JP2007287261A - 光ディスク原盤およびその製造方法、ならびに原盤およびその製造方法 - Google Patents
光ディスク原盤およびその製造方法、ならびに原盤およびその製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】基板1上に中間層2を形成し、中間層2上に金属酸化物からなる無機レジスト層3を形成し、露光・現像処理により微細な凹凸パターンを無機レジスト層3に形成し、光ディスク原盤を作製する。次に、光ディスク原盤を還元処理して微細な凹凸パターンの表面に金属性の被膜を形成する。
【選択図】図2
Description
P=K×λ/NA
この式中で、比例定数Kは、使用するレーザとフォトレジストとの組み合わせで決まる数値であり、およそ0.5〜0.8程度である。
基材と、
基材上に設けられた金属酸化物層と
を備え、
金属酸化物層側の表面には凹凸形状が設けられ、
金属酸化物層の表面における金属酸化物の酸化数は、該金属酸化物層の内部における金属酸化物の酸化数に比べて小さいことを特徴とする光ディスク原盤である。
表面に凹凸形状が設けられた金属酸化物層を形成する工程と、
金属酸化物層の表面を還元処理する工程と
を備える光ディスク原盤の製造方法である。
基材と、
基材上に設けられた金属酸化物層と
を備え、
金属酸化物層側の表面には凹凸形状が設けられ、
金属酸化物層の表面における金属酸化物の酸化数は、該金属酸化物層の内部における金属酸化物の酸化数に比べて小さいことを特徴とする原盤である。
表面に凹凸形状が設けられた金属酸化物層を形成する工程と、
金属酸化物層の表面を還元処理する工程と
を備える原盤の製造方法である。
まず、図1Aに示すように、例えばシリコンなどからなる平滑な基板1を作製する。そして、図1Bに示すように、例えばスパッタリング法により中間層2を基板1上に製膜する。中間層2を構成する材料としては、例えば、硫化亜鉛と二酸化シリコンとの混合体(ZnS−SiO2混合体)、五酸化タンタル(Ta2O5)、酸化チタン(TiO2)、アモルファスシリコン(a−Si)、二酸化ケイ素(SiO2)、窒化シリコン(SiN)を挙げることができ、良好な露光感度の点からすると、ZnS−SiO2混合体、五酸化タンタル(Ta2O5)、二酸化チタン(TiO2)が好ましい。下地層2をZnS−SiO2混合体により構成する場合には、硫化亜鉛(ZnS)の含有量は例えば70mol%以上100mol%以下の範囲から選ばれ、二酸化ケイ素(SiO2)の含有量は例えば0mol%以上30mol%以下の範囲から選ばれる。
次に、図3Aに示すように、現像後の光ディスク原盤の凹凸パターン上に、例えば無電界メッキ法によりニッケル被膜などの導電化膜4aを形成する。その後、導電化膜4aが形成された光ディスク原盤を電鋳装置に取り付け、電気メッキ法により導電化膜4a上に例えば300±5[μm]程度の厚さになるようにメッキを施すことで、図3Bに示すように、凹凸パターンを有するメッキ層4を形成する。メッキ層4を構成する材料としては、例えば、ニッケルなどの金属を用いることができる。
次に、図4Aに示すように、例えば射出成形法により、光ディスクスタンパ5の凹凸パターンをポリカーボネート(PC)などの樹脂材料に転写して、光ディスク基板11を作製する。具体的には例えば、成型金型に光ディスクスタンパを配置し、金型を閉じてキャビティを形成し、このキャビティ内にポリカーボネートなどの溶融樹脂材料を注入し、硬化後に金型を開く。これにより、所望のピットおよびグルーブパターンが転写された光ディスク基板11が作製される。
実施例1〜5は、還元処理の工程において、H2濃度90[%]、処理時間1[hr]に保持し、処理温度を変化させたものである。
ターゲット材料:硫化亜鉛(ZnS)/二酸化ケイ素(SiO2)=80/20(mol%比率)
製膜ガス:アルゴン(Ar)・30[SCCM]
製膜開始ガス圧力:5.0×10-4[Pa]
製膜電力:RF100[W]
ターゲット材料:タングステン(W)/モリブデン(Mo)/酸素(O)=32/8/60(mol%比率)
製膜ガス:アルゴン(Ar)・26[SCCM]
製膜開始ガス圧力:5.0×10-4[Pa]
製膜電力:DC135[W]
光源:半導体レーザ(波長405[nm])
対物レンズ:NA=0.9
光ディスク原盤送り速度:0.32[μm/revolution]
スピンドル:CLV(Constant Liner Velocity)方式4.9[m/sec]
現像液:2.38%テトラメチルアンモニウム・ハイドロオキサイド水溶液
テーパ角変化率(%)={(還元処理前のテーパ角−還元処理後のテーパ角)/還元処理前のテーパ角}×100
但し、テーパ角は、基板であるシリコンウエハの製膜面を基準とした角度である。
無機レジスト層の厚さを23nmとし、還元処理を省略する以外は実施例1〜5とすべて同様にして光ディスク原盤を得た。
窒素のみを還元炉内に流して熱処理を行う以外は実施例1〜5とすべて同様にして光ディスク原盤を得た。
実施例6〜10は、還元処理の工程において、処理温度500[℃]、処理時間1[hr]に保持し、水素濃度を変化させたものである。
実施例11〜13は、処理温度800[℃]、処理時間1[hr]に保持し、水素濃度を変化させたものである。
まず、8インチのシリコンウエハを用意し、このシリコンウエハ上にスパッタリング法により、膜厚100nmを有する中間層を製膜した。以下に、中間層の製膜条件について示す。
ターゲット材料:シリコン(Si)=100(mol%)
製膜ガス:アルゴン26[SCCM]
製膜開始ガス圧力:5.0×10-4[Pa]
製膜電力:DC135[W]
2 中間層
3 無機レジスト層
4 メッキ層
5 光ディスクスタンパ
11 光ディスク基板
12 情報信号部
13 光透過層
101 ガラス基板
102 レジスト
103 レーザ光
104 現像液
105 メッキ層
106 光ディスクスタンパ
107 金型
108 光ディスク基板
111 光ディスク原盤
Claims (14)
- 基材と、
上記基材上に設けられた金属酸化物層と
を備え、
上記金属酸化物層側の表面には凹凸形状が設けられ、
上記金属酸化物層の表面における金属酸化物の酸化数は、該金属酸化物層の内部における金属酸化物の酸化数に比べて小さいことを特徴とする光ディスク原盤。 - 上記金属酸化物層は、無機レジスト層であることを特徴とする請求項1記載の光ディスク原盤。
- 上記金属酸化物層に含まれる金属酸化物は、遷移金属酸化物であることを特徴とする請求項1記載の光ディスク原盤。
- 上記遷移金属酸化物は、タングステン、モリブデンおよびバナジウムの少なくとも1種類を含むことを特徴とする請求項3記載の光ディスク原盤。
- 上記金属酸化物層の表面に金属性皮膜が設けられていることを特徴とする請求項1記載の光ディスク原盤。
- 表面に凹凸形状が設けられた金属酸化物層を形成する工程と、
上記金属酸化物層の表面を還元処理する工程と
を備える光ディスク原盤の製造方法。 - 上記還元処理の工程では、還元性気体を含有する雰囲気中において、上限金属酸化物層を熱処理することを特徴とする請求項6記載の光ディスク原盤の製造方法。
- 上記還元処理の工程では、上記凸形状の上記基材との密着部分と、上記凸形状の表面部分との体積収縮率の差によって、上記凸形状のテーパ角を減少させることを特徴とする請求項6記載の光ディスク原盤の製造方法。
- 上記還元処理の工程では、上記金属酸化物層の表面に金属性皮膜を形成することを特徴とする請求項6記載の光ディスク原盤の製造方法。
- 上記還元性気体が水素であることを特徴とする請求項6記載の光ディスク原盤の製造方法。
- 上記金属酸化物層に含まれる金属酸化物は、遷移金属酸化物であることを特徴とする請求項6記載の光ディスク原盤の製造方法。
- 上記金属酸化物層は、タングステン、モリブデンおよびバナジウムの少なくとも1種類を含有することを特徴とする請求項11記載の光ディスク原盤の製造方法。
- 基材と、
上記基材上に設けられた金属酸化物層と
を備え、
上記金属酸化物層側の表面には凹凸形状が設けられ、
上記金属酸化物層の表面における金属酸化物の酸化数は、該金属酸化物層の内部における金属酸化物の酸化数に比べて小さいことを特徴とする原盤。 - 表面に凹凸形状が設けられた金属酸化物層を形成する工程と、
上記金属酸化物層の表面を還元処理する工程と
を備える原盤の製造方法。
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2006
- 2006-04-18 JP JP2006114725A patent/JP4678325B2/ja not_active Expired - Fee Related
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