JP2007310999A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】NAND型メモリアレイにおけるメタル配線の狭ピッチを解消する。
【解決手段】半導体記憶装置(1)は、複数のメモリブロック(BLOCK_A,BLOCK_B)と、複数のメモリブロックが共有する複数の主ビット線(GBL<n−1>,GBL<n>)を有する。メモリブロックは、複数の不揮発性メモリセル(QM)が直列接続された複数列のセルストリング(STRG_A)と、セルストリングの一端をソース線(SL_A)に接続しゲート制御線(SGS_A)が複数列のセルストリング間で共通化されたソース線接続トランジスタ(QM)と、異なるセルストリングの他端を同一の主ビット線に接続可能とするビット線接続トランジスタ(QB1_A,QB2_A)とを有し、ビット線接続トランジスタのゲート制御線(SGB1_A,SGB2_A)は前記異なるセルストリングに対応するもの同士で相違される。
【選択図】図1
【解決手段】半導体記憶装置(1)は、複数のメモリブロック(BLOCK_A,BLOCK_B)と、複数のメモリブロックが共有する複数の主ビット線(GBL<n−1>,GBL<n>)を有する。メモリブロックは、複数の不揮発性メモリセル(QM)が直列接続された複数列のセルストリング(STRG_A)と、セルストリングの一端をソース線(SL_A)に接続しゲート制御線(SGS_A)が複数列のセルストリング間で共通化されたソース線接続トランジスタ(QM)と、異なるセルストリングの他端を同一の主ビット線に接続可能とするビット線接続トランジスタ(QB1_A,QB2_A)とを有し、ビット線接続トランジスタのゲート制御線(SGB1_A,SGB2_A)は前記異なるセルストリングに対応するもの同士で相違される。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体記憶装置におけるNAND型のメモリアレイの構成に関し、NAND型のフラッシュメモリに適用して有効な技術に関する。
NAND型フラッシュメモリは金属配線で構成された主ビット線を複数のメモリブロックで共有する。夫々のメモリブロックは主ビット線に対して階層化された副ビット線を備え、副ビット線は複数個の不揮発性メモリセルを直列接続したセルストリングとして構成される。従来は1メモリブロック内において主ビット線1本毎に1列のセルストリングがビット線接続トランジスタを介して接続され、セルストリングはソース線接続トランジスタを介してソース線に接続される。この種のNAND型フラッシュメモリについて記載された文献の例として特許文献1がある。
しかしながら、1メモリブロック内において1本の主ビット線毎にビット線選択トランジスタを介して1列のセルストリングが接続される従来の構成では、不揮発性メモリセルの微細化に伴い、メモリセルピッチが狭くなり、それに従って主ビット線の金属配線ピッチが狭くなる。例えば、デザインルール50ナノメーター(nm)世代では100nmピッチのメタル配線が必要となってくるため、金属配線に関するプロセス技術的に難易度が高くなってくる。更に、狭ピッチ金属配線には設計的な問題点もある。第1に、配線抵抗及び配線容量が大きくなってくるため、主ビット線に貯めた電荷がセル電流によって放電されるか否かでデータの論理値を判定するリード動作の速度低下という影響を与えることとなる。第2に、主ビット線を選択するためのカラムスイッチのスイッチ制御信号を生成するカラムデコーダ、並びにカラムスイッチの後段に配置されビット線に読み出された記憶情報をセンス増幅したりするセンスラッチのレイアウトを主ビット線ピッチである2Fピッチ(F=デザインルールとしての最小加工寸法)をベースに行なう必要があるため、レイアウト的に横方向の配置が厳しくなる。
本発明の目的は、NAND型メモリアレイにおける主ビット線の配線ピッチを緩和した半導体記憶装置を提供することにある。
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
〔1〕本発明に係る半導体記憶装置は、複数の不揮発性メモリセルが第1の方向に直列接続されたセルストリングと、このセルストリングの一方端に一方の導通端が電気的に接続されたソース線接続トランジスタと、前記セルストリングの他方端に一方の導通端が電気的に接続されたビット線接続トランジスタとを含んでセル列を構成し、前記第1の方向に直交する第2の方向に順次連続して配列された第1から第4のセル列が配列された第1のブロックと、前記第1と第2のセル列のビット線接続トランジスタの他方の導通端に接続され、前記第1の方向に伸びる第1の主ビット線と、前記第3と第4のセル列のビット線接続トランジスタの他方の導通端に接続され、前記第1の方向に伸びる第2の主ビット線と、前記第2の方向に伸び、前記第1から第4のセル列の対応の不揮発性メモリセルの制御電極にそれぞれ接続される第1のブロックの複数のワード線と、前記第2の方向に伸び、前記第1から第4のセル列のソース線接続トランジスタの制御電極にそれぞれ接続される第1のブロックのソース選択線と、前記第2の方向に伸び、前記第1から第4のセル列のソース線接続トランジスタの他方の導通端に接続される第1のブロックのソース線と、前記第1と第3のセル列のビット線接続トランジスタの制御電極に接続された第1のブロックの第1のセルストリング選択線と、前記第2と第4のセル列のビット線接続トランジスタの制御電極に接続された第1のブロックの第2のセルストリング選択線と、を備える。
第1と第2のセル列に対応して第1の主ビット線、第3と第4のセル列対応して、第2の主ビット線と、を設けたので、セル列1つづつに対応して主ビット線を1つづつ設けたものに比べ、主ビット線の配線ピッチが緩和される。
本発明の一つの具体的な形態として、前記第1の主ビット線を挟むように前記第1と第2のメモリセル列が設けられ、前記第2の主ビット線を挟むように前記第3と第4のメモリセル列が設けられる。主ビット線とメモリセル列とを規則的に配置するのに望ましい一つの形態である。
本発明の別の具体的な形態として、前記第2の方向に伸びる線に対し折り返すように、前記第1のブロックに対応して第2のブロック、前記第1のブロックの複数のワード線に対応して第2のブロックの複数のワード線、前記第1のブロックの第1のソース選択線に対応して第2のブロックのソース選択線、前記第1のブロックのソース線に対応して第2のブロックのソース線、前記第1のブロックの第1のセルストリング線に対応して第2のブロックの第1のセルストリング線、前記第1のブロックの第2のセルストリング線に対応して第2のブロックの第2のセルストリング線が設けられる。そして、前記第1の主ビット線は、前記第2のブロックの前記第1と第2のセル列のビット線接続トランジスタの他方の導通端に接続され、前記第2の主ビット線は、前記第2のブロックの前記第3と第4のセル列のビット線接続トランジスタの他方の導通端に接続される。第1のブロックとこれに対して概略折り返し構造を有する第2ブロックとによる構造に対しても主ビット線の配線ピッチが緩和される。
本発明の別の具体的な形態として、前記各セル列は、対応の前記セルストリングと対応の前記主ビット線との間に、ディプレッション型トランジスタを有する。前記各ディプレッション型トランジスタの制御電極は、前記第2の方向に隣接する列ビット線接続トランジスタの制御電極に接続されたセルストリング線に接続される。第1及び第2のセルストリング選択線をビット線選択トランジスタの制御電極と同じ配線材料で構成することが可能になり、第1及び第2のセルストリング選択線の構成が簡素化される。
本発明の別の具体的な形態として、前記不揮発性メモリセルは、対応するワード線に接続されたメモリゲートと電荷蓄積ゲートとを備え電気的に消去及び書込み可能であるセルであり、前記ディプレッショントランジスタは、対応するセルストリング選択線に接続された、メモリゲートと電荷蓄積ゲートとが接続された構成を備える。前記ディプレッショントランジスタを容易に形成可能になる。
本発明の別の具体的な形態として、複数の主ビット線のいずれかを選択するスイッチと、このスイッチを介して伝達されたデータを増幅するセンスラッチとを備える。主ビット線毎にセンスラッチを設ける場合に比べてセンスラッチの配置ピッチが緩和される。
〔2〕本発明の別の観点による半導体記憶装置は、複数のメモリブロックと、前記複数のメモリブロックが共有する複数の主ビット線と、前記複数のメモリブロックに接続された複数のワード線と、ゲート制御線と、ソース線とを有し、前記メモリブロックは、対応するワード線に接続されたメモリゲートと電荷蓄積ゲートとを備え電気的に消去及び書込み可能な複数の不揮発性メモリセルが直列接続された複数列のセルストリングと、ゲート電極がそれぞれ前記ゲート制御線に接続され、前記各セルストリングの一端を前記ソース線に接続する、各セルストリング毎に設けられたソース線接続トランジスタと、第1と第2の2列のセルストリングの他端を同一の主ビット線にそれぞれ接続可能とする第1と第2のビット線接続トランジスタとを含む。各前記第1と第2のビット線接続トランジスタは、前記主ビット線の長手方向に隣接する2個のメモリブロックの2つのセルストリングに挟まれるように配置される。
これによれば、各メモリブロックは、第1と第2の2列のセルストリングを同一の主ビット線にそれぞれ接続可能とする第1と第2のビット線接続トランジスタとを含むので、ビット線接続トランジスタがないものに比べ、主ビット線の配線ピッチが緩和される。
本発明の一つの具体的な形態として、前記メモリブロックにおいて各々の主ビット線の長手方向に沿った線の両側に夫々1列づつセルストリングが配置される。主ビット線とセルストリングとを規則的に配置するのに望ましい一つの形態である。
本発明の一つの具体的な形態として、前記メモリブロックにおいて各々の主ビット線に対応する相互に一方のセルストリングの半導体活性領域上にある他方のセルストリングを制御するためのビット線選択トランジスタのゲート制御線下に配置されるトランジスタはディプレッション型である。ビット線選択トランジスタのゲート制御線をビット線選択トランジスタの制御電極と同じ配線材料で構成することが可能になり、ビット線選択トランジスタのゲート制御線の構成が簡素化される。
本発明の一つの具体的な形態として、前記主ビット線は金属配線であり、前記主ビット線は2本づつ前記主ビット線を選択するスイッチを介して結合され、この結合された部分にセンスラッチが接続される。主ビット線毎にセンスラッチを設ける場合に比べてセンスラッチの配置ピッチが緩和される。
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
即ち、第1と第2のセル列に対応して第1の主ビット線、第3と第4のセル列対応して、第2の主ビット線と、を設けたので、セル列1つづつに対応して主ビット線を1つづつ設けたものに比べ、主ビット線の配線ピッチを緩和することができる。
また、他の発明によれば、各ブロックは、第1と第2の2列のセルストリングを同一の主ビット線にそれぞれ接続可能とする第1と第2のビット線接続トランジスタとを含むので、ビット線接続トランジスタがないものに比べ、主ビット線の配線ピッチを緩和することができる。
図1には本発明の一例に係るフラッシュメモリにおけるNAND型メモリアレイの回路構成が例示される。同図には2本の主ビット線GBL<n−1>、GBL<n>が例示され、代表的に示された主ビット線GBL<n−1>、GBL<n>を共有する2個のメモリブロックBLOCK_A,BLOCK_Bが例示される。メモリブロックBLOCK_A,BLOCK_Bは消去単位とされ、各々のメモリブロックはレイアウト面積削減のために同一ウェル領域に形成される。ビット線及びメモリブロックはフラッシュメモリの記憶容量とメモリアレイのマット構成に応じて多数配置されているがここではその詳細な説明は省略する。
各々のブロックBLOCK_A,BLOCK_Bは不揮発性メモリセルQMが直列形態で形成された副ビット線としての複数列のセルストリングSTRG_A,STRG_Bを備える。主ビット線とセルストリングは階層ビット線構造を成す。図示はしないが前記不揮発性メモリセルQMはnチャネル型とされ、P型ウェル領域に形成されたソース及びドレインと、その間のチャネル形成領域の上にトンネル酸化膜を介して形成された電荷蓄積膜としてのフローティングゲートを有し、その上に絶縁膜を介してメモリゲート(コントロールゲート)が形成された構造を有する。各々のメモリブロックBLOCK_A,BLOCK_BにおいてセルストリングSTRG_A,STRG_Bは各々の主ビット線GBL<n−1>、GBL<n>に対応して夫々の左右に1列づつ配置されている。各々のメモリブロックBLOCK_A,BLOCK_Bにおいて不揮発性メモリセルのメモリゲートは行単位でワード線WL<0>〜WL<31>に接続する。
メモリブロックBLOCK_Aにおいて各々のセルストリングSTRGの上端はソース線接続トランジスタSGS_Aを介しソース線SL_Aに共通接続される。ソース線接続トランジスタQS_Aのゲートは行方向に配置されゲート制御線SGS_Aに共通接続される。メモリブロックBLOCK_Aにおいて各々の主ビット線GBL<n−1>、GBL<n>の左に配置されたセルストリングSTRGの下端はビット線接続トランジスタQB1_Aを介して対応する主ビット線に接続され、各々の主ビット線GBL<n−1>、GBL<n>の右に配置されたセルストリングSTRGの下端はビット線接続トランジスタQB2_Aを介して対応する主ビット線に接続される。ビット線接続トランジスタQB1_Aのゲートは行方向に敷設されたゲート制御線SGB1_Aに接続され、ビット線接続トランジスタQB2_Aのゲートは行方向に敷設されたゲート制御線SGB2_Aに接続される。ソース線と主ビット線との間に配置された前記セルストリング、ソース線接続トランジスタ及びビット線接続トランジスタの直列回路はセル列を構成する。
メモリブロックBLOCK_BはメモリブロックBLOCK_Aに対して大凡線対称の配置を有し、各々のセルストリングSTRGの下端はソース線接続トランジスタSGS_Bを介しソース線SL_Bに共通接続される。ソース線接続トランジスタQS_Bのゲートは行方向に配置されゲート制御線SGS_Bに共通接続される。メモリブロックBLOCK_Bにおいて各々の主ビット線GBL<n−1>、GBL<n>の左に配置されたセルストリングSTRGの上端はビット線接続トランジスタQB1_Bを介して対応する主ビット線に接続され、各々の主ビット線GBL<n−1>、GBL<n>の右に配置されたセルストリングSTRGの上端はビット線接続トランジスタQB2_Bを介して対応する主ビット線に接続される。ビット線接続トランジスタQB1_Bのゲートは行方向に敷設されたゲート制御線SGB1_Bに接続され、ビット線接続トランジスタQB2_Bのゲートは行方向に敷設されたゲート制御線SGB2_Bに接続される。
図1において破線で囲んだ領域には寄生トランジスタQPが存在している。図1の回路構成に対応するレイアウト構成を例示する図2より明らかなように、セルストリングSTRG_A,STRG_Bが形成される拡散層等の半導体活性領域ODの上にゲート制御線SGB1_B,SGB1_A,SGB2_B,SGB2_Aが配置されていて、各々の主ビット線GBL<n−1>、GBL<n>に対応する相互に一方のセルストリングの半導体活性領域OD上にある他方のセルストリングを制御するためのビット線選択トランジスタのゲート制御線下に寄生トランジスタQPが形成されている。寄生トランジスタQPは不純物拡散等による閾値電圧制御によってディプレッション状態にされ、そのような寄生トランジスタは常時オン状態にされ、セルストリングの主ビット線への導通が妨げられないようになっている。例えば、メモリブロックBLOCK_AにセルストリングSTRG_Aを主ビット線GBL<n−1>の導通させるとき、ゲート制御線SGB1_Aがハイレベル、その他のゲート制御線SGB1_B,SGB2_B,SGB2_Aがローレベルにされるが、このとき、当該セルストリングSTRG_Aに直列形態の寄生トランジスタQPがオフ状態にはならない。
図2において主ビット線GBL<n−1>、GBL<n>はアルミニウム等の金属配線であり、コンタクトホールCHを介して半導体活性領域ODのソース・ドレインに結合される。ワード線WL<0>〜WL<31>、ソース線SL_A,SL_B、ゲート制御線SGS_A,SGS_B,SGB1_B,SGB1_A,SGB2_B,SGB2_Aは例えばポリシリコンによって構成される。尚、ソース線接続トランジスタQS_B,QS_A及びビット線接続トランジスタQB1_A,QB2_A,QB1_B,QB2_Bは不揮発性メモリセルQMと同じトランジスタをフローティングゲートとメモリゲートを短絡して構成される。DPLの部分はメモリセルのトランジスタのチャネル形成領域と不純物濃度が異なるディプレション領域を示す。
図3には図2における主ビット線GBL方向の縦断面とワード線WL方向の断面が例示される。STIはトレンチ分離(Shallow Trench Isolation)である。
図4には1本の主ビット線に対して1メモリブロック内のセルストリング及びビット線選択トランジスタを1個とする比較例に係る回路図を示し、図5にはそのレイアウト構成を示す。図6には図5における主ビット線GBL方向の縦断面とワード線WL方向の断面が例示される。図1乃至図3の構成によれば、1本の主ビット線に対して1メモリブロック内のビット線選択トランジスタは図4乃至図6に比べて1個から2個に増えるため、メモリアレイ内の面積は増えることとなるが、主ビット線の配線ピッチを比較例の2倍にすることができる。これにより、図1乃至図3のメモリアレイ構成では金属配線プロセス技術の難易度を低くすることができ、メタル配線関係の不良低減、歩留の改善を行うことができる。また、主ビット線の配線抵抗及び配線容量を小さくできるためリード動作の高速化が可能になる。更に、レイアウト的に横方向の配置制約が緩和される。例えば図7に例示されるように、前記主ビット線を2本づつカラムスイッチYG_1,YG_2を介して結合し、結合ノードにセンスラッチSLが接続されるアレイ構成を採用する場合、1本の主ビット線に対して1ブロック内で異なるゲート電極を有する2個のビット線選択トランジスタを介して各々異なるセルストリングに接続されるので、主ビット線の配線ピッチが4Fに拡大され、主ビット線の配列に沿ったセンスラッチ等の横方向の配置制約を緩和することができる。図8は図4乃至図6のアレイ構成に対応するもので、主ビット線の配線ピッチは2Fに半減されている。
尚、同一記憶容量に対して図1のメモリアレイ構成を採用するときは、主ビット線の数を図3に比べて半減させることができ、このとき主ビット線の選択に用いるアドレス信号のビット数は減るが、減った分のアドレスビットをビット線接続トランジスタの選択に用いればよい。
本実施の形態によれば、1本の主ビット線に対して1ブロック内のビット線選択トランジスタが従来の1個から複数個に増えるため、メモリアレイ内の面積は増えることとなるが、主ビット線の配線ピッチを従来よりも大きくすることができる。これにより、主ビット線に金属配線を用いる場合、金属配線プロセス技術の難易度を低くすることができ、メタル配線関係不良の低減、歩留の改善に資することができる。また、主ビット線の配線抵抗及び配線容量を小さくできるためリード動作の高速化が可能になる。更に、レイアウト的に横方向の配置が緩和される。主ビット線は拡散層等によるセルストリングに比べて配線長が長いから、その意味において主ビット線ピッチを緩和することは意味がある。
図9には本発明に係るフラッシュメモリにおける別のNAND型メモリアレイの回路構成が例示される。図1との相違点は寄生トランジスタQPが形成されないようにしたことである。例えば、ゲート制御線SGB1_B,SGB1_A,SGB2_B,SGB2_Aにはアルミニウム等の金属配線を使用し、寄生トランジスタQPが形成されないようにする。このとき、ビット線選択トランジスタQB1_A,QB1_B,QB2_A,QB2_B毎にポリシリコン等から成るゲート電極を前記金属配線に個別に接続するシャント構造を採用する。その他は図1と同様であり同一の回路要素には同一符号を付してのその詳細な説明を省略する。
本実施の形態によれば、ディプレッショントランジスタをメモリセル列に形成しないため、ディプレッショントランジスタによる寄生容量等の効果をなくすことができる。
図10には本発明に係るフラッシュメモリにおける更に別のNAND型メモリアレイの回路構成が例示される。図1との相違点はビット線接続トランジスタQB1_A,QB2_A,QB1_B,QB2_Bとディプレション状態の寄生トランジスタの配置を変更したことである。即ち、個々のメモリブロックにおいて、各セル列にディプレション状態の1個の寄生トランジスタと1個のビット線接続トランジスタの直列回路を配置すると共に、主ビット線を共有するセル列間でディプレション状態の1個の寄生トランジスタと1個のビット線接続トランジスタの列方向配置が逆にされる。その他は図1と同様であり同一の回路要素には同一符号を付してのその詳細な説明を省略する。
本実施の形態によれば、各メモリセル列に同じ数(ここでの例では1個)のディプレッショントランジスタを設けたので、各メモリセル列間のディプレッショントランジスタの影響を、ほぼ同様とすることができる。
図11には本発明を適用したフラッシュメモリが示される。同図に示されるフラッシュメモリ1は、特に制限されないが、公知の半導体集積回路製造技術によって単結晶シリコンのような1個の半導体基板(チップ)に形成される。同図に示されるフラッシュメモリ1は、NAND型スタック構造のメモリアレイ(MARY)2を備える。メモリアレイ2は図1及び図2で説明したメモリブロックを備える。
データ制御回路(DCNT)9は各々の主ビット線GBLに対応した記憶回路とカラムスイッチ回路を有する。書込み動作時に、書込みデータはデータ入出力バッファ(DBUF)7からアンプ(AMP)8を経由して、カラムスイッチ回路で選択されたカラムに属する前記記憶回路に入力される。読出し動作時、リードデータは前記記憶回路に一次的に保持され、前記カラムスイッチ回路で選択されたカラムに属する前記憶回路からアンプ8及びデータバッファ7を経由してフラッシュメモリ1の外部に出力される。カラムデコーダ(CDEC)6はカラムアドレス信号が指定するアドレスに基づいてカラムスイッチ回路にカラムを選択させる。記憶回路は前記センスラッチSL等を備えて構成される。カラムスイッチ回路は前記カラムスイッチYG_1,YG_2などを備えて構成される。
ワード線及びブロック制御回路(WL・BLK_CNT)5はロウアドレスデコーダ及びワードドライバを有する。このワード線及びブロック制御回路(WL・BLK_CNT)5は動作モード(消去、書込み、読出し)とロウアドレス信号が指定するアドレスとに基づいてワード線WLの電位とゲート制御線SGS_A,SGS_B、SGB1_A,SGB2_A,SGB1_B,SGB2_Bの電位を制御する。なお、SGB1_Aが選択状態のとき、SGB2_A、SGB1_B、SGB2_Bを非選択状態とし、SGB2_Aが選択状態のとき、SGB1_A、SGB1_B、SGB2_Bを非選択状態とし、SGB1_Bが選択状態のとき、SGB2_B、SGB1_A、SGB2_Aを非選択状態とし、SGB2_Bが選択状態のとき、SGB1_B、SGB1_A、SGB2_Aを非選択状態とする。アドレスバッファ(ABUF)4はフラッシュメモリ1の外部からロウアドレス信号及びカラムアドレス信号が入力される。
ウェル及びソース線制御回路(WEL・SL_CNT)13は、動作モード(消去、書込み、読出し)に基づいて複数のメモリブロックに対応するウェル領域の電位並びにソース線の電位を制御する。
電圧発生回路(VPG)12はワード線駆動電圧やウェル電位等の動作電圧を生成する。例えば、書込み時に、電圧発生回路12は書込み選択ワード線電圧、書込み非選択ワード線電圧等を発生する。これらの電電圧は複数のブロックのうち、選択されたブロック内の複数本のワード線に振り分けられることになる。また、消去時に、電圧発生回路12は消去用のウェル電圧を発生する。この消去用のウェル電圧は消去対象として選択されたブロックのウェル領域に印加される。
コマンドインタフェース回路(CMDIF)10はフラッシュメモリ1の外部から供給されるアクセス制御信号に基づいて、データ入出力バッファ7に入力されるデータがホスト装置から供給されるコマンドデータであるか否かを判定する。データ入出力バッファ7に入力されたデータがコマンドデータである場合、コマンドインタフェース回路10はコマンドデータをステートマシン(STCNT)11に供給する。
ステートマシン11は、コマンドデータに基づいてフラッシュメモリ1の動作モード(消去、書込み、読出し)を決定し、決定した動作モードに応じて、フラッシュメモリ1の全体の動作を制御する。
例えば消去動作モードにおいては、消去対象メモリブロック内の全ワード線WLに0Vを印加し、そのウェル領域に20Vのウェル電圧を印加して、フローティングゲート中の電子をFN電界によりウェル領域に引き抜くことでメモリセルの閾値電圧を低くする。書込み動作モードにおいては、書込み対象とされる不揮発性メモリセルが形成されるメモリブロックのウェル領域が0V、書込み対象とされる不揮発性メモリセルQMのワード線WLにはブロック制御回路5によって15V程度から0.5V刻みに制御された書込み選択ワード線電圧が印加され、書込み対象とされる不揮発性メモリセルQMの主ビット線には0Vが供給されることで、トンネル酸化膜中をFN電界により電子をフローティングゲート中に注入してメモリセルトランジスタの閾値電圧を高くする。このとき、書込み選択メモリブロックにおいて非選択ワード線には非選択ワード線電圧としての10V程度の転送電圧が印加され、ビット線接続トランジスタのゲートを3V、ソース線接続トランジスタのゲートを0Vにする。これは、書込み非選択ワード線を転送電圧にすることで、当該転送電圧をゲートに受ける不揮発性メモリセルQMのチャネル領域の電圧を自己昇圧(セルフブースト)してトンネル酸化膜に印加される電界を緩和するためである。読出し動作モードにおいては、主ビット線を充電し、読出し選択メモリブロックにおいて、メモリビット線接続トランジスタのゲートを5V、ソース線接続トランジスタのゲートを5Vとし、読出し選択ワード線を読出し判定レベル0V、読出し非選択ワード線を5Vとする。これにより、読出し対象とされる不揮発性メモリセルが消去状態であれば主ビット線がディスチャージされ、書込み状態であればプリチャージ状態を維持し、その相違をセンスラッチSLで検出することによって記憶情報の判定を行う。
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
例えば、1メモリブロック当たり1本の主ビット線に対して設けるストリングアレイは2列に限定されず、それより多くてもよい。また、1本の主ビット線に対してストリングアレイを設ける位置は左右に限定されず主ビット線の長手方向に複数列配置してもよい。また、不揮発性メモリセルによる情報記憶は2値記憶又は4値等の多値記憶の何れであってもよい。不揮発性メモリセルはフローティングゲートを持つスタックドゲート構造に限定されない。フローティングゲートに代えてシリコンナイトライド等のトラップ膜を採用したスタックドゲート構造等であってもよい。本発明はフラッシュメモリに限定されず、EEPROM等、その他の不揮発性メモリにも適用可能である。本発明に係る半導体記憶装置は不揮発性メモリLSIに限定されず、マイクロコンピュータ等のデータ処理LSIのオンチップメモリであってもよい。また消去電圧や書込み電圧は適宜変更可能である。
QM 不揮発性メモリセル
GBL<n−1>、GBL<n> 主ビット線
BLOCK_A,BLOCK_B メモリブロック
STRG_A,STRG_B セルストリング
WL<0>〜WL<31> ワード線
SL_A、SL_B ソース線
QS_A、QS_B ソース線接続トランジスタ
QB1_A,QB2_A、QB1_B,QB2_B ビット線接続トランジスタ
SGS_A,SGS_B,SGB1_B,SGB1_A,SGB2_B,SGB2_A ゲート制御線
QP 寄生MOSトランジスタ
YG_1,YG_2 カラムスイッチ
SL センスラッチ
1 フラッシュメモリ
2 メモリアレイ(MARY)
5 ワード線及びブロック制御回路(WL・BLK_CNT)
9 データ制御回路(DCNT)
11 ステートマシン(STCNT)
13 ソース線制御回路(WEL・SL_CNT)
GBL<n−1>、GBL<n> 主ビット線
BLOCK_A,BLOCK_B メモリブロック
STRG_A,STRG_B セルストリング
WL<0>〜WL<31> ワード線
SL_A、SL_B ソース線
QS_A、QS_B ソース線接続トランジスタ
QB1_A,QB2_A、QB1_B,QB2_B ビット線接続トランジスタ
SGS_A,SGS_B,SGB1_B,SGB1_A,SGB2_B,SGB2_A ゲート制御線
QP 寄生MOSトランジスタ
YG_1,YG_2 カラムスイッチ
SL センスラッチ
1 フラッシュメモリ
2 メモリアレイ(MARY)
5 ワード線及びブロック制御回路(WL・BLK_CNT)
9 データ制御回路(DCNT)
11 ステートマシン(STCNT)
13 ソース線制御回路(WEL・SL_CNT)
Claims (10)
- 複数の不揮発性メモリセルが第1の方向に直列接続されたセルストリングと、このセルストリングの一方端に一方の導通端が電気的に接続されたソース線接続トランジスタと、前記セルストリングの他方端に一方の導通端が電気的に接続されたビット線接続トランジスタとを含んでセル列を構成し、前記第1の方向に直交する第2の方向に順次連続して配列された第1から第4のセル列が配列された第1のブロックと、
前記第1と第2のセル列のビット線接続トランジスタの他方の導通端に接続され、前記第1の方向に伸びる第1の主ビット線と、
前記第3と第4のセル列のビット線接続トランジスタの他方の導通端に接続され、前記第1の方向に伸びる第2の主ビット線と、
前記第2の方向に伸び、前記第1から第4のセル列の対応の不揮発性メモリセルの制御電極にそれぞれ接続される前記第1のブロックの複数のワード線と、
前記第2の方向に伸び、前記第1から第4のセル列のソース線接続トランジスタの制御電極にそれぞれ接続される前記第1のブロックのソース選択線と、
前記第2の方向に伸び、前記第1から第4のセル列のソース線接続トランジスタの他方の導通端に接続される前記第1のブロックのソース線と、
前記第1と第3のセル列のビット線接続トランジスタの制御電極に接続された前記第1のブロックの第1のセルストリング選択線と、
前記第2と第4のセル列のビット線接続トランジスタの制御電極に接続された前記第1のブロックの第2のセルストリング選択線と、を備える半導体記憶装置。 - 前記第1の主ビット線を挟むように前記第1と第2のメモリセル列が設けられ、前記第2の主ビット線を挟むように前記第3と第4のメモリセル列が設けられた、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記第2の方向に伸びる線に対し折り返すように、前記第1のブロックに対応して第2のブロック、前記第1のブロックの複数のワード線に対応して第2のブロックの複数のワード線、前記第1のブロックの第1のソース選択線に対応して第2のブロックのソース選択線、前記第1のブロックのソース線に対応して第2のブロックのソース線、前記第1のブロックの第1のセルストリング線に対応して第2のブロックの第1のセルストリング線、前記第1のブロックの第2のセルストリング線に対応して第2のブロックの第2のセルストリング線が設けられ、
前記第1の主ビット線は、前記第2のブロックの前記第1と第2のセル列のビット線接続トランジスタの他方の導通端に接続され、
前記第2の主ビット線は、前記第2のブロックの前記第3と第4のセル列のビット線接続トランジスタの他方の導通端に接続された、請求項1もしくは2に記載の半導体記憶装置。 - 前記各セル列は、対応の前記セルストリングと対応の前記主ビット線との間に、ディプレッション型トランジスタを有し、
前記各ディプレッション型トランジスタの制御電極は、前記第2の方向に隣接する列のビット線接続トランジスタの制御電極に接続されたセルストリング線に接続された、請求項3に記載の半導体記憶装置。 - 前記不揮発性メモリセルは、対応するワード線に接続されたメモリゲートと電荷蓄積ゲートとを備え電気的に消去及び書込み可能であるセルであり、
前記ディプレッショントランジスタは、対応するセルストリング線に接続されたメモリゲートと電荷蓄積ゲートとが接続されたものである、請求項4に記載の半導体記憶装置。 - 複数の主ビット線のいずれかを選択するスイッチと、このスイッチを介して伝達されたデータを増幅するセンスラッチとを備える、請求項1から5のいずれかに記載の半導体記憶装置。
- 複数のメモリブロックと、前記複数のメモリブロックが共有する複数の主ビット線と、前記複数のメモリブロックに接続された複数のワード線と、ゲート制御線と、ソース線とを有し、
前記メモリブロックは、対応するワード線に接続されたメモリゲートと電荷蓄積ゲートとを備え電気的に消去及び書込み可能な複数の不揮発性メモリセルが直列接続された複数列のセルストリングと、ゲート電極がそれぞれ前記ゲート制御線に接続され、前記各セルストリングの一端を前記ソース線に接続する、各セルストリング毎に設けられたソース線接続トランジスタと、第1と第2の2列のセルストリングの他端を同一の主ビット線にそれぞれ接続可能とする第1と第2のビット線接続トランジスタとを含み、
各前記第1と第2のビット線接続トランジスタは、前記主ビット線の長手方向に隣接する2個のメモリブロックの2つのセルストリングに挟まれるように配置される、半導体記憶装置。 - 前記メモリブロックにおいて各々の主ビット線の長手方向に沿った線の両側に夫々1列づつセルストリングが配置された請求項7に記載の半導体記憶装置。
- 前記メモリブロックにおいて各々の主ビット線に対応する相互に一方のセルストリングの半導体活性領域上にある他方のセルストリングを制御するためのビット線選択トランジスタのゲート制御線下に配置されるトランジスタはディプレッション型である請求項8に記載の半導体記憶装置。
- 前記主ビット線は金属配線であり、前記主ビット線は2本づつ前記主ビット線を選択するスイッチを介して結合され、この結合された部分にセンスラッチが接続された請求項9に記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006141552A JP2007310999A (ja) | 2006-05-22 | 2006-05-22 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006141552A JP2007310999A (ja) | 2006-05-22 | 2006-05-22 | 半導体記憶装置 |
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JP2007310999A true JP2007310999A (ja) | 2007-11-29 |
Family
ID=38843712
Family Applications (1)
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JP2006141552A Withdrawn JP2007310999A (ja) | 2006-05-22 | 2006-05-22 | 半導体記憶装置 |
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JP (1) | JP2007310999A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011040706A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-24 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
-
2006
- 2006-05-22 JP JP2006141552A patent/JP2007310999A/ja not_active Withdrawn
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