JP2007302920A - ＺｎＳ−ＳｉＯ２系光情報記録媒体用誘電保護膜及び該誘電保護膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents

Abstract

【要約書】
【課題】透過率に優れ、反射率の低下が少ないＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜及び該誘電保護膜形成用スパッタリングターゲット得ることを目的とする。
【解決手段】ＺｎＳ：３０〜９５ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２：５〜７０ｍｏｌ％、Ｍｎ：０．００１≦Ｍｎ／（Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｓｉ）≦０．２を含有し、Ｍｎ＜Ｓｉ（原子比）であることを特徴とするＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜又はスパッタリングターゲット及びさらにＳ／（Ｚｎ＋Ｍｎ）＜１である上記ＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜又はスパッタリングターゲット。
【選択図】 図２

Description

本発明は、透過率に優れ、反射率の低下が少ないＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜及び該誘電保護膜形成用スパッタリングターゲットに関する。

近年、磁気ヘッドを必要とせずに書き換え可能な高密度光情報記録媒体である高密度記録光ディスク技術が開発され、急速に商品化されている。特に、ＣＤ−ＲＷは、書き換え可能なＣＤとして１９７７年に登場し現在、最も普及している相変化光ディスクである。このＣＤ−ＲＷの書き換え回数は１０００回程度である。
また、ＤＶＤ用としてＤＶＤ−ＲＷが開発され商品化されているが、このディスクの層構造は基本的にＣＤ−ＲＷと同じものである。この書き換え回数は１０００〜１００００回程度である。

一般に、ＣＤ−ＲＷ又はＤＶＤ−ＲＷ等に使用される相変化光ディスクは、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系又はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の記録薄膜層の両側を、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２系の高融点誘電体の保護層で挟み、さらに銀若しくは銀合金又はアルミニウム合金反射膜を設けた四層構造となっている。また、繰返し回数を高めるために、必要に応じてメモリ層と保護層の間に界面層を加えることなどが行われている。
反射層と保護層は、記録層のアモルファス部と結晶部との反射率の差を増大させる光学的機能が要求されるほか、記録薄膜の耐湿性や熱による変形の防止機能、さらには記録の際の熱的条件制御という機能が要求される（非特許文献１参照）。

このように、高融点誘電体の保護層は昇温と冷却による熱の繰返しストレスに対して耐性をもち、さらにこれらの熱影響が反射膜や他の箇所に影響を及ぼさないようにし、かつそれ自体も薄く、低反射率でかつ変質しない強靭さが必要である。この意味において誘電体保護層は重要な役割を有する。
上記誘電体保護層は、通常スパッタリング法によって形成されている。このスパッタリング法は正の電極と負の電極とからなる基板とターゲットを対向させ、不活性ガス雰囲気下でこれらの基板とターゲットの間に高電圧を印加して電場を発生させるものであり、この時電離した電子と不活性ガスが衝突してプラズマが形成され、このプラズマ中の陽イオンがターゲット（負の電極）表面に衝突してターゲット構成原子を叩きだし、この飛び出した原子が対向する基板表面に付着して膜が形成されるという原理を用いたものである。

従来、相変化光ディスク用保護層は可視光域での透過性や耐熱性等を要求されるため、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２等のセラミックスターゲットを用いてスパッタリングし、１００〜１０００Å程度の薄膜が形成されている。
上記ＺｎＳ−ＳｉＯ_２ターゲットに使用されるＳｉＯ_２は、通常４Ｎ以上の高純度で平均粒径が０．１〜２０μｍのものが使用されており、７００〜１２００°Ｃで焼結して製造されている。

一方、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２系ターゲットを製造するために使用するＺｎＳ粉末の製造は、例えば予め硫酸亜鉛溶液に硫化水素を吹き込み反応沈殿させる等の方法でＺｎＳ粉末が製造されている。この場合、純粋なＺｎＳ粉末ならば特に問題はないが、硫酸根（ＳＯ_４）が残存し易く、この結果ＺｎＳ粉末に若干のＳが含まれることになる。
最終的に製造されるＺｎＳ−ＳｉＯ_２系ターゲットにも、それほど多くの量が残存するのではないが、無視できない量である。この残存した余剰Ｓは、スパッタリング後のＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜にも含有されることになる。
上記の通り、反射膜として、銀若しくは銀合金又はアルミニウム合金反射膜が用いられることが多いが、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜にＳが含有されると、例えば、銀反射膜を使用した場合は、Ｓは銀と反応して硫化銀（黒色）を形成し、反射率及び透過率を大きく減少させるという極めて深刻な問題を生ずる。また、アルミニウム合金反射膜を使用した場合もその影響は小さいが、異物としての存在は好ましいものではない。従来のＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜にはこのような問題を包含しており、その有効な解決方法が必ずしも見出されていないのが現状である。

従来の光ディスク保護膜形成用ターゲットとしては、硫酸根の含有量を２００ｐｐｍ以下に制限した硫化亜鉛を主成分とする焼結体からなる光記録媒体誘電保護膜形成用スパッタリングターゲット及びそのために硫酸根の含有量を９００ｐｐｍ以下に制限した硫化亜鉛粉末（例えば、特許文献１参照）、添加物としてＮａ、Ｋ又はこれらの酸化物から選択した１種以上を０．００１〜５ｗｔ％含有するＺｎＳ−ＳｉＯ_２からなる光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット（例えば、特許文献２参照）、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２系の焼結体ターゲット材において、焼結密度が３．４〜３．７ｇ／ｃｃであり、かつ最大気孔径が２〜４μｍ、熱膨張係数が３×１０^−６〜５×１０^−６／°Ｃである記録保護膜形成用焼結体ターゲットが開示されている（例えば、特許文献３参照）。
技術雑誌「光学」２６巻１号、頁９〜１５ 特開２０００−１４４３９７号公報 特開２００２−３０９３６７号公報 特開２００２−３０９３６８号公報

本発明は、上記の問題点に鑑み、透過率に優れ、反射率の低下が少ないＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜及び該誘電保護膜形成用スパッタリングターゲット得ることを目的とする。

上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、Ｍｎを添加することが極めて有効であり、また保護膜としての特性も損なわず、透過率を維持し、反射率の低下を防止することが可能である材料を得ることができるとの知見を得た。
この知見に基づき、１）ＺｎＳ：３０〜９５ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２：５〜７０ｍｏｌ％、Ｍｎ：０．００１≦Ｍｎ／（Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｓｉ）≦０．２８を含有し、Ｍｎ＜Ｓｉ（原子比）であることを特徴とするＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜及びスパッタリングターゲットを提供する。
本願発明のＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜及びスパッタリングターゲットは、主成分とするＺｎＳ及びＳｉＯ_２の一部をＭｎに置換することにより含有させ、ＺｎＳ及びＳｉＯ_２の含有量の一部を形成する。この添加したＭｎは、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２系に含有する遊離Ｓと反応しＭｎＳを形成する。さらに、Ｍｎ＜Ｓｉ（原子比）とする。これによって、非晶質安定性を向上させる役割を担う。以上によって、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜に含まれる遊離Ｓによる硫化銀等の発生を抑制し、隣接層との密着性を向上させることができ、保護膜としての特性を損なわず、透過率を維持し、反射率の低下を防止することが可能となる。

ＺｎＳ：３０ｍｏｌ％未満では、ターゲット密度が低下し、これに起因してスパッタ膜の膜質が劣化し、また成膜レートも低いという問題もあるので、３０ｍｏｌ％以上とする必要がある。一方、ＺｎＳ：９５ｍｏｌ％を超えると膜質が悪くなり、非晶質性が劣化するので、９５ｍｏｌ％以下とする必要がある。
また、ＳｉＯ_２：５ｍｏｌ％未満では膜質が悪くなり、非晶質性が劣化するので、５ｍｏｌ％以上とする必要がある。ＳｉＯ_２：７０ｍｏｌ％を超えると、同様に膜質が悪くなり、非晶質性が劣化するので、７０ｍｏｌ％以下とする必要がある。また、Ｓｉ以上にＭｎを含有すると、透過率が低下し、非晶質安定性が悪くなるので、Ｍｎ＜Ｓｉ（原子比）とする必要がある。

Ｍｎの添加は、Ｍｎ単体、ＭｎＯ（これらの不定比化合物を含む）、ＭｎＳの形態でＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜中に又はターゲット中に含有させることが可能である。本願発明は、これらの態様も包含するものである。
本発明のＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜及びスパッタリングターゲットは、さらにこれらに含有するＺｎとＭｎの量を、Ｓ／（Ｚｎ＋Ｍｎ）＜１とすることが有効である。これによって遊離Ｓの存在をＺｎＳ又はＭｎＳによって固定することが可能となる効果を有する。
一方、Ｍｎ比が０．００１未満では、隣接層のＳ拡散防止効果がなく、またＭｎ比が０．２８を超えると透過率が低下し、膜質が低下する。したがって、Ｍｎを０．００１≦Ｍｎ／（Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｓｉ）≦０．２８の範囲で添加する必要がある。

以上によって、本発明はＺｎＳ−ＳｉＯ_２系ターゲットを製造するために用いられるＺｎＳ粉末の製造工程において、必然的に含有する硫酸根（ＳＯ_４）の残存に起因する遊離Ｓの影響を減少させることが可能となる。この結果、銀反射膜を使用した場合において問題となるＡｇＳ（黒色）の形成を未然に防止することが可能となり、反射率及び透過率を大きく減少させることがないという大きな効果を生じる。また、アルミニウム合金反射膜を使用した場合にも、同様に異物としての存在がなくなり、同様の効果を得ることができる。

本発明のＺｎＳ粉末の製造は、例えば次の工程によって行う。予め硫酸亜鉛溶液に硫化水素を吹き込み反応沈殿させる等の方法で作製したＺｎＳ粉末に、Ｍｎを０．００１≦Ｍｎ／（Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｓｉ）≦０．２８の範囲で添加し（但し、Ｍｎ＜Ｓｉ（原子比）とする)、さらに攪拌混合した後乾燥し、Ｍｎが均一に分散したＺｎＳ粉末を得る。このＭｎの添加は、Ｍｎ単体、ＭｎＯ（これらの不定比化合物を含む）の形態で添加することが可能である。
添加後、ＺｎＳ粉末中のＭｎの存在はＭｎ単体、ＭｎＯ（これらの不定比化合物を含む）の形態以外にＭｎＳの形態で存在することも当然ながらあることを知るべきである。

本発明のスパッタリングターゲットの製造方法に際しては、上記のＭｎを０．００１≦Ｍｎ／（Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｓｉ）≦０．２８の範囲で含有するＺｎＳ及び所定量のＳｉＯ_２等の原料粉末（但し、Ｍｎ＜Ｓｉ（原子比）とする)を均一に混合し、ホットプレス又は熱間静水圧プレスにより、温度８００〜１３００°Ｃに加熱し、面圧１００ｋｇ／ｃｍ^２以上の条件で焼結する。
これによって、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２を主成分とするスパッタリングターゲットを製造することができる。この焼結によって、ＺｎＳに存在する遊離Ｓは、ＭｎによりＭｎＳとして固定され、遊離Ｓが著しく減少したＺｎＳ−ＳｉＯ_２系焼結体を得ることができる。
上記においては、Ｍｎの添加をＺｎＳ粉末に事前に添加することを示したが、Ｍｎの添加をＺｎＳ粉末とＳｉＯ_２の原料粉末の混合段階で添加することもできる。この場合も上記と同様に、Ｍｎ単体、ＭｎＯ（これらの不定比化合物を含む）の形態で添加することが可能である。Ｓの固定は、上記と同様である。

Ｍｎを０．００１≦Ｍｎ／（Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｓｉ）≦０．２８の範囲（但し、Ｍｎ＜Ｓｉ（原子比）とする) で含有するＺｎＳ−ＳｉＯ_２を主成分とするスパッタリングターゲットを基板上に成膜することにより、ターゲットと同一成分のＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜を形成することができる。スパッタリング条件によってはターゲットとスパッタ膜とを同一成分としないようにすることも可能であるが、本願発明は、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜とスパッタリングターゲットの成分は同一であるように条件設定するものである。
これによって、銀等の反射膜とＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜が接することがあっても、遊離Ｓが原因となる透過率の低下あるいは反射率の低下を効果的に抑制できるという著しい効果を有する。

以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。

（実施例１〜６）
平均粒径５μｍの純度４Ｎ（９９．９９％）であるＺｎＳ粉に、純度４Ｎ（９９．９９％）の平均粒径５μｍの酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）粉、平均粒径１０μｍの純度３Ｎ（９９．９％）であるＭｎ粉及び又は平均粒径３μｍの純度４ＮであるＭｎＯ粉を、表１の実施例１〜６に示す組成となるように添加し、均一に混合した。そして、この混合粉をグラファイトダイスに充填し、真空雰囲気中、面圧１５０〜４００ｋｇｆ／ｃｍ^２、温度１０００°Ｃの条件でホットプレスを行った。
このようにして製造した各種スパッタリングターゲットを用いて、予め所定量のＡｇ膜を形成したガラス基板上にスパッタ膜を形成した。そして、スパッタ膜の反射率の変化を測定した。これとは別に、ガラス基板上に５００Åのスパッタ膜を形成し、透過率を測定した。これらの結果の一覧を表１に示す。

反射率変化の試料は、０．７ｍｍのガラス基板上に１０００ÅのＡｇを被覆し、その上に実施例１−６に示すターゲットを用いて、各種のＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜を形成したものである。
膜厚は１５００Åとした。反射率変化の測定条件として、８０°Ｃ、湿度８０％、３００時間保管したもので、反射率変化＝（３００時間保管後の反射率）−（環境試験前の反射率）で計算した。また、反射率測定には、光波長：４０５ｎｍを用いた。
表１には、スパッタリングターゲットの相対密度、スパッタ膜のＳ／（Ｚｎ＋Ｍｎ）の組成及びＭｎ／（Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｓｉ）の組成も示す。

表１に基づき、実施例１〜６の結果について説明する。
実施例１については、ターゲット組成はＺｎＳ：９１ｍｏｌ％，Ｍｎ：１ｍｏｌ％，ＳｉＯ_２：８ｍｏｌ％であり、焼結バルク体の相対密度は９７％となった。スパッタ膜のＳ／（Ｚｎ＋Ｍｎ）の組成は０．９９、Ｍｎ／（Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｓｉ）は０．０１となり、本願発明の条件を満たしていた。また、ターゲットの成分組成とスパッタ膜の成分組成に実質的に差異はなかった。
膜の透過率（４０５ｎｍ波長光）は７２％となり、反射率の変化は、１．０％となりわずかな低下が見られたが、問題となるレベルではなく、良好なＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜が得られた。

実施例２については、ターゲット組成はＺｎＳ：３５ｍｏｌ％，Ｍｎ：０．５ｍｏｌ％，ＳｉＯ_２：６４．５ｍｏｌ％であり、焼結バルク体の相対密度は７０％となった。スパッタ膜のＳ／（Ｚｎ＋Ｍｎ）の組成は０．９８、Ｍｎ／（Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｓｉ）は０．００５となり、本願発明の条件を満たしていた。また、ターゲットの成分組成とスパッタ膜の成分組成に実質的に差異はなかった。膜の透過率（４０５ｎｍ波長光）は９１％と良好であり、反射率の変化は、２％となりわずかな低下が見られたが、問題となるレベルではなく、良好なＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜が得られた。
この実施例２については、環境試験前と環境試験後の、膜の外観の顕微鏡写真を、それぞれ図１及び図２に示す。図１は試験前なのできれいな外観を示している。図２はわずかな黒色斑点があるが極めて少量であることが分る。

実施例３については、ターゲット組成はＺｎＳ：３５ｍｏｌ％，ＭｎＯ：２３ｍｏｌ％，ＳｉＯ_２：４２ｍｏｌ％であり、焼結バルク体の相対密度は７０％となり高密度ターゲットが得られた。スパッタ膜のＳ／（Ｚｎ＋Ｍｎ）の組成は０．６、Ｍｎ／（Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｓｉ）は０．２３となり、本願発明の条件を満たしていた。また、ターゲットの成分組成とスパッタ膜の成分組成に実質的に差異はなかった。
膜の透過率（４０５ｎｍ波長光）は８０％と良好であり、反射率の変化は２％となりわずかな低下が見られたが、問題となるレベルではなく、良好なＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜が得られた。

実施例４については、ターゲット組成はＺｎＳ：５０ｍｏｌ％，ＭｎＯ：５ｍｏｌ％，ＳｉＯ_２：４５ｍｏｌ％であり、焼結バルク体の相対密度は８０％となり高密度ターゲットが得られた。スパッタ膜のＳ／（Ｚｎ＋Ｍｎ）の組成は０．９１、Ｍｎ／（Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｓｉ）は０．０５となり、本願発明の条件を満たしていた。また、ターゲットの成分組成とスパッタ膜の成分組成に実質的に差異はなかった。
膜の透過率（４０５ｎｍ波長光）は９０％と良好であり、反射率の変化は、０．５％となりわずかな低下が見られたが、問題となるレベルではなく、良好なＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜が得られた。

実施例５については、ターゲット組成はＺｎＳ：６０ｍｏｌ％，ＭｎＯ：１２ｍｏｌ％，ＳｉＯ_２：２８ｍｏｌ％であり、焼結バルク体の相対密度は８５％となった。スパッタ膜のＳ／（Ｚｎ＋Ｍｎ）の組成は０．８３、Ｍｎ／（Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｓｉ）は０．１２となり、本願発明の条件を満たしていた。また、ターゲットの成分組成とスパッタ膜の成分組成に実質的に差異はなかった。
膜の透過率（４０５ｎｍ波長光）は７９％となり、反射率の変化は、０．７％となりわずかな低下が見られたが、問題となるレベルではなく、良好なＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜が得られた。

実施例６については、ターゲット組成はＺｎＳ：７２ｍｏｌ％，ＭｎＯ：４．５ｍｏｌ％，Ｍｎ：０．５ｍｏｌ％，ＳｉＯ_２：２３ｍｏｌ％であり、焼結バルク体の相対密度は９０％となった。スパッタ膜のＳ／（Ｚｎ＋Ｍｎ）の組成は０．９３、Ｍｎ／（Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｓｉ）は０．０５となり、本願発明の条件を満たしていた。また、ターゲットの成分組成とスパッタ膜の成分組成に実質的に差異はなかった。
膜の透過率（４０５ｎｍ波長光）は９０％となり、反射率の変化は、０．３％となりわずかな低下が見られたが、問題となるレベルではなく、良好なＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜が得られた。

（比較例１〜６）
次に、比較例１〜６について説明する。実施例と同様に、平均粒径５μｍの純度４Ｎ（９９．９９％）であるＺｎＳ粉に、純度４Ｎ（９９．９９％）の平均粒径５μｍの酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）粉、及びＭｎＯ粉無添加の場合、本願発明の条件を外れるＭｎ粉又はＭｎＯ粉（いずれの粉末も、平均粒径及び純度は実施例と同一）を添加した場合について、それぞれ均一に混合した。
そして、この混合粉を実施例と同様に、グラファイトダイスに充填し、真空雰囲気中、面圧１５０〜４００ｋｇｆ／ｃｍ^２、温度１０００°Ｃの条件でホットプレスを行った。表１に比較例１〜６の成分組成を示す。
このようにして製造した比較例の各種スパッタリングターゲットを用いて、予め所定量のＡｇ膜を形成したガラス基板上にスパッタ膜を形成した。そして、スパッタ膜の透過率及び反射率の変化を測定した。これらの結果の一覧を表１に示す。
測定用試料の作製及び測定条件は、実施例と同様である。

比較例１については、ターゲット組成はＺｎＳ：２５ｍｏｌ％，ＭｎＯ：５ｍｏｌ％，ＳｉＯ_２：７０ｍｏｌ％である。この例では、ＺｎＳの含有量が本願発明の規定量に達していない。焼結バルク体の相対密度は５５％となり、密度の低下が著しかった。スパッタ膜のＳ／（Ｚｎ＋Ｍｎ）の組成は０．８３、Ｍｎ／（Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｓｉ）は０．０５であった。ターゲットの成分組成とスパッタ膜の成分組成に実質的に差異はなかったが、密度の低下に起因するスパッタ膜の膜質の劣化があり、成膜レートも低かった。
膜の透過率（４０５ｎｍ波長光）は９０％であったが、反射率の変化は４１％となり大きく低下した。ＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜としては十分な機能を有していなかった。この比較例１については、環境試験前と環境試験後の、膜の外観の顕微鏡写真を、図３に示す。
この図３に示すように、黒色模様がかなりの範囲で存在している。この黒色の模様は、ＺｎＳに含有される遊離Ｓにより、ＡｇＳが形成されと考えられる。この黒色の模様は反射率の低下の大きな原因と考えられる。

比較例２については、ターゲット組成はＺｎＳ：４０ｍｏｌ％，ＭｎＯ：４０ｍｏｌ％，ＳｉＯ_２：２０ｍｏｌ％であり、焼結バルク体の相対密度は６５％となり、低かった。スパッタ膜のＳ／（Ｚｎ＋Ｍｎ）の組成は０．５、Ｍｎ／（Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｓｉ）は０．４である。ターゲットの成分組成とスパッタ膜の成分組成に実質的に差異はなかったが、Ｍｎの量が規定量よりも多すぎ、またＭｎ量がＳｉ量（原子比）よりも多くなっているため、膜の透過率（４０５ｎｍ波長光）は６１％と大きく低下し、反射率の変化も２２％と悪くなった。このように、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜としては十分な機能を有していなかった。

比較例３については、ターゲット組成はＺｎＳ：７０ｍｏｌ％，ＭｎＯ：２０ｍｏｌ％，ＳｉＯ_２：１０ｍｏｌ％であり、焼結バルク体の相対密度は８０％となった。スパッタ膜のＳ／（Ｚｎ＋Ｍｎ）の組成は０．７８、Ｍｎ／（Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｓｉ）は０．２である。ターゲットの成分組成とスパッタ膜の成分組成に実質的に差異はなかったが、Ｍｎ量がＳｉ量（原子比）よりも多くなっているため、膜の透過率（４０５ｎｍ波長光）は６０％となり、大きく低下し、反射率の変化も１５％となり、悪くなった。
特に、Ｍｎ量がＳｉ量（原子比）以上になると、透過率が低下し、非晶質性が悪くなる傾向にある。比較例３の条件も、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜としては十分な機能を有していなかった。

比較例４については、ターゲット組成はＺｎＳ：９０ｍｏｌ％，Ｍｎ：０．０５ｍｏｌ％，ＳｉＯ_２：９．９５ｍｏｌ％であり、焼結バルク体の相対密度は９５％であった。スパッタ膜のＳ／（Ｚｎ＋Ｍｎ）の組成は１、Ｍｎ／（Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｓｉ）は０．０００５である。ターゲットの成分組成とスパッタ膜の成分組成に実質的に差異はなかった。
膜の透過率（４０５ｎｍ波長光）は７２％であったが、Ｓの量が規定量よりも少し多く、またＭｎ量が規定量よりも少ないために、反射率の変化が１１％と悪くなった。
これは、隣接層へのＳ拡散防止効果がないことが原因と考えられる。このため、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜としては十分な機能を有していなかった。

比較例５については、ターゲット組成はＺｎＳ：８０ｍｏｌ％，Ｍｎ又はＭｎＯ：０ｍｏｌ％，ＳｉＯ_２：２０ｍｏｌ％であり、焼結バルク体の相対密度は９５％であった。スパッタ膜のＳ／（Ｚｎ＋Ｍｎ）の組成は１、Ｍｎ／（Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｓｉ）は０である。ターゲットの成分組成とスパッタ膜の成分組成に実質的に差異はなかった。
膜の透過率（４０５ｎｍ波長光）は７５％であったが、Ｓの量が規定量よりも少し多く、またＭｎ量が全くないために、反射率の変化が１４％と悪くなった。
これは、隣接層へのＳ拡散防止効果がないことが原因と考えられる。このため、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜としては十分な機能を有していなかった。

以上から明らかなように、ＺｎＳ：３０〜９５ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２：５〜７０ｍｏｌ％を含有するＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜において、Ｍｎの添加は透過率及び反射率低下を抑制するために非常に有効であり、特にＭｎを０．００１≦Ｍｎ／（Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｓｉ）≦０．２８の範囲で添加するのが望ましい。また、Ｍｎ＜Ｓｉ（原子比）であることも、透過率を維持し、非晶質安定性を図るために必要である。
これによって、薄膜を製造するためのターゲットを製造する工程、特にターゲット原料となるＺｎＳ粉末の製造工程において含まれる遊離ＳをＭｎで固定することにより、Ａｇ等の反射膜の変質を抑制することが可能となる。

本発明は、透過率に優れ、反射率の低下が少ないＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜及び該誘電保護膜形成用スパッタリングターゲットを得ることができ、高融点誘電体の保護層は昇温と冷却による熱の繰返しストレスに対して耐性をもち、さらにこれらの熱影響が反射膜や他の箇所に影響を及ぼさないようにし、かつそれ自体も薄く、低反射率でかつ変質しない強靭さが必要である誘電体保護層として有用である。

実施例２に示すＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜の環境試験前の外観を示す顕微鏡写真である。 実施例２に示すＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜の環境試験後の外観を示す顕微鏡写真である。 比較例１に示すＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜の環境試験後の外観を示す顕微鏡写真である。

Claims (4)

1. ＺｎＳ：３０〜９５ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２：５〜７０ｍｏｌ％、Ｍｎ：０．００１≦Ｍｎ／（Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｓｉ）≦０．２８を含有し、Ｍｎ＜Ｓｉ（原子比）であることを特徴とするＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜。
2. Ｓ／（Ｚｎ＋Ｍｎ）＜１である請求項１記載のＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜。
3. ＺｎＳ：３０〜９５ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２：５〜７０ｍｏｌ％、Ｍｎ：０．００１≦Ｍｎ／（Ｚｎ＋Ｍｎ＋Ｓｉ）≦０．２８を含有し、Ｍｎ＜Ｓｉ（原子比）であることを特徴とするＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜形成用スパッタリングターゲット。
4. Ｓ／（Ｚｎ＋Ｍｎ）＜１である請求項３記載のＺｎＳ−ＳｉＯ_２系光情報記録媒体用誘電保護膜形成用スパッタリングターゲット。
   

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