JP2007287228A - レーザ光照射装置 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザ光照射装置において、対象物体によって反射される反射光がレーザ光源まで導かれないようにして、レーザ光源のメンテナンスに関する工数および費用を低減させる。
【解決手段】光ピックアップ装置は、初期化用レーザ光をそれぞれ出射する２つのレーザ光源１１，２１と、各レーザ光を光ディスクＤＫ上にそれぞれ集光する対物レンズ１８とを備える。レーザ光源１１，２１から出射され光ディスクＤＫに導かれる各レーザ光の光路と、光ディスクＤＫからの各反射光の光路とが異なる光路となるように、レーザ光源１１，２１から出射される各レーザ光を対物レンズ１８の瞳中心からずらして入射させる。また、レーザ光源１１，２１から出射され光ディスクＤＫに導かれるレーザ光の経路から光ディスクＤＫからの各反射光の光路を外すために、同各反射光の光路上に偏光ビームスプリッタ１３，２３を設けた。
【選択図】 図１

Description

本発明は、対象物体に向けてレーザ光を照射して、照射面に物理的変化を生じさせるレーザ光照射装置に関する。

対象物体に向けて高い光強度を有するレーザ光を照射して照射面に物理的変化を生じさせるレーザ光照射装置として、例えば、ＣＤ，ＤＶＤなどの光ディスクを初期化する光ピックアップ装置や、光ディスクに対して光ディスクの識別情報を記録する光ピックアップ装置がある。光ディスクを初期化する光ピックアップ装置においては、光ディスク上に形成された製造段階の非結晶状態から結晶状態に変化させるために高い光強度を有するレーザ光が必要である。また、光ディスクにおける所定の記録領域（例えば、ＢＣＡ(Burst Cutting Area)）に光ディスクを識別するための識別情報（メディアＩＤ）を記録する光ピックアップ装置においても、所定の記録領域上に形成されている反射層を溶融除去させるために高い光強度を有するレーザ光が必要である。この場合、高い光強度を有するレーザ光を得るために、高出力のレーザ光源を用いることが考えられるが、これでは装置が大型化するという問題がある。

このため、装置を大型化することなく高い光強度のレーザ光を得る方法として、例えば、下記特許文献１に記載の光ディスクの初期化装置に用いられるレーザ光照射装置においては、レーザ光を出射するレーザ光源を複数備え、各レーザ光源から出射されるレーザ光の偏光方向や波長を異ならせて、これらのレーザ光の光路を偏光ビームスプリッタやダイクロイックミラーを用いて照射領域を互いに重ねることにより光ディスク上に照射されるレーザ光の光強度を高めている。
特開２００４−３４８７８０号公報

しかしながら、このような出射レーザ光の偏光方向を互いに異ならせて複数のレーザ光を合成するレーザ光照射装置は、レーザ光源が１つの場合のときのように出射レーザ光の偏光方向と反射光の偏光方向とを異ならせて、反射光の光路を出射レーザ光の光路から外す方法は使用できない。このため、このようなレーザ光照射装置のうち対象物体の表面に対して垂直な方向からレーザ光を照射するレーザ光照射装置においては、対象物体によって反射された反射光が再びレーザ光照射装置内に導かれ、各種光学素子を介してレーザ光源に導かれる。この際、測定対象物体上に照射されるレーザ光の光強度が高い場合には、レーザ光源に導かれる反射光の光強度も高くレーザ光源にダメージを与え、レーザ光源の性能の低下および寿命の到来を早める。このため、レーザ光源から出力されるレーザ光の特性を常に一定レベルに維持するためのレーザ光源のメンテナンスの工数および費用が増大するという問題がある。

本発明は上記問題に対処するためなされたもので、その目的は、複数のレーザ光を合成して対象物体の表面に対して直交する方向からレーザ光が照射される構成のレーザ光照射装置において、対象物体からの反射光がレーザ光源にまで導かれないようにして、レーザ光源のメンテナンスに関する工数および費用を低減させることができるレーザ光照射装置を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の特徴は、対象物体に対してレーザ光を出射する複数のレーザ光源と、前記複数のレーザ光源からそれぞれ出射された各レーザ光を対象物体上にそれぞれ集光する対物レンズとを備えたレーザ光照射装置において、前記複数のレーザ光源からそれぞれ出射された各レーザ光の光路と、同各レーザ光に対応する対象物体からの各反射光の各光路とがそれぞれ異なるように、前記複数のレーザ光源からそれぞれ出射された各レーザ光を対物レンズに同対物レンズの瞳中心からずらして入射させることにある。

このように構成した本発明の特徴によれば、複数のレーザ光源から出射された各レーザ光を対物レンズの瞳中心からずらして入射させている。このため、対物レンズによって対象物体上に集光した後、同対象物体によって反射された反射光は、対物レンズの光軸を中心軸として対象物体に向かうレーザ光とは反対側に導かれる。すなわち、各レーザ光源からそれぞれ出射された各レーザ光の光路と、対象物体からの各反射光の光路とが異なる光路となる。したがって、対象物体からの各反射光がレーザ光源から出射された各レーザ光の経路と逆の経路を介して再び各レーザ光源に導かれた場合であっても、同各反射光が各レーザ光源内に入射することはない。これにより、レーザ光源にダメージを与えることがなくなり、レーザ光源の性能の低下および寿命の到来を早めることがない。この結果、レーザ光源のメンテナンスに関する工数および費用を低減させることができる。

また、上記レーザ光照射装置において、前記複数のレーザ光源からそれぞれ出射される各レーザを反射により対物レンズにそれぞれ導くミラーを備えるとよい。この場合、前記複数のレーザ光源からそれぞれ出射され前記ミラーにそれぞれ導かれる各レーザ光の光軸は、互いに異なる直線上にあるように構成するとよい。これによれば、各レーザ光源からそれぞれ出射されるレーザ光が、互いに他のレーザ光源に直接導かれることを防止することができる。

また、本発明の他の特徴は、上記レーザ光照射装置において、対象物体からの各反射光の光路上に、同各反射光と経路が共通する前記複数のレーザ光源からそれぞれ出射された各レーザ光の経路から各反射光の光路を外す光路変更手段を設けたことにある。この場合、上記レーザ光照射装置において、さらに、対象物体からの各反射光の特性を、同各反射光と経路が共通する前記複数のレーザ光源からそれぞれ出射された各レーザ光の特性に対して異なる特性に変更する特性変更手段を設け、前記光路変更手段は、特性変更手段により変更された特性に応じて各反射光の光路を、同各反射光と経路が共通する前記複数のレーザ光源からそれぞれ出射された各レーザ光の経路から外すようにするとよい。この場合、対象物体からの各反射光の特性を、同各反射光における偏光方向とし、前記特性変更手段を、前記偏光方向を変更する光学素子で構成するとよい。また、この場合、前記特性変更手段を、前記複数のレーザ光源ごとに設けるとともに、同複数のレーザ光源からそれぞれ出射される各レーザ光の光路上および同各レーザ光に対応する各反射光の光路上のうちの少なくともいずれか一方に配置するとよい。

このように構成した本発明の他の特徴によれば、光路変更手段により、対象物体からの各反射光を各レーザ光源から出射された各レーザ光の経路からそれぞれ外すことができ、同各反射光がレーザ光源自体に導かれることがない。これにより、光ディスクからの各反射光がレーザ光源内に導かれることを、より確実に防止することができる。

また、本発明における対象物体を光ディスクとすれば、光ディスクに対して高い光強度のレーザ光を用いる処理、例えば、光ディスクの初期化、光ディスクへの識別情報の記録などに用いる光ピックアップ装置におけるレーザ光源のメンテナンスに関する工数および費用を低減させることができる。

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態に係るレーザ光照射装置について図面を参照しながら説明する。図１は、ＣＤ，ＤＶＤなどの光ディスクＤＫにレーザ光を照射して光ディスクＤＫの記録層の初期化を行う光ピックアップ装置の全体概略図である。ここで、光ディスクＤＫの初期化とは、相変化型の記録層において製造直後で非結晶状態にある記録層全体を結晶状態に相変化させて反射率の高い状態にする処理をいう。この光ピックアップ装置は、光ディスクＤＫの記録層を初期化するためのレーザ光を出射する２つのレーザ光源１１，２１を備えている。

レーザ光源１１，２１は、それぞれ半導体レーザで構成されており、図示しないコントローラにより制御されて光ディスクＤＫの記録層を初期化するための高い光強度（例えば、最大発光強度４Ｗ程度）のレーザ光を出射する。この場合、レーザ光源１１，２１からそれぞれ出射されるレーザ光は、主にＳ偏光の偏向方向を有するレーザ光である。Ｓ偏向の偏光方向を有するレーザ光とは、直線偏光のうち入射面に対して直交する方向に振動する光である。また、これらのレーザ光源１１，２１から出射されるレーザ光は、ニアフィールドパターンが略楕円形であるためファーフィールドパターンも略楕円形であって、光束の断面の中心を通る一方向の光強度分布がガウス分布であるレーザ光を出射する。

レーザ光源１１と光ディスクＤＫとの間には、コリメートレンズ１２、偏光ビームスプリッタ１３、１／２波長板１４、偏光ビームスプリッタ１５、立上ミラー１６、１／４波長板１７および対物レンズ１８が設けられている。コリメートレンズ１２は、レーザ光源１１から出射されたレーザ光（発散光）を平行光に変換する光学素子である。このコリメートレンズ１２は、その光軸がレーザ光源１１から出射されるレーザ光の光軸に一致するように配置されている。

偏光ビームスプリッタ１３は、入射した光を偏光方向に応じて透過または反射させる偏光光学素子である。具体的には、コリメートレンズ１２によって平行光に変換されたレーザ光（Ｓ偏光）の一部（大部分）を入射方向に直交する方向（図示左側）に反射させて１／２波長板１４に導くとともに、他の一部を透過させてフォトディテクタ１９に導く。また、偏光ビームスプリッタ１３は、光ディスクＤＫからの反射光（Ｐ偏光））を透過させる。この偏光ビームスプリッタ１３は、その中心位置がレーザ光源１１から出射されるレーザ光の光軸に対して図示左側にずれて配置されている。フォトディテクタ１９は、偏光ビームスプリッタ１３を透過した前記一部のレーザ光を受光して、同受光光量に応じた電気信号を受光信号として出力する。この受光信号は、レーザ光源１１から出力されるレーザ光の光量制御に用いられる。

１／２波長板１４は、入射したレーザ光の偏光状態を変化させる光学素子であり、レーザ光源１１から出射されたレーザ光の偏光方向（Ｓ偏光）を直交する偏光方向（Ｐ偏光）に変換して偏光ビームスプリッタ１５に導く。この１／２波長板１４は、レーザ光源１１から出射されるレーザ光を透過させるとともに、後述する光ディスクＤＫからの反射光を透過させない位置に配置されている。すなわち、１／２波長板１４の中心位置を光ディスクＤＫからの反射光の光軸とは反対側（図示上側）にずらして配置されている。偏光ビームスプリッタ１５は、前記偏光ビームスプリッタ１３と同様に、入射した光を偏光方向に応じて透過または反射させる偏光光学素子である。具体的には、１／２波長板１４を透過したレーザ光（Ｐ偏光）を透過させて立上ミラー１６に導くとともに、前記レーザ光源２１から出射されたレーザ光（Ｓ偏光）を入射方向に直交する方向（図示左側）に反射させて立上ミラー１６に導く。また、光ディスクＤＫからの反射光のうち、Ｐ偏光の反射光を透過させて偏光ビームスプリッタ１３に導くとともに、Ｓ偏光の反射光を入射方向に直交する方向（図示下側）に反射させる。この偏光ビームスプリッタ１５は、その中心位置がレーザ光源１１から出射されるレーザ光の光軸に対して図示下側にずれて配置されているとともに、レーザ光源２１から出射されるレーザ光の光軸に対して図示右側にずれて配置されている。

立上ミラー１６は、入射したレーザ光を入射方向に直交する方向（図示上側）に反射する。この立上ミラー１６は、ミラー面と対物レンズ１８の光軸との交点にミラー面の中心が位置するように配置される。すなわち、立上ミラー１６によって反射されるレーザ光源１１，２１からそれぞれ出射されたレーザ光の光軸は、対物レンズ１８の光軸に対して図示左側にずれている。１／４波長板１７は、入射したレーザ光の偏光状態を変化させる光学素子であり、立上ミラー１６から導かれたレーザ光を直線偏光（Ｓ偏光またはＰ偏光）から円偏光に変換して対物レンズ１８に導くとともに、光ディスクＤＫからの反射光を円偏光から直線偏光（Ｐ偏光またはＳ偏光）に変換して立上ミラー１６に導く。この１／４波長板１７は、その中心位置が対物レンズ１８の光軸に一致するように配置される。対物レンズ１８は、入射したレーザ光を光ディスクＤＫの記録層上に集光して光スポットを形成する。この場合、光ディスクＤＫの記録層上に形成される光スポットの形状はレーザ光のニアフィールドパターンが楕円形状であるため、光ディスクＤＫの径方向に長軸、円周方向に短軸となる楕円形状となる。

レーザ光源２１から偏光ビームスプリッタ１５までの光路には、コリメートレンズ２２、偏光ビームスプリッタ２３および１／２波長板２４が設けられている。コリメートレンズ２２は、前記コリメートレンズ１２と同様に、レーザ光源２１から出射されたレーザ光（発散光）を平行光に変換する光学素子である。このコリメートレンズ２２は、その光軸がレーザ光源２１から出射されるレーザ光の光軸に一致するように配置されている。

偏光ビームスプリッタ２３は、前記偏光ビームスプリッタ１３，１５と同様に、入射した光を偏光方向に応じて透過または反射させる偏光光学素子である。具体的には、コリメートレンズ２２によって平行光に変換されたレーザ光（Ｓ偏光）の一部（大部分）を入射方向に直交する方向（図示上側）に反射させて偏光ビームスプリッタ１５に導くとともに、他の一部を透過させてフォトディテクタ２５に導く。また、偏光ビームスプリッタ２３は、光ディスクＤＫからの反射光（Ｐ偏光））を透過させて集光レンズ２６に導く。この偏光ビームスプリッタ２３は、その中心位置がレーザ光源２１から出射されるレーザ光の光軸に対して図示下側にずれて配置されている。フォトディテクタ２５は、前記フォトディテクタ１９と同様に、偏光ビームスプリッタ２３によって反射された前記一部のレーザ光を受光して、同受光光量に応じた電気信号を受光信号として出力する。この受光信号は、レーザ光源２１から出力されるレーザ光の光量制御に用いられる。

１／２波長板２４は、前記１／２波長板１４と同様に、入射したレーザ光の偏光状態を変化させる光学素子である。この１／２波長板２４は、光ディスクＤＫからの反射光を透過させるとともに、レーザ光源２１から出射され偏光ビームスプリッタ２３によって反射されたレーザ光を透過させない位置に配置されている。すなわち、１／２波長板２４の中心位置をレーザ光源２１から出射され偏光ビームスプリッタ２３によって反射されたレーザ光の光軸とは反対側（図示右側）にずらして配置されている。したがって、１／２波長板２４は、光ディスクからの反射光の偏光方向（Ｓ偏光）を直交する偏光方向（Ｐ偏光）に変換して偏光ビームスプリッタ２３に導く。

集光レンズ２６は、偏光ビームスプリッタ２３を透過した反射光をビームスプリッタ２７を介して所定の位置に集光させる。ビームスプリッタ２７は、入射した反射光の一部を透過させるとともに、他の一部を入射した反射光と直交する方向（図示右側）に反射させる。これらの集光レンズ２６の光軸およびビームスプリッタ２７の中心位置は、偏光ビームスプリッタ２３を透過する反射光の光軸に一致するように配置されている。ビームスプリッタ２７を透過した反射光の光軸上には、フォトディテクタ２８が設けられている。また、ビームスプリッタ２７によって反射された反射光の光軸上には、フォトディテクタ２９が設けられている。

これらのフォトディテクタ２８，２９は、それぞれビームスプリッタ２７を介して集光される反射光の集光位置から光学的に前後等距離の位置にそれぞれ配置されている。具体的には、フォトディテクタ２８は前記集光位置に対して光学的に前方に配置され、フォトディテクタ２９は同集光位置に対して光学的に後方に配置されている。フォトディテクタ２８，２９は、ビームスプリッタ２７を介して導かれる反射光をそれぞれ受光して、同受光光量に応じた電気信号を受光信号としてそれぞれ出力する。これらの各受光信号は、光ディスクＤＫの記録層上に形成される前記光スポットのＳＳＤ（spot size detection）法によるフォーカスサーボ制御に用いられる。なお、本第１実施形態においては図を省略したが、この光ピックアップ装置には、対物レンズ１８を光ディスクＤＫに照射されるレーザ光の光軸方向に駆動させるためのフォーカスアクチュエータが設けられている。

このように構成された光ピックアップ装置を使用するに際しては、対物レンズ１８の上方における所定の位置に光ディスクＤＫを配置して、光ピックアップ装置を備えた図示しない光ディスク初期化装置の電源を投入する。そして、作業者は、光ディスク初期化装置のコントローラを操作して光ディスクＤＫの初期化を指示する。この指示に応答して光ディスク初期化装置は、光ディスクＤＫを回転させるとともにレーザ光源１１，２１からレーザ光をそれぞれ出射させる。このレーザ光源１１，２１からのレーザ光の出射は、光ディスク初期化装置内の図示しない各レーザ駆動回路によって制御されており、光ディスクＤＫを初期化するための光強度の高い一定レベルのレーザ光が出射される。

レーザ光源１１から出射されたレーザ光（Ｓ偏光）は、コリメートレンズ１２によって平行光に変換された後、偏光ビームスプリッタ１３および１／２波長板１４を介して偏光ビームスプリッタ１５に導かれる。この場合、偏光ビームスプリッタ１３を透過した一部のレーザ光はフォトディテクタ１９によって受光されレーザ光源１１の光量制御に用いられる。また、１／２波長板１４を透過したレーザ光は偏光方向がＰ偏光に変換されて偏光ビームスプリッタ１５に導かれる。一方、レーザ光源２１から出射されたレーザ光（Ｓ偏光）は、コリメートレンズ２２によって平行光に変換された後、偏光ビームスプリッタ２３を介して偏光ビームスプリッタ１５に導かれる。この場合、偏光ビームスプリッタ２３を透過した一部のレーザ光はフォトディテクタ２５によって受光されレーザ光源２１の光量制御に用いられる。

偏光ビームスプリッタ１５に導かれたレーザ光源１１から出射されたレーザ光（Ｐ偏光）は透過し、偏光ビームスプリッタ１５に導かれたレーザ光源２１から出射されたレーザ光（Ｓ偏光）は反射して両レーザ光は合成され、共に立上ミラー１６および１／４波長板１７を介して対物レンズ１８に入射する。この場合、両レーザ光の光軸の位置が対物レンズ１８の瞳中心に対して図示左側にずれているため、両レーザ光は対物レンズ１８の光軸に対して図示左側にずれて入射する。そして、両レーザ光は、対物レンズ１８により光ディスクＤＫ上にそれぞれ集光される。これにより、光強度の高い光スポットが光ディスクＤＫの記録層上に形成され光ディスクの初期化が行われる。

光ディスクＤＫ上に集光された両レーザ光は、光ディスクＤＫによってそれぞれ反射され対物レンズ１８、１／４波長板１７および立上ミラー１６を介して再び偏光ビームスプリッタ１５に導かれる。この場合、前記両レーザ光が対物レンズ１８の瞳中心に対して図示左側にずれた位置に入射しているため、光ディスクＤＫからの両反射光は対物レンズ１８の光軸を中心軸として前記両レーザ光とは反対側に導かれる。このため、光ディスクＤＫからの両反射光は、前記両レーザ光とは異なる光路によって偏光ビームスプリッタ１５に導かれる。また、偏光ビームスプリッタ１５に導かれた両反射光は、１／４波長板１７によりそれぞれ偏光方向が変換されている。具体的には、レーザ光源１１から出射されたレーザ光に対応する反射光はＳ偏光に変換されるとともに、レーザ光源２１から出射されたレーザ光に対応する反射光はＰ偏光に変換される。

偏光ビームスプリッタ１５に導かれた両反射光のうち、Ｓ偏光の反射光、すなわちレーザ光源１１から出射されたレーザ光に対応する反射光は、偏光ビームスプリッタ１５によって反射され１／２波長板２４を介して偏光ビームスプリッタ２３に導かれる。この場合、１／２波長板２４を透過した反射光は、偏光方向がＳ偏光からＰ偏光に変換される。一方、Ｐ偏光の反射光、すなわちレーザ光源２１から出射されたレーザ光に対応する反射光は、偏光ビームスプリッタ１５を透過して偏光ビームスプリッタ１３に導かれる。偏光ビームスプリッタ２３に導かれた反射光は、同偏光ビームスプリッタ２３透過して集光レンズ２６およびビームスプリッタ２７を介してフォトディテクタ２８，２９に導かれる。フォトディテクタ２８，２９に導かれた各反射光は、それぞれ受光光量に応じた受光信号に変換されて対物レンズ１８のフォーカスサーボ制御に用いられる。また、偏光ビームスプリッタ１３に導かれた反射光（Ｐ偏光）は、同偏光ビームスプリッタ１３を透過して光学系の外に導かれる。

すなわち、光ディスクＤＫからの両反射光のうち、レーザ光源１１から出射されたレーザ光に対応する反射光は、偏光ビームスプリッタ１５によってレーザ光源１１から出射され光ディスクＤＫに導かれるレーザ光の経路から外されるとともに、偏光ビームスプリッタ２３によってレーザ光源２１から出射され光ディスクＤＫに導かれるレーザ光の経路から外される。また、レーザ光源２１から出射されたレーザ光に対応する反射光は、偏光ビームスプリッタ１５によってレーザ光源２１から出射され光ディスクＤＫに導かれるレーザ光の経路から外されるとともに、偏光ビームスプリッタ１３によってレーザ光源１１から出射され光ディスクＤＫに導かれるレーザ光の経路から外される。これらにより、レーザ光源１１，２１からそれぞれ出射された両レーザ光にそれぞれ対応する両反射光がレーザ光源１１，２１に導かれることがない。

上記作動説明からも理解できるように、上記第１実施形態によれば、レーザ光源１１，２１からそれぞれ出射される両レーザ光を対物レンズ１８の瞳中心からずらしてそれぞれ入射させている。このため、対物レンズ１８によって光ディスクＤＫ上にそれぞれ集光された後、同光ディスクＤＫによってそれぞれ反射された両反射光は、対物レンズ１８の光軸を中心軸として前記両レーザ光とは反対側に導かれる。すなわち、レーザ光源１１，２１からそれぞれ出射された両レーザ光と光ディスクＤＫからの両反射光とは、異なる光路となる。このため、両反射光がレーザ光源１１，２１から光ディスクＤＫに導かれるレーザ光の各経路の方向とは逆の方向でレーザ光源１１，２１に導かれる場合であっても、レーザ光源１１，２１内に導かれることはない。これにより、レーザ光源１１，２１にダメージを与えることがなくなり、レーザ光源１１，２１の性能の低下および寿命の到来を早めることがない。この結果、レーザ光源１１，２１のメンテナンスに関する工数および費用を低減させることができる。

また、上記第１実施形態によれば、レーザ光源１１から出射されたレーザ光と経路を共通にするレーザ光源２１から出射されたレーザ光に対応する反射光の経路中に、レーザ光源１１から出射されたレーザ光の偏光方向を変化させる１／２波長板１４を配置している。また、レーザ光源２１から出射されたレーザ光と経路を共通にするレーザ光源１１から出射されたレーザ光に対応する反射光の経路中に、同反射光の偏光方向を変化させる１／２波長板２４を配置している。これにより、互いに経路が共通するレーザ光の偏光特性と反射光の偏光特性とを異ならせることができ、この偏光特性の違いを利用して光ディスクＤＫからの両反射光を偏光ビームスプリッタ１３，２３によって、レーザ光源１１，２１から光ディスクＤＫに導かれるレーザ光の各経路から外している。これにより、光ディスクＤＫからの両反射光がレーザ光源１１，２１に導かれること自体を阻止でき、両反射光がレーザ光源１１，２１内に導かれることをより確実に阻止することができる。

なお、上記第１実施形態においては、２つのレーザ光源１１，２１を備えた光ピックアップ装置について本発明を適用したが、これに限定されるものではない。すなわち、レーザ光源を３つ以上備えた光ピックアップ装置においても、同一波長のレーザ光を２つ以内にし、波長の異なるレーザ光の合成および分離にダイクロイックミラーを使用すれば上記第１実施形態と同様に本発明を適用することができる。これによっても、上記第１実施形態と同様な効果が期待できる。

また、上記第１実施形態において偏光ビームスプリッタ１３，２３は、レーザ光源１１，２１から出射されたレーザ光の一部をフォトディテクタ１９，２５にそれぞれ導くとともに、光ディスクＤＫからの各反射光をレーザ光源１１，２１から光ディスクＤＫにレーザ光を導く経路から外している。これらのうち、後者の機能（光ディスクＤＫからの各反射光をレーザ光源１１，２１から光ディスクＤＫにレーザ光を導く経路から外す機能）に関しては、レーザ光源１１，２１から出射され光ディスクＤＫに導かれる各レーザ光の光路と、光ディスクＤＫからの各反射光の光路とが異なる光路であれば必ずしも必要ではない。すなわち、光ディスクＤＫからの各反射光の光路が、レーザ光源１１，２１から出射され光ディスクＤＫに向かう各レーザ光の光路と異なる光路となるように構成すれば、少なくとも前記各反射光がレーザ光源１１，２１内に導かれることはない。これによっても、上記第１実施形態と同様な効果が期待できる。

また、上記第１実施形態においては、レーザ光源１１，２１からそれぞれ出射された両レーザ光を対物レンズ１８の瞳中心からずらして入射させるために、対物レンズ１８の光軸に対してレーザ光源１１，２１の光軸をずらして配置するように構成した。しかし、レーザ光源１１，２１から出射した両レーザ光を対物レンズ１８の瞳中心に対してずらして入射させるように構成すれば、これに限定されるものではない。例えば、レーザ光の光路を変更させるレンズまたはプリズムなどの光学素子を対物レンズ１８の前段に配置して、レーザ光源１１，２１からそれぞれ出射された両レーザ光を対物レンズ１８の光軸からずらして入射させるようにしてもよい。これによっても、上記第１実施形態と同様の効果が期待できる。

（第２実施形態）
以下、本発明の第２実施形態に係るレーザ光照射装置について説明する。図２は、上記第１実施形態における光ピックアップ装置と同様に、光ディスクＤＫにレーザ光を照射して光ディスクＤＫの記録層の初期化を行う光ピックアップ装置を示している。この光ピックアップ装置は、上記第１実施形態におけるレーザ光源１１，２１と同様な２つのレーザ光源、すなわち、光ディスクＤＫの記録層を初期化するためのレーザ光を出射する２つのレーザ光源３１，４１を備えている。これらのレーザ光源３１，４１は、同レーザ光源３１，４１からそれぞれ出射された各レーザ光を光ディスクＤＫに導くための立上ミラー５１の両側に互いに対向して配置されている。また、これらのレーザ光源３１，４１からそれぞれ出射される各レーザ光の光軸は、互いに同一直線上にある。

レーザ光源３１と立上ミラー５１との間には、コリメートレンズ３２、１／２波長板３３および偏光ビームスプリッタ３４が設けられている。コリメートレンズ３２は、レーザ光源３１から出射されたレーザ光（発散光）を平行光に変換する。１／２波長板３３は、レーザ光源３１から出射されたレーザ光の偏光方向（Ｓ偏光）を直交する偏光方向（Ｐ偏光）に変換して偏光ビームスプリッタ３４に導く。偏光ビームスプリッタ３４は、１／２波長板３３を介して導かれるレーザ光（Ｐ偏光）の一部（大部分）を透過させて立上ミラー５１に導くとともに、他の一部を入射方向に直交する方向（図示上側）に反射させてフォトディテクタ３５に導く。また、偏光ビームスプリッタ３４は、光ディスクＤＫからの反射光（Ｓ偏光））を入射方向に直交する方向（図示下側）に反射させる。これらのコリメートレンズ３２、１／２波長板３３および偏光ビームスプリッタ３４は、光軸および中心位置がレーザ光源３１から出射されるレーザ光の光軸と一致するように配置されている。フォトディテクタ３５は、偏光ビームスプリッタ３４によって反射された前記一部のレーザ光を受光して、同受光光量に応じた電気信号を受光信号として出力する。この受光信号は、レーザ光源３１から出力されるレーザ光の光量制御に用いられる。

レーザ光源４１と立上ミラー５１との間には、コリメートレンズ４２、１／２波長板４３および偏光ビームスプリッタ４４が設けられている。コリメートレンズ４２は、前記コリメートレンズ３２と同様に、レーザ光源４１から出射されたレーザ光（発散光）を平行光に変換する。１／２波長板４３は、前記１／２波長板３３と同様に、レーザ光源４１から出射されたレーザ光の偏光方向（Ｓ偏光）を直交する偏光方向（Ｐ偏光）に変換して偏光ビームスプリッタ４４に導く。偏光ビームスプリッタ４４は、前記偏光ビームスプリッタ３４と同様に、１／２波長板４３を介して導かれるレーザ光（Ｐ偏光）の一部（大部分）を透過させて立上ミラー５１に導くとともに、他の一部を入射方向に直交する方向（図示上側）に反射させてフォトディテクタ４５に導く。また、偏光ビームスプリッタ４４は、光ディスクＤＫからの反射光（Ｓ偏光））を入射方向に直交する方向（図示下側）に反射させ集光レンズ４６に導く。これらのコリメートレンズ４２、１／２波長板４３および偏光ビームスプリッタ４４は、光軸および中心位置がレーザ光源４１から出射されるレーザ光の光軸と一致するように配置されている。また、このレーザ光源４１の光軸とレーザ光源３１の光軸は一致、すなわち同一直線上にある。フォトディテクタ４５は、偏光ビームスプリッタ４４によって反射された前記一部のレーザ光を受光して、同受光光量に応じた電気信号を受光信号として出力する。この受光信号は、レーザ光源４１から出力されるレーザ光の光量制御に用いられる。

集光レンズ４６は、偏光ビームスプリッタ４４によって反射された反射光をビームスプリッタ４７を介して所定の位置に集光させる。ビームスプリッタ４７は、入射した反射光の一部を透過させてフォトディテクタ４８に導くとともに、他の一部を入射した反射光と直交する方向（図示右側）に反射させてフォトディテクタ４９に導く。これらの集光レンズ４６およびビームスプリッタ４７は、光軸および中心位置が偏光ビームスプリッタ４４によって反射される反射光の光軸に一致するように配置されている。フォトディテクタ４８，４９は、上記第１実施形態におけるフォトディテクタ２８，２９と同様に、対物レンズ５３のフォーカスサーボ制御に用いる受光信号をそれぞれ出力する。

立上ミラー５１は、四角錘形状に形成されており、偏光ビームスプリッタ３４を介して導かれるレーザ光源３１から出射されたレーザ光を反射面５１ａにて入射方向に直交する方向（図示上側）に反射して１／４波長板５２に導くとともに、偏光ビームスプリッタ４４を介して導かれるレーザ光源４１から出射されたレーザ光を反射面５１ｂにて入射方向に直交する方向（図示上側）に反射して１／４波長板５２に導く。この立上ミラー５１は、その頂点が対物レンズ５３の光軸上に位置するように配置されている。すなわち、レーザ光源３１から出射されたレーザ光は、反射面５１ａによって光ディスクＤＫに向けて反射された後、光ディスクＤＫによって反射され反射面５１ｂに導かれる。また、レーザ光源４１から出射されたレーザ光は、反射面５１ｂによって光ディスクＤＫに向けて反射された後、光ディスクＤＫによって反射され反射面５１ａに導かれる。１／４波長板５２は、立上ミラー５１から導かれたレーザ光を直線偏光（Ｐ偏光）から円偏光に変換して対物レンズ５３に導くとともに、光ディスクＤＫからの反射光を円偏光から直線偏光（Ｓ偏光）に変換して立上ミラー５１に導く。この１／４波長板５２は、その中心位置が対物レンズ１８の光軸に一致するように配置される。

対物レンズ５３は、立上ミラー５１を介してそれぞれ導かれるレーザ光源３１，４１からそれぞれ出射された各レーザ光を光ディスクＤＫの記録層上にそれぞれ集光して光スポットを形成する。この場合、光ディスクＤＫの記録層上に形成される光スポットの形状は、上記第１実施形態と同様に、レーザ光のニアフィールドパターンが楕円形状であるため、光ディスクＤＫの径方向に長軸、円周方向に短軸となる楕円形状となる。

このように構成された光ピックアップ装置を使用するに際しては、上記第１実施形態と同様に、対物レンズ５３の上方における所定の位置に光ディスクＤＫを配置して、光ピックアップ装置を備えた図示しない光ディスク初期化装置の電源を投入する。そして、作業者は、光ディスク初期化装置のコントローラを操作して光ディスクＤＫの初期化を指示する。この指示に応答して光ディスク初期化装置は、光ディスクＤＫを回転させるとともにレーザ光源３１，４１からレーザ光をそれぞれ出射させる。

レーザ光源３１から出射したレーザ光は、コリメートレンズ３２、１／２波長板３３、偏光ビームスプリッタ３４、立上ミラー５１および１／４波長板５２を介して対物レンズ５３に導かれる。この場合、立上ミラー５１の頂点が対物レンズ５３の光軸上に位置するように配置されているため、立上ミラー５１によって対物レンズ５３に導かれるレーザ光は、対物レンズ５３の瞳中心に対して図示右側にずれて入射する。そして、対物レンズ５３に入射したレーザ光は、光ディスクＤＫに集光された後、同光ディスクＤＫによって反射され対物レンズ５３および１／４波長板５２を介して再び立上ミラー５１に導かれる。この場合、対物レンズ５３に導かれる反射光は、対物レンズ５３の光軸を中心軸として前記光ディスクに導かれるレーザ光とは反対側に導かれる。したがって、立上ミラー５１に導かれる反射光は、レーザ光源３１から出射されたレーザ光が導かれる立上ミラー５１の反射面５１ａの反対側の反射面５１ｂに導かれる。

立上ミラー５１に導かれた反射光は、入射方向に直交する方向（図示左側）に反射されて偏光ビームスプリッタ４４に導かれる。すなわち、レーザ光源３１から出射され光ディスクＤＫによって反射された反射光は、レーザ光源４１から出射され光ディスクＤＫに導かれるレーザ光の経路の方向とは逆の方向から進むことにより偏光ビームスプリッタ４４に導かれる。この場合、偏光ビームスプリッタ４４に導かれた反射光は、１／４波長板５２により偏光方向がＳ偏光に変換されているため、入射方向に直交する方向（図示下側）に反射されて集光レンズ４６およびビームスプリッタ４７を介してフォトディテクタ４８，４９に導かれる。フォトディテクタ４８，４９に導かれた各反射光は、それぞれ受光光量に応じた受光信号に変換され対物レンズ５３のフォーカスサーボ制御に用いられる。

一方、レーザ光源４１から出射したレーザ光は、コリメートレンズ４２、１／２波長板４３、偏光ビームスプリッタ４４、立上ミラー５１および１／４波長板５２を介して対物レンズ５３に導かれる。この場合、前記したように、立上ミラー５１の頂点が対物レンズ５３の光軸上に位置するように配置されているため、立上ミラー５１によって対物レンズ５３に導かれるレーザ光は、対物レンズ５３の瞳中心に対して図示左側にずれて入射する。そして、対物レンズ５３に入射したレーザ光は、光ディスクＤＫに集光された後、同光ディスクＤＫによって反射され対物レンズ５３および１／４波長板５２を介して再び立上ミラー５１に導かれる。この場合、対物レンズ５３に導かれる反射光は、対物レンズ５３の光軸を中心軸として前記光ディスクに導かれるレーザ光とは反対側に導かれる。したがって、立上ミラー５１に導かれる反射光は、レーザ光源４１から出射されたレーザ光が導かれる立上ミラー５１の反射面５１ｂの反対側の反射面５１ａに導かれる。

立上ミラー５１に導かれた反射光は、入射方向に直交する方向（図示右側）に反射されて偏光ビームスプリッタ３４に導かれる。すなわち、レーザ光源４１から出射され光ディスクＤＫによって反射された反射光は、レーザ光源３１から出射され光ディスクＤＫに導かれるレーザ光の経路の方向とは逆の方向から進むことにより偏光ビームスプリッタ３４に導かれる。この場合、偏光ビームスプリッタ３４に導かれた反射光は、１／４波長板５２により偏光方向がＳ偏光に変換されているため、入射方向に直交する方向（図示下側）に反射されて光学系の外に導かれる。すなわち、光ディスクＤＫからの２つの反射光のうち、レーザ光源３１から出射されたレーザ光に対応する反射光は、偏光ビームスプリッタ４４によって光路が変更されることによりレーザ光源４１から出射されたレーザ光が光ディスクＤＫに導かれる経路から外される。また、レーザ光源４１から出射されたレーザ光に対応する反射光は、偏光ビームスプリッタ３４によって光路が変更されることによりレーザ光源３１から出射されたレーザ光が光ディスクＤＫに導かれる経路から外される。これらにより、レーザ光源３１，４１からそれぞれ出射された両レーザ光にそれぞれ対応する両反射光がレーザ光源３１，４１に導かれることがない。

上記作動説明からも理解できるように、上記第２実施形態によれば、レーザ光源３１，４１からそれぞれ出射される各レーザ光を対物レンズ５３の瞳中心からずらしてそれぞれ入射させている。このため、対物レンズ５３によって光ディスクＤＫ上にそれぞれ集光された後、同光ディスクＤＫによってそれぞれ反射された各反射光は、対物レンズ５３の光軸を中心軸としてそれぞれ入射側とは反対側に導かれる。この場合、立上ミラー５１の頂点が対物レンズ５３の光軸上にあるため、光ディスクＤＫによって反射される各反射光は、それぞれ他方のレーザ光側に導かれる。すなわち、レーザ光源３１，４１からそれぞれ出射された各レーザ光と、同レーザ光に対応する光ディスクＤＫからの各反射光とは、異なる光路となる。このため、各反射光が同反射光に対応するレーザ光源３１，４１に導かれることはない。

また、各反射光は、１／２波長板３３，４３および１／４波長板５２によって、各反射光が経路を共通にするレーザ光源３１，４１から出射されたレーザ光の偏光方向とは異なる偏光方向に変換される。具体的には、レーザ光源３１、４１からそれぞれ出射され光ディスクＤＫによって反射された各反射光の偏光方向はＳ偏光であり、レーザ光源３１、４１からそれぞれ出射され１／２波長板３３，４３を透過した各レーザ光の偏光方向はＰ偏光である。これにより、前記各反射光の光路を、偏光ビームスプリッタ３４，４４によって各レーザ光源３１，４１からそれぞれ出射され光ディスクＤＫに導かれる各レーザ光の経路から外すことができる。このため、各反射光が互いに他方の反射光に対応するレーザ光源３１，４１に導かれることがない。これにより、レーザ光源３１，４１にダメージを与えることがなくなり、レーザ光源３１，４１の性能の低下および寿命の到来を早めることがない。この結果、レーザ光源３１，４１のメンテナンスに関する工数および費用を低減させることができる。

なお、上記第２実施形態においては、２つのレーザ光源３１，４１を備えた光ピックアップ装置について本発明を適用したが、これに限定されるものではない。すなわち、レーザ光源を３つ以上備えた光ピックアップ装置においても、同一の波長のレーザ光を２つ以内にし、波長の異なるレーザ光の合成および分離にダイクロイックミラーを使用すれば上記第２実施形態と同様に本発明を適用することができる。

また、レーザ光の光束の断面形状が略円形状であれば、同一波長のレーザ光を出射するレーザ光源が３つ以上ある場合でも上記第２実施形態と同様に本発明を適用することができる。例えば、４つのレーザ光源を用いた光ピックアップ装置を図３に示す。図３は、光ディスクＤＫ側から見た図であり、図２に示す光ピックアップ装置における光ディスクＤＫ、１／４波長板５２および対物レンズ５３に相当する各部の図は省略されている。この場合、立上ミラー５１は、四角錐状に形成されており、４方向からのレーザ光を反射面５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄとは反対側の面である反射面５１ｂ，５１ａ，５１ｄ，５１ｃで反射させる。レーザ光源３１，４１が出射するレーザ光の経路上に配置される各光学素子は上記第２実施形態と同様であり、レーザ光源６１，７１が出射するレーザ光の経路上に配置される各光学素子はフォーカスサーボ制御用の光学素子（集光レンズ４６，ハーフミラー４７、フォトディテクタ４８，４９）がない以外は上記第２実施形態と同様の構成である。これによれば、光ディスクＤＫかららの反射光の光路をレーザ光源３１，４１，６１，７１から出射したレーザ光の経路から外すことができる。これによっても、上記第２実施形態と同様の効果が期待できる。

また、上記第２実施形態において偏光ビームスプリッタ３４，４４は、レーザ光源３１，４１から出射されたレーザ光の一部をフォトディテクタ３５，４５にそれぞれ導くとともに、光ディスクＤＫからの各反射光をレーザ光源３１，４１から光ディスクＤＫにレーザ光を導く経路から外している。これらのうち、後者の機能（光ディスクＤＫからの各反射光をレーザ光源３１，４１から光ディスクＤＫにレーザ光を導く経路から外す機能）に関しては、レーザ光源３１，４１から出射され光ディスクＤＫに導かれる各レーザ光の光路と、光ディスクＤＫからの各反射光の光路とが異なる光路であれば必ずしも必要ではない。すなわち、上記第２実施形態においては、レーザ光源３１とレーザ光源４１とを対向配置するとともに、レーザ光源３１から出射されるレーザ光の光軸とレーザ光源４１から出射されるレーザ光の光軸とが同一直線上になるように構成した。このため、レーザ光源３１から出射され光ディスクＤＫによって反射された反射光が、レーザ光源４１から出射され光ディスクＤＫに導かれるレーザ光の光路を逆進してレーザ光源４１に導かれる。また、レーザ光源４１から出射され光ディスクＤＫによって反射された反射光が、レーザ光源３１から出射され光ディスクＤＫに導かれるレーザ光の光路を逆進してレーザ光源３１に導かれる。

したがって、少なくともこれらの各レーザ光源３１，４１の各光軸が互いに異なる直線上になるように構成すれば、光ディスクＤＫからの各反射光がレーザ光源３１，４１内にそれぞれ導かれることがなくなり、偏光ビームスプリッタ３４，４４における前記後者の機能は不要となる。図４は、レーザ光源３１から出射されるレーザ光の光軸を図示上側にずらすとともに、レーザ光源４１から出射されるレーザ光の光軸を図示下側にずらして、レーザ光源３１，４１の各光軸が互いに異なる直線上になるように構成した例を示している。これによれば、レーザ光源３１から出射され光ディスクＤＫによって反射された反射光の光路と、レーザ光源４１から出射され光ディスクＤＫによって反射された反射光の光路とが図示上下方向にそれぞれずれるため、各反射光が互いに他方のレーザ光源４１，３１内に導かれることがない。これによっても、上記第２実施形態と同様な効果が期待できる。

また、レーザ光の光束の断面形状が略円形状であれば、光ディスクＤＫ側から見てレーザ光源から出射するレーザ光の光軸が互いに異なる直線上になるように構成することができる。図５は、レーザ光源３１から出射されるレーザ光の光軸とレーザ光源４１から出射されるレーザ光の光軸とが直交するように構成した例を示している。この図５は、光ディスクＤＫ側から見た図であり、光ディスクＤＫおよび対物レンズ５３の各図は省略している。この場合、立上ミラー５１は四角錐状に形成されており、１／４波長板５２は不要である。レーザ光源３１から出射したレーザ光は、立上ミラー５１の反射面５１ａによって光ディスクＤＫに導かれ、光ディスクＤＫからの反射光は反射面５１ｂに導かれる。また、レーザ光源４１から出射したレーザ光は、立上ミラー５１の反射面５１ｃによって光ディスクＤＫに導かれ、光ディスクＤＫからの反射光は反射面５１ｄに導かれる。この場合、光ディスクＤＫによって反射された反射光を用いて対物レンズ５３のフォーカスサーボ制御を行うため、反射面５１ｂによって反射される反射光の光路上に集光レンズ４６、ビームスプリッタ４７およびフォトディテクタ４８，４９をそれぞれ設けている。これによっても、上記第２実施形態と同様な効果が期待できる。なお、これらの場合、偏光ビームスプリッタ３４，４４は、入射したレーザ光の一部をフォトディテクタ３５，４５に導くビームスプリッタで構成してもよい。その場合は、１／２波長板３３，４３を除いて構成することができる。

また、上記第２実施形態においては、光ディスクＤＫからの各反射光における偏光方向に応じて、各反射光をレーザ光源３１，４１から光ディスクＤＫにレーザ光を導く経路から外すように構成した。しかし、各反射光の特性に応じて各反射光をレーザ光源３１，４１から光ディスクＤＫにレーザ光を導く経路から外すことができれば、これに限定されるものではない。例えば、レーザ光源３１，４１からそれぞれ出射される各レーザ光の波長を互いに異なる波長とし、波長の違いに応じて反射光を透過または反射させる光学素子（例えば、ダイクロイックミラー）を用いて、各反射光をレーザ光源３１，４１から光ディスクＤＫにレーザ光を導く経路から外すように構成してもよい。これによっても、上記第２実施形態と同様の効果が期待できる。

また、上記第２実施形態においては、レーザ光源３１，４１からそれぞれ出射された各レーザ光が立上ミラー５１の頂点側に照射されるように構成した。これは、対物レンズ５３に入射するレーザ光と対物レンズ５３から出射する反射光との間隔を対物レンズ５３の大きさに対応したものとするためである。すなわち、対物レンズ５３が小さい場合には、前記レーザ光と反射光との間隔は狭くする必要があるため、各レーザ光源３１，４１からそれぞれ出射される各レーザ光を立上ミラー５１の頂点付近により近い位置に照射しなければならない。しかし、対物レンズ５３が大きい場合には、前記レーザ光と反射光との間隔は広くてもよいため、各レーザ光源３１，４１からそれぞれ出射される各レーザ光を立上ミラー５１の頂点付近から下側に照射するようにしてもよい。これによっても、上記第２実施形態と同様の効果が期待できる。

なお、レーザ光源３１，４１からそれぞれ出射される各レーザ光を、立上ミラー５１の頂点付近に照射した場合、各レーザ光の外縁部が立上ミラー５１の反射面から外れて一方のレーザ光源から出射されたレーザ光が他方のレーザ光源に直接導かれることが考えられる。これを防ぐために図６に示すように、一方のレーザ光源３１，４１から出射されるレーザ光が互いに他方のレーザ光源４１，３１に直接導かれない程度に、互いの光軸を傾けるように構成してもよい。この場合、立上ミラー５１の各反射面５１ａ，５１ｂに入射するレーザ光源３１，４１からそれぞれ出射されたレーザ光の光軸の入射角に応じて、各反射面５１ａ，５１ｂの角度を適宜設定する。これによっても、上記第２実施形態と同様の効果が期待できる。

また、レーザ光の光束の断面形状が略円形状であれば、前記図５に示した光ピックアップ装置のように、レーザ光源３１から出射されるレーザ光の光軸とレーザ光源４１から出射されるレーザ光の光軸とが直交するように構成、すなわち、各レーザ光源３１，４１の各光軸が互いに異なる直線上になるように構成すれば、一方のレーザ光源から出射されたレーザ光が他方のレーザ光源に直接導かれることはない。これによっても、上記第２実施形態と同様の効果が期待できる。

さらに、本発明の実施にあたっては、上記第１実施形態、第２実施形態およびこれらの変形例に限定されるものではなく、本発明の目的を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。

例えば、上記第１実施形態および第２実施形態においては、光ディスクＤＫを初期化する光ピックアップ装置について本発明を適用した例を説明したが、対象物体に対して直交する方向からレーザ光が照射される構成のレーザ光照射装置であれば、これに限定されるものではない。例えば、上記第１実施形態および第２実施形態における光ディスクの初期化用の光ピックアップ装置のほかに、光ディスクＤＫの所定の領域に光ディスクの識別情報を記録する識別情報記録用の光ピックアップ装置や、光ディスクＤＫの表面にレーザ加工によりピットや溝などを形成する光ピックアップ装置などに本発明を適用してもよい。また、これらの光ピックアップ装置のほかに、対象物体にレーザ光を照射して同対象物を加工するレーザ加工機に搭載されるレーザ光照射装置、ヒトや動物を治療・診断するためにヒトや動物にレーザ光を照射するレーザ光照射装置などにも本発明は広く適用できるものである。

本発明の第１実施形態に係る光ピックアップ装置に用いられる各種光学部品の配置を示す概略図である。 本発明の第２実施形態に係る光ピックアップ装置に用いられる各種光学部品の配置を示す概略図である。 本発明の変形例に係る光ピックアップ装置に用いられる各種光学部品の配置を示す概略図である。 本発明の他の変形例に係る光ピックアップ装置に用いられる各種光学部品の配置を示す概略図である。 本発明の他の変形例に係る光ピックアップ装置に用いられる各種光学部品の配置を示す概略図である。 本発明の他の変形例に係る光ピックアップ装置に用いられる各種光学部品の配置を示す概略図である。

符号の説明

ＤＫ…光ディスク、１１，２１…レーザ光源、１２，２２…コリメートレンズ、１３，１５，２３…偏光ビームスプリッタ、１４，２４…１／２波長板、１６…立上ミラー、１７…１／４波長板、１８…対物レンズ、１９，２５，２８，２９…フォトディテクタ、２７…ビームスプリッタ

Claims (8)

1. 対象物体に対してレーザ光を出射する複数のレーザ光源と、
   前記複数のレーザ光源からそれぞれ出射された各レーザ光を対象物体上にそれぞれ集光する対物レンズとを備えたレーザ光照射装置において、
   前記複数のレーザ光源からそれぞれ出射された各レーザ光の光路と、同各レーザ光に対応する対象物体からの各反射光の各光路とがそれぞれ異なるように、前記複数のレーザ光源からそれぞれ出射された各レーザ光を前記対物レンズに同対物レンズの瞳中心からずらして入射させることを特徴とするレーザ光照射装置。
2. 請求項１に記載のレーザ光照射装置において、
   対象物体からの前記各反射光の光路上に、同各反射光と経路が共通する前記複数のレーザ光源からそれぞれ出射された各レーザ光の経路から前記各反射光の光路を外す光路変更手段を設けたレーザ光照射装置。
3. 請求項２に記載のレーザ光照射装置において、さらに、
   対象物体からの前記各反射光の特性を、同各反射光と経路が共通する前記複数のレーザ光源からそれぞれ出射された各レーザ光の特性に対して異なる特性に変更する特性変更手段を設け、
   前記光路変更手段は、前記特性変更手段により変更された特性に応じて前記各反射光の光路を、同各反射光と経路が共通する前記複数のレーザ光源からそれぞれ出射された各レーザ光の経路から外すレーザ光照射装置。
4. 請求項３に記載のレーザ光照射装置において、
   対象物体からの前記各反射光の特性は、同各反射光における偏光方向であり、
   前記特性変更手段は、前記偏光方向を変更する光学素子であるレーザ光照射装置。
5. 請求項３または請求項４に記載のレーザ光照射装置において、
   前記特性変更手段は、前記複数のレーザ光源ごとに設けられるとともに、同複数のレーザ光源からそれぞれ出射される各レーザ光の光路上および同各レーザ光に対応する各反射光の光路上のうちの少なくともいずれか一方に配置されるレーザ光照射装置。
6. 請求項１ないし請求項５のうちのいずれか１つに記載のレーザ光照射装置において、さらに、
   前記複数のレーザ光源からそれぞれ出射される各レーザを反射により前記対物レンズにそれぞれ導くミラーを備えたレーザ光照射装置。
7. 請求項６に記載のレーザ光照射装置において、
   前記複数のレーザ光源からそれぞれ出射され前記ミラーにそれぞれ導かれる各レーザ光の光軸は、互いに異なる直線上にあるレーザ光照射装置。
8. 請求項１ないし請求項７のうちのいずれか１つに記載のレーザ光照射装置において、
   対象物体は、光ディスクであるレーザ光照射装置。
   

Images