JP2007293260A - 能動デバイスアレイ基板とその製造方法 - Google Patents

能動デバイスアレイ基板とその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007293260A
JP2007293260A JP2006313403A JP2006313403A JP2007293260A JP 2007293260 A JP2007293260 A JP 2007293260A JP 2006313403 A JP2006313403 A JP 2006313403A JP 2006313403 A JP2006313403 A JP 2006313403A JP 2007293260 A JP2007293260 A JP 2007293260A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic material
material layer
active device
active devices
solvent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006313403A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4550794B2 (ja
Inventor
Chen-Nan Chou
振南 周
Feng-Lung Chang
▲豊▼▲隆▼ 張
Tin-Wen Cheng
▲亭▼文 鄭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AU Optronics Corp
Original Assignee
AU Optronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AU Optronics Corp filed Critical AU Optronics Corp
Publication of JP2007293260A publication Critical patent/JP2007293260A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4550794B2 publication Critical patent/JP4550794B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

【課題】低コストでナノメーターレベル凹状パターンを製作し、液晶ディスプレイの「むら(斑mura)効果」を低減する能動デバイスアレイ基板と製造方法を提供する。
【解決手段】能動デバイスアレイ基板の製造方法を提供する。先ず、走査線・データ線・能動デバイスを有する基板を提供し、各能動デバイスが対応する走査線およびデータ線に電気接続される。そして、有機材料層が基板上に形成されて走査線・データ線・能動デバイスを被覆する。その後、有機材料層の表面へのプラズマ処理が実行されて有機材料層の表面に複数の凹状パターンが形成される。各凹状パターンの寸法が1マイクロメーターより小さいものであり、複数の画素電極が有機材料層上に形成されるとともに、各画素電極が対応する能動デバイスの1つに電気接続される。
【選択図】図2D

Description

この発明は、能動デバイスアレイ基板とその製造方法とに関する。とりわけ、この発明は、薄膜トランジスターアレイ基板とその製造方法とに関する。
多くのディスプレイがその使用者に最も快適な視覚を提供するように設計されている。従って、製造者にとって主要な課題は、人の視覚によって感知される欠陥を出来るだけ多く除去することにある。液晶ディスプレイを例に挙げると、液晶ディスプレイは、少なくともバックライトモジュール・液晶層・2枚のガラス基板の製作にかかわる複雑な工程を介して製造される。もしも工程の1つに小さな欠陥が出現すれば、ディスプレイパネルの品質がマイナスの影響を受けて、視覚欠陥が最終ライトオンテスト(light-on test)に出現する。そのような視覚欠陥の1つが例えば「むら(斑)効果(mura effect)」と呼ばれるものである。
また、有機材料層付が液晶ディスプレイの薄膜トランジスターの被覆に通常使用されているが、これは各デバイス間の平坦でないステップを平坦化し、かつ、後のステップの配向膜の配向が円滑に行われ、配向工程における液晶分子の配向欠陥確率を減少させる利点がある。パネルのディスプレイ品質は、配向工程における液晶分子の配向と密接に関連しており、一般に、多くの有機材料層が円滑で平坦な表面を有している。そのため、液晶配向プロセスの後に、たとえ小さな欠陥があったとしても、液晶ディスプレイパネル全体の品質が影響を受けるものとなる。
現在、製造工程における欠陥によるいわゆる「むら(斑mura)効果」を低下または削減するために考えられる方法は、フォトリソグラフィープロセスにより有機材料層の表面に凹状パターン(cavity patterns or concave patterns)を形成することを含んでいる。有機材料層の表面上の凹状パターンは、分子配向中で異なるプレチルト角(pre-tilt angles)を有する液晶分子を提供できるため、「むら(斑mura)効果」が削減または低下される。しかしながら、凹状パターンを形成するための上述したフォトリソグラフィープロセスは、ハーフトーン(half-tone)フォトマスクを介した有機材料層の露光およびその後の有機材料層の現像により達成されるため、高価なプロセスとなる。さらに、ハーフトーンフォトリソグラフィープロセスによって製作される凹状パターンの寸法が現行ステッパー(stepper machine)により制限されてマイクロメータースケールのものとなる。それでは、より細かいスケールで凹状パターンを製作することが難しい。液晶分子がマイクロメーターの寸法を有しているため、有機材料層の表面にマイクロメーターの凹状パターンを製作できるプロセスが「むら(斑mura)効果」をより顕著に削減または低下させるものとなる。
そこで、この発明の少なくとも1つの目的は、前述の「むら(斑mura)効果」を削減または低下させる能動デバイスアレイ基板を提供することにある。
この発明の少なくとも1つの別な目的は、能動デバイスアレイ基板を製造する方法を提供し、低い製作コストでマイクロメーターの凹状パターンを製作することが可能であり、液晶ディスプレイ中の「むら(斑mura)効果」を低減することにある。
上記課題を解決し、所望の目的を達成するために、この発明は、能動デバイスアレイ基板の製造方法を提供するものである。先ず、基板を提供し、次に、複数の走査線・複数のデータ線・複数の能動デバイスを基板上に形成する。各能動デバイスが対応する走査線およびデータ線に電気接続される。そして、有機材料層が基板上に形成されて走査線・データ線・能動デバイスを被覆する。その後、有機材料層の表面へのプラズマ処理が実行されて有機材料層の表面に複数の凹状パターンが形成される。各凹状パターンの寸法が1マイクロメーターより小さいものであり、複数の画素電極が有機材料層上に形成されるとともに、各画素電極が対応する能動デバイスの1つに電気接続される。
この発明の実施形態中、有機材料層を形成する方法が、有機材料溶液を調製することを含むものである。そして、有機材料溶液が基板上に塗布される。次に、ベーキングプロセスが有機座量溶液を硬化させて前記有機材料層を形成する。有機材料溶液が絶縁材料・第1溶剤・第2溶剤を含む。第1溶剤が第2溶剤の沸点より高い沸点を有する。さらに、プロセスで使用される第1溶剤の量が第2溶剤の量より少ないものである。第1溶剤および第2溶剤は、それぞれ、例えばジエチレングリコールメチルエチルエーテル(diethylene glycol methyl ethyl ether = EDM)・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(propylene glycol monomethyl ether acetate = PGMEA)・プロピレングリコールメチルエチルエーテル(propylene glycol methyl ether = PGME)・ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート(diethylene glycol monoethyl ether acetate = CTAC)からなる群より選択される。
この発明の実施形態中、有機材料層の表面が約50℃〜160℃間の温度に維持されるものである。
この発明の実施形態中、ベーキングプロセスの前に、さらに、真空乾燥プロセスが実行されるものである。
この発明の実施形態中、有機材料層を形成した後、さらに、有機材料層中に複数の接触開口(contact openings)を形成し、そのうち、各接触開口が複数の能動デバイスの1つを露出させ、各画素電極が接触開口を介して対応する能動デバイスに電気接続されることを含むものである。1つの実施形態に基づいて、有機材料層を形成する前に、さらに、保護層を形成して走査線・データ線・能動デバイスを被覆することを含むものである。接触開口が保護層を露出させる。また、有機材料層を形成した後、さらに、露出された保護層を除去して能動デバイスを露出させることを含むものである。望ましくは、露出された保護層を除去するステップおよび有機材料層の表面へプラズマ処理を実行するプロセスが同時に行われることである。
この発明の実施形態中、前記プラズマ処理の反応ガスが、ハロゲン含有ガス・酸素・窒素・不活性ガスまたはそれらの組み合わせを含むものである。また、不活性ガスは、例えば、アルゴンである。
この発明の実施形態中、前記プラズマ処理が1大気圧よりも大きくない圧力で行われるものである。
この発明の実施形態中、能動デバイスが薄膜トランジスターである。
この発明の実施形態中、有機材料層の各凹状パターンが約0.1〜1マイクロメーター間の寸法を有するものである。
この発明は、また、能動デバイスアレイ基板を提供するものであり、複数の走査線・複数のデータ線・複数の能動デバイス・有機材料層・複数の画素電極を含む。走査線・データ線・能動デバイスが基板上に形成される。各能動デバイスは、対応する走査線およびデータ線に電気接続される。有機材料層が能動デバイス・走査線・データ線を被覆する。有機材料層の表面に複数の凹状パターンを有し、各凹状パターンが1マイクロメーターより小さい寸法を有する。また、画素電極が有機材料層上に配置され、各画素電極が対応する能動デバイスの1つに電気接続される。
この発明の実施形態中、各凹状パターンが0.1〜1マイクロメーター間である。
この発明の実施形態中、前記能動デバイスアレイ基板が更に有機材料層の下に配置される保護層を含む。
[作用]
この発明は、有機材料層を形成する特殊な方法を使用する。そして、プラズマ処理が有機材料層の表面に施されて凹状パターンを形成し、液晶分子が異なるプレチルト角で配向するように配列されるから、「むら(斑mura)効果」を低減する。さらに、類似する従来技術と比較して、この発明の凹状パターンを製作する方法は、低い製作コストという利点および液晶分子の寸法に近いマイクロメーターを有する凹状パターンを製作する能力を備えている。
この発明の能動デバイスアレイ基板が凹状パターンを備えており、各凹状パターンが1マイクロメーターより小さい寸法を有して、有機材料層上に形成されている。従って、液晶分子が異なるプレチルト角で配向できるため、能動デバイスアレイ基板中の欠陥による液晶パネル上の「むら(斑mura)効果」を削減または最小化するものとなる。
以下、この発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
<第1実施例>
図1Aと図1Bとは、この発明の実施形態にかかる能動デバイスアレイ基板を製造するプロセスを示す平面図である。図2A〜図2Dは、この発明の実施形態にかかる能動デバイスアレイ基板を製造するプロセスを図1Aおよび図1BのI−I’線に沿って示す要部断面図である。
先ず、図1Aと図2Aとにおいて、この発明の実施形態にかかる能動デバイスアレイ基板を製造する方法は、基板100を提供することを含む。そして、複数の走査線102・複数のデータ線104・複数の能動デバイス106が基板100上に形成される。各能動デバイス106は、対応する走査線102およびデータ線104に電気接続される。能動デバイス106は、例えば、薄膜トランジスターであり、ゲート電極106aとゲート絶縁層106bとチャネル層106cとソース106dとドレイン106eとを含む。ゲート電極106aは、基板100上に配置される。ゲート絶縁層106bは、ゲート電極106aと基板100とを被覆する。チャネル層106cは、ゲート電極106aの上方にあるゲート絶縁層106b上に配置される。ソース106dとドレイン106eとは、ゲート電極106aの上方のチャネル層106cの両側に配置される。能動デバイス106と走査線102とデータ線104は、従来の任意の方法により製作することができる。
図2Bにおいて、保護膜108が基板100上に形成されて走査線102とデータ線104と能動デバイス106と基板100とを被覆する。保護膜108は、例えば、窒化シリコンを使用して製作される。保護膜108の形成方法は、例えば、プラズマ強化化学気相堆積プロセスを実行することを含む。次で、有機材料層110が基板100上に形成されて走査線102・データ線104・能動デバイス106を被覆する。有機材料層110を形成する方法は、以下に例を挙げて説明する。
先ず、有機材料溶液が調製される。有機材料溶液は、例えば、絶縁材料と第1溶剤と第2溶剤とを含む。絶縁材料は、有機材料、例えば、プロピレン酸樹脂(propylene acid resinまたはアクリル酸樹脂acrylic acid resin)・感光材料・界面活性剤を含む。第1溶剤は、第2溶剤より高い沸点を有するが、少ない量の第1溶剤が第2溶剤に対して使用される。第1溶剤および第2溶剤は、それぞれジエチレングリコールメチルエチルエーテル(diethylene glycol methyl ethyl ether = EDM)・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(propylene glycol monomethyl ether acetate = PGMEA)・プロピレングリコールメチルエチルエーテル(propylene glycol methyl ether = PGME)・ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート(diethylene glycol monoethyl ether acetate = CTAC)からなる群より選択されるものである。EDMとCTACとの使用を例に挙げれば、EDMが176℃の沸点を有し、CTACが217℃の沸点を有する。従って、CTACを第1溶剤として使用し、EDMを第2溶剤として使用する。さらに、有機材料溶液中のCTACの百分率(%)容量が50%を超えないものとする。かくして、有機材料溶液が基板100上に塗布される。
次に、真空乾燥(vacuum dry)プロセスを実施して第1溶剤および第2溶剤のほとんどを除去する。注意すべきは、真空乾燥プロセスを省略することができ、次のプロセスへ直接進むことができるということである。そして、第1ベーキングプロセスが実行されて有機材料溶液中に残留する溶剤を除去し、有機材料層110を形成する。ベーキングプロセスが実行されるが、例えば、有機材料溶液の表面を50℃〜160℃間の温度に維持することによって、有機材料層110の表層が底層より柔軟なものとなる。有機材料層110は、前記プロセスが実行された時に形成される。そして、保護層108を露出させる接触開口112が露光および現像のようなフォトリソグラフィープロセスにより実行される。その後、第2ベーキングプロセスが接触開口112を形成した後で実行され、有機材料層110を硬化させる。続いて、図2Cに示すように、有機材料層110の表面に対するプラズマ処理114が実行され、有機材料層110の表面全体に凹状パターン115を形成する。各凹状パターン115は、1マイクロメーターより小さい寸法を有する。好適な実施形態中、各凹状パターン115は、1〜0.1〜1マイクロメーター間の寸法を有する。完成した能動デバイスアレイ基板が後において他の基板と組み合わされて液晶ディスプレイパネルを形成する時、これらの凹状パターン115が通過光線に対して不規則な散乱および屈折を提供するので、液晶分子が異なるプレチルト角で配向されることができる。このため、能動デバイスアレイ基板中の欠陥による「むら(斑mura)効果」または配向工程による凸凹(でこぼこ unevenness)が液晶ディスプレイパネルに出現した時にも、そのような条件がこれら凹状パターン115の非等向性設計(non-isotropic design)により目立たないものとなる。その結果、液晶ディスプレイ上の「むら(斑mura)効果」が削減または低減される。注意すべきは、プラズマ処理114が接触開口112底部の保護層108を除去すると同時に能動デバイス106のソース106dを露出させることができるということである。他の実施形態中、有機材料層110がまたマスクとして利用されて、接触開口112底部の保護層108を除去するために追加的なエッチングプロセスとして実行される。言い換えれば、接触開口112底部の保護層108を除去するプロセスおよびプラズマ処理114が同時に又は別々に実行できるということである。もしも保護層108を除去するプロセスとプラズマ処理114とが別々に実行される場合、実行順序において特別な限定はない。
プラズマ処理114に使用される反応ガスは、例えば、ハロゲン含有ガス・酸素・窒素・不活性ガスまたはそれらのガス混合物を含む。不活性ガスは、例えば、アルゴンである。また、プラズマ処理114は、例えば、1大気圧またはそれ以下で実行される。
図2Dに示すように、画素電極116が有機材料層110上に形成される。各画素電極116が対応する能動デバイス106のソース106d(図中116d)に電気接続される。画素電極116を構成する材料は、例えば、インジウム錫酸化物を含む。上記したプロセスの後、この発明の能動デバイスアレイ基板が形成される。能動デバイスアレイ基板の平面図が図1Bに示されている。
<第2実施例>
第1実施例中、能動デバイスアレイ基板が有機材料層の下に保護層を伴って形成されている。しかしながら、保護層は、この発明において絶対的に必要なものではない。実際、有機材料層は、能動デバイス・データ線・走査線を形成した後で直接形成することができる。以下に詳細を説明する。
図3A〜図3Dは、この発明の第2実施例にかかる能動デバイスアレイ基板を製造するプロセスを示す要部断面図である。図3Aにおいて、この発明の能動デバイスアレイ基板を製造する方法は、基板100を提供することを含む。そして、複数の走査線102・複数のデータ線104・複数の能動デバイス106が基板100上に形成され、各能動デバイス106が、対応する走査線102およびデータ線に電気接続される(図1Aを参照)。
図3Bにおいて、有機材料層300が基板100上に形成されて走査線102・データ線104・能動デバイス106を被覆する。有機材料層300を構成する材料および有機材料層300を形成する方法が第1実施例と同じなので、詳細は省略する。その後、能動デバイス106のソース106dを露出する接触開口302が有機材料層300中に形成される。
図3Cにおいて、有機材料層300の表面へのプラズマ処理304が実行され、有機材料層300の表面上に凹状パターン305が形成される。プラズマ処理304の実行条件は、第1実施例のプラズマ処理114と同じであるから、詳細な説明は、改めて繰り返さない。各凹状パターン305は、1マイクロメーターより小さい寸法を有している。好適な実施形態中、凹状パターン305が通過光線に対して不規則な散乱および屈折を提供し、液晶モジュールが異なるプレチルト角で配向できる。このようにして、能動デバイスアレイ基板中の欠陥により組み立てられた液晶ディスプレイ上に「むら(斑mura)効果」を有するという問題が削除または最小化される。
図3Dにおいて、画素電極306が有機材料層300上に形成される。各画素電極306は、接触開口302を介して対応する能動デバイス106に電気接続される。
この発明は、上記した有機材料層を形成するために特別な方法を使用している。そして、有機材料層の表面へのプラズマ処理を行って凹状パターンを形成する。凹状パターンが液晶分子に異なるプレチルト角で配向するようにさせるから、「むら(斑mura)効果」が削減または最小化される。さらに、もしもプラズマ処理および保護層をエッチングするプロセスが同一の処理過程で実行される場合、製造工程もより簡略化される。
以下、上記した方法により形成される能動デバイスアレイ基板を説明する。図1Bは、この発明のある実施形態に基づく能動デバイスアレイ基板の平面図である。図2Dは、図1BのI−I’線に沿った要部断面図である。図1Bと図2Dとにおいて、この発明の能動デバイスアレイ基板は、基板100・保護層108・有機材料層110・複数の画素電極116を含む。基板100は、その上に配置された複数の走査線102・複数のデータ線104・複数の能動デバイス106を有する。各能動デバイス106が対応する走査線102およびデータ線104に電気接続される。保護層108が能動デバイス106と走査線102とデータ線104とを被覆するとともに、有機材料層110が保護層108を被覆している。
有機材料層110の表面は、複数の凹状パターン115(図2Cを参照)を有している。また、各凹状パターン115が1マイクロメーターより小さい寸法を有する。好適な実施形態中、各凹状パターン115は、0.1〜1マイクロメーター間の寸法を有する。凹状パターン115が通過光線に対して不規則な散乱および屈折を提供し、能動デバイスアレイ基板中の欠陥による組み立てられた液晶ディスプレイ上の「むら(斑mura)効果」が削除または最小化される。さらに、有機材料層110は、例えば、プロピレン酸樹脂(propylene acid resinまたはアクリル酸樹脂acrylic acid resin)・感光材料・界面活性剤を含む有機材料を使用して製作される。
画素電極116が有機材料層110上に配置されるとともに、各画素電極116が対応する能動デバイス106の1つに電気接続される。
他の実施形態中、能動デバイスアレイ基板中の保護層を省略することができ、有機材料層が能動デバイス・走査線・データ線を直接被覆する。図3Dに示すように、有機材料層300の下に保護膜が形成されておらず、有機材料層300が能動デバイス106・走査線102・データ線104を直接被覆する。特に、有機材料層300の表面が複数の凹状パターン305を有するとともに、各凹状パターン305が1マイクロメーターより小さい寸法を有する。好適な実施形態中、各凹状パターン305は、0.1〜1マイクロメーター間の寸法を有する。
以上のごとく、この発明を最良の実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
この発明の実施形態にかかる能動デバイスアレイ基板を製造するプロセスを示す平面図である。 この発明の実施形態にかかる能動デバイスアレイ基板を製造するプロセスを示す平面図である。 この発明の実施形態(第1実施例)にかかる能動デバイスアレイ基板を製造するプロセスを図1Aおよび図1BのI−I’線に沿って示す要部断面図である。 この発明の実施形態(第1実施例)にかかる能動デバイスアレイ基板を製造するプロセスを図1Aおよび図1BのI−I’線に沿って示す要部断面図である。 この発明の実施形態(第1実施例)にかかる能動デバイスアレイ基板を製造するプロセスを図1Aおよび図1BのI−I’線に沿って示す要部断面図である。 この発明の実施形態(第1実施例)にかかる能動デバイスアレイ基板を製造するプロセスを図1Aおよび図1BのI−I’線に沿って示す要部断面図である。 この発明の第2実施例にかかる能動デバイスアレイ基板を製造するプロセスを示す要部断面図である。 この発明の第2実施例にかかる能動デバイスアレイ基板を製造するプロセスを示す要部断面図である。 この発明の第2実施例にかかる能動デバイスアレイ基板を製造するプロセスを示す要部断面図である。 この発明の第2実施例にかかる能動デバイスアレイ基板を製造するプロセスを示す要部断面図である。
符号の説明
100 基板
102 走査線
104 データ線
106 能動デバイス
106a ゲート電極
106b ゲート絶縁層
106c チャネル層
106d ソース(116d)
106e ドレイン
108 保護層
110 有機材料層
112 接触開口
114 プラズマ処理
115 凹状パターン
116 画素電極
300 有機材料層
302 接触開口
304 プラズマ処理
305 凹状パターン
306 画素電極

Claims (18)

  1. 能動デバイスアレイ基板を製造する方法であって:
    基板を提供することと;
    前記基板上に複数の走査線・複数のデータ線・複数の能動デバイスを形成し、そのうち、前記した各能動デバイスが対応する前記走査線および電気接続されることと;
    前記基板上に有機材料層を形成して前記した複数の走査線・データ線・能動デバイスを被覆することと;
    前記有機材料層の表面にプラズマ処理を行って前記有機材料層の前記表面上に複数の凹状パターンを形成し、そのうち、前記した各凹状パターンが1ミクロン(μm)より小さいことと;
    前記有機材料層上に複数の画素電極を形成し、前記した各画素電極が対応する前記能動デバイスの1つに電気接続されることと
    を含むものである能動デバイスアレイ基板を製造する方法。
  2. 前記した有機材料層を形成することが:
    有機材料溶液を調製することと;
    前記基板上に前記有機材料溶液をコーティングすることと;
    ベーキングプロセスを実行して前記有機材料溶液を硬化させるとともに、前記有機材料層を形成することと
    を含むものである請求項1記載の方法。
  3. 前記有機材料溶液が、絶縁材料・第1溶剤・第2溶剤を含み、前記第1溶剤が第2溶剤の沸点より高い沸点を有するものである請求項2記載の方法。
  4. 前記有機材料溶液中の前記第1溶剤の量が、前記有機材料溶液中の前第2溶剤より少ないものである請求項3記載の方法。
  5. 前記第1溶剤および前記第2溶剤が、それぞれジエチレングリコールメチルエチルエーテル(diethylene glycol methyl ethyl ether = EDM)・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(propylene glycol monomethyl ether acetate = PGMEA)・プロピレングリコールメチルエチルエーテル(propylene glycol methyl ether = PGME)・ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート(diethylene glycol monoethyl ether acetate = CTAC)からなる群より選択されるものである請求項3記載の方法。
  6. 前記ベーキングプロセスが実行される時、前記有機材料層の前記表面が約50℃〜160℃間の温度に維持されるものである請求項2記載の方法。
  7. さらに、前記ベーキングプロセスを実行する前に、真空乾燥プロセスが実行されることを含むものである請求項2記載の方法。
  8. さらに、前記有機材料層を形成した後:
    前記有機材料層中に複数の接触開口を形成し、そのうち、前記した各接触開口が前記した複数の能動デバイスの1つを露出させ、前記した各画素電極が前記接触開口を介して対応する前記能動デバイスに電気接続されることを含むものである請求項1記載の方法。
  9. さらに:
    前記有機材料層を形成する前に、前記走査線・前記データ線・前記能動デバイスを被覆する保護層を形成し、前記複数の接触開口が前記保護層を露出させることと;
    前記有機材料層を形成した後に、前記した複数の接触開口中で露出された前記保護層を除去して、前記した複数の能動デバイスを露出させることと
    を含むものである請求項8記載の方法。
  10. 前記の露出された保護層を除去することと前記有機材料層の前記表面への前記プラズマ処理とが、同時に実行されるものである請求項9記載の方法。
  11. 前記プラズマ処理に使用される応性ガスが、ハロゲン含有ガス・酸素・窒素・不活性ガスまたはそれらの組み合わせを含むものである請求項1記載の方法。
  12. 前記不活性ガスが、アルゴンを含むものである請求項11記載の方法。
  13. 前記プラズマ処理に供給される圧力が、1大気圧より高くないものである請求項1記載の方法。
  14. 前記した複数の能動デバイスが、薄膜トランジスターを含むものである請求項1記載の方法。
  15. 前記有機材料層の前記表面上の前記した複数の各凹状パターンが、約0.1〜1マイクロメーター間の寸法を有するものである請求項1記載の方法。
  16. 能動デバイスアレイ基板であって:
    基板上に形成された複数の走査線・複数のデータ線・複数の能動デバイスであり、そのうち、前記した各能動デバイスが対応する前記した走査線およびデータ線に電気接続されるものと;
    前記した複数の能動デバイスを被覆する有機材料層であり、そのうち、前記有機材料層の表面が複数の凹状パターンを有し、前記した複数の各凹状パターンが1マイクロメーターより小さい寸法を有するものと;
    前記有機材料層上に配置された複数の画素電極であり、そのうち、前記した複数の各画素電極が対応する前記能動デバイスの1つに電気接続されるものと
    を含むものである能動デバイスアレイ基板。
  17. 前記した複数の各凹状パターンが、約0.1〜1マイクロメーター間の寸法を有するものである請求項16記載の能動デバイスアレイ基板。
  18. さらに、前記有機材料層の下に配置される保護層を含むものである請求項16記載の能動デバイスアレイ基板。
JP2006313403A 2006-04-25 2006-11-20 能動デバイスアレイ基板とその製造方法 Active JP4550794B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW095114664A TWI330276B (en) 2006-04-25 2006-04-25 Active device array substrate and fabricating method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007293260A true JP2007293260A (ja) 2007-11-08
JP4550794B2 JP4550794B2 (ja) 2010-09-22

Family

ID=38620019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006313403A Active JP4550794B2 (ja) 2006-04-25 2006-11-20 能動デバイスアレイ基板とその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7402528B2 (ja)
JP (1) JP4550794B2 (ja)
TW (1) TWI330276B (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TR201001777A2 (tr) 2010-03-09 2011-09-21 Vestel Elektroni̇k Sanayi̇ Ve Ti̇caret Anoni̇m Şi̇rketi̇@ Sıvı kristal ekran için arka ışık ünitesi ve yapım yöntemi.
TWI442360B (zh) * 2010-10-28 2014-06-21 Au Optronics Corp 顯示器及其接合阻抗的檢測系統以及檢測方法
US20160056059A1 (en) * 2014-08-22 2016-02-25 Applied Materials, Inc. Component for semiconductor process chamber having surface treatment to reduce particle emission
US10347702B2 (en) * 2014-10-22 2019-07-09 Lg Display Co., Ltd. Flexible thin film transistor substrate and flexible organic light emitting display device
CN105590848B (zh) * 2014-11-17 2019-02-15 上海和辉光电有限公司 显示器件制备方法
CN110473779B (zh) * 2019-06-28 2021-11-23 福建华佳彩有限公司 一种新型tft器件结构及其制作方法
CN111987242A (zh) * 2020-08-05 2020-11-24 Tcl华星光电技术有限公司 Oled面板的制作方法及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07333634A (ja) * 1994-06-10 1995-12-22 Sony Corp 液晶表示パネル
JP2004247434A (ja) * 2003-02-12 2004-09-02 Nec Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP2005266475A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Mitsubishi Electric Corp 半透過型液晶表示装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100338011B1 (ko) * 1999-06-30 2002-05-24 윤종용 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법
TW471182B (en) * 2001-01-20 2002-01-01 Unipac Optoelectronics Corp Thin film transistor having light guide material
KR100915233B1 (ko) * 2002-11-05 2009-09-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판
KR100504539B1 (ko) * 2002-12-27 2005-08-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치
TWI220766B (en) * 2003-04-17 2004-09-01 Au Optronics Corp Method for fabricating liquid crystal display panel array
US20050088605A1 (en) * 2003-10-27 2005-04-28 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Structure of liquid crystal display panel having a plurality of sealing lines
US7259110B2 (en) * 2004-04-28 2007-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of display device and semiconductor device
JP4805587B2 (ja) * 2005-02-24 2011-11-02 エーユー オプトロニクス コーポレイション 液晶表示装置とその製造方法
US7732330B2 (en) * 2005-06-30 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method using an ink-jet method of the same
US7655566B2 (en) * 2005-07-27 2010-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI281586B (en) * 2005-09-13 2007-05-21 Ind Tech Res Inst Pixel array
JP4542492B2 (ja) * 2005-10-07 2010-09-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、電子機器、並びに半導体装置
KR20070045824A (ko) * 2005-10-28 2007-05-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터, 표시판 및 그 제조 방법
US7557879B2 (en) * 2006-02-22 2009-07-07 Tpo Displays Corp Transflective liquid crystal display, flat panel display device, and electronic apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07333634A (ja) * 1994-06-10 1995-12-22 Sony Corp 液晶表示パネル
JP2004247434A (ja) * 2003-02-12 2004-09-02 Nec Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP2005266475A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Mitsubishi Electric Corp 半透過型液晶表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4550794B2 (ja) 2010-09-22
US7402528B2 (en) 2008-07-22
US20070249176A1 (en) 2007-10-25
TW200741294A (en) 2007-11-01
TWI330276B (en) 2010-09-11
US7960742B2 (en) 2011-06-14
US20080217621A1 (en) 2008-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4550794B2 (ja) 能動デバイスアレイ基板とその製造方法
US7595858B2 (en) Method of fabricating liquid crystal display device including main exposure process and edge exposure process
KR101820171B1 (ko) 경량 박형의 액정표시장치 제조방법
US7718994B2 (en) Array substrates for use in liquid crystal displays and fabrication methods thereof
US8120028B2 (en) Active device array substrate, color filter substrate and manufacturing methods thereof
US9274388B2 (en) Array substrate having common electrode driving interface pattern with slits, and manufacturing method thereof, and liquid crystal display
TW200841096A (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
WO2016045395A1 (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
WO2013170608A1 (zh) 掩模板及制造阵列基板的方法
US6576378B2 (en) Photomask and exposure method for large scaled LCD device
US20160336360A1 (en) Array substrate and manufacturing method thereof
JP2008158485A (ja) カラーフィルター層を製作する方法
US20170373099A1 (en) Array substrate, manufacturing method thereof and display device
US7608541B2 (en) Method of forming fine pattern, liquid crystal display device having a fine pattern and fabricating method thereof
KR100679516B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN100507660C (zh) 液晶显示器件及其制造方法
US10942403B2 (en) Display substrate and display apparatus
US20120105781A1 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
WO2006085529A1 (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2006154122A (ja) アクテイブマトリクス型表示装置用フォトマスク及びその製造方法
US7485483B2 (en) Methods of fabricating active device array substrate and fabricating color filter substrate
CN101369095A (zh) 曝光制程、像素结构的制造方法及其使用的半调式光掩模
KR100707019B1 (ko) 박막트랜지스터 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법
JPH11119251A (ja) アクティブマトリックス基板の製造方法
CN100468705C (zh) 主动元件阵列基板及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090715

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090728

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091013

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100223

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100319

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100622

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100708

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4550794

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130716

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250