JP2007307223A - 粒子線照射装置 - Google Patents

Abstract

【課題】レンジシフタを小さくすることで、装置全体を小型化し、さらに、装置の駆動が速くなる粒子線照射装置を得る。
【解決手段】この発明に係る粒子線照射装置は、入射された粒子線１を一定方向に平行移動させ、粒子線１の入射軸を中心に回転可能なスキャン電磁石２と、スキャン電磁石２の反入射側には、ブラッグピークの深さを短くする第１のレンジシフタプレート５が積層され、スキャン電磁石２と同期して入射軸を中心に回転可能なレンジシフタ３とを備えた粒子線照射装置において、レンジシフタ３は、入射軸と平行で各第１のレンジシフタプレート５が入射軸に対して直交する方向に回動自在に支持されたレンジシフタ回転軸６と、レンジシフタ回転軸６を中心に各第１のレンジシフタプレート５を回動させて、粒子線１の通路に対して出し入れさせるエアシリンダ７とを備えている。
【選択図】図１

Description

この発明は、粒子線の人体内部におけるブラッグピークの深さを調整するレンジシフタを備えた粒子線照射装置に関する。

従来、粒子線照射装置として、入射された粒子線を照射領域に合わせ、入射軸に直交しかつ互いに直交した方向に曲げる一対のスキャン電磁石と、スキャン電磁石の反入射側に設けられ、粒子線の入射軸に直交する方向に平行移動して粒子線の通路に出し入れされ、粒子線の人体内部におけるブラッグピークの深さを調整する複数のレンジシフタプレートを有するレンジシフタとを備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００１−６１９７８号公報

しかしながら、このものの場合、スキャン電磁石が粒子線を照射領域に合わせて曲げるので、複数のレンジシフタプレートを有するレンジシフタの粒子線が通過する面積が大きくなり、レンジシフタを大きくすることで粒子線照射装置全体が大型化するという問題点があった。また、レンジシフタプレートが大きくなるので、レンジシフタプレートの出し入れが遅くなり、粒子線照射装置の駆動が遅くなるという問題点があった。

この発明は、上述のような問題点を解決することを課題とするものであって、その目的は、レンジシフタを小さくすることで装置全体を小型化し、さらに、レンジシフタプレートの出し入れを速くすることにより、照射される人体の拘束時間が短くなる粒子線照射装置を提供するものである。

この発明に係る粒子線照射装置は、入射された粒子線を一定方向に平行移動させ、前記粒子線の入射軸を中心に回転可能なスキャン電磁石と、前記スキャン電磁石の反入射側に設けられ、前記粒子線の人体内部におけるブラッグピークの深さを調整し、前記スキャン電磁石と同期して前記入射軸を中心に回転可能なレンジシフタとを備え、前記レンジシフタには、前記ブラッグピークの深さを短くする複数の第１のレンジシフタプレートが積層されている粒子線照射装置において、前記レンジシフタは、前記入射軸と平行に設けられ、各前記第１のレンジシフタプレートが前記入射軸に対して直交する方向に回動自在に支持されたレンジシフタ回転軸と、各前記第１のレンジシフタプレートに設けられ、前記レンジシフタ回転軸を中心に各前記第１のレンジシフタプレートを回動させて、前記粒子線の通路に対して出し入れさせるレンジシフタ回動手段とを備えたものである。

この発明に係る粒子線照射装置によれば、装置全体を小型化し、さらに、装置の駆動を速くすることができる。

以下、この発明の各実施の形態を図に基づいて説明するが、各図において、同一または相当の部材、部位については、同一符号を付してある。

実施の形態１．
図１（ａ）は実施の形態１に係る粒子線照射装置の断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）をＹ方向から視た時の断面図、図２は図１の粒子線照射装置の内部斜視図、図３（ａ）は図１の第１のレンジシフタプレート５の平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ―Ａ線に沿った矢視断面図、図４は図１のレンジシフタフレーム４を除いたレンジシフタ３を示す斜視図である。

実施の形態１に係る粒子線照射装置は、図示しない粒子線加速装置で加速された粒子線１が入射し、この粒子線１を一定方向に平行移動させるスキャン電磁石２と、このスキャン電磁石２の反入射側に設けられ、粒子線１の人体内部に侵入する深さであるブラッグピークの深さを調整するレンジシフタ３とを備えている。
スキャン電磁石２は、粒子線１の入射方向に重ねられた一対の電磁石を有している。各電磁石は、磁界の方向が粒子線１の入射軸に直交する方向で、互いに逆向きであり、さらに、磁界の大きさが等しい。また、図示しない制御装置により、各電磁石の磁界の大きさを変化させることができる。

レンジシフタ３は、筒形状のレンジシフタフレーム４と、このレンジシフタフレーム４の内部に設けられた複数の第１のレンジシフタプレート５と、レンジシフタフレーム４の内部で粒子線１の入射軸と平行に固定されたレンジシフタ回転軸６と、各第１のレンジシフタプレート５に設けられたレンジシフタ回動手段であるエアシリンダ７とを有している。

筒形状のレンジシフタフレーム４の対向した一対の孔４ａ、４ｂは、粒子線１の通路となっている。
各第１のレンジシフタプレート５は、ブラッグピークの深さを調整するために、粒子線１の入射軸上に積層されている。
レンジシフタ回転軸６は、各第１のレンジシフタプレート５を粒子線１の入射軸に対して直交する方向に回動自在に支持している。
エアシリンダ７は、レンジシフタ回転軸６を中心に第１のレンジシフタプレート５を回動させる。

レンジシフタ３とスキャン電磁石２との間には、両者を固定する固定部材１９が設けられている。したがって、図示しないモータによりスキャン電磁石２が回転すると、レンジシフタ３はスキャン電磁石２と同期して粒子線１の入射軸を中心に回転する。

レンジシフタ３の反スキャン電磁石２側には、粒子線１の量を測定する粒子線量モニタ９が設けられている。
粒子線量モニタ９の反レンジシフタ３側には、粒子線１の位置を測定する粒子線位置モニタ１０が設けられている。
粒子線位置モニタ１０の反粒子線量モニタ９側には、粒子線１を照射する被照射体１１が配置される。

図５に示すように、エアシリンダ７の一端部は、ジョイント８を介して第１のレンジシフタプレート５に連結されている。また、エアシリンダ７の他端部は、ジョイント８を介してレンジシフタフレーム４に連結されている。これらのジョイント８により、エアシリンダ７の第１のレンジシフタプレート５に対する角度は自由に変わり、第１のレンジシフタプレート５を回動させる。
図示しない駆動装置により、エアシリンダ７が動作して、図５、図６に示すように、第１のレンジシフタプレート５は、粒子線１の通路に出し入れされる。

また、レンジシフタフレーム４の内部には、第１のレンジシフタプレート５が回動して粒子線１の通路に出し入れされる際の衝撃を吸収するためのダンパー１４が２ヶ所停止する位置に設けられている。

粒子線１の照射領域は、スキャン電磁石２により一定方向に平行移動される粒子線１のスキャン幅と粒子線１そのものの大きさから決まる。スキャン幅をＤ、粒子線１の広がり（ガウス分布を仮定した場合の１σ値）を半径Ｒとした場合、粒子線１の最大半径をｒ＝３Ｒとし、粒子線１が照射される第１のレンジシフタプレート５の領域の大きさを、長さがＤ＋２ｒ、幅が２ｒとすれば、第１のレンジシフタプレート５の粒子線１照射領域を必要最小限の大きさとすることができる。
そこで、図３に示すように、第１のレンジシフタプレート５は、長さがＤ＋２ｒ、幅が２ｒである領域には、人体の組織と等価である水等価媒質１２と、この水等価媒質１２の周囲には、水等価媒質１２を固定する水等価媒質固定枠１３とを有している。
水等価媒質１２は、その内部に粒子線１が通過すると、粒子線１の人体内部におけるブラッグピークの深さを短くする性質を有している。なお、ブラッグピークの深さを短くする目的のためには、水等価媒質以外の物質を使用する事ができるが、散乱効果などの影響を統一するために、水等価媒質を用いる事が一般的である。
各第１のレンジシフタプレート５の水等価媒質１２は、全て同じ厚さ（例えば１ｍｍ）で構成され、一枚あたりの重量は軽いものになっている。
なお、水等価媒質固定枠１３の一端部には、レンジシフタ回転軸６が貫通する孔１３ａが形成されている。

次に、実施の形態１に係る粒子線照射装置の動作について説明する。
スキャン電磁石２に入射した粒子線１は、一定方向に平行移動されてスキャン電磁石２の反入射側から飛び出る。この時、スキャン電磁石２を通過した粒子線１は電荷を有しているので、大きさが調整された磁界から電磁力の影響を受け、所望の距離を平行移動する。
さらに、スキャン電磁石２自体が粒子線１の入射軸を中心に所望の角度を回転するので、粒子線１を、入射軸に直交した面に対して自由な位置に調整して照射することができる。

スキャン電磁石２を通過した粒子線１は、レンジシフタ３内の複数の積層された第１のレンジシフタプレート５に入射する。
積層された第１のレンジシフタプレート５は、それぞれに設けられたエアシリンダ７によって、図５および図６に示すように、粒子線１の通路に出し入れされ、粒子線１が通過する水等価媒質１２の総厚みを調整する。その結果、粒子線１の人体内部におけるブラッグピークの深さを調整する。

次に、レンジシフタ３を通過した粒子線１は、粒子線量モニタ９を通過する。これにより、被照射体１１に照射される粒子線１の量を測定する。被照射体１１に照射された粒子線１の量が、所望の量に達した場合は、粒子線１の照射を停止する。
また、粒子線量モニタ９を通過した粒子線１は、粒子線位置モニタ１０を通過する。これにより、被照射体１１に照射される粒子線１の平面上の位置を測定する。所望の粒子線１の位置と異なる場合は、スキャン電磁石２を調整して、粒子線１の位置を調整する。

粒子線位置モニタ１０を通過した粒子線１は、被照射体１１に照射され、被照射体１１内部に侵入する。粒子線１は、被照射体１１の内部で、レンジシフタ３によって調整されたブラッグピークの深さ分だけ進んで停止する。粒子線１は、被照射体１１の内部で、被照射体１１を構成する原子との散乱によって徐々にエネルギーを失いながら進む。粒子線１が損失するエネルギーは、ブラッグピークの手前では比較的小さいが、ブラッグピークの直前から急激に損失エネルギーが大きくなり、ブラッグピーク深さで損失エネルギーは最大となる。

以上説明したように、実施の形態１に係る粒子線照射装置によると、スキャン電磁石２により粒子線１を一定方向に平行移動し、その粒子線１の一定方向の平行移動の寸法に合わせたサイズに第１のレンジシフタプレート５を小さくできるので、装置全体を小型化することができる。
さらに、小型化された第１のレンジシフタプレート５がレンジシフタ回転軸６を中心に回動することにより粒子線１の通路に出し入れされるので、ブラッグピークの深さを速く調整することができ、その結果、装置の駆動を速くすることができる。
また、装置の重量が軽くなり、装置が駆動することにより発生する騒音を低減することができる。

実施の形態２．
図７は実施の形態２に係る粒子線照射装置のレンジシフタフレーム４を除いたレンジシフタ３を示す斜視図である。
この実施の形態２に係る粒子線照射装置では、隣接する第１のレンジシフタプレート５が互いに反対方向に回動するように、一方向に駆動するエアシリンダ７と、他方向に駆動するエアシリンダ７とが交互に各第１のレンジシフタプレート５に設けられている。
その他の構成は、実施の形態１と同様である。

この実施の形態２に係る粒子線照射装置によれば、隣接する第１のレンジシフタプレート５を互いに反対方向に回動させるので、隣接する第１のレンジシフタプレート５に設けられた各エアシリンダ７が、互いに離れて配置されている。
したがって、一方向に駆動する各エアシリンダ７の間隔および他方向に駆動する各エアシリンダ７の間隔を小さくして、隣接する第１のレンジシフタプレート５の間隔を小さくすることができる。
その結果、レンジシフタ３を小型にでき、実施の形態１に係る粒子線照射装置よりさらに小型化することができる。

実施の形態３．
図８は実施の形態３に係る粒子線照射装置のレンジシフタ３を示す平断面図、図９（ａ）は図８のＢ―Ｂ線に沿った矢視断面図、図９（ｂ）は図８のＣ―Ｃ線に沿った矢視断面図である。
この実施の形態３に係る粒子線照射装置では、第１のレンジシフタプレート５が粒子線１の通路に出し入れされた状態における第１のレンジシフタプレート５の近傍で、粒子線１の入射軸に対して直交する方向に第１のレンジシフタプレート５を案内するガイド板１５がレンジシフタフレーム４に設けられている。

このガイド板１５は、第１のレンジシフタプレート５の変形や、レンジシフタ回転軸６への第１のレンジシフタプレート５の取り付けにずれが発生した場合であっても、第１のレンジシフタプレート５は粒子線１の入射軸に対して直交する方向に案内されるので、第１のレンジシフタプレート５は、所定の軌道で回動し、ダンパー１４に正しく当たる。
したがって、第１のレンジシフタプレート５に入射した粒子線１は、安定して水等価媒質１２を通る。
その他の構成は、実施の形態１と同様である。

この実施の形態３に係る粒子線照射装置によれば、粒子線１の入射軸に対して直交する方向に第１のレンジシフタプレート５を案内するガイド板１５が設けられている。
したがって、第１のレンジシフタプレート５が変形し、また、レンジシフタ回転軸６への第１のレンジシフタプレート５の取り付けにずれが発生した場合であっても、第１のレンジシフタプレート５は粒子線１の入射軸に対して直交する方向に案内され、第１のレンジシフタプレート５はダンパー１４に正しく当てることができ、第１のレンジシフタプレート５に入射した粒子線１は、安定して水等価媒質１２を通ることができる。
その結果、被照射体１１に照射される粒子線１のブラッグピークの深さの乱れを低減することができる。

実施の形態４．
図１０は実施の形態４に係る粒子線照射装置の内部斜視図、図１１は図１０の第２のレンジシフタプレート１６が粒子線１の通路に入れられた時のレンジシフタ３を示す平断面図、図１２は図１０の第２レンジシフタプレート１６が粒子線１の通路から出された時のレンジシフタ３を示す平断面図、図１３は図１２のＤ―Ｄ線に沿った矢視断面図である。
この実施の形態４に係る粒子線照射装置では、被照射体１１を照射するための照射深さ（レンジ）の範囲がＤ１〜Ｄ２（Ｄ１＞Ｄ２）であった場合、最適には、粒子線１のエネルギーを調整して、レンジシフタプレート５が粒子線１の通路に全く入れられていない状態でのレンジをＤ１とし、通路に入れられたレンジシフタプレート５の枚数によって、Ｄ１からＤ２までのレンジ範囲を照射する。

しかし、実際には、粒子線１のエネルギーを自由に選択することができないため、レンジシフタプレート５が無い場合のレンジをＤとすると、Ｄ＞Ｄ１であるようなエネルギーの粒子線１を用いて、レンジがＤ１になるまで予め第１のレンジシフタプレート５を通路に入れておき、そこから、さらに第１のレンジシフタプレート５を通路に入れていって、Ｄ１からＤ２の範囲を照射することになる。

このような場合、第１のレンジシフタプレート５を全て単一の厚さで構成した場合、非常に多くのプレートが必要になり、装置全体の重量が増加する。このため、ＤからＤ１へのレンジ調整のために、別途、スライド式のバイナリー型（厚さが１ｍｍ、２ｍｍ、４ｍｍと倍々に用意されたもの）の第２のレンジシフタプレート１６を組み合わせる。

レンジシフタ３は、第２のレンジシフタプレート１６が、第１のレンジシフタプレート５の反スキャン電磁石２側に設けられている。
レンジシフタフレーム４には、第２のレンジシフタプレート１６が粒子線１の入射軸に対して直交に平行移動して出し入れされるように案内するスライドガイド１８が設けられている。

第２のレンジシフタプレート１６の中央部には、第１のレンジシフタプレート５と同様に、水等価媒質１２が設けられている。
第２のレンジシフタプレート１６には、第２のレンジシフタプレート１６を出し入れするためのエアシリンダ７がジョイント８を介して設けられている。
第２のレンジシフタプレート１６の反エアシリンダ７側には、第２のレンジシフタプレート１６を粒子線１の通路に入れたときに、第２のレンジシフタプレート１６の動きを止めるストッパー１７が設けられている。

スライド式の第２のレンジシフタプレート１６は、粒子線１の照射１回について一度出し入れの動作を行えばよいので、高速で動作する必要はなく、安価で軽量な駆動装置を用いてよい。
その他の構成は、実施の形態１と同様である。

実施の形態４に係る粒子線照射装置によれば、予め、被照射体１１の最も深い照射位置を調整する第２のレンジシフタプレート１６が粒子線１の通路に出し入れされるように設けられているので、第１のレンジシフタプレート５の枚数を少なくすることができる。

また、第２のレンジシフタプレート１６は、粒子線１の入射軸に直交する方向に平行移動して粒子線１の通路に対して出し入れされるので、簡単な構成で第２のレンジシフタプレート１６を出し入れすることができる。

なお、上記構成では、第２のレンジシフタプレート１６は、第１のレンジシフタプレート５の反スキャン電磁石２側として説明したが、勿論このものに限らず、第１のレンジシフタプレート５とスキャン電磁石２との間にあってもよく、さらには、第１のレンジシフタプレート５のスキャン電磁石２側および反スキャン電磁石２側の両方に設けられたものであってもよい。

実施の形態５．
図１４は実施の形態５に係る粒子線照射装置のレンジシフタ３を示す平断面図である。
この実施の形態５に係る粒子線照射装置では、レンジシフタ３は、粒子線１の入射軸に平行の２本のレンジシフタ回転軸６ａ、６ｂが、レンジシフタフレーム４の内部に設けられている。
各レンジシフタ回転軸６ａ、６ｂは、複数の第１のレンジシフタプレート５を回動自在に支持している。

レンジシフタ回転軸６ａに支持された第１のレンジシフタプレート５と、レンジシフタ回転軸６ｂに支持された第１のレンジシフタプレート５は、各第１のレンジシフタプレート５の水等価媒質１２が重なり合うように、互いに一枚ずつ交互に積層されている。
各第１のレンジシフタプレート５には、各第１のレンジシフタプレート５が粒子線１の通路に出し入れされるように、エアシリンダ７が設けられている。
レンジシフタフレーム４には、各第１のレンジシフタプレート５が粒子線１の入射軸に出し入れされて停止する位置にダンパー１４がそれぞれに２箇所ずつ設けられている。
その他の構成は、実施の形態１と同様である。

この実施の形態５に係る粒子線照射装置によれば、粒子線１の入射軸に平行なレンジシフタ回転軸６ａ、６ｂが２本設けられ、各レンジシフタ回転軸６ａ、６ｂに回動自在に支持された各第１のレンジシフタプレート５は交互に積層され、隣接する第１のレンジシフタプレート５に設けられた各エアシリンダ７が、互いに離れて配置されている。
したがって、レンジシフタ回転軸６ａに支持された第１のレンジシフタプレート５を回動させる各エアシリンダ７の間隔およびレンジシフタ回転軸６ｂに支持された第１のレンジシフタプレート５を回動させる各エアシリンダ７の間隔を小さくして、隣接する第１のレンジシフタプレート５の間隔を小さくすることができる。
その結果、レンジシフタ３を小型にでき、実施の形態１に係る粒子線照射装置よりさらに小型化することができる。

なお、上記構成では、レンジシフタ回転軸６ａ、６ｂを２本として説明したが、勿論このものに限らず、３本以上であってもよい。この場合にも、各レンジシフタ回転軸には、第１のレンジシフタプレートが設けられ、各第１のレンジシフタプレートには、エアシリンダが設けられている。

実施の形態６．
図１５（ａ）は実施の形態６に係る粒子線照射装置の断面図、図１５（ｂ）は図１５（ａ）のＹ方向から視た時の断面図である。
この実施の形態６に係る粒子線照射装置では、スキャン電磁石２とレンジシフタ３とは、互いに別々の動力源である図示しないモータがそれぞれに接続されている。また、スキャン電磁石２とレンジシフタ３は、図示しない制御装置により、粒子線１の入射軸を中心に互いが同期して回転する。
その他の構成は、実施の形態１と同様である。

この実施の形態６に係る粒子線照射装置によれば、スキャン電磁石２を回転させる動力とレンジシフタ３を回転させる動力を、電気的、機械的に切り分けた構成であるので、スキャン電磁石２とレンジシフタ３のそれぞれの駆動により発生するノイズ、振動により、互いが干渉されることを低減することができ、装置の誤作動の発生を低減することができる。

図１（ａ）は実施の形態１に係る粒子線照射装置の断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）をＹ方向から視た時の断面図である。 図１の粒子線照射装置の内部斜視図である。 図３（ａ）は図１の第１のレンジシフタプレートの平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）Ａ―Ａ線に沿った矢視断面図である。 図１のレンジシフタフレームを除いたレンジシフタを示す斜視図である。 図１の第１のレンジシフタプレートが粒子線の通路に入れられた時のレンジシフタを示す平断面図である。 図１の第１のレンジシフタプレートが粒子線の通路から出された時のレンジシフタを示す平断面図である。 実施の形態２に係る粒子線照射装置のレンジシフタフレームを除いたレンジシフタを示す斜視図である。 実施の形態３に係る粒子線照射装置のレンジシフタを示す平断面図である。 図９（ａ）は図８のＢ―Ｂ線に沿った矢視断面図、図９（ｂ）は図８のＣ―Ｃ線に沿った矢視断面図である。 実施の形態４に係る粒子線照射装置の内部斜視図である。 図１０の第２のレンジシフタプレートが粒子線の通路に入れられた時のレンジシフタを示す平断面図である。 図１０の第２のレンジシフタプレートが粒子線の通路から出された時のレンジシフタを示す平断面図である。 図１２のＤ―Ｄ線に沿った矢視断面図である。 実施の形態５に係る粒子線照射装置のレンジシフタを示す平断面図である。 図１５（ａ）は実施の形態６に係る粒子線照射装置の断面図、図１５（ｂ）は図１５（ａ）のＹ方向から視た時の断面図である。

符号の説明

１ 粒子線、２ スキャン電磁石、３ レンジシフタ、４ レンジシフタフレーム、４ａ、４ｂ 孔、５ 第１のレンジシフタプレート、６、６ａ、６ｂ レンジシフタ回転軸、７ エアシリンダ、８ ジョイント、９ 粒子線量モニタ、１０ 粒子線位置モニタ、１１ 被照射体、１２ 水等価媒質、１３ 水等価媒質固定枠、１３ａ 孔、１４ ダンパー、１５ ガイド板、１６ 第２のレンジシフタプレート、１７ ストッパー、１８ スライドガイド、１９ 固定部材。

Claims (7)

1. 入射された粒子線を一定方向に平行移動させ、前記粒子線の入射軸を中心に回転可能なスキャン電磁石と、
   前記スキャン電磁石の反入射側に設けられ、前記粒子線の人体内部におけるブラッグピークの深さを調整し、前記スキャン電磁石と同期して前記入射軸を中心に回転可能なレンジシフタと、
   を備え、
   前記レンジシフタには、前記ブラッグピークの深さを短くする複数の第１のレンジシフタプレートが積層されている粒子線照射装置において、
   前記レンジシフタは、
   前記入射軸と平行に設けられ、各前記第１のレンジシフタプレートが前記入射軸に対して直交する方向に回動自在に支持されたレンジシフタ回転軸と、
   各前記第１のレンジシフタプレートに設けられ、前記レンジシフタ回転軸を中心に各前記第１のレンジシフタプレートを回動させて、前記粒子線の通路に対して出し入れさせるレンジシフタ回動手段と、
   を有していることを特徴とする粒子線照射装置。
2. 各前記レンジシフタ回動手段は、隣接する前記第１のレンジシフタプレートを、互いに反対方向に回動させることを特徴とする請求項１に記載の粒子線照射装置。
3. 前記レンジシフタは、各前記第１のレンジシフタプレートの近傍に設けられ前記第１のレンジシフタプレートを前記入射軸に対して直交する方向に案内するガイド板をさらに有していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の粒子線照射装置。
4. 前記レンジシフタは、前記第１のレンジシフタプレートの前記スキャン電磁石側および反前記スキャン電磁石側の少なくとも一方に設けられ、前記ブラッグピークの深さを短くする第２のレンジシフタプレートをさらに有していることを特徴とする請求項１ないし請求項３の何れか１項に記載の粒子線照射装置。
5. 前記第２のレンジシフタプレートは、前記入射軸に対して直交する方向に平行移動して前記通路に対して出し入れされることを特徴とする請求項４に記載の粒子線照射装置。
6. 前記入射軸に平行な前記レンジシフタ回転軸は、複数設けられ、
   各前記レンジシフタ回転軸は、前記入射軸に対して直交する方向に、複数の前記第１のレンジシフタプレートを回動自在に支持し、
   各前記第１のレンジシフタプレートには、各前記レンジシフタ回転軸を中心に各前記第１のレンジシフタプレートを回動させて、前記粒子線の通路に対して出し入れさせるレンジシフタ回動手段が設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項５の何れか１項に記載の粒子線照射装置。
7. 前記レンジシフタと前記スキャン電磁石とは、異なる動力により回転することを特徴とする請求項１ないし請求項６の何れか１項に記載の粒子線照射装置。

Images