側面に対向する側面を有する第3の電極としての側電極11−2A、11−2Bを有する。この主電極10−2と側電極11−2A、11−2Bは金属で作製されている。
第1の電極である主電極10−1(図3)は電力伝達路を通じて図1に示すように第1の電力供給部である高周波電源16−1に接続される。高周波電源16−1は接地されている。また、側電極11−1A、11−1B(図1,図3)も接地されている。
一方、下部電極ユニット5は、図3に示すように、上部電極ユニット4と略同じ構造であり、中心部に配置された第2の電極としての主電極10−2と、この主電極10−2の側面に対向する側面を有する第3の電極としての側電極11−2A、11−2Bを有する。この主電極10−2と側電極11−2A、11−2Bは金属で作製されている。
ただし、被処理物の上面のみを処理する場合は、下部電極ユニットにおいて、側電極11−2A、11−2Bは必ずしも設ける必要はない。
この主電極10−2は、固体誘電体からなる第1の誘電体部12−2で覆われている。
側電極11−2A、11−2Bは、固体誘電体からなる第2の誘電体部13−2A、13−2Bで覆われている。第1の誘電体部12−2と第2の誘電体部11−2A、11−2Bとは所定の間隔を隔てて対向しており、この間隙が予備放電領域14−2A、14−2Bとなっている。
この主電極10−2は、固体誘電体からなる第1の誘電体部12−2で覆われている。
側電極11−2A、11−2Bは、固体誘電体からなる第2の誘電体部13−2A、13−2Bで覆われている。第1の誘電体部12−2と第2の誘電体部11−2A、11−2Bとは所定の間隔を隔てて対向しており、この間隙が予備放電領域14−2A、14−2Bとなっている。
また、この第1の誘電体部12−2と、第2の誘電体部11−2A、11−2Bとの間隙は、下部チャンバー3から供給された処理ガスのガス流路19−2A、19−2Bとしての役割も果たす。また、第2の誘電体部13−2A、13−2Bは、凹部からなるガス溜り15−2A、15−2Bを有し、このガス溜り15−2A、15−2Bはガス流路19−2A、19−2Bおよびガス供給口6−2に連通している。ガス溜り15−2A、15−2B、ガス流路19−2A、19−2Bおよびガス供給口6−2がガス供給部を構成している。また、ガス流路19−2A、19−2Bは、予備放電領域14−2A、14−2Bに処理ガスを供給する。
また、主電極10−2にも、貫通孔20−2が形成されていて、この貫通孔20−2に冷媒を流通させることで、主電極10−2を冷却するようになっている。
第2の電極である主電極10−2(図3)は電力伝達路を通じて図1に示すように第2の電力供給部である高周波電源16−2に接続される。高周波電源16−2は接地されている。また、側電極11−2A、11−2Bも接地されている。
主電極10−1と主電極10−2との間の距離は、高周波電源16−1、16−2から与えられる電力の大きさや周波数、処理ガスの種類や流量、上記第1の誘電体部12−1、12−2をなす固体誘電体の電気的特性や二次電子放出係数や厚み、各部の温度等に基づいて設定される。
第2の電極である主電極10−2(図3)は電力伝達路を通じて図1に示すように第2の電力供給部である高周波電源16−2に接続される。高周波電源16−2は接地されている。また、側電極11−2A、11−2Bも接地されている。
主電極10−1と主電極10−2との間の距離は、高周波電源16−1、16−2から与えられる電力の大きさや周波数、処理ガスの種類や流量、上記第1の誘電体部12−1、12−2をなす固体誘電体の電気的特性や二次電子放出係数や厚み、各部の温度等に基づいて設定される。
上記構成のプラズマ処理装置では、第1の電極である主電極10−1には、第1の電力供給部である高周波電源16−1から出力された第1の電力として高周波電力が電力伝送路を経由して供給される。また、第2の電極である主電極10−2には、第2の電力供給部である高周波電源16−2から第2の電力として高周波電力が電力伝送路を経由して供給される。これにより、主電極10−1と主電極10−2との間に電界を形成することで、プラズマ処理空間17に電界を形成する。なお、この実施形態では、高周波電源16−1が出力する高周波電力と高周波電源16−2が出力する高周波電力とは周波数が同じで位相が異なる。
一方、図1のチャンバー上部2のガス供給口6−1には、図示しないガス供給ボンベまたはガス供給タンクから、図示しないマスフローおよびミキサーにより複数のガス種を混合した処理ガスが供給される。図2に示すように、この処理ガスは、ガス供給口6−1からガス溜り15−1A、15−1Bに供給され、このガス溜まり15−1A、15−1Bで紙面奥行き方向に広がり、ガス溜まり15−1A、15−1Bよりも十分に狭い断面積を持つスリット状(もしくはシャワー穴状)のガス流路19−1A、19−1Bに達する。
処理ガスはガス流路19−1A、19−1Bを通過する際に流速を上げ、予備放電領域14−1A、14−1Bを経由して、被処理物1に向けて噴出されるとともにプラズマ処理空間17に供給される。同様に、下部電極ユニット5のガス供給口6−2から処理ガスが供給され、この処理ガスはガス溜り15−2A、15−2B、ガス流路19−2A、19−2B、予備放電領域14−2A、14−2Bを経由して、プラズマ処理空間17に供給される。
処理ガスはガス流路19−1A、19−1Bを通過する際に流速を上げ、予備放電領域14−1A、14−1Bを経由して、被処理物1に向けて噴出されるとともにプラズマ処理空間17に供給される。同様に、下部電極ユニット5のガス供給口6−2から処理ガスが供給され、この処理ガスはガス溜り15−2A、15−2B、ガス流路19−2A、19−2B、予備放電領域14−2A、14−2Bを経由して、プラズマ処理空間17に供給される。
このようにして、上部電極ユニット4および下部電極ユニット5からプラズマ処理空間17に導入された処理ガスは、プラズマ処理空間17に形成された電界によって、大気圧下で、プラズマ化される。このプラズマ化された処理ガスによって、プラズマ処理空間17に、搬送され配置された被処理物1がプラズマ処理される。ここでは、大気圧とは、一例として、圧力範囲が0.1気圧以上、2気圧以下をいう。この実施形態で採用される処理ガスとしては、例えば、被処理物1の表面改質を行う場合には、ヘリウム、アルゴン、酸素、空気などが採用されるが、この処理ガスの組成はプロセスごとに異なり、適宜最適な組み合わせと混合比を選ぶ必要がある。
そして、プラズマ処理空間17を通過した処理ガスは、図1に示す排気側ガス溜21−1、21−2に一旦溜まり、排気口8−1、8−2を通って図示しない排気ポンプまたはブロア、場合によっては除害装置で無害化された後、系外へと排出される。
また、この実施形態では、上部電極ユニット4において、主電極10−1の側面と側電極11−1A、11−1Bの側面との間にも電界が形成される。この電界によって、主電極10−1の側面を覆う第1の誘電体部12−1と側電極11−1A、11−1Bを覆う第2の誘電体部13−1A、13−1Bとの間(つまり予備放電領域14−1A、14−1B)に存する処理ガスがプラズマ化される。同様に、下部電極ユニット5において、主電極10−2の側面と側電極11−2A、11−2Bの側面との間にも電界が形成される。
この電界によって、主電極10−2の側面を覆う第1の誘電体部12−2と側電極11−2A、11−2Bを覆う第2の誘電体部13−2A、13−2Bとの間(つまり予備放電領域14−2A、14−2B)に存する処理ガスがプラズマ化される。
この電界によって、主電極10−2の側面を覆う第1の誘電体部12−2と側電極11−2A、11−2Bを覆う第2の誘電体部13−2A、13−2Bとの間(つまり予備放電領域14−2A、14−2B)に存する処理ガスがプラズマ化される。
ここで、この予備放電領域14−1A、14−1B、14−2A、14−2Bにおけるプラズマ化は、第1の誘電体部12−1,12−2と第2の誘電体部13−1A、13−1B、13−2A、13−2Bとの間の距離を適切に選ぶことで実現される。この距離は、高周波電源16−1、16−2が主電極10−1、10−2に与える電力や周波数、処理ガスの種類や流量、第1,第2の誘電体部12−1,12−2、13−1A、13−1B、13−2A、13−2Bの電気的特性や二次電子放出係数や厚さや温度などで決まる。この実施形態では、予備放電領域14−1A、14−1B、14−2A、14−2Bで形成される電界強度がプラズマ処理空間17で形成される電界よりも強くなるように設定した。
このように、上記予備放電領域14−1A、14−1B、14−2A、14−2Bにおいてプラズマを発生させることで、プラズマ処理空間17に直接に電子や励起種を供給することが可能となる。
このように、上記予備放電領域14−1A、14−1B、14−2A、14−2Bにおいてプラズマを発生させることで、プラズマ処理空間17に直接に電子や励起種を供給することが可能となる。
これにより、プラズマ処理空間17においてプラズマが未発生である場合には、プラズマ処理空間17における放電開始をアシストでき、プラズマ処理空間17において放電中である場合には、放電を安定化できる。この効果は、第1,第2の誘電体部12−1,12−2、13−1A、13−1B、13−2A、13−2Bのエッジを無くして滑らかにすることで、より一層高めることができる。一例として、第1,第2の誘電体部12−1,12−2、13−1A、13−1B、13−2A、13−2Bのコーナー部を湾曲形状とする場合には、曲率半径を0.5mm以上とすることが望ましい。
このように、この実施形態において、プラズマ処理空間17と予備放電領域14−1A、14−1B、14−2A、14−2Bの両方でプラズマが生成されているときに、図1のように搬送用ローラー7を回転させて被処理物1を搬送し、被処理物1の表面にプラズマを接触させる。このことで、活性種による反応促進効果や、イオンによる物理的なエッチング効果により、表面改質、洗浄、加工、成膜等のプラズマ処理が進行し被処理物1に対する所望の処理を行うことができる。
図4に本実施例で示す装置の図3におけるA−A’断面の被処理物1の端部付近の断面図を示す。図4に示すように、処理空間17の高さが4mm、処理空間17における誘電体部12−1,12−2の厚みが4mmである場合、誘電体の厚みを3倍(12mm)程度にすることで端部での電界強度を中央部の約75%にすることができる。このように、誘電体部12−1、12−2の厚みを増すことで、処理空間17での電界強度を弱調することができる。つまり、主電極の端部領域での誘電体部12−1,12−2の厚みを増すことで、被処理物1の端部での電界のみを弱調し、結果、従来技術での課題であった、被処理物1の端部での電界集中による過大な処理を防ぐことができる。
今回は図4に示すように被処理物1の端より内側に8mmの位置を起点とし、電極の端に向かって10mmの範囲で、主電極10−1、10−2間の距離を12mmから28mmへと直線的に変化させ、これに伴い、誘電体部12−1,12−2の厚みを4mmから12mmへと直線的に変化させている。これにより、被処理物1の端部への電界の集中を防ぎ、過大な処理を無くすことで、誘電体部12−1,12−2の表面への残渣の堆積を防ぐことができる。
この電極端部における主電極間の距離と、誘電体部の厚みの変化量や範囲は、誘電体部の厚みや、処理空間の高さ、被処理物の厚み、被処理物や処理内容などを考慮に入れ、不所望な処理が行われないような電界強度が得られるような量に適宜調整すればよい。
この電極端部における主電極間の距離と、誘電体部の厚みの変化量や範囲は、誘電体部の厚みや、処理空間の高さ、被処理物の厚み、被処理物や処理内容などを考慮に入れ、不所望な処理が行われないような電界強度が得られるような量に適宜調整すればよい。
この実施例では、図5に示すように実施例1の主電極10−1、10−2の角部にR(丸味)を設けている。これによって、加工が容易となり、また、主電極の内部、誘電体部の内部での電界集中を防止でき、不要な放電を予防できる。
この実施例では、さらに、図6に示すように、主電極10−1、10−2厚みを円弧状又は楕円弧状に変化させている。これによって、より加工が容易となり、不要な放電を阻止することができるようになる。
また、この実施例では、図7に示すように、主電極10−1、10−2に追随して、誘電体部12−1、12−2の形状の変化させている。実施例1では、主電極間隔を中央部では12mmから、テーパー部で28mmへと変化させている。この実施例における形状は実施例1に比べ、処理空間の高さを制御することが困難になるものの、より小さな主電極間隔距離の変化で同等の効果が得られることがわかっている。例えば、本実施例では向かい合う主電極間の距離が、中央部では12mmから、テーパー部で16.8mm程度になるだけで、実施例1と同等の75%程度の電界強度を得ることができる。これにより、主電極の加工や設置を容易にすることができるという利点を持つ。
1 被処理物
2 チャンバー上部
3 チャンバー下部
4 上部電極ユニット
5 下部電極ユニット
6−1,6−2 ガス供給口
7 搬送用ローラー
8−1,8−2 排気口
10−1,10−2 主電極
11−1A,11−1B,11−2A,11−2B 側電極
12−1,12−2 誘電体部
13−1A,13−1B,13−2A,13−2B 誘電体部
14−1A,14−1B,14−2A,14−2B 予備放電部
15−1A,15−1B,15−2A,15−2B ガス溜め
16−1,16−2 電源部
17 プラズマ処理空間
18−1,18−2 出入口
19−1A,19−1B,19−2A,19−2B ガス流路
20−1,20−2 貫通穴
21−1,21−2 排気ガス溜め
2 チャンバー上部
3 チャンバー下部
4 上部電極ユニット
5 下部電極ユニット
6−1,6−2 ガス供給口
7 搬送用ローラー
8−1,8−2 排気口
10−1,10−2 主電極
11−1A,11−1B,11−2A,11−2B 側電極
12−1,12−2 誘電体部
13−1A,13−1B,13−2A,13−2B 誘電体部
14−1A,14−1B,14−2A,14−2B 予備放電部
15−1A,15−1B,15−2A,15−2B ガス溜め
16−1,16−2 電源部
17 プラズマ処理空間
18−1,18−2 出入口
19−1A,19−1B,19−2A,19−2B ガス流路
20−1,20−2 貫通穴
21−1,21−2 排気ガス溜め
Claims (8)
- 板状の被処理物を所定方向に搬送する搬送部材と、搬送される被処理物を挟むように所定間隔を有して被処理物の搬送方向に直交方向に延びる細長い一対の電極を有するプラズマ生成部を備え、一対の電極は、端部に近づくほど被処理物に対する距離が広がるようなテーパー部を両端に備える大気圧プラズマ処理装置。
- 一対の主電極は、対向する間隔が全長に渡って等しくなるような厚さの誘電体層を対向面にそれぞれ備える請求項1記載の大気圧プラズマ処理装置。
- テーパー部は、電界強度が電極の中央部の75%以下である請求項2記載の大気圧プラズマ処理装置。
- テーパー部は、電極の端部に近づくほど被処理物に対する距離が直線状に広がる請求項1記載の大気圧プラズマ処理装置。
- テーパー部は、電極の端部に近づくほど被処理物に対する距離が所定の曲線に沿って広がる請求項1記載の大気圧プラズマ処理装置。
- 所定の曲線が円弧である請求項5記載の大気圧プラズマ処理装置。
- 所定の曲線が楕円弧である請求項5記載の大気圧プラズマ処理装置。
- 一対の電極は、厚さが均一な誘電体層を対向面にそれぞれ備える請求項1記載の大気圧プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2006145668A JP2007317501A (ja) | 2006-05-25 | 2006-05-25 | 大気圧プラズマ処理装置 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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GB2466836A (en) * | 2009-01-12 | 2010-07-14 | Phive Plasma Technologies Ltd | Plasma source tile electrode |
JP6782952B1 (ja) * | 2019-05-08 | 2020-11-11 | 株式会社クメタ製作所 | プラズマ生成装置 |
WO2020226086A1 (ja) * | 2019-05-08 | 2020-11-12 | 株式会社クメタ製作所 | プラズマ生成装置 |
-
2006
- 2006-05-25 JP JP2006145668A patent/JP2007317501A/ja active Pending
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