JP2007294024A - シーク制御方法、シーク制御装置およびディスク装置 - Google Patents

Abstract

【課題】プラントをシーク制御するシーク制御装置において、シーク電流生成のためのモデルとプラントのモデルとの誤差による位置ずれを防止する。
【解決手段】シーク軌道生成（２８）からシーク軌道を与えて、プラント（４０）をシーク制御する際に、シーク時間に応じて、フィードバックループ（２０，２２，２４）の周波数特性を、変更し、実際のプラント（４０）とプラント（４０）のモデルのずれに起因する位置ずれ成分のゲインを高くして、フィードバックループ（２０，２２，２４）で、位置ずれを抑圧するよう制御する。シーク時間のばらつきを低減でき、且つオーバーラン、アンダーランを防止できる。
【選択図】図４

Description

本発明は、対象物を目標位置にシーク制御するシーク制御方法、シーク制御装置及びディスク装置に関し、特に、２自由度制御系によりシーク制御するシーク制御方法、シーク制御装置及びディスク装置に関する。

対象物を目標位置に移動する制御、所謂、シーク制御は、広く利用されている。特に、ディスク装置、例えば、磁気ディスク装置や光ディスク装置においては、シーク制御により、ヘッドを目標トラックに正確に位置決めすることが、記録密度向上のために、極めて重要である。

ディスク装置等におけるシーク制御においては、二自由度制御、またはフィードフォワード制御と呼ばれる、制御方法が用いられる。これら制御方法は、シーク開始時刻からの経過時間に応じて、目標位置軌道が制御系に供給される、もしくは、目標位置軌道とともに電流軌道も供給される。

図２５は、従来の二自由度制御の制御系のブロック図である。図２５に示すように、制御対象であるプラント１０８を目標位置ｒにシーク移動する場合に、目標位置ｒから、軌道作成ブロック１００で、位置軌道、又は、速度軌道、又は、加速度軌道ｕｆを作成し、プラント１０８に供給する。

一方、フィードバックループ系では、演算ブロック１０２が、プラント１０８の位置ｙと目標位置ｒとの位置誤差を計算し、コントローラ１０４は、位置誤差から位置誤差が減少するような制御量を演算し、演算ブロック１０６が、前述のシーク軌道ｕｆと加算して、加算値ｕで、プラント１０８を駆動する。

このように、目標位置ｒからシーク軌道ｕｆを作成し、シーク制御する。この軌道作成ブロック１００の特性Ｐｍは、プラント１０８の特性Ｐと同じ特性が理想的である。即ち、プラント１０８の特性をＰとすると、軌道作成ブロック１００の特性は、１／Ｐｍ＝１／Ｐであることが理想的である。

このようなシーク軌道の作成では、従来、シーク開始時刻からの経過時間の多項式を用いて、電流軌道（加速度軌道）や位置軌道を計算する方法が提案されている（例えば，特許文献１、特許文献２）。又、共振周波数の影響を排除するような軌道を生成する方法も提案されている（例えば、特許文献３、特許文献４、特許文献５）。
特開平０３−２３３６０９号公報 特開平０５−１４３１６５号公報 特開２００１−２１００３３号公報 特開平８−００７５０６号公報 特開平６−１８７０４４号公報

これらの従来技術では、シーク軌道の改善により、プラントの共振を抑制して、高速にシークすることが目的であった。一方、シーク制御において、問題になるのは、目標軌道と実際のプラントの応答とのずれである。そのずれは、主に目標軌道を生成するときのモデル（ブロック１００）と，実際の制御対象１０８とのゲイン差により生じる。近年のトラック密度の高密度化に伴い、わずか、１%のずれであっても，シーク距離が数万トラックにもおよぶと，ずれが数１００トラック分にもなってしまう。

従来技術のフィードバック制御ループでは、この位置ずれを修正するように動作するが、シーク制御時には、軌道制御の邪魔にならないように、サーボ帯域を、フォローイングに比し、落としている。このため、ずれが大きいと、オーバーランやアンダーランし、再シークが必要となり、又、シーク終了のシーク時間のばらつきが生じる。

従って、本発明の目的は、目標軌道と実際のプラントの応答とのずれがあっても、シーク時間のばらつき量を低減するためのシーク制御方法、シーク制御装置及びディスク装置を提供することにある。

又、本発明の他の目的は、目標軌道と実際のプラントの応答のずれがあっても、オーバーランやアンダーランを防止するためのシーク制御方法、シーク制御装置及びディスク装置を提供することにある。

更に、本発明の他の目的は、シーク時間のばらつきを低減し、高速なシークを実現するためのシーク制御方法、シーク制御装置及びディスク装置を提供することにある。

本発明のシーク制御方法は、対象物を現在位置から目標位置に、アクチュエータによりシーク移動するシーク制御方法において、前記目標位置に応じたシーク軌道信号を生成するステップと、フィードバックループにより、前記対象物の現在位置と前記目標位置との位置誤差から前記アクチュエータのフィードバック制御信号を生成するステップと、前記シーク軌道信号と前記フィードバック制御信号とで前記アクチュエータを駆動するステップと、少なくとも、前記現在位置から前記目標位置までのシーク時間に応じて、抑圧すべき代表周波数を決定するステップと、前記代表周波数を抑圧するように、前記フィードバックループの周波数特性を変更するステップとを有する。

又、本発明のシーク制御装置は、対象物を現在位置から目標位置に、アクチュエータによりシーク移動するシーク制御装置において、前記目標位置に応じたシーク軌道信号を供給するブロックと、前記対象物の現在位置と前記目標位置との位置誤差から前記アクチュエータのフィードバック制御信号を生成するフィードバックループと、前記シーク軌道信号と前記フィードバック制御信号とで前記アクチュエータの駆動値を演算するブロックと、少なくとも、前記現在位置から前記目標位置までのシーク時間に応じて、抑圧すべき代表周波数を決定し、前記代表周波数を抑圧するように、前記フィードバックループの周波数特性を変更するブロックとを有する。

又、本発明のディスク装置は、ディスク記憶媒体のデータを少なくとも読み取るヘッドと、前記ディスク記憶媒体の所定位置に、前記ヘッドを位置決めするアクチュエータと、前記目標位置に応じたシーク軌道信号を供給するブロックと、前記対象物の現在位置と前記目標位置との位置誤差から前記アクチュエータのフィードバック制御信号を生成するフィードバックループと、前記シーク軌道信号と前記フィードバック制御信号とで前記アクチュエータの駆動値を演算するブロックとを有する制御ユニットとを有し、前記制御ユニットは、少なくとも、前記現在位置から前記目標位置までのシーク時間に応じて、抑圧すべき代表周波数を決定し、前記代表周波数を抑圧するように、前記フィードバックループの周波数特性を変更する。

更に、本発明では、好ましくは、前記決定ステップは、前記シーク時間と、前記シーク軌道信号のシーク波形とから、抑圧すべき代表周波数を決定するステップからなる。

更に、本発明では、好ましくは、前記変更するステップは、前記フィードバックループの感度関数上で、前記代表周波数を抑圧するように、前記フィードバックループの周波数特性を変更するステップからなる。

更に、本発明では、好ましくは、前記決定ステップは、前記シーク波形のパワースペクトラムが最大となる周波数を、前記代表周波数に決定するステップからなる。

更に、本発明では、好ましくは、前記生成ステップは、フィードフォワード制御により前記シーク軌道信号を供給するステップからなる。

更に、本発明では、好ましくは、前記フィードバックステップは、オブザーバ制御により、前記アクチュエータのフィードバック制御信号を生成するステップからなる。

更に、本発明では、好ましくは、前記変更ステップは、前記オブザーバ制御の外乱推定ゲインを前記代表周波数に応じて変更するステップからなる。

シーク軌道を与えて、シーク制御する際に、シーク時間に応じて、フィードバックループの周波数特性を、変更するため、実際のプラントとプラントのモデルのずれに起因する位置ずれ成分のゲインが、高くなり、フィードバックループで、位置ずれを抑圧するよう制御できる。即ち、シーク時間のばらつきを低減でき、且つオーバーラン、アンダーランを防止できる。

以下、本発明の実施の形態を、ディスク装置、シーク制御系の第１の実施の形態、第２の実施の形態、第３の実施の形態、第４の実施の形態、第５の実施の形態、第６の実施の形態、他の実施の形態の順で説明するが、本発明は、この実施の形態に限られない。

（ディスク装置）
図１は、本発明の一実施の形態のディスク装置の構成図、図２は、図１の磁気ディスクの位置信号の配置図、図３は、図１及び図２の磁気ディスクの位置信号の構成図である。

図１は、シーク制御装置として、ディスク装置の一種である磁気ディスク装置を示す。図１に示すように、磁気記憶媒体である磁気ディスク４が、スピンドルモータ５の回転軸２に設けられている。スピンドルモータ５は、磁気ディスク４を回転する。アクチュエータ（ＶＣＭ）１は、先端に磁気ヘッド３を備え、磁気ヘッド３を磁気ディスク４の半径方向に移動する。

アクチュエータ１は、回転軸を中心に回転するボイスコイルモータ（ＶＣＭ）で構成される。図では、磁気ディスク装置に、２枚の磁気ディスク４が搭載され、４つの磁気ヘッド３が、同一のアクチュエータ１で同時に駆動される。

磁気ヘッド３は、リード素子と、ライト素子とからなる。磁気ヘッド３は、スライダに、磁気抵抗（ＭＲ）素子を含むリード素子を積層し、その上にライトコイルを含むライト素子を積層して、構成される。

位置検出回路７は、磁気ヘッド３が読み取った位置信号（アナログ信号）をデジタル信号に変換する。リード／ライト（Ｒ／Ｗ）回路１０は、磁気ヘッド３の読み取り及び書込みを制御する。スピンドルモータ（ＳＰＭ）駆動回路８は、スピンドルモータ５を駆動する。ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）駆動回路６は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１に駆動電流を供給し、ＶＣＭ１を駆動する。

マイクロコントローラ（ＭＣＵ）１４は、位置検出回路７からのデジタル位置信号から現在位置を検出（復調）し、検出した現在位置と目標位置との誤差に従い、ＶＣＭ駆動指令値を演算する。即ち、位置復調と図５以下で説明する外乱抑圧を含むサーボ制御を行う。リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）１３は、ＭＣＵ１４の制御プログラム等を格納する。ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１２は、ＭＣＵ１４の処理のためのデータ等を格納する。

ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）１１は、サーボ信号のセクタ番号を基準にして，１周内の位置を判断し，データを記録・再生する。バッファ用ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１５は、リードデータやライトデータを一時格納する。ＨＤＣ１１は、ＵＳＢ，ＡＴＡやＳＣＳＩ等のインターフェイスＩＦで、ホストと通信する。バス９は、これらを接続する。

図２に示すように、磁気ディスク４には、外周から内周に渡り、各トラックにサーボ信号（位置信号）１６が、円周方向に等間隔に配置される。尚、各トラックは、複数のセクタで構成され、図２の実線は、サーボ信号１６の記録位置を示す。図３に示すように、位置信号は，サーボマークＳｅｒｖｏ Ｍａｒｋと、トラック番号Ｇｒａｙ Ｃｏｄｅと、インデックスＩｎｄｅｘと、オフセット情報（サーボバースト）ＰｏｓＡ，ＰｏｓＢ，ＰｏｓＣ，ＰｏｓＤとからなる。尚、図３の点線は、トラックセンターを示す。

図３の位置信号をヘッド３で読み取り、トラック番号Ｇｒａｙ Ｃｏｄｅとオフセット情報ＰｏｓＡ，ＰｏｓＢ，ＰｏｓＣ，ＰｏｓＤを使い，磁気ヘッドの半径方向の位置を検出する。さらに、インデックス信号Ｉｎｄｅｘを元にして，磁気ヘッドの円周方向の位置を把握する。

例えば，インデックス信号を検出したときのセクタ番号を０番に設定し、サーボ信号を検出する毎に、カウントアップして、トラックの各セクタのセクタ番号を得る。このサーボ信号のセクタ番号は，データの記録再生を行うときの基準となる。尚、インデックス信号は、１周に１つである、又、インデックス信号の代わりに、セクタ番号を設けることもできる。

図１のＭＣＵ１４は、位置検出回路７を通じて、アクチュエータの位置を確認して，サーボ演算し、適切な電流をＶＣＭ１に供給する。即ち、あるトラック位置から目標トラック位置へヘッド３を移動するシーク制御は、コアース制御、整定制御及びフォローイング制御と遷移することで，目標位置まで移動させることができる。コアース制御は、基本的に軌道制御であり、整定制御、フォローイング制御は、基本的に位置制御であり、いずれも、ヘッドの現在位置を検出する必要がある。

このような，位置を確認するためには，前述の図２のように、磁気ディスク上にサーボ信号を事前に記録しておく。即ち、図３に示したように、サーボ信号の開始位置を示すサーボマーク，トラック番号を表すグレイコード，インデックス信号，オフセットを示すＰｏｓＡ〜ＰｏｓＤといった信号が記録されている。この信号を磁気ヘッドで読み出し、このサーボ信号を、位置検出回路７が、デジタル値に変換する。

（シーク制御系の第１の実施の形態）
図４は、図１のＭＣＵ１４が実行する位置決め制御系の第１の実施の形態のブロック図である。この位置決め制御系は、二自由度制御系のフィードバック制御ループに、特定の周波数の周波数特性をシーク距離に応じて、変更する補償器２４を設けたものである。

図４に示すように、制御対象であるプラント４０（図１では、ヘッド３とアクチュエータ１）を目標位置ｒにシーク移動する。軌道作成ブロック２８は、目標位置ｒから、位置軌道、又は、速度軌道、又は、加速度軌道ｕｆを作成し、演算ブロック２６に出力する。

一方、フィードバックループ系では、演算ブロック２０が、プラント４０の位置ｙと目標位置ｒとの位置誤差を計算し、コントローラ２２は、位置誤差から位置誤差が減少するような制御量を演算する。周波数補償ブロック２４は、外部から周波数特性の変更が可能であり、感度関数上で、特定の周波数を抑圧する。この周波数補償ブロック２４の出力を、演算ブロック２６が、前述のシーク軌道ｕｆと加算して、加算値ｕで、プラント４０を駆動する。

シーク制御では、目標位置ｒ（目標位置まで順次変化する位置成分）からシーク軌道ｕｆを作成し、シーク制御する。この軌道作成ブロック２８の特性Ｐｍは、プラント４０の特性Ｐと同じ特性であることが理想的である。即ち、プラント４０の特性をＰとすると、軌道作成ブロック２８の特性は、１／Ｐｍ＝１／Ｐであることが理想的である。

しかし、この特性には、実際には、ずれが生じる。即ち、設計上で、プラント４０の特性を得ても、実際に実装したプラント４０の特性と異なる場合が多く、且つ装置によっても異なる。例えば、プラント４０には、駆動アンプやアクチュエータが含まれるが、これらの物理ユニットの特性は、厳密に言うと、一定ではない。このため、前述の特性のずれが生じる。

この特性のずれを、フィードバック制御系で補償する。先ず、図４において、目標位置ｒから観測位置ｙまでの伝達関数を求めると、次式（１）が得られる。ここで、Ｃは、コントローラ２２の特性（伝達関数）、Ｐは、プラント４０の特性（伝達関数）、Ｐｍは、前述の軌道作成ブロック２８の特性（伝達関数）である。

（１）式から理解されるように、Ｐ＝Ｐｍであるときには、式（１）において、（Ｐ／Ｐｍ−１）＝０となり、式（１）は、ｙ＝ｒとなり、位置ずれは生じない。しかし，実際には、軌道作成のモデルと、プラントのモデルには、ゲインのずれが生じている。そこで、ゲインのずれＧを、下記式（２）のように定義すると、式（１）は、式（３）に変形される。

即ち、式（３）の（ｙ−ｒ）の分だけ、位置ずれが発生する。このずれを、フィードバック制御系にて補償する。上記の位置ずれを、ｒの代わりにｕｆで表現すると，図４からｒ・（１／Ｐｍ）＝ｕｆであるから、式（３）は、式（４）に変形される。

式（４）は、位置ずれは、加速度外乱（または電流外乱）特性（Ｐｍ／（１＋ＣＰ））に，モデルのゲイン誤差Ｇをかけあわせたものになることを示す。

一方、シーク制御では、この電流波形ｕｆの形は、シークの条件により異なる。具体的には、シーク距離に応じて設定するシーク時間により、電流波形は異なる。例えば、シーク距離が長い場合と短い場合や、使用する電流波形により異なる。シーク時間によって、電流波形が異なることは、電流波形の持つパワーの周波数は、シーク時間に応じて異なることを意味する。

このことは、位置ずれに、ゲインのずれＧの影響が大きく現れる周波数は、シーク時間に応じて異なることを意味する。即ち、フィードバック制御系で、シーク時間に応じた特定の周波数補償を行うことにより、位置ずれを低減できる。

図５は、シーク軌道の説明図、図６は、その電流波形のパワースペクラムの説明図である。図５に示すシーク軌道の例（特許文献１参照）は、横軸に時間を、縦軸に、各々、加速度、速度、位置を示す軌道例である。ここでは、単位時間「１」に、単位距離「１」，シーク移動する場合の加速度、速度の時間遷移を示す。

ここで、シーク制御では、これらの距離、速度に応じて、加速度電流ｕｆを流すが、シーク距離に応じたシーク時間により、この加速度電流の周波数が異なる。ここでは、単位時間で正規化しているが、時間が異なれば、加速度電流の周波数も異なる。

図６は、このような加速度、すなわち電流波形のパワースペクトラムを示す。図６の横軸は、正規化した周波数を示し、縦軸は、その電流波形の正規化したパワーである。図６から、あるシーク軌道（加速度電流）のパワースペクトラムを図示する。図６のように、シーク軌道（加速度電流）に応じて、パワー最大となるピーク周波数は、一意に定まり、シーク軌道、即ち、シーク時間に応じて、パワー最大となるピーク周波数は異なる。

図７は、周波数補償を行わないシーク制御における、感度関数の特性図、図８は、周波数補償を行わないシーク制御における加速度外乱特性図である。図７、図８において、上段のグラフは、横軸に、周波数、縦軸にゲイン（ｄＢ）を、下段のグラフは、横軸に、周波数、縦軸に位相（ｄｅｇ）を示す。

感度関数は、フィードバックループの特性、即ち、（１／（１＋ＣＰ））で表される。一方、加速度外乱特性は、フィードバックループに対するシーク軌道電流による外乱の特性、即ち、（Ｐ／（１＋ＣＰ））で表される。

式（３）、式（４）で先に示したゲインずれＧにともなう、ｒまたはｕｆによる伝達関数（式（３）又は式（４））は、図７および図８の特性に、Ｇだけゲインをかけた形となる。つまり、感度関数および加速度外乱特性を、シーク時間に応じて適切に整形することにより、シーク時間に応じた特定の周波数補償を実現できる。即ち、シーク波形ごとに持つ周波数特性のパワー最大の周波数付近を抑圧するように，制御系を調整する。

図９乃至図１２は、一例として、シーク時間が、４ｍｓの場合のシーク波形（図９）、電流波形のパワースペクトラム（図１０）、感度関数（図１１）、加速度外乱特性（図１２）を示す。

シーク時間が４ｍｓの場合には、加速度波形が、図９に示すような形状であると仮定する。図９において、横軸は、時間、縦軸は、正規化した振幅である。この電流波形のパワースペクトラムは、図１０のように、周波数が、１／４ｍｓ＝２５０Ｈｚで、最大パワーとなる。尚、図１０は、横軸に周波数、縦軸にパワーをリニア軸で示す。

したがって、制御系で、２５０Ｈｚ付近の抑圧効果を高くするように，構成する。図１１は、２５０Ｈｚ付近を抑圧した感度関数の特性図、図１２は、２５０Ｈｚ付近を抑圧した加速度外乱特性図である。いずれも、図７、図８と同様に、上段のグラフは、横軸に、周波数、縦軸にゲイン（ｄＢ）を、下段のグラフは、横軸に、周波数、縦軸に位相（ｄｅｇ）を示す。

感度関数は、フィードバックループの特性、即ち、（１／（１＋ＣＰ））で表されるので、この特性、即ち、周波数特性をこのシーク時間に合わせて変更する。又、加速度外乱特性は、フィードバックループに対するシーク軌道電流による外乱の特性、即ち、（Ｐ／（１＋ＣＰ））で表されるので、同様に、周波数特性をこのシーク時間に合わせて、変更する。

同様に、図１３乃至図１６は、一例として、シーク時間が、２ｍｓの場合のシーク波形（図１３）、電流波形のパワースペクトラム（図１４）、感度関数（図１５）、加速度外乱特性（図１６）を示す。

シーク時間が２ｍｓの場合には、加速度波形が、図１３に示すような形状であると仮定する。図１３において、横軸は、時間、縦軸は、正規化した振幅である。この電流波形のパワースペクトラムは、図１４のように、周波数が、１／２ｍｓ＝５００Ｈｚで、最大パワーとなる。尚、図１４は、横軸に周波数、縦軸にパワーをリニア軸で示す。

したがって、制御系で、５００Ｈｚ付近の抑圧効果を高くするように，構成する。図１５は、５００Ｈｚ付近を抑圧した感度関数の特性図、図１６は、５００Ｈｚ付近を抑圧した加速度外乱特性図である。いずれも、図７、図８と同様に、上段のグラフは、横軸に、周波数、縦軸にゲイン（ｄＢ）を、下段のグラフは、横軸に、周波数、縦軸に位相（ｄｅｇ）を示す。

感度関数は、フィードバックループの特性、即ち、（１／（１＋ＣＰ））で表されるので、この特性、即ち、周波数特性をこのシーク時間に合わせて変更する。又、加速度外乱特性は、フィードバックループに対するシーク軌道電流による外乱の特性、即ち、（Ｐ／（１＋ＣＰ））で表されるので、同様に、周波数特性をこのシーク時間に合わせて、変更する。

ここでは、単純化して説明したが、シーク時間の逆数のみならず、電流波形の形（例えば、図９、図１３参照）に応じて、値を調整すると、様々なシーク波形に対応できる。

図１７を参照して、図４の周波数補償制御を説明する。先ず、ＭＣＵ１４は、シーク命令を受信する（Ｓ１０）。ＭＣＵ１４は、シーク命令の目標シリンダからシーク距離Ｌｓｅｅｋを計算する（Ｓ１２）。ＭＣＵ１４は、シーク距離Ｌｓｅｅｋから、方式判定ブロック３２で、シーク方式（例えば、長距離シークか短距離シークか）を判定する。

次に、ＭＣＵ１４は、シーク方式（Ｍｅｔｈｏｄ）とシーク距離から、波形・時間決定ブロック３４で、シーク波形Ｗａｖｅとシーク時間Ｔｓｅｅｋを決定する。例えば、シーク波形としては、図９、図１３のような滑らかな波形や、それより角張った波形などを、シーク距離や、高速／静音モード等により選択する。ＭＣＵ１４は、選択されたシーク波形とシーク時間から、抑圧周波数決定ブロック３６で、前述の抑圧すべき代表周波数Ｆｓｅｅｋを決定する（Ｓ１８）。

ＭＣＵ１４は、代表周波数Ｆｓｅｅｋで、テーブル３８を参照し、周波数補償ブロック２４の対応する制御定数を取り出し、周波数補償ブロック２４に設定する（Ｓ２０）。前述のように、この制御定数により、周波数補償ブロック２４は、感度関数（図１１、図１５）上で、代表周波数付近を抑圧する。例えば、周波数補償ブロック２４が、逆ノッチフィルタで構成され、代表周波数付近のゲインを高くすることにより、感度関数上で代表周波数付近を抑圧する。例えば、この周波数補償ブロック２４の伝達関数は、下記式（５）の逆ノッチフィルタを示す。

式（５）において、ｓは、ラプラス演算子、ωは、角周波数である。

又、ＭＣＵ１４は、シーク波形Ｗａｖｅとシーク時間Ｔｓｅｅｋとから、シーク時間の間、順次変化する目標位置ｒ（例えば、図５の位置参照）を、目標位置生成ブロック４４で生成し、シーク開始する（Ｓ２２）。

このように、シーク時間に応じて、感度関数、即ち、フィードバックループの周波数特性を、変更する。このため、実際のプラントとプラントのモデルのずれに起因する位置ずれ成分のゲインが、高くなり、フィードバックループで、位置ずれを抑圧するよう制御できる。即ち、シーク時間のばらつきを低減でき、且つオーバーラン、アンダーランを防止できる。

（シーク制御系の第２の実施の形態）
図１８は、本発明の第２の実施の形態の位置制御系のブロック図、図１９は、その定数テーブルの説明図である。

図１８の位置制御系は、現在オブザーバで構成され、下記式（６）、（７）、（８）で示されるオブザーバである。

式（６）、（７）、（８）を参照しながら、図１８で構成を説明する。図４でも説明したように、第１の演算ブロック２０は、ヘッド３が読み取った前述のサーボ情報を復調して得た観測位置ｙ［ｋ］から目標位置ｒを差し引き、実位置誤差ｅｒ［ｋ］を演算する。第２の演算ブロック５０は、実位置誤差ｅｒ［ｋ］からオブザーバの推定位置との推定位置誤差ｅ［ｋ］を演算する。

この推定位置誤差ｅ［ｋ］は、状態推定ブロック５４に入力され、推定ゲインＬ（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５）を用いて、推定修正値（式（６）の右辺）が、演算される。そして、遅延ブロック５６から状態量（式（６）の左辺）と加算ブロック５２で加算され、式（６）のように、推定位置ｘ［ｋ］，推定速度ｖ［ｋ］，推定バイアス値ｂ［ｋ］，推定外乱抑圧値ｚ１［ｋ］，ｚ２［ｋ］を得る。

この推定値は、第４の演算ブロック５８で、状態フィードバックゲイン（一Ｆ）を乗算され、式（７）のように、アクチュエータ１の駆動値ｕ［ｋ］を得る。一方、加算ブロック５６からの式（６）の推定値は、第５の演算ブロック６２で、推定ゲインＡ（式（８）の５×５の行列）を乗じられ、又、第４の演算ブロック５８の駆動値ｕ［ｋ］は、第６の演算ブロック６０で、推定ゲインＢ（式（８）のｕ［ｋ］に乗じる値）を乗じられる。両乗算結果は、加算ブロック６４で、加算され、式（８）の次のサンプルの推定状態量を得る。

この次のサンプルの推定状態量は、前述のように、遅延ブロック５６に入力し、状態推定ブロック５４の推定修正値で、修正される。そして、加算ブロック５２からの式（６）の推定値は、第７の演算ブロック６６で、推定位置ｘ［ｋ］が取り出され、前述の第２の演算ブロック５０に入力する。

このような、現在オブザーバに、前述の周波数補償機能を付与するため、図１８に示すように、代表周波数Ｆｓｅｅｋに応じた推定ゲインＬ，Ａを格納するテーブル３８を設ける。テーブル３８は、各代表周波数Ｆｒｅｑ（＝Ｆｓｅｅｋ）の値に応じた推定ゲインＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５と、外乱用Ａ行列ａ１１，ａ１２，ａ２１，ａ２２の値を格納する。このテーブル３８のＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５により、状態推定ブロック５４のＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５を、代表周波数に応じて、変更する。又、このテーブル３８の外乱用Ａ行列ａ１１，ａ１２，ａ２１，ａ２２によって、第５の演算ブロック６２のａ１１，ａ１２，ａ２１，ａ２２（式（８）参照）を、代表周波数に応じて、変更する。

このテーブル３８の値は、１つに周波数をノッチフィルタ状に抑圧する特性を実現する係数変化を示し、オブザーバの推定ゲインとＡ行列で、ノッチフィルタ状に整形するための外乱モデルの整形フィルタの形を変化する。このように、オブザーバ制御により、簡単に実現できる。

（シーク制御系の第３の実施の形態）
図２０は、図１のＭＣＵ１４が実行する位置決め制御系の第３の実施の形態のブロック図である。この位置決め制御系は、現在オブザーバ制御系である。

図２０に示す現在オブザーバは、下記式（９）、（１０）、（１１）、（１２）で示されるオブザーバである。

この実施の形態は、図１８の外乱モデルを分離したオブザーバの例である。アナログ制御系からデジタル制御系へと変換する際に，オブザーバのモデルを修正することにより、式（１０）、（１１）、（１２）のように、外乱を分離した構成が実現できる。

図２０において、図１８と同一のものは、同一の記号で示してあり、図１８と同様に、第１の演算ブロック２０は、ヘッド３が読み取った前述のサーボ情報を復調して得た観測位置ｙ［ｋ］から目標位置ｒを差し引き、実位置誤差ｅｒ［ｋ］を演算する。第２の演算ブロック５０は、実位置誤差ｅｒ［ｋ］からオブザーバの推定位置ｘ［ｋ］との推定位置誤差ｅ［ｋ］を演算する。

この推定位置誤差ｅ［ｋ］は、状態推定ブロック５４に入力され、推定ゲインＬａ（Ｌ１，Ｌ２）を用いて、推定修正値（式（９）の右辺）が、演算される。そして、遅延ブロック５６から状態量（式（９）の左辺）と加算ブロック５２で加算され、式（９）のように、推定位置ｘ［ｋ］，推定速度ｖ［ｋ］を得る。

この推定値のｘ［ｋ］，ｖ［ｋ］は、第４の演算ブロック５８で、状態フィードバックゲイン（一Ｆａ＝Ｆ１，Ｆ２）を乗算され、式（１０）のように、アクチュエータ１の第１の駆動値ｕａ［ｋ］を得る。一方、加算ブロック５２からの式（９）の推定値のｘ［ｋ］，ｖ［ｋ］は、第５の演算ブロック６２で、推定ゲインＡａ（式（１２）の２×２の（１，０）のＡ行列）を乗じられ、第４の演算ブロック５８の駆動値ｕ［ｋ］は、第６の演算ブロック６０で、推定ゲインＢａ（式（１２）のｕ［ｋ］に乗じる値）を乗じられる。両乗算結果は、加算ブロック６４で、加算され、式（１２）の次のサンプルの推定状態量ｘ［ｋ＋１］，ｖ［ｋ＋１］を得る。

この次のサンプルの推定状態量は、前述のように、遅延ブロック５６に入力し、状態推定ブロック５４の推定修正値で、修正される。そして、加算ブロック５２からの式（９）の推定値は、第７の演算ブロック６６で、推定位置ｘ［ｋ］が取り出され、前述の第２の演算ブロック５０に入力する。

又、推定位置誤差ｅ［ｋ］は、外乱の状態推定ブロック７０に入力され、推定ゲインＬｄ１（Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５）を用いて、推定修正値（式（９）の右辺）が、演算される。そして、遅延ブロック５２から状態量（式（９）の左辺）と加算ブロック７４で加算され、式（９）のように、推定外乱抑圧値ｂ［ｋ］，ｚ１［ｋ］，ｚ２［ｋ］を得る。

この推定値ｂ［ｋ］，ｚ１［ｋ］，ｚ２［ｋ］は、第８の演算ブロック７６で、状態フィードバックゲイン（Ｆｄ１＝Ｆ３，Ｆ４，Ｆ５）を乗算され、式（１１）のように、アクチュエータ１の外乱抑圧駆動値を得る。一方、加算ブロック７４からの式（９）の推定値のｂ［ｋ］，ｚ１［ｋ］，ｚ２［ｋ］は、第９の演算ブロック７８で、推定ゲインＡｄ１（式（１２）のｂ［ｋ］のゲイン及び２×２のＡ行列のゲイン）を乗じられ、遅延ブロック７２に入力し、次のサンプルの推定値ｂ［ｋ＋１］，ｚ１［ｋ＋１］，ｚ２［ｋ＋１］を得る。

そして、加算ブロック６８で、駆動値ｕ［ｋ］に、外乱抑圧駆動値を差し引き、式（１１）の出力駆動値ｕｏｕｔ［ｋ］を得る。

即ち、式（６）、（７）、（８）と、式（９）、（１０）、（１１）、（１２）とを比較すると、式（８）の行列で示すゲインを、コントローラモデルと外乱モデルで分離し、式（１２）に展開し、且つ式（７）のゲインＦを、コントローラモデルと外乱モデルで分離し、式（１０）、（１１）に展開する。

式（６）と式（９）は、形式上で同一であるが、展開された式に沿って、別のブロック５４，７０で計算する。

このような分離型オブザーバに、周波数補償機能を付与するため、代表周波数Ｆｓｅｅｋに応じた推定ゲインＬｄ１，Ａｄ１を格納するテーブル３８を有する。テーブル３８は、図１９に示したように、各代表周波数の値に応じたＬ３，Ｌ４，Ｌ５と、ａ１１，ａ１２，ａ２１，ａ２２の値を格納する。このテーブル３８のＬ３，Ｌ４，Ｌ５により、状態推定ブロック７０のＬ３，Ｌ４，Ｌ５を、代表周波数に応じて、変更する。又、このテーブル３８のａ１１，ａ１２，ａ２１，ａ２２によって、演算ブロック７８のａ１１，ａ１２，ａ２１，ａ２２（式（１２）参照）を、代表周波数に応じて、変更する。

この例でも、図１８と同様に、オブザーバの推定ゲインの変更により，ノッチフィルタ状に整形するための外乱モデルの周波数特性を変更できる。

（シーク制御系の第４の実施の形態）
図２１は、図１のＭＣＵ１４が実行する位置決め制御系の第４の実施の形態のブロック図である。この位置決め制御系は、二自由度制御系のフィードバック制御ループに、特定の周波数の周波数特性をシーク距離に応じて、変更する補償器２４を、並列に設けたものである。

図２１に示すように、制御対象であるプラント４０（図１では、ヘッド３とアクチュエータ１）を目標位置ｒにシーク移動する。軌道作成ブロック２８は、目標位置ｒから、位置軌道、又は、速度軌道、又は、加速度軌道ｕｆを作成し、演算ブロック２６に出力する。

一方、フィードバックループ系では、演算ブロック２０が、プラント４０の位置ｙと目標位置ｒとの位置誤差を計算し、コントローラ２２は、位置誤差から位置誤差が減少するような制御量を演算する。周波数補償ブロック２４は、外部から周波数特性の変更が可能であり、感度関数上で、特定の周波数を抑圧する。この周波数補償ブロック２４の出力とコントローラ２２の出力とを、演算ブロック２６が、前述のシーク軌道ｕｆと加算して、加算値ｕで、プラント４０を駆動する。

この周波数補償ブロック２４の制御定数は、代表周波数Ｆｓｅｅｋで参照されるテーブル３８の値で、シーク時間に対応して、変更される。周波数補償ブロック２４は、例えば、次式（１３）で示される伝達関数を持つ。尚、式（１３）において、ｓは、ラプラス演算子、ωは中心周波数である。式（１３）のａ，ｂを、感度関数又は加速度外乱特性が、中心周波数で抑圧されるように、テーブル３８の値で変更する。

このように、周波数補償ブロック２４を並列に接続した構成でも、図４と同様に、シーク時間に応じて、感度関数、即ち、フィードバックループの周波数特性を、変更できる。このため、実際のプラントとプラントのモデルのずれに起因する位置ずれ成分のゲインが、高くなり、フィードバックループで、位置ずれを抑圧するよう制御できる。即ち、シーク時間のばらつきを低減でき、且つオーバーラン、アンダーランを防止できる。

（シーク制御系の第５の実施の形態）
図２２は、図１のＭＣＵ１４が実行する位置決め制御系の第５の実施の形態のブロック図である。この位置決め制御系は、二自由度制御系のフィードバック制御ループに、特定の周波数の周波数特性をシーク距離に応じて、変更する補償器２４を設けたものである。

又、２自由度制御における特性（１／Ｐｍ）の軌道作成ブロック２８で、目標位置ｒから軌道電流ｕｆを作成する場合に、この特性のブロックを実現するため、フィードフォワード制御を用いたものである。

図２２において、図４及び図２１に示したものと同一のものは、同一の記号で示してあり、同様に、制御対象であるプラント４０（図１では、ヘッド３とアクチュエータ１）を目標位置ｒにシーク移動するための軌道作成ブロック２８は、フィードフォワード電流生成ブロック２８−１と、この電流生成ブロック２８−１から生成された単位距離のフィードフォワード電流に、シーク距離Ｌｓｅｅｋを乗算して、シーク距離分のフィードフォワード電流を生成する乗算ブロック２８−２とを有する。

同様に、目標位置生成ブロック４４は、単位距離の位置軌道を生成する位置軌道生成ブロック４４−１と、この位置軌道生成ブロック４４−１から生成された単位距離の位置軌道に、シーク距離Ｌｓｅｅｋを乗算して、シーク距離分の位置軌道を生成する乗算ブロック４４−２とを有する。

フィードバックループ系では、演算ブロック２０が、プラント４０の位置ｙと目標位置軌道との位置誤差を計算し、コントローラ２２は、位置誤差から位置誤差が減少するような制御量を演算する。周波数補償ブロック２４は、外部から周波数特性の変更が可能であり、感度関数上で、特定の周波数を抑圧する。この周波数補償ブロック２４の出力を、演算ブロック２６が、前述のシーク軌道（フィードフォワード電流）ｕｆと加算して、加算値ｕで、プラント４０を駆動する。

図４及び図２１と同様に、この周波数補償ブロック２４の制御定数は、代表周波数Ｆｓｅｅｋで参照されるテーブル３８の値で、シーク時間に対応して、変更される。

このように、フィードフォワードを利用すると、実現が容易であり、且つ図４と同様に、シーク時間に応じて、感度関数、即ち、フィードバックループの周波数特性を、変更できる。このため、実際のプラントとプラントのモデルのずれに起因する位置ずれ成分のゲインが、高くなり、フィードバックループで、位置ずれを抑圧するよう制御できる。即ち、シーク時間のばらつきを低減でき、且つオーバーラン、アンダーランを防止できる。

（シーク制御系の第６の実施の形態）
図２３は、図１のＭＣＵ１４が実行する位置決め制御系の第６の実施の形態のブロック図、図２４は、図２３の構成をオブザーバで実現したブロック図である。この位置決め制御系は、二自由度制御系のフィードバック制御ループに、特定の周波数の周波数特性をシーク距離に応じて、変更する補償器２４を設けたものである。

又、２自由度制御における特性（１／Ｐｍ）の軌道作成ブロック２８で、目標位置ｒから軌道電流ｕｆを作成する場合に、この特性のブロックを実現するため、２自由度整形フィルタを用いたものである。

図２３において、図４及び図２１、図２２に示したものと同一のものは、同一の記号で示してあり、同様に、制御対象であるプラント４０（図１では、ヘッド３とアクチュエータ１）を目標位置ｒにシーク移動するための軌道作成ブロック２８は、目標位置生成ブロック４４からの目標位置ｒを、鈍らせ、加速度軌道Ｕｆを生成する整形フィルタ８０で構成される。

フィードバックループ系では、演算ブロック２０が、プラント４０の位置ｙと目標位置軌道との位置誤差を計算し、コントローラ２２は、位置誤差から位置誤差が減少するような制御量を演算する。周波数補償ブロック２４は、外部から周波数特性の変更が可能であり、感度関数上で、特定の周波数を抑圧する。この周波数補償ブロック２４の出力を、演算ブロック２６が、前述のシーク軌道電流ｕｆと加算して、加算値ｕで、プラント４０を駆動する。

図４及び図２１と同様に、この周波数補償ブロック２４の制御定数は、代表周波数Ｆｓｅｅｋで参照されるテーブル３８の値で、シーク時間に対応して、変更される。

図２４は、図２３の構成を予測オブザーバで実現したブロック図であり、図２３、図１８で示したものと同一のものは、同一の記号で示してある。コントローラ２２及び周波数補償ブロック２４は、オブザーバで構成され、殆ど、図１８と同一の構成である。但し、図１８が現在オブザーバであるのに対し、図２４は、予測オブザーバであるため、遅延ブロック５６が、加算ブロック５２の出力を遅延し、状態フィードバックブロック５８に入力する。

又、二自由度制御系２８は、制御ゲイン乗算ブロックで構成され、目標位置生成ブロック４４の目標位置軌道ｒ［ｋ］を、軌道作成ゲインＮで乗算し、軌道電流Ｕｆを加算ブロック２６に出力し、且つ目標位置軌道ｒ［ｋ］に、位置ゲインＭを乗じて、オブザーバ２２，２４の加算ブロック５２に入力する。

尚、図示していないが、図１８と同様に、代表周波数Ｆｓｅｅｋで参照されるテーブル３８を有し、図１８と同様に、オブザーバの状態推定ブロック５４のＬ３〜Ｌ５，状態フィードバックブロック６２のＡ行列を、シーク時間に応じて、変更する。

このように、オブザーバによる二自由度制御を利用すると、実現が容易であり、且つ図４と同様に、シーク時間に応じて、感度関数、即ち、フィードバックループの周波数特性を、変更できる。このため、実際のプラントとプラントのモデルのずれに起因する位置ずれ成分のゲインが、高くなり、フィードバックループで、位置ずれを抑圧するよう制御できる。即ち、シーク時間のばらつきを低減でき、且つオーバーラン、アンダーランを防止できる。

（他の実施の形態）
前述の実施の形態では、シーク制御を、磁気ディスク装置のヘッド位置決め装置の適用の例で説明したが、光ディスク装置等の他のディスク装置や移動制御装置にも適用できる。又、コントローラは、オブザーバ制御によるもののみならず、ＰＩＤ（Ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ）制御、Ｌｅａｄｌａｇ制御等も適宜採用できる。

以上、本発明を、実施の形態で説明したが、本発明は、その趣旨の範囲内で種々の変形が可能であり、これを本発明の範囲から排除するものではない。

（付記１）対象物を現在位置から目標位置に、アクチュエータによりシーク移動するシーク制御方法において、前記目標位置に応じたシーク軌道信号を生成するステップと、フィードバックループにより、前記対象物の現在位置と前記目標位置との位置誤差から前記アクチュエータのフィードバック制御信号を生成するステップと、前記シーク軌道信号と前記フィードバック制御信号とで前記アクチュエータを駆動するステップと、少なくとも、前記現在位置から前記目標位置までのシーク時間に応じて、抑圧すべき代表周波数を決定するステップと、前記代表周波数を抑圧するように、前記フィードバックループの周波数特性を変更するステップとを有することを特徴とするシーク制御方法。

（付記２）前記決定ステップは、前記シーク時間と、前記シーク軌道信号のシーク波形とから、抑圧すべき代表周波数を決定するステップからなることを特徴とする付記１のシーク制御方法。

（付記３）前記変更するステップは、前記フィードバックループの感度関数上で、前記代表周波数を抑圧するように、前記フィードバックループの周波数特性を変更するステップからなることを特徴とする付記１のシーク制御方法。

（付記４）前記決定ステップは、前記シーク波形のパワースペクトラムが最大となる周波数を、前記代表周波数に決定するステップからなることを特徴とする付記２のシーク制御方法。

（付記５）前記生成ステップは、フィードフォワード制御により前記シーク軌道信号を供給するステップからなることを特徴とする付記１のシーク制御方法。

（付記６）前記フィードバックステップは、オブザーバ制御により、前記アクチュエータのフィードバック制御信号を生成するステップからなることを特徴とする付記１のシーク制御方法。

（付記７）前記変更ステップは、前記オブザーバ制御の外乱推定ゲインを前記代表周波数に応じて変更するステップからなることを特徴とする付記６のシーク制御方法。

（付記８）対象物を現在位置から目標位置に、アクチュエータによりシーク移動するシーク制御装置において、前記目標位置に応じたシーク軌道信号を供給するブロックと、前記対象物の現在位置と前記目標位置との位置誤差から前記アクチュエータのフィードバック制御信号を生成するフィードバックループと、前記シーク軌道信号と前記フィードバック制御信号とで前記アクチュエータの駆動値を演算するブロックと、少なくとも、前記現在位置から前記目標位置までのシーク時間に応じて、抑圧すべき代表周波数を決定し、前記代表周波数を抑圧するように、前記フィードバックループの周波数特性を変更するブロックとを有することを特徴とするシーク制御装置。

（付記９）前記変更ブロックは、前記シーク時間と、前記シーク軌道信号のシーク波形とから、抑圧すべき代表周波数を決定することを特徴とする付記８のシーク制御装置。

（付記１０）前記変更ブロックは、前記フィードバックループの感度関数上で、前記代表周波数を抑圧するように、前記フィードバックループの周波数特性を変更することを特徴とする付記８のシーク制御装置。

（付記１１）前記変更ブロックは、前記シーク波形のパワースペクトラムが最大となる周波数を、前記代表周波数に決定することを特徴とする付記９のシーク制御装置。

（付記１２）前記供給ブロックは、フィードフォワード制御により前記シーク軌道信号を供給することを特徴とする付記８のシーク制御装置。

（付記１３）前記フィードバックループは、オブザーバ制御系で構成されたことを特徴とする付記８のシーク制御装置。

（付記１４）前記変更ブロックは、前記オブザーバ制御の外乱推定ゲインを前記代表周波数に応じて変更することを特徴とする付記１３のシーク制御装置。

（付記１５）ディスク記憶媒体のデータを少なくとも読み取るヘッドと、前記ディスク記憶媒体の所定位置に、前記ヘッドを位置決めするアクチュエータと、前記目標位置に応じたシーク軌道信号を供給するブロックと、前記対象物の現在位置と前記目標位置との位置誤差から前記アクチュエータのフィードバック制御信号を生成するフィードバックループと、前記シーク軌道信号と前記フィードバック制御信号とで前記アクチュエータの駆動値を演算するブロックとを有する制御ユニットとを有し、前記制御ユニットは、少なくとも、前記現在位置から前記目標位置までのシーク時間に応じて、抑圧すべき代表周波数を決定し、前記代表周波数を抑圧するように、前記フィードバックループの周波数特性を変更することを特徴とするディスク装置。

（付記１６）前記制御ユニットは、前記シーク時間と、前記シーク軌道信号のシーク波形とから、抑圧すべき代表周波数を決定することを特徴とする付記１５のディスク装置。

（付記１７）前記制御ユニットは、前記フィードバックループの感度関数上で、前記代表周波数を抑圧するように、前記フィードバックループの周波数特性を変更することを特徴とする付記１５のディスク装置。

（付記１８）前記制御ユニットは、前記シーク波形のパワースペクトラムが最大となる周波数を、前記代表周波数に決定することを特徴とする付記１６のディスク装置。

（付記１９）前記制御ユニットは、フィードフォワード制御により前記シーク軌道信号を供給することを特徴とする付記１５のディスク装置。

（付記２０）前記フィードバックループは、オブザーバ制御系で構成されたことを特徴とする付記１５のディスク装置。

（付記２１）前記制御ユニットは、前記オブザーバ制御の外乱推定ゲインを前記代表周波数に応じて変更することを特徴とする付記２０のディスク装置。

シーク軌道を与えて、シーク制御する際に、シーク時間に応じて、フィードバックループの周波数特性を、変更するため、実際のプラントとプラントのモデルのずれに起因する位置ずれ成分のゲインが、高くなり、フィードバックループで、位置ずれを抑圧するよう制御できる。即ち、シーク時間のばらつきを低減でき、且つオーバーラン、アンダーランを防止できる。

本発明の一実施の形態を示すディスク装置の構成図である。 図１のディスクの位置信号の説明図である。 図２の位置信号の詳細説明図である。 図１のヘッドのシーク制御系の第１の実施の形態のブロック図である。 図４のシーク軌道の説明図である。 図５のシーク波形のパワースペクトラムの説明図である。 図４の制御系の感度関数の特性図である。 図４の制御系の加速度外乱の特性図である。 図４、図５のシーク時間のシーク波形の説明図である。 図９のシーク波形のパワースペクトラムの説明図である。 図１０のパワースペクトラムに対応した図４の制御系の感度関数の特性図である。 図１０のパワースペクトラムに対応した図４の制御系の加速度外乱の特性図である。 図４、図５の他のシーク時間のシーク波形の説明図である。 図１３のシーク波形のパワースペクトラムの説明図である。 図１４のパワースペクトラムに対応した図４の制御系の感度関数の特性図である。 図１４のパワースペクトラムに対応した図４の制御系の加速度外乱特性の説明図である。 本発明の一実施の形態のシーク処理フロー図である。 本発明の第２の実施の形態のシーク制御系のブロック図である。 図１８の推定ゲインテーブルの構成図である。 本発明の第３の実施の形態のシーク制御系のブロック図である。 本発明の第４の実施の形態のシーク制御系のブロック図である。 本発明の第５の実施の形態のシーク制御系のブロック図である。 本発明の第６の実施の形態のシーク制御系のブロック図である。 図２３のシーク制御系をオブザーバ制御で実現したブロック図である。 従来のシーク制御系の説明図である。

符号の説明

１ アクチュエータ
２ スピンドルモータの回転軸
３ ヘッド
４ ディスク
５ スピンドルモータ
６ アクチュエータのＶＣＭ駆動回路
７ 位置復調回路
８ スピンドルモータの駆動回路
９ バス
１０ データの記録再生回路
１１ ハードディスクコントローラ
１２ ＭＣＵのＲＡＭ
１３ ＭＣＵのＲＯＭ
１４ マイクロコントローラユニット
１５ ハードディスクコントローラのＲＡＭ
１６ 位置信号
２０ 位置誤差演算ブロック
２２ フィードバックコントロ−ラ
２４ 周波数補償ブロック
２６ 加算ブロック
２８ シーク軌道生成ブロック
３０ 抑圧周波数設定ブロック
４０ プラント

Claims (10)

1. 対象物を現在位置から目標位置に、アクチュエータによりシーク移動するシーク制御方法において、
   前記目標位置に応じたシーク軌道信号を生成するステップと、
   フィードバックループにより、前記対象物の現在位置と前記目標位置との位置誤差から前記アクチュエータのフィードバック制御信号を生成するステップと、
   前記シーク軌道信号と前記フィードバック制御信号とで前記アクチュエータを駆動するステップと、
   少なくとも、前記現在位置から前記目標位置までのシーク時間に応じて、抑圧すべき代表周波数を決定するステップと、前記代表周波数を抑圧するように、前記フィードバックループの周波数特性を変更するステップとを有する
   ことを特徴とするシーク制御方法。
2. 前記決定ステップは、前記シーク時間と、前記シーク軌道信号のシーク波形とから、抑圧すべき代表周波数を決定するステップからなる
   ことを特徴とする請求項１のシーク制御方法。
3. 対象物を現在位置から目標位置に、アクチュエータによりシーク移動するシーク制御装置において、
   前記目標位置に応じたシーク軌道信号を供給するブロックと、
   前記対象物の現在位置と前記目標位置との位置誤差から前記アクチュエータのフィードバック制御信号を生成するフィードバックループと、
   前記シーク軌道信号と前記フィードバック制御信号とで前記アクチュエータの駆動値を演算するブロックと、
   少なくとも、前記現在位置から前記目標位置までのシーク時間に応じて、抑圧すべき代表周波数を決定し、前記代表周波数を抑圧するように、前記フィードバックループの周波数特性を変更するブロックとを有する
   ことを特徴とするシーク制御装置。
4. 前記変更ブロックは、前記シーク時間と、前記シーク軌道信号のシーク波形とから、抑圧すべき代表周波数を決定する
   ことを特徴とする請求項３のシーク制御装置。
5. 前記変更ブロックは、前記フィードバックループの感度関数上で、前記代表周波数を抑圧するように、前記フィードバックループの周波数特性を変更する
   ことを特徴とする請求項３のシーク制御装置。
6. 前記変更ブロックは、前記シーク波形のパワースペクトラムが最大となる周波数を、前記代表周波数に決定する
   ことを特徴とする請求項３のシーク制御装置。
7. 前記供給ブロックは、フィードフォワード制御により前記シーク軌道信号を供給する
   ことを特徴とする請求項３のシーク制御装置。
8. ディスク記憶媒体のデータを少なくとも読み取るヘッドと、
   前記ディスク記憶媒体の所定位置に、前記ヘッドを位置決めするアクチュエータと、
   前記目標位置に応じたシーク軌道信号を供給するブロックと、前記対象物の現在位置と前記目標位置との位置誤差から前記アクチュエータのフィードバック制御信号を生成するフィードバックループと、前記シーク軌道信号と前記フィードバック制御信号とで前記アクチュエータの駆動値を演算するブロックとを有する制御ユニットとを有し、
   前記制御ユニットは、少なくとも、前記現在位置から前記目標位置までのシーク時間に応じて、抑圧すべき代表周波数を決定し、前記代表周波数を抑圧するように、前記フィードバックループの周波数特性を変更する
   ことを特徴とするディスク装置。
9. 前記制御ユニットは、前記フィードバックループの感度関数上で、前記代表周波数を抑圧するように、前記フィードバックループの周波数特性を変更する
   ことを特徴とする請求項８のディスク装置。
10. 前記制御ユニットは、前記シーク時間と、前記シーク軌道信号のシーク波形とから、抑圧すべき代表周波数を決定する
    ことを特徴とする請求項８のディスク装置。