JP2007294008A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】メモリセルに対して電子を引き抜く処理をすることなく、メモリセルに対して複数回の書込みができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】メモリセルアレイ36は、複数個のメモリセルを含む。書込回路26は、メモリセルへのデータの書込みを行なう。読出/書込/消去制御回路は、次回の書込み行なう前に、メモリセルアレイ36内のすべてのメモリセルの閾値レベルが同一となるように書込回路26に書込みを行なわせる。
【選択図】図1
【解決手段】メモリセルアレイ36は、複数個のメモリセルを含む。書込回路26は、メモリセルへのデータの書込みを行なう。読出/書込/消去制御回路は、次回の書込み行なう前に、メモリセルアレイ36内のすべてのメモリセルの閾値レベルが同一となるように書込回路26に書込みを行なわせる。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体記憶装置に関し、特に、複数個の閾値レベルを有する半導体記憶装置に関する。
近年、多値デバイスの特性が多様化しており、多値メモリのように「0」、「0.5」、「1」などの判定が必要となってきている。
これに対して、たとえば、特許文献1に記載のリファレンス装置は、閾値が異なる複数のリファレンスセルと、これらのうちの一つを選択する選択回路を備えている。そして、このリファレンス装置に流れる電流と、半導体セルに流れる電流とをセンスアンプで比較することにより半導体装置の電流を判定する。
特開平9−181279号公報
しかしながら、特許文献1に記載に装置では、メモリセルに書込んだデータを消去するためには、メモリセルから電子を引き抜く処理が必要となり、そのため回路の規模が大きくなるという問題がある。
それゆえに、本発明の目的は、メモリセルに対して電子を引き抜く処理をすることなく、メモリセルに対して複数回の書込みができる半導体記憶装置を提供することである。
上記課題を解決するために、本発明は、複数回の書込みが可能な半導体記憶装置であって、複数個のメモリセルを含むメモリセルアレイと、メモリセルへのデータの書込みを行なう書込回路と、書込回路を制御する制御回路とを備え、制御回路は、次回の書込み行なう前に、メモリセルアレイ内のすべてのメモリセルの閾値レベルが同一となるように書込回路に書込みを行なわせる。
本発明の半導体記憶装置によれば、メモリセルに対して電子を引き抜く処理をすることなく、メモリセルに対して複数回の書込みができる。
以下、本発明に係る実施の形態について図面を参照して説明する。
[第1の実施形態]
図1は、本発明の実施形態の半導体記憶装置を表わす図である。
[第1の実施形態]
図1は、本発明の実施形態の半導体記憶装置を表わす図である。
図1を参照して、この半導体記憶装置100は、メモリセルアレイ36と、Xデコーダ20と、Yデコーダ22と、Yゲート24と、データ入出力バッファ10と、アドレスバッファ12と、制御信号バッファ14と、コマンド制御回路16と、読出/書込/消去制御回路18と、ページバッファ28と、書込回路26と、センスアンプ部30と、ベリファイ回路32と、読出回路34とを備える。
メモリセルアレイ36は、複数のビット線BL、複数のビット線対BLに交差する複数のワード線WL、およびそれらの交点に設けられた複数のフラッシュメモリセルMCを含む。
図2は、フラッシュメモリセルMCの構造を示す概念図である。
図2を参照して、フラッシュメモリセルMCは、p型基板1上に形成される、n+領域であるソース2およびドレイン3を含む。メモリセルMCは、さらに、フローティングゲート4およびコントロールゲート5をさらに含む。フローティングゲート4およびコントロールゲート5は、絶縁膜6によって絶縁されて、p型基板1上に積層される。
図2を参照して、フラッシュメモリセルMCは、p型基板1上に形成される、n+領域であるソース2およびドレイン3を含む。メモリセルMCは、さらに、フローティングゲート4およびコントロールゲート5をさらに含む。フローティングゲート4およびコントロールゲート5は、絶縁膜6によって絶縁されて、p型基板1上に積層される。
コントロールゲート5は、メモリセルMCを選択するためのワード線WLと結合される。ソース2は、ソース線SLに結合され、ドレイン3は、ビット線BLとそれぞれ結合される。
メモリセルMCに対するデータの書込み時には、ドレインに書込み電圧(通常6V程度)を印加し、コントロールゲート5に高電圧(通常12V程度)を印加し、ソースが接地される。フローティングゲート4に対するチャネルホットエレクトロン7が注入されることによって実行される。データの書込によって、メモリセルMCの閾値電圧は、高くなる。
メモリセルMCは、4つの閾値レベルを有する多値メモリセルである。
図3は、本発明の実施形態のメモリセルの閾値電流の分布を示す図である。図3において、縦軸に閾値電流を示し、横軸に分布度数(メモリセルの相対的な数)を示す。
図3は、本発明の実施形態のメモリセルの閾値電流の分布を示す図である。図3において、縦軸に閾値電流を示し、横軸に分布度数(メモリセルの相対的な数)を示す。
図3を参照して、このメモリセルMCは、第1番目の閾値レベルA、第2番目の閾値レベルB、第3番目の閾値レベルC、第4番目の閾値レベルDを有する。閾値レベルAと閾値レベルBとは、第1の参照電流REF1によって分離され、閾値レベルBと閾値レベルCとは、第2の参照電流REF2によって分離され、閾値レベルCと閾値レベルDとは、第3の参照電流REF3によって分離される。
再び、図1を参照して、データ入出力バッファ10は、データ入出力端子DQを介して外部から入力された書込みデータを保持し、データ入出力端子DQを介して保持している読出しデータを外部へ出力する。
アドレスバッファ12は、アドレス信号端子ADを介して外部から与えられるアドレス信号を受けて、内部アドレス信号(Xアドレス信号およびYアドレス信号)を生成する。
制御信号バッファ14は、制御信号端子CTを介して外部から制御信号を受けて内部制御信号を生成する。
コマンド制御回路16は、内部制御信号と内部アドレス信号にしたがって、指定された動作モードを判定する。
コマンド制御回路16は、K(2≦K≦(N−1))回目の書込みを行なう前に、(K−1)回目の消去を行なうように、外部から制御信号およびアドレス信号によって制御される。ここで、Nは、閾値レベルの総数であり、この実施形態では4である。
Xデコーダ20は、Xアドレス信号にしたがって、複数のワード線WLのうちのいずれかを選択する。
Yデコーダ22は、Yアドレス信号にしたがって、メモリセルアレイ36の列を選択するための列選択信号を生成する。
Yゲート24は、Yデコーダ22からの列選択信号にしたがって、メモリセルアレイ36の選択列を内部データ線を介してセンスアンプ部30および書込回路26に接続する。
ページバッファ28は、データの書込み時に、データ入出力バッファ10から1ページ分の書込みデータが与えられ、それを保持する。
書込回路26は、書込みモード時および消去モード時に、ページバッファ28に保持される書込みデータに従って、ビット線に書込パルスを印加してメモリセルMCの閾値を増加させる。具体的には、書込回路26は、ページバッファ28内の書込みデータが「1」のメモリセルMCに接続するビット線BLに書込みパルスを印加し、書込みデータが「0」のメモリセルMCに接続するビット線BLには書込みパルスを印加しない。
読出/書込/消去制御回路18は、コマンド制御回路16からの動作モード指示に従って指定された動作モードに必要な制御信号を生成して、各回路の動作を制御する。
読出/書込/消去制御回路18は、書込み回数を記憶する。読出/書込/消去制御回路18は、消去モード時には、ページバッファ28内の書込みデータをすべて「1」とし、書込回路26に書込処理を行なわせる。読出/書込/消去制御回路18は、この書込処理をメモリセルアレイ36を構成するすべてのページについて行なわせ、終了後に書込回数を1だけインクリメントする。ただし、書込回数の初期状態は1である。
再び、図3を参照して、初期状態では、すべてのメモリセルMCの閾値レベルはAである。
書込回数が1回目には、1回目の書込みが行なわれ、書込みが行なわれたメモリセルMCの閾値レベルはBとなる。2回目の書込みの前に1回目の消去が行なわれる。1回目の消去が行なわれたときに、すべてのメモリセルMCの閾値レベルはBとなる。
その後書込回数が2回にインクリメントされる。書込回数が2回目には、2回目の書込みが行なわれ、書込みが行なわれたメモリセルMCの閾値レベルはCとなる。3回目の書込みの前に2回目の消去が行なわれる。2回目の消去が行なわれたときに、すべてのメモリセルMCの閾値レベルはCとなる。
その後書込回数が3回にインクリメントされる。書込回数が3回目には、3回目の書込みが行なわれ、書込みが行なわれたメモリセルMCの閾値レベルはDとなる。
読出/書込/消去制御回路18は、書込モード時には、ベリファイ回路32があるメモリセルMCのベリファイがパスしたことを通知したときに、そのメモリセルMCのページバッファ28内の書込みデータを「0」に変化させることによって、そのメモリセルMCへの書込みを終了させる。
図4は、第1の実施形態のセンスアンプ部30と、それに接続される回路を表わす図である。
参照メモリセルアレイ40は、メモリセルアレイ36に含まれ、3つの参照メモリセルRMC1,RMC2,RMC3を含む。参照メモリセルRMC1,RMC2,RMC3は、読出し時およびベリファイ時に、それぞれ第1の参照電流REF1,第2の参照電流REF2,第3の参照電流REF3を出力する。
スイッチ部42は、第1参照電流REF1、第2の参照電流REF2および第3の参照電流REF3を受けて、書込回数が1回のときには、第1の参照電流REF1を出力し、書込回数が2回のときには、第2の参照電流REF2を出力し、書込回数が3回のときには第3の参照電流REF3を出力する
メモリセルMCは、読出し時およびベリファイ時に、ビット線にセル電流Idを出力する。
メモリセルMCは、読出し時およびベリファイ時に、ビット線にセル電流Idを出力する。
センスアンプ部30は、センスアンプSAを備える。
センスアンプSAの一方の入力端子に、メモリセルMCからのセル電流Idが入力され、他方の入力端子にスイッチ部42から第1の参照電流REF1、第2の参照電流RFF2、および第3の参照電流REF3のいずれかが入力される。
センスアンプSAの一方の入力端子に、メモリセルMCからのセル電流Idが入力され、他方の入力端子にスイッチ部42から第1の参照電流REF1、第2の参照電流RFF2、および第3の参照電流REF3のいずれかが入力される。
センスアンプSAは、書込回数が1回のときには、セル電流Idの大きさが第1の参照電流REF1以上であれば、出力信号SOUT=「1」を出力し、セル電流Idの大きさが第1の参照電流REF1未満であれば、出力信号SOUT=「0」を出力する。
センスアンプSAは、書込回数が2回のときには、セル電流Idの大きさが第2の参照電流REF2以上であれば、出力信号SOUT=「1」を出力し、セル電流Idの大きさが第2の参照電流REF2未満であれば、出力信号SOUT=「0」を出力する。
センスアンプSAは、書込回数が3回のときには、セル電流Idの大きさが第3の参照電流REF3以上であれば、出力信号SOUT=「1」を出力し、セル電流Idの大きさが第3の参照電流REF3未満であれば、出力信号SOUT=「0」を出力する。
センスアンプSAは、読出し時には、出力信号SOUTを読出し回路に出力し、ベリファイ時には、出力信号SOUTをベリファイ回路32に出力する。
ベリファイ回路32は、ページバッファ28内の書込みデータと、センスアンプ部30から出力される出力信号SOUTとが一致するか否かを判定して、判定結果(PASSまたはFAIL)を読出/書込/消去制御回路18に出力する。
読出回路34は、センスアンプ部30から出力される出力信号SOUTをデータ入出力バッファ10を介して外部に出力する。
以上のように、第1の実施形態の半導体記憶装置によれば、K回目の書込みを行なう前に、すべてのメモリセルMCの閾値レベルをK番目の閾値レベルとするので、メモリセルMCに対して電子を引き抜く処理をすることなく、メモリセルMCに対して複数回の書込みができる。
[第1の実施形態の変形例1]
第1の実施形態の書込回路26は、書込みパルスを印加するものに限定されるものではない。たとえば、定電流を供給するものであってもよい。
第1の実施形態の書込回路26は、書込みパルスを印加するものに限定されるものではない。たとえば、定電流を供給するものであってもよい。
図5は、書込回路の変形例を表わす図である。
図5を参照して、この書込回路54は、定電圧源52と、NチャネルMOSトランジスタN1とを含む。
図5を参照して、この書込回路54は、定電圧源52と、NチャネルMOSトランジスタN1とを含む。
NチャネルMOSトランジスタN1のゲートは定電圧源52に接続され、ソースは接地され、ドレインはビット線BLに接続される。
NチャネルMOSトランジスタN1は、定電圧源52の入力を受けて、一定の電流を流そうとする。この電流によってメモリセルMCにホットエレクトロンが注入するために必要な電界が与えられ、ホットエレクトロンが注入される。メモリセルMCに電子が注入されると、メモリセルMCから電流が流れ出して、メモリのソースとドレイン間の電位差がなくなり、メモリセルMCへのホットエレクトロンの注入が停止される。定電流の大きさを変化させることによって、メモリセルMCを任意の閾値レベルに変化させることができる。
書込回路54は、書込みモード時および消去モード時に、ページバッファ28に保持される書込みデータに従って、定電流をビット線BLを通じてメモリセルMCに供給する。具体的には、書込回路54は、ページバッファ28内の書込みデータが「1」のメモリセルMCに接続するビット線BLに定電流を供給し、書込みデータが「0」のメモリセルMCに接続するビット線BLには定電流を供給しない。
図6は、変形例のメモリセルの閾値電流の分布を示す図である。図6において、縦軸に閾値電流を示し、横軸に分布度数(メモリセルの相対的な数)を示す。
図6を参照して、定電流を用いてメモリセルMCへの書込みを行なうことによって、ホットエレクトロンの流入の停止が確実に行なわれ、メモリセルMCの閾値電流の分布をシャープにすることができる。
また、変形例1の定電流を用いた書込みには、以下の効果がある。従来の書込みパルスを印加する方法の場合、メモリセルに電流が多く流れた場合、ドレイン電位が降下し(たとえば6Vから3Vに)、その結果チャネルホットエレクトロンが発生せずに、書込み不可能となる場合がある。これに対して、定電流回路をソース側に持たせることによって、電圧降下を防止でき(たとえば6Vのまま維持)、その結果チャネルホットエレクトロンが発生し続け、書込みが不可能とならないようにできる。
[第1の実施形態の変形例2]
第1の形態のメモリセルMCは、フラッシュメモリセルMCに限定されるものではない。たとえば、FAMOS(Floating gate Avalanche-injection Metal Oxide Semiconductor)で構成されるメモリセルであってもよい。FAMOSとは、フローティングゲートを有するMOSトランジスタである。
第1の形態のメモリセルMCは、フラッシュメモリセルMCに限定されるものではない。たとえば、FAMOS(Floating gate Avalanche-injection Metal Oxide Semiconductor)で構成されるメモリセルであってもよい。FAMOSとは、フローティングゲートを有するMOSトランジスタである。
図7は、FAMOSで構成されるメモリセルを表わす図である。
図7を参照して、このメモリセルでは、フローティングゲート82とn型基板72上に形成される、p+領域であるソース78間の電位のカップリングによって電子が注入されることによって、メモリセルへの書込みが行なわれる。
図7を参照して、このメモリセルでは、フローティングゲート82とn型基板72上に形成される、p+領域であるソース78間の電位のカップリングによって電子が注入されることによって、メモリセルへの書込みが行なわれる。
一方、メモリセルでは、電子を引き抜くことができない。したがって、第1の実施形態で説明したように、消去指示に応じて、すべてのメモリセルの閾値レベルを同一となるような書込処理を行なうことによって、メモリセルに対して複数回の書込みができる。
[第1の実施形態の変形例3]
第1の実施形態の参照メモリセルは、ダミーセルであってもよい。
第1の実施形態の参照メモリセルは、ダミーセルであってもよい。
図8は、ダミーセルの配置を表わす図である。
図8を参照して、ダミーセルは、配線工程で段差が生じやすい部分に段差をなくす目的で配置されている。このようなダミーセルを参照メモリセルとして用いることによって、配線工程の段差の解消と参照電流の出力という2つの目的を達成することができる。
図8を参照して、ダミーセルは、配線工程で段差が生じやすい部分に段差をなくす目的で配置されている。このようなダミーセルを参照メモリセルとして用いることによって、配線工程の段差の解消と参照電流の出力という2つの目的を達成することができる。
[第1の実施形態の変形例4]
第1の実施形態では、K(2≦K≦(N−1))回目の書込みを行なう前に、(K−1)回目の消去、すなわちすべてのメモリセルの閾値レベルがK番目となるように書込みを行なったが、これに限定するものではない。
第1の実施形態では、K(2≦K≦(N−1))回目の書込みを行なう前に、(K−1)回目の消去、すなわちすべてのメモリセルの閾値レベルがK番目となるように書込みを行なったが、これに限定するものではない。
つまり、K(2≦K≦(N−1))回目の書込みを行なう前に、すべてのメモリセルの閾値レベルがK番目となるように書込みを行なわなくても、K回目の書込み時に、書込みを行なうメモリセルの閾値レベルを(K+1)番目となるようにするとともに、書込み回数に応じて参照電流の大きさを変えるだけでもよい。ただし、第1の実施形態では、書込み時には、常に閾値レベルを次の順位に移動させた(すなわち、AからBへ、BからCへ、またはCからDへ移動させた)が、この変形例の場合では、書込みの前にメモリセルの閾値レベルを揃えることをしないので、閾値レベルが1段または2段飛びで移動することもある(たとえば、AからCへ、AからDへ、またはBからDへ)。
再び図3を用いて、本変形例の動作を説明すると、書込回数が1回目には、1回目の書込みが行なわれ、書込みが行なわれたメモリセルMCの閾値レベルはBとなる。したがって、1回目の書込みが終了したときには、メモリセルアレイ内のメモリセルMCの閾値レベルは、Aのもの(まだ書込みが行なわれていないメモリセルの閾値レベル)と、Bのもの(1回目の書込みが行なわれたメモリセルの閾値レベル)とがある。
その後書込回数が2回にインクリメントされる。書込回数が2回目には、2回目の書込みが行なわれ、書込みが行なわれたメモリセルMCの閾値レベルはCとなる。2回目の書込み終了したときには、メモリセルMCの閾値レベルはAのもの(まだ書込みが行なわれていないメモリセルの閾値レベル)と、Bのもの(1回目に書込みが行なわれ、かつ2回目に書込みが行なわれていないメモリセルの閾値レベル)と、C(2回目に書込みが行なわれたメモリセルの閾値レベル)のものとがある。
その後書込回数が3回にインクリメントされる。書込回数が3回目には、3回目の書込みが行なわれ、書込みが行なわれたメモリセルMCの閾値レベルはDとなる。3回目の書込み終了したときには、メモリセルMCの閾値レベルはAのもの(まだ書込みが行なわれていないメモリセルの閾値レベル)と、Bのもの(1回目に書込みが行なわれ、かつ2回目および3回目に書込みが行なわれなかったメモリセルの閾値レベル)、Cのもの(2回目に書込みが行なわれ、かつ3回目に書込みが行なわれなかったメモリセルの閾値レベル)と、Dのもの(3回目に書込みが行なわれたメメモリセルの閾値レベル)とがある。
この変形例の参照メモリセルアレイ40、スイッチ部42、およびセンスアンプ部30の構成および動作は、第1の実施形態と同様である。
[第2の実施形態]
本発明の実施形態の半導体記憶装置は、第1の実施形態と以下の点で相違する。
本発明の実施形態の半導体記憶装置は、第1の実施形態と以下の点で相違する。
メモリセルMCは、2ビットのデータ(4値)を記憶する。具体的には、閾値レベルAでデータ“00”を記憶し、閾値レベルBでデータ“01”を記憶し、閾値レベルCでデータ“10”を記憶し、閾値レベルDでデータ“11”を記憶する。
読出/書込/消去制御回路18は、消去モード時に、図示しない消去回路に消去処理を行なわせる。
ページバッファ28は、各メモリセルMCの2ビットの書込みデータを保持する。
書込回路26は、ページバッファ28内の2ビットの書込みデータにしたがって、メモリセルMCの閾値を変化させる。
書込回路26は、ページバッファ28内の2ビットの書込みデータにしたがって、メモリセルMCの閾値を変化させる。
消去回路は、消去モード時に、メモリセルMCに消去パルスを印加して電子を引き抜く処理を行なって、メモリセルMCの閾値を低下させる。
図9は、第2の実施形態のセンスアンプ部60と、それに接続される回路を表わす図である。
センスアンプ部60は、第1番目のセンスアンプSA1と、第2番目のセンスアンプSA2と、第3番目のセンスアンプSA3と、判定部64とを備える。
参照メモリセルアレイ62は、3つの参照メモリセルRMC1,RMC2,RMC3を含む。参照メモリセルRMC1,RMC2,RMC3は、読出し時およびベリファイ時に、それぞれ閾値レベルAと閾値レベルBとを分離する第1の参照電流REF1、閾値レベルBと閾値レベルCとを分離する第2の参照電流REF2、閾値レベルCと閾値レベルDとを分離する第3の参照電流REF3を出力する。
読出し時およびベリファイ時に、メモリセルMCからのセル電流Idが、それぞれ第1番目のセンスアンプSA1、第2番目のセンスアンプSA2、第3番目のセンスアンプSA3の一方の入力端子に入力される。
第1番目のセンスアンプSA1の他方の入力端子には、第1の参照電流REF1が入力され、第2番目のセンスアンプSA2の他方の入力端子には、第2の参照電流REF2が入力され、第3番目のセンスアンプSA3の他方の入力端子には、第3の参照電流REF3が入力される。
第1番目のセンスアンプSA1は、メモリセルMCからのセル電流Idの大きさが第1の参照電流REF1以上であれば出力信号SOUT1=「1」を出力し、メモリセルMCからのセル電流Idの大きさが第1の参照電流REF1未満であれば出力信号SOUT1=「0」を出力する。
第2番目のセンスアンプSA2は、メモリセルMCからのセル電流Idの大きさが第2の参照電流REF2以上であれば出力信号SOUT2=「1」を出力し、メモリセルMCからのセル電流Idの大きさが第2の参照電流REF2未満であれば出力信号SOUT2=「0」を出力する。
第3番目のセンスアンプSA3は、メモリセルMCからのセル電流Idの大きさが第3の参照電流REF3以上であれば出力信号SOUT3=「1」を出力し、メモリセルMCからのセル電流Idの大きさが第3の参照電流REF3未満であれば出力信号SOUT3=「0」を出力する。
判定部64は、出力信号SOUT1、SOUT2、SOUT3にしたがって、メモリセルMC内のデータの論理値を判定する。
図10は、センスアンプ部60の出力信号と、メモリセルMCに記憶されているデータの論理値との関係を表わす図である。
図10を参照して、出力信号SOUT1が「0」、出力信号SOUT2が「0」、かつ出力信号SOUT3が「0」のときには、メモリセルMC内のデータの論理値が「00」と判定される。
出力信号SOUT1が「1」、出力信号SOUT2が「0」、かつ出力信号SOUT3が「0」のときには、メモリセルMC内のデータの論理値が「01」と判定される。
出力信号SOUT1が「1」、出力信号SOUT2が「1」、かつ出力信号SOUT3が「0」のときには、メモリセルMC内のデータの論理値が「10」と判定される。
出力信号SOUT1が「1」、出力信号SOUT2が「1」、かつ出力信号SOUT3が「1」のときには、メモリセルMC内のデータの論理値が「11」と判定される。
以上のように、第2の実施形態の半導体記憶装置によれば、複数個のセンスアンプを同時に動作させて、メモリセルMCの閾値レベルを判定するので、読出しおよびベリファイのための時間を短くすることができる。テスト時においても、テストに要する時間を短縮することができる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1 p型基板、2,78 ソース、3,74 ドレイン、4,82 フローティングゲート、5,80 コントロールゲート、6 絶縁膜、7 エレクトロン、10 データ入出力バッファ、12 アドレスバッファ、14 制御信号バッファ、16 コマンド制御回路、18 読出/書込/消去制御回路、20 Xデコーダ、22 Yデコーダ、24 Yゲート、26,54 書込回路、28 ページバッファ、30,60 センスアンプ部、32 ベリファイ回路、34 読出回路、36 メモリセルアレイ、42 スイッチ部、52 定電圧源、40,62 参照メモリセルアレイ、64 判定部、72 n型基板、100 半導体記憶装置、DQ データ入出力端子、AD アドレス信号端子、CT 制御信号端子、MC メモリセル、SA,SA1,SA2,SA3 センスアンプ、RMC1,RMC2,RMC3 参照メモリセル、N1 NチャネルMOSトランジスタ。
Claims (5)
- 複数回の書込みが可能な半導体記憶装置であって、
複数個のメモリセルを含むメモリセルアレイと、
前記メモリセルへのデータの書込みを行なう書込回路と、
前記書込回路を制御する制御回路とを備え、
前記制御回路は、次回の書込み行なう前に、前記メモリセルアレイ内のすべてのメモリセルの閾値レベルが同一となるように前記書込回路に書込みを行なわせる、半導体記憶装置。 - 前記メモリセルは、N段階(Nは3以上の自然数)の閾値レベルを有し、初期状態では前記メモリセルの閾値レベルが1番目の閾値レベルであるとき、
前記制御回路は、K(2≦K≦(N−1))回目の書込みを行なう前に、前記メモリセルアレイのすべてのメモリセルの閾値レベルをK番目の閾値レベルとするように前記書込回路に書込みを行なわせ、K回目の書込み時に、前記メモリセルアレイ内の書込みを行なうメモリセルの閾値レベルを(K+1)番目の閾値レベルとするように前記書込回路に書込みを行なわせる、請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記不揮発性半導体記憶装置は、さらに、
前記メモリセルの閾値レベルを判定するセンスアンプを備え、
前記センスアンプは、前記メモリセルからの電流と、書込回数に応じた参照電流を受けて、両者を比較することによって、前記判定を行なう、請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記書込回路は、前記メモリセルに定電流を供給する、請求項1記載の半導体記憶装置。
- 複数回の書込みが可能な半導体記憶装置であって、
複数個のメモリセルを含むメモリセルアレイと、
前記メモリセルへのデータの書込みを行なう書込回路と、
前記書込回路を制御する制御回路と、
前記メモリセルの閾値レベルを判定するセンスアンプを備え、
前記メモリセルは、N段階(Nは3以上の自然数)の閾値レベルを有し、初期状態では前記メモリセルの閾値レベルが1番目の閾値レベルであるとき、
前記制御回路は、K(2≦K≦(N−1))回目の書込みを行なう時に、前記メモリセルアレイ内の書込みを行なうメモリセルの閾値レベルを(K+1)番目の閾値レベルとするように前記書込回路に書込みを行なわせ、
前記センスアンプは、前記メモリセルからの電流と、書込回数に応じた参照電流を受けて、両者を比較することによって、前記判定を行なう、半導体記憶装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006120759A JP2007294008A (ja) | 2006-04-25 | 2006-04-25 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
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ID=38764470
Family Applications (1)
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JP (1) | JP2007294008A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2006
- 2006-04-25 JP JP2006120759A patent/JP2007294008A/ja not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP2060230A1 (en) | 2007-11-13 | 2009-05-20 | M.I. Laboratories Corporation | Bed apparatus and method of determining body movement |
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