JP2007273598A

JP2007273598A - Substrate processor and substrate processing method

Info

Publication number: JP2007273598A
Application number: JP2006095465A
Authority: JP
Inventors: Kaoru Niihara; 薫新原
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2006-03-30
Filing date: 2006-03-30
Publication date: 2007-10-18

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing method and a substrate processor that enable quick peel-off (removal) of a resist, having a resist hardening layer from the surface of a substrate, without damaging the substrate. <P>SOLUTION: An integral head 3 is provided with a resist-stripper circulation pipe 14 and a UV irradiation device 25. Ultraviolet-rays are emitted onto the surface of the substrate from the UV irradiation device 25, while a resist stripper is supplied from the resist-stripper circulation pipe 14. Accordingly, it is possible to simultaneously impart chemical energy possessed by the resist stripper and energy possessed by the ultra-violet rays to the resist on the surface of the substrate. Thus, it is possible to break the resist hardening layer by synergy of both energy, even if the resist hardening layer is formed on the surface of the resist, and it is possible to remove the resist by quickly peeling off the resist, while the resist stripper is immersed in the inside of the resist through the broken part of the resist hardening layer. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

この発明は、基板の表面から不要になったレジストを除去するために適用される基板処理方法および基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。 The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus applied to remove unnecessary resist from the surface of a substrate. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photo A mask substrate is included.

半導体装置の製造工程には、たとえば、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面にリン、砒素、硼素などの不純物（イオン）を局所的に注入する工程が含まれる。この工程では、不所望な部分に対するイオン注入を防止するため、ウエハの表面に感光性樹脂からなるレジストがパターン形成されて、イオン注入を所望しない部分がレジストによってマスクされる。ウエハの表面上にパターン形成されたレジストは、イオン注入の後は不要になるから、イオン注入後には、そのウエハの表面上の不要となったレジストを剥離して除去するためのレジスト除去処理が行われる。 The manufacturing process of a semiconductor device includes, for example, a step of locally implanting impurities (ions) such as phosphorus, arsenic, and boron into the surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”). In this step, in order to prevent ion implantation into an undesired portion, a resist made of a photosensitive resin is patterned on the surface of the wafer, and a portion where ion implantation is not desired is masked by the resist. Since the resist patterned on the surface of the wafer becomes unnecessary after ion implantation, after ion implantation, a resist removal process is performed to remove and remove the unnecessary resist on the surface of the wafer. Done.

レジスト除去処理は、たとえば、アッシング装置でレジスト膜をアッシング（灰化）して除去した後、ウエハを洗浄装置に搬入して、ウエハの表面からアッシング後のレジスト残渣（ポリマ）を除去することによって達成できる。アッシング装置では、たとえば、ウエハを収容した処理室内が酸素ガス雰囲気にされて、その酸素ガス雰囲気中にマイクロ波が放射される。これにより、処理室内に酸素ガスのプラズマ（酸素プラズマ）が発生し、この酸素プラズマがウエハの表面に照射されることによって、ウエハの表面のレジスト膜が分解されて除去される。一方、洗浄装置では、たとえば、ウエハの表面にＡＰＭ（ammonia−hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水）などの薬液が供給されて、ウエハの表面に対して薬液による洗浄処理（レジスト残渣除去処理）が施されることにより、ウエハの表面に付着しているレジスト残渣が除去される。 In the resist removal process, for example, the resist film is removed by ashing (ashing) with an ashing device, and then the wafer is carried into a cleaning device, and the resist residue (polymer) after ashing is removed from the surface of the wafer. Can be achieved. In the ashing apparatus, for example, a processing chamber containing a wafer is made an oxygen gas atmosphere, and microwaves are radiated into the oxygen gas atmosphere. As a result, oxygen gas plasma (oxygen plasma) is generated in the processing chamber, and this oxygen plasma is irradiated onto the surface of the wafer, whereby the resist film on the surface of the wafer is decomposed and removed. On the other hand, in the cleaning apparatus, for example, a chemical solution such as APM (ammonia-hydrogen peroxide mixture) is supplied to the wafer surface, and the wafer surface is cleaned with the chemical solution (resist residue removal process). As a result, the resist residue adhering to the surface of the wafer is removed.

ところが、プラズマによるアッシングは、ウエハの表面のレジスト膜で覆われていない部分（たとえば、露呈した酸化膜）がダメージを受けてしまうという問題を有している。
そのため、プラズマによるアッシングおよびＡＰＭなどの薬液を用いた洗浄処理に代えて、ウエハの表面に硫酸と過酸化水素水との混合液であるＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水）を供給して、このＳＰＭに含まれるペルオキソ一硫酸（Ｈ_２ＳＯ_５）の強酸化力により、ウエハの表面からレジストを剥離して除去することが提案されている。また、この他にも、ウエハの表面にオゾンガスを混入（バブリング）させた硫酸を供給して、その酸化力により、ウエハの表面からレジストを剥離して除去する手法なども提案されている。
特開２００５−３２８１９号公報 However, ashing by plasma has a problem that a portion (eg, exposed oxide film) that is not covered with a resist film on the surface of the wafer is damaged.
Therefore, SPM (sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture) is a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution on the surface of the wafer instead of plasma ashing and cleaning treatment using chemicals such as APM. It is proposed that the resist is removed from the surface of the wafer by the strong oxidizing power of peroxomonosulfuric acid (H ₂ SO ₅ ) contained in the SPM. In addition to this, a method has also been proposed in which sulfuric acid mixed with bubbling ozone gas is supplied to the wafer surface and the resist is peeled off from the wafer surface by its oxidizing power.
JP 2005-32819 A

ところが、イオン注入（とくに、高ドーズのイオン注入）が行われたウエハでは、レジストの表面が変質（硬化）しているため、レジストを良好に除去できなかったり、レジストを除去するのに時間がかかったりする。
そこで、この発明の目的は、基板にダメージを与えることなく、基板の表面からレジスト硬化層を有するレジストを速やかに剥離（除去）することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。 However, in a wafer that has been subjected to ion implantation (particularly, high-dose ion implantation), the resist surface has been altered (cured), so that the resist cannot be removed satisfactorily, or the time for removing the resist is long. It takes.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus that can quickly peel (remove) a resist having a resist cured layer from the surface of the substrate without damaging the substrate. .

前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、表面にレジストが形成された基板（Ｗ）を保持する基板保持手段（２）と、前記基板保持手段に保持された基板の表面に紫外線を照射する紫外線照射手段（２５）と、前記基板保持手段に保持された基板の表面にレジストを剥離するためのレジスト剥離液を供給する剥離液供給手段（１４，１５，１６，１７，１８，２０，２１，２４（４３））と、基板の表面に対するレジスト剥離液の供給と紫外線の照射とが並行して行われるように、前記紫外線照射手段および前記剥離液供給手段を制御する制御手段（３３）とを含むことを特徴とする、基板処理装置（１）である。 In order to achieve the above-mentioned object, the invention according to claim 1 includes a substrate holding means (2) for holding a substrate (W) having a resist formed on the surface, and a surface of the substrate held by the substrate holding means. Ultraviolet irradiation means (25) for irradiating ultraviolet rays and stripping solution supply means (14, 15, 16, 17, 18 for supplying a resist stripping solution for stripping the resist onto the surface of the substrate held by the substrate holding means. , 20, 21, 24 (43)) and a control means for controlling the ultraviolet irradiation means and the peeling liquid supply means so that the supply of the resist stripping liquid and the ultraviolet irradiation with respect to the surface of the substrate are performed in parallel. (33) is a substrate processing apparatus (1).

なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、基板の表面にレジスト剥離液が供給されつつ、その基板の表面に紫外線が照射される。これにより、基板の表面のレジストに対して、レジスト剥離液が有する化学的エネルギーと紫外線が有するエネルギーとを同時に付与することができる。そのため、レジストの表面にレジスト硬化層が形成されていても、それらのエネルギーの相乗作用によって、レジスト硬化層を破壊することができ、そのレジスト硬化層の破壊された部分からレジストの内部にレジスト剥離液を浸透させて、レジストを速やかに剥離して除去することができる。しかも、プラズマアッシングとは異なり、基板にダメージを与えるおそれもない。 In addition, the alphanumeric characters in parentheses represent corresponding components in the embodiments described later. The same applies hereinafter.
According to this configuration, the surface of the substrate is irradiated with ultraviolet rays while the resist stripping solution is supplied to the surface of the substrate. Thereby, the chemical energy which resist stripping solution has, and the energy which ultraviolet rays have can be simultaneously provided with respect to the resist of the surface of a board | substrate. Therefore, even if a resist hardened layer is formed on the surface of the resist, the resist hardened layer can be destroyed by the synergistic action of the energy, and the resist is peeled from the destroyed part of the resist hardened layer to the inside of the resist. By infiltrating the liquid, the resist can be quickly removed and removed. Moreover, unlike plasma ashing, there is no possibility of damaging the substrate.

基板の表面に対する紫外線の照射とレジスト剥離液の供給とを、別々の装置（チャンバ）で行うことも考えられる。しかしながら、その場合、レジスト剥離液が有する化学的エネルギーと紫外線が有するエネルギーとの相乗作用が発揮されないため、前記の構成と比較して、基板の表面からレジストを除去するのに時間がかかる。また、基板を装置間で搬送する時間も必要となる。 It is also conceivable that the irradiation of the ultraviolet rays onto the surface of the substrate and the supply of the resist stripping solution are performed in separate apparatuses (chambers). However, in that case, since the synergistic action of the chemical energy of the resist stripping solution and the energy of ultraviolet rays is not exhibited, it takes time to remove the resist from the surface of the substrate as compared with the above configuration. In addition, a time for transporting the substrate between the apparatuses is also required.

請求項２に記載の発明は、前記基板保持手段に保持された基板の表面に近接する近接位置と、当該基板の上方に退避する退避位置との間で、前記紫外線照射手段を移動させるための移動手段（１２）をさらに含み、前記制御手段は、前記移動手段を制御して、前記紫外線照射手段による紫外線の照射時に、前記紫外線照射手段を前記近接位置に配置させることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置である。 The invention according to claim 2 is for moving the ultraviolet irradiation means between a proximity position close to the surface of the substrate held by the substrate holding means and a retreat position for retreating above the substrate. A moving means (12) is further included, and the control means controls the moving means to place the ultraviolet irradiation means at the proximity position when the ultraviolet irradiation is performed by the ultraviolet irradiation means. Item 12. The substrate processing apparatus according to Item 1.

この構成によれば、紫外線照射手段が基板の表面に近接する近接位置に配置されて、その近接位置から基板の表面に紫外線が照射される。そのため、基板の表面のレジストに対して、紫外線のエネルギーを効率よく付与することができる。その結果、基板の表面からレジストをより良好かつ速やかに剥離して除去することができる。
前記近接位置は、前記紫外線照射手段と前記基板保持手段に保持された基板の表面との間隔が３０ｍｍ以内となる位置をいい、その間隔は、１０ｍｍ以内であることが好ましい。 According to this configuration, the ultraviolet irradiation means is disposed at a close position close to the surface of the substrate, and the surface of the substrate is irradiated with ultraviolet light from the close position. Therefore, ultraviolet energy can be efficiently applied to the resist on the surface of the substrate. As a result, the resist can be peeled off and removed better and more quickly from the surface of the substrate.
The proximity position refers to a position where the distance between the ultraviolet irradiation means and the surface of the substrate held by the substrate holding means is within 30 mm, and the distance is preferably within 10 mm.

請求項３に記載の発明は、前記剥離液供給手段は、処理液を吐出する吐出口（１４ａ）を備えており、前記紫外線照射手段および前記吐出口を一体的に保持する保持ヘッド（３）をさらに含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、紫外線照射手段と剥離液供給手段の吐出口とを保持ヘッドにより一体的に保持することができるので、それらを個別に保持する部材を不要とすることができ、部品点数の低減を図ることができる。 According to a third aspect of the present invention, the stripping solution supply means includes a discharge port (14a) for discharging a processing liquid, and a holding head (3) that integrally holds the ultraviolet irradiation means and the discharge port. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising:
According to this configuration, since the ultraviolet irradiation means and the discharge port of the stripping solution supply means can be integrally held by the holding head, a member for individually holding them can be eliminated, and the number of parts can be reduced. Reduction can be achieved.

請求項４に記載の発明は、前記基板保持手段に保持された基板を加熱する加熱手段（８）をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板を加熱することによって、基板の表面のレジストに熱エネルギーをさらに付与することができる。そのため、基板の表面からレジストを一層良好かつ速やかに剥離して除去することができる。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising heating means (8) for heating the substrate held by the substrate holding means. is there.
According to this configuration, it is possible to further apply thermal energy to the resist on the surface of the substrate by heating the substrate. Therefore, the resist can be peeled off and removed more favorably and quickly from the surface of the substrate.

請求項５に記載の発明は、前記基板保持手段に保持された基板の表面にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段（４１，４２）をさらに含むことを特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板の表面にオゾンガスを供給することによって、基板の表面のレジストの酸化を促進させることができる。そのため、基板の表面からレジストを一層良好かつ速やかに剥離して除去することができる。 The invention described in claim 5 further includes ozone gas supply means (41, 42) for supplying ozone gas to the surface of the substrate held by the substrate holding means. The substrate processing apparatus according to claim 1.
According to this configuration, the oxidation of the resist on the surface of the substrate can be promoted by supplying ozone gas to the surface of the substrate. Therefore, the resist can be peeled off and removed more favorably and quickly from the surface of the substrate.

請求項６に記載の発明は、基板保持手段（２）によって、表面にレジストが形成された基板（Ｗ）を保持する基板保持工程（Ｓ１）と、前記基板保持手段に保持された基板の表面に紫外線を照射する紫外線照射工程（Ｓ３）と、前記紫外線照射工程と並行して、前記基板保持手段に保持された基板の表面にレジストを剥離するためのレジスト剥離液を供給する剥離液供給工程（Ｓ３）とを含むことを特徴とする、基板処理方法である。 The invention described in claim 6 includes a substrate holding step (S1) for holding a substrate (W) having a resist formed on the surface by the substrate holding means (2), and a surface of the substrate held by the substrate holding means. UV irradiation step (S3) for irradiating the substrate with UV, and a stripping solution supply step for supplying a resist stripping solution for stripping the resist onto the surface of the substrate held by the substrate holding means in parallel with the UV irradiation step (S3). A substrate processing method.

この方法によれば、請求項１に関連して述べた作用効果と同様な作用効果を達成することができる。 According to this method, it is possible to achieve the same effect as the effect described in relation to the first aspect.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１Ａは、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す側面図である。
基板処理装置１は、基板の一例であるウエハＷの表面に不純物を注入するイオン注入処理後に、そのウエハＷの表面から不要になったレジストを剥離して除去するための処理を行う枚葉式の装置である。この基板処理装置１は、ウエハＷを水平に保持するプレート２と、このプレート２に保持されたウエハＷの表面（上面）に紫外線およびレジスト剥離液を供給するための一体型ヘッド３とを備えている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1A is a side view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type that performs processing for removing and removing unnecessary resist from the surface of the wafer W after ion implantation processing for implanting impurities into the surface of the wafer W, which is an example of a substrate. It is a device. The substrate processing apparatus 1 includes a plate 2 that holds a wafer W horizontally, and an integrated head 3 that supplies ultraviolet rays and a resist stripping solution to the surface (upper surface) of the wafer W held on the plate 2. ing.

図１Ｂは、プレート２を上方から見たときの平面図である。
プレート２は、図１Ａおよび図１Ｂに示すように、平面視でウエハＷよりも大きく形成されており、その表面が、レジスト剥離液に対する耐性を有する材料、たとえば、炭化シリコンからなる保護層４で覆われている。このプレート２の上面には、複数個の支持ピン５が配設されている。また、プレート２の上面の周縁部には、リング状のガイド５０が配設されている。ガイド５０のウエハＷの裏面（下面）と接触する支持面５０ａには、シール部材５１（Ｏリングなど）が設けられている。一方、プレート２の下面には、鉛直方向に延びる回転軸６が結合されている。この回転軸６には、モータなどを含む回転駆動機構７から回転力が入力されるようになっている。また、プレート２の内部には、ウエハＷを加熱するためのヒータ８が備えられている。回転軸６は、内部が中空となっており、ヒータ８と電源との電気接続は、回転軸６の内部に配設され、ヒータ８とロータリジョイントを介して接続された給電線により達成される。 FIG. 1B is a plan view of the plate 2 as viewed from above.
As shown in FIGS. 1A and 1B, the plate 2 is formed larger than the wafer W in plan view, and the surface thereof is a protective layer 4 made of a material having resistance to a resist stripping solution, for example, silicon carbide. Covered. A plurality of support pins 5 are disposed on the upper surface of the plate 2. A ring-shaped guide 50 is disposed on the peripheral edge of the upper surface of the plate 2. A seal member 51 (such as an O-ring) is provided on the support surface 50 a that contacts the back surface (lower surface) of the wafer W of the guide 50. On the other hand, a rotating shaft 6 extending in the vertical direction is coupled to the lower surface of the plate 2. A rotational force is input to the rotary shaft 6 from a rotary drive mechanism 7 including a motor and the like. In addition, a heater 8 for heating the wafer W is provided inside the plate 2. The rotary shaft 6 has a hollow interior, and electrical connection between the heater 8 and the power source is achieved by a feed line that is disposed inside the rotary shaft 6 and connected to the heater 8 via a rotary joint. .

また、プレート２の上面には、ウエハＷの裏面を吸引する吸引孔５５が複数個配設されている。各吸引孔５５は、吸引管５６を介して、回転軸６の内部に接続されている。回転軸６の周囲には、シール機構５９（たとえば、リップシールなど）を介して、固定部材６０が固定して配置されている。固定部材６０には、吸引機構６２（たとえば、真空ポンプなど）が接続されている。固定部材６０には、吸引配管６１が設けられており、回転軸６には、回転軸６の内部と吸引配管６１とを連通する吸引口５８が配設されている。これにより、ウエハＷの裏面は、吸引孔５５、吸引管５６、回転軸６、吸引口５８および吸引配管６１を介して、吸引機構６２によって吸引される。 A plurality of suction holes 55 for sucking the back surface of the wafer W are provided on the upper surface of the plate 2. Each suction hole 55 is connected to the inside of the rotating shaft 6 via a suction pipe 56. A fixing member 60 is fixedly disposed around the rotary shaft 6 via a seal mechanism 59 (for example, a lip seal). A suction mechanism 62 (for example, a vacuum pump) is connected to the fixing member 60. The fixing member 60 is provided with a suction pipe 61, and the rotary shaft 6 is provided with a suction port 58 that communicates the inside of the rotary shaft 6 and the suction pipe 61. Thereby, the back surface of the wafer W is sucked by the suction mechanism 62 through the suction hole 55, the suction tube 56, the rotating shaft 6, the suction port 58 and the suction pipe 61.

また、プレート２の回転軸６を中心とする円周上には、複数の昇降ピン５２が昇降可能に設けられている。複数の昇降ピン５２は、プレート２の下方にある支持部材５３に結合されており、一体的に昇降可能となっている。複数の昇降ピン５２は、エアシリンダなどにより構成されるピン昇降駆動機構５４によって昇降駆動される。各昇降ピン５２は、プレート２に設けられ挿通孔５２ａを挿通して昇降する。 A plurality of elevating pins 52 are provided on the circumference of the plate 2 around the rotation shaft 6 so as to be able to move up and down. The plurality of elevating pins 52 are coupled to a support member 53 below the plate 2 and can be moved up and down integrally. The plurality of elevating pins 52 are driven up and down by a pin elevating drive mechanism 54 constituted by an air cylinder or the like. Each raising / lowering pin 52 is provided in the plate 2 and moves up and down through the insertion hole 52a.

この構成により、プレート２は、複数個の支持ピン５によって、ウエハＷの裏面とほぼ点接触の状態で、ウエハＷを水平に支持することができる。また、ウエハＷの裏面の周縁部がシール部材５１によってシールされるとともに、複数の吸引孔５５から吸引されることによって、ウエハＷは、支持ピン５を介してプレート２の上面に吸着された状態で支持することができる。そして、その状態で、回転軸６に回転駆動機構７から回転力を入力することにより、ウエハＷをプレート２とともに回転させることができる。また、ヒータ８に通電することにより、支持ピン５に支持されたウエハＷを加熱することができる。 With this configuration, the plate 2 can horizontally support the wafer W by a plurality of support pins 5 while being substantially in point contact with the back surface of the wafer W. Further, the peripheral edge of the back surface of the wafer W is sealed by the sealing member 51 and is sucked from the plurality of suction holes 55 so that the wafer W is attracted to the upper surface of the plate 2 via the support pins 5. Can be supported. In this state, the wafer W can be rotated together with the plate 2 by inputting a rotational force from the rotational drive mechanism 7 to the rotational shaft 6. Further, by energizing the heater 8, the wafer W supported by the support pins 5 can be heated.

プレート２の側方には、鉛直方向に延びる揺動軸９が配置されている。この揺動軸９の上端部には、水平方向に延びるアーム１０が結合されており、このアーム１０の先端の下面に、一体型ヘッド３が取り付けられている。また、揺動軸９には、この揺動軸９を中心軸線まわりに回動させるための揺動駆動機構１１と、揺動軸９を中心軸線に沿って上下動させるための昇降駆動機構１２とが結合されている。 A swing shaft 9 extending in the vertical direction is disposed on the side of the plate 2. An arm 10 extending in the horizontal direction is coupled to the upper end of the swing shaft 9, and the integrated head 3 is attached to the lower surface of the tip of the arm 10. Further, the swing shaft 9 includes a swing drive mechanism 11 for rotating the swing shaft 9 around the central axis, and a lift drive mechanism 12 for moving the swing shaft 9 up and down along the central axis. And are combined.

揺動駆動機構１１から揺動軸９に駆動力を入力して、揺動軸９を所定の角度範囲内で回動させることにより、プレート２に保持されたウエハＷの上方で、アーム１０を揺動軸９を支点として揺動させることができる。また、昇降駆動機構１２から揺動軸９に駆動力を入力して、揺動軸９を上下動させることにより、プレート２に保持されたウエハＷの表面に近接する近接位置（図１に仮想線で示す位置）と、そのウエハＷの上方に退避する退避位置（図１に実線で示す位置）との間で、一体型ヘッド３を昇降させることができる。この実施形態では、近接位置は、プレート２に保持されたウエハＷの表面と一体型ヘッド３の下面との間隔が１０ｍｍ以内となる位置に設定されている。 By inputting a driving force from the swing drive mechanism 11 to the swing shaft 9 and rotating the swing shaft 9 within a predetermined angular range, the arm 10 is moved above the wafer W held on the plate 2. It can be swung with the swing shaft 9 as a fulcrum. Further, when a driving force is input from the lifting drive mechanism 12 to the swing shaft 9 and the swing shaft 9 is moved up and down, a proximity position close to the surface of the wafer W held on the plate 2 (virtual position in FIG. 1). The integrated head 3 can be raised and lowered between a position indicated by a line) and a retracted position (position indicated by a solid line in FIG. 1) retracted above the wafer W. In this embodiment, the proximity position is set such that the distance between the surface of the wafer W held on the plate 2 and the lower surface of the integrated head 3 is within 10 mm.

図２は、一体型ヘッド３の図解的な断面図である。また、図３は、一体型ヘッド３の下方から見た底面図である。
一体型ヘッド３は、鉛直方向に貫通する貫通孔１３を有する略円筒状に形成されている。
貫通孔１３には、剥離液流通管１４が挿通されている。剥離液流通管１４は、その先端開口がレジスト剥離液を吐出する吐出口１４ａとされ、この吐出口１４ａが一体型ヘッド３の下面と面一をなしている。一方、剥離液流通管１４の基端側は、アーム１０の内部へと延び、アーム１０に形成された接続口（図示せず）に接続されている。この接続口には、アーム１０の外側から剥離液供給管１５が接続されており、この剥離液供給管１５から剥離液流通管１４にレジスト剥離液が供給されるようになっている。 FIG. 2 is a schematic sectional view of the integrated head 3. FIG. 3 is a bottom view of the integrated head 3 as viewed from below.
The integrated head 3 is formed in a substantially cylindrical shape having a through hole 13 penetrating in the vertical direction.
A stripping solution circulation pipe 14 is inserted into the through hole 13. The stripping solution circulation pipe 14 has a tip opening serving as a discharge port 14 a that discharges the resist stripping solution, and the discharge port 14 a is flush with the lower surface of the integrated head 3. On the other hand, the base end side of the stripping solution circulation pipe 14 extends into the arm 10 and is connected to a connection port (not shown) formed in the arm 10. A stripping solution supply pipe 15 is connected to the connection port from the outside of the arm 10, and the resist stripping solution is supplied from the stripping solution supply pipe 15 to the stripping solution circulation pipe 14.

剥離液供給管１５は、プレート２や一体型ヘッド３が配置される処理室の外に設けられたミキシングバルブ１６から延びている。ミキシングバルブ１６には、硫酸供給源からの硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）が供給される硫酸供給管１７と、過酸化水素水供給源からの過酸化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）が供給される過酸化水素水供給管１８とが接続されている。また、ミキシングバルブ１６には、ウエハＷからレジスト剥離液を洗い流すためのＤＩＷ（deionized water）が供給されるＤＩＷ供給管１９が接続されている。硫酸供給管１７の途中部には、硫酸バルブ２０が介装されている。過酸化水素水供給管１８の途中部には、過水バルブ２１が介装されている。ＤＩＷ供給管１９の途中部には、ＤＩＷバルブ２２が介装されている。 The stripping solution supply pipe 15 extends from a mixing valve 16 provided outside the processing chamber in which the plate 2 and the integrated head 3 are disposed. The mixing valve 16 is supplied with a sulfuric acid supply pipe 17 to which sulfuric acid (H ₂ SO ₄ ) is supplied from a sulfuric acid supply source, and hydrogen peroxide water (H ₂ O ₂ ) from a hydrogen peroxide solution supply source. A hydrogen peroxide supply pipe 18 is connected. The mixing valve 16 is connected to a DIW supply pipe 19 to which DIW (deionized water) for washing away the resist stripping solution from the wafer W is supplied. A sulfuric acid valve 20 is interposed in the middle of the sulfuric acid supply pipe 17. An overwater valve 21 is interposed in the middle of the hydrogen peroxide solution supply pipe 18. A DIW valve 22 is interposed in the middle of the DIW supply pipe 19.

硫酸供給管１７に供給される硫酸は、硫酸供給源において、所定温度（たとえば、８０℃以上）に温度調節されている。一方、過酸化水素水供給管１８に供給される過酸化水素水は、室温（約２５℃）程度の液温を有している。
剥離液供給管１５の途中部には、攪拌流通管２３が介装されている。この攪拌流通管２３は、管部材内に、それぞれ液体流通方向を軸にほぼ１８０度のねじれを加えた長方形板状体からなる複数の撹拌フィンを、液体流通方向に沿う管中心軸まわりの回転角度を９０度ずつ交互に異ならせて配置した構成のものであり、たとえば、株式会社ノリタケカンパニーリミテド・アドバンス電気工業株式会社製の商品名「ＭＸシリーズ：インラインミキサー」を用いることができる。 The sulfuric acid supplied to the sulfuric acid supply pipe 17 is temperature-controlled at a predetermined temperature (for example, 80 ° C. or higher) in the sulfuric acid supply source. On the other hand, the hydrogen peroxide solution supplied to the hydrogen peroxide solution supply pipe 18 has a liquid temperature of about room temperature (about 25 ° C.).
A stirring flow pipe 23 is interposed in the middle of the stripping solution supply pipe 15. The stirring flow pipe 23 is formed by rotating a plurality of stirring fins, each of which is a rectangular plate having a twist of about 180 degrees around the liquid flow direction, around the central axis of the pipe along the liquid flow direction. For example, a product name “MX Series: Inline Mixer” manufactured by Noritake Co., Limited Advance Electric Industry Co., Ltd. can be used.

また、剥離液供給管１５の途中部には、レジスト剥離液の流通方向における攪拌流通管２３の下流側に、剥離液バルブ２４が介装されている。
剥離液バルブ２４が開かれた状態で、硫酸バルブ２０および過水バルブ２１が開かれると、硫酸および過酸化水素水がミキシングバルブ１６に流入し、それらがミキシングバルブ１６から剥離液供給管１５へと流出する。硫酸および過酸化水素水は、剥離液供給管１５を流通する途中、攪拌流通管２３を通過することにより十分に攪拌される。この攪拌によって、硫酸と過酸化水素水とが十分に反応し、多量のカロ酸（Ｈ_２ＳＯ_５）を含むレジスト剥離液であるＳＰＭが作成される。このとき、ＳＰＭは、反応熱により、硫酸の液温以上の高温に昇温する。そして、その高温のＳＰＭが剥離液流通管１４に供給され、剥離液流通管１４の吐出口１４ａから吐出される。 Further, a stripping solution valve 24 is interposed in the middle of the stripping solution supply pipe 15 on the downstream side of the stirring flow pipe 23 in the flow direction of the resist stripping liquid.
When the sulfuric acid valve 20 and the overwater valve 21 are opened with the stripping solution valve 24 opened, sulfuric acid and hydrogen peroxide solution flow into the mixing valve 16, and they flow from the mixing valve 16 to the stripping solution supply pipe 15. And leaked. The sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution are sufficiently stirred by passing through the stirring flow pipe 23 while flowing through the stripping solution supply pipe 15. By this stirring, the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution sufficiently react to create SPM, which is a resist stripping solution containing a large amount of caroic acid (H ₂ SO ₅ ). At this time, the SPM is heated to a temperature higher than the liquid temperature of sulfuric acid by reaction heat. Then, the high-temperature SPM is supplied to the stripping solution circulation pipe 14 and discharged from the discharge port 14 a of the stripping liquid circulation pipe 14.

一体型ヘッド３の内部は、中空とされ、その中空部分には、ＵＶ照射装置２５が配置されている。このＵＶ照射装置２５は、たとえば、４本の冷陰極ＵＶランプ２６と、冷陰極ＵＶランプ２６の上方に配置され、冷陰極ＵＶランプ２６から放射される紫外線（ＵＶ）を下方に反射させるための円環状の反射板２７と、これらを一体的に保持するランプベース２８とを備えている。 The interior of the integrated head 3 is hollow, and a UV irradiation device 25 is disposed in the hollow portion. The UV irradiation device 25 is arranged, for example, above four cold cathode UV lamps 26 and the cold cathode UV lamp 26, and reflects ultraviolet rays (UV) emitted from the cold cathode UV lamp 26 downward. An annular reflecting plate 27 and a lamp base 28 for holding them together are provided.

４本の冷陰極ＵＶランプ２６は、図３に示すように、同心４重円状に並べられて、図２に示すように、一体型ヘッド３の下面に設けられた石英ガラス２９に対向配置されている。各冷陰極ＵＶランプ２６には、電圧供給のためのアンプ３０がそれぞれ接続されている。アンプ３０から冷陰極ＵＶランプ２６に電圧が供給されると、冷陰極ＵＶランプ２６が紫外線を放射し、その紫外線が、石英ガラス２９を通過して、一体型ヘッド３の下方に向けて出射される。 The four cold cathode UV lamps 26 are arranged in a concentric quadruple shape as shown in FIG. 3, and are arranged opposite to the quartz glass 29 provided on the lower surface of the integrated head 3 as shown in FIG. Has been. Each cold cathode UV lamp 26 is connected to an amplifier 30 for supplying voltage. When a voltage is supplied from the amplifier 30 to the cold cathode UV lamp 26, the cold cathode UV lamp 26 emits ultraviolet rays, and the ultraviolet rays pass through the quartz glass 29 and are emitted toward the lower side of the integrated head 3. The

ランプベース２８は、たとえば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）などのフッ素樹脂材料やアルミニウムで形成されている。このランプベース２８には、その内部にエアを供給するための給気ポート３１と、内部の雰囲気を排気するための排気ポート３２とが形成されている。給気ポート３１からランプベース２８内にエアを供給しつつ、排気ポート３２からランプベース２８内の雰囲気を排気することにより、冷陰極ＵＶランプ２６を冷却することができる。 The lamp base 28 is made of, for example, a fluororesin material such as PTFE (polytetrafluoroethylene) or aluminum. The lamp base 28 is formed with an air supply port 31 for supplying air into the lamp base 28 and an exhaust port 32 for exhausting the internal atmosphere. The cold cathode UV lamp 26 can be cooled by exhausting the atmosphere in the lamp base 28 from the exhaust port 32 while supplying air into the lamp base 28 from the air supply port 31.

図４は、基板処理装置１の電気的構成を示すブロック図である。
基板処理装置１は、さらに、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置３３を備えている。この制御装置３３には、回転駆動機構７、揺動駆動機構１１、昇降駆動機構１２、ピン昇降駆動機構５４、吸引機構６２、ヒータ８、アンプ３０、硫酸バルブ２０、過水バルブ２１、ＤＩＷバルブ２２および剥離液バルブ２４などが制御対象として接続されている。 FIG. 4 is a block diagram showing an electrical configuration of the substrate processing apparatus 1.
The substrate processing apparatus 1 further includes a control device 33 having a configuration including a microcomputer. The control device 33 includes a rotation drive mechanism 7, a swing drive mechanism 11, a lift drive mechanism 12, a pin lift drive mechanism 54, a suction mechanism 62, a heater 8, an amplifier 30, a sulfuric acid valve 20, a superwater valve 21, a DIW valve. 22 and the stripping solution valve 24 are connected as control targets.

なお、ヒータ８およびアンプ３０は、ヒータ８の温度および冷陰極ＵＶランプ２６の発光を安定に保つため、この基板処理装置１に電源が投入されている間、常に駆動されている。
図５は、ウエハＷの処理について説明するための工程図である。
イオン注入処理後のウエハＷは、図示しない搬送ロボットによって搬入されてきて、レジストが形成されている表面を上方に向けた状態でプレート２上に載置され、このプレート２に保持される（ステップＳ１）。具体的には、まず、ピン昇降駆動機構５４が制御されて、昇降ピン５２は、その上端部がガイド５０よりも高い位置にある状態とされる。そして、図示しない搬送ロボットにより昇降ピン５２上にウエハＷが載置される。その後、昇降ピン５２が下降されることにより、ウエハＷは、ガイド５０の支持面５０ａ上に載置される。また、吸引機構６２が制御されて、複数の吸引孔５５から吸引されることにより、ウエハＷは、支持ピン５を介してプレート２の上面に吸着された状態で保持される。また、ウエハＷは、その裏面が支持ピン５でほぼ点接触した状態で水平に保持される。プレート２に保持されたウエハＷは、プレート２に内蔵されているヒータ８からの発熱による加熱を受ける。 The heater 8 and the amplifier 30 are always driven while the substrate processing apparatus 1 is powered on in order to keep the temperature of the heater 8 and the light emission of the cold cathode UV lamp 26 stable.
FIG. 5 is a process diagram for explaining the processing of the wafer W.
The wafer W after the ion implantation process is carried in by a transfer robot (not shown), placed on the plate 2 with the surface on which the resist is formed facing upward, and held on the plate 2 (step) S1). Specifically, first, the pin raising / lowering drive mechanism 54 is controlled, and the upper and lower pins 52 are in a state of being higher than the guide 50. Then, the wafer W is placed on the lift pins 52 by a transfer robot (not shown). Thereafter, the elevating pins 52 are lowered to place the wafer W on the support surface 50 a of the guide 50. Further, the suction mechanism 62 is controlled to be sucked from the plurality of suction holes 55, whereby the wafer W is held in a state of being attracted to the upper surface of the plate 2 via the support pins 5. Further, the wafer W is held horizontally with the back surface thereof being substantially in point contact with the support pins 5. The wafer W held on the plate 2 is heated by heat generated from the heater 8 built in the plate 2.

なお、ウエハＷは、レジストをアッシング（灰化）するための処理を受けておらず、そのレジストの表面には、イオン注入によって変質した硬化層が形成されている。
回転駆動機構７が制御されて、プレート２に保持されたウエハＷが所定の回転速度（たとえば、３００ｒｐｍ）で回転される（ステップＳ２）。一方、揺動駆動機構１１および昇降駆動機構１２が制御されて、一体型ヘッド３を保持したアーム１０がウエハＷの上方で揺動および昇降される。具体的には、一体型ヘッド３が、ウエハＷの回転中心付近の上方の第１の退避位置に移動して、その第１の退避位置から第１の近接位置まで鉛直方向に下降し、その後、ウエハＷの表面と平行にウエハＷの周縁に向けて移動し、ウエハＷの周縁と対向する第２の近接位置に達すると、第２の近接位置から第２の退避位置に上昇し、さらに第２の退避位置から第１の退避位置に戻るといった動作を繰り返すように、アーム１０がウエハＷの上方で揺動および昇降される。 The wafer W has not undergone a process for ashing the resist, and a hardened layer that has been altered by ion implantation is formed on the surface of the resist.
The rotation drive mechanism 7 is controlled, and the wafer W held on the plate 2 is rotated at a predetermined rotation speed (for example, 300 rpm) (step S2). On the other hand, the swing drive mechanism 11 and the lift drive mechanism 12 are controlled to swing and lift the arm 10 holding the integrated head 3 above the wafer W. Specifically, the integrated head 3 moves to the first retraction position above the rotation center of the wafer W, and descends in the vertical direction from the first retraction position to the first proximity position, and thereafter When the wafer moves toward the periphery of the wafer W in parallel with the surface of the wafer W and reaches a second proximity position that faces the periphery of the wafer W, it rises from the second proximity position to the second retracted position, and The arm 10 is swung and moved up and down above the wafer W so as to repeat the operation of returning from the second retracted position to the first retracted position.

このアーム１０の動作（一体型ヘッド３の動作）と並行して、硫酸バルブ２０、過水バルブ２１および剥離液バルブ２４が開かれて、剥離液流通管１４の吐出口１４ａからＳＰＭが吐出される。これにより、ウエハＷの表面において、ＳＰＭの供給位置が、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。また、ウエハＷの表面において、冷陰極ＵＶランプ２６からの紫外線の照射位置が、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動する（ステップＳ３）。 In parallel with the operation of the arm 10 (operation of the integrated head 3), the sulfuric acid valve 20, the superwater valve 21 and the stripping solution valve 24 are opened, and SPM is discharged from the discharge port 14a of the stripping solution circulation pipe 14. The As a result, on the surface of the wafer W, the SPM supply position moves while drawing an arc-shaped locus within a range from the rotation center of the wafer W to the periphery of the wafer W. On the surface of the wafer W, the irradiation position of the ultraviolet light from the cold cathode UV lamp 26 moves while drawing an arc-shaped locus within a range from the rotation center of the wafer W to the periphery of the wafer W (step S3).

ＳＰＭの供給が所定時間にわたって行われると（または、一体型ヘッド３の動作が所定回数繰り返されると）、硫酸バルブ２０および過水バルブ２１が閉じられる。また、揺動駆動機構１１が制御されて、一体型ヘッド３がウエハＷの回転中心付近の上方に配置される。そして、ＤＩＷバルブ２２が開かれて、剥離液流通管１４の吐出口１４ａからウエハＷの回転中心付近に向けてＤＩＷが供給される。ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上をウエハＷの周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面に付着しているＳＰＭがＤＩＷによって洗い流される（ステップＳ４）。 When the supply of SPM is performed for a predetermined time (or when the operation of the integrated head 3 is repeated a predetermined number of times), the sulfuric acid valve 20 and the overwater valve 21 are closed. Further, the swing driving mechanism 11 is controlled, and the integrated head 3 is disposed above the vicinity of the rotation center of the wafer W. Then, the DIW valve 22 is opened, and DIW is supplied toward the vicinity of the rotation center of the wafer W from the discharge port 14a of the stripping solution flow pipe 14. The DIW supplied to the surface of the wafer W receives centrifugal force due to the rotation of the wafer W and flows on the surface of the wafer W toward the periphery of the wafer W. Thereby, SPM adhering to the surface of the wafer W is washed away by DIW (step S4).

ＤＩＷの供給が一定時間にわたって続けられると、ＤＩＷバルブ２２および剥離液バルブ２４が閉じられて、ＤＩＷの供給が停止される。また、揺動駆動機構１１および昇降駆動機構１２が制御されて、一体型ヘッド３がウエハＷの上方から退避したホームポジションに戻される。そして、回転駆動機構７および吸引機構６２が制御されて、プレート２の回転が止められ、ウエハＷが静止した後、ウエハＷの吸引が解除される。そして、ピン昇降駆動機構５４が制御されて、ウエハＷは、昇降ピン５２に載置されて、ガイド５０よりも高い位置に位置した状態で、図示しない搬送ロボットによって、ウエハＷが搬出されていく（ステップＳ５）。 When the supply of DIW is continued for a certain time, the DIW valve 22 and the stripping solution valve 24 are closed, and the supply of DIW is stopped. Further, the swing drive mechanism 11 and the lift drive mechanism 12 are controlled to return the integrated head 3 to the home position where it is retracted from above the wafer W. Then, the rotation drive mechanism 7 and the suction mechanism 62 are controlled, the rotation of the plate 2 is stopped, and after the wafer W is stopped, the suction of the wafer W is released. Then, the pin elevating drive mechanism 54 is controlled, and the wafer W is unloaded by a transfer robot (not shown) while being placed on the elevating pins 52 and positioned higher than the guide 50. (Step S5).

以上のように、この基板処理装置１では、ウエハＷの表面にレジスト剥離液であるＳＰＭが供給されつつ、そのウエハＷの表面に紫外線が照射される。これにより、ウエハＷの表面のレジストに対して、ＳＰＭが有する化学的エネルギーと紫外線が有するエネルギーとを同時に付与することができる。そのため、レジストの表面にレジスト硬化層が形成されていても、それらのエネルギーの相乗作用によって、レジスト硬化層を破壊することができ、そのレジスト硬化層の破壊された部分からレジストの内部にＳＰＭを浸透させて、レジストを速やかに剥離して除去することができる。しかも、プラズマアッシングとは異なり、ウエハＷにダメージを与えるおそれもない。 As described above, in the substrate processing apparatus 1, the surface of the wafer W is irradiated with ultraviolet rays while the surface of the wafer W is supplied with SPM as the resist stripping solution. Thereby, the chemical energy of the SPM and the energy of the ultraviolet rays can be simultaneously applied to the resist on the surface of the wafer W. Therefore, even if a resist hardened layer is formed on the surface of the resist, the resist hardened layer can be destroyed by the synergistic action of those energies, and the SPM is introduced into the resist from the destroyed part of the resist hardened layer. The resist can be quickly peeled and removed by infiltration. Moreover, unlike plasma ashing, there is no possibility of damaging the wafer W.

しかも、一体型ヘッド３がウエハＷの表面に近接する近接位置に配置されて、その近接位置からウエハＷの表面に紫外線が照射されるので、ウエハＷの表面のレジストに対して、紫外線のエネルギーを効率よく付与することができる。
また、プレート２に保持されたウエハＷは、そのプレート２に内蔵されたヒータ８により加熱される。これにより、ウエハＷの表面に形成されているレジストに対して、熱エネルギーをさらに付与することができる。そのため、ウエハＷの表面からレジストを一層良好かつ速やかに剥離して除去することができる。 Moreover, since the integrated head 3 is disposed at a close position close to the surface of the wafer W, and the surface of the wafer W is irradiated with ultraviolet rays from the close position, the energy of the ultraviolet light is applied to the resist on the surface of the wafer W. Can be efficiently applied.
The wafer W held on the plate 2 is heated by the heater 8 built in the plate 2. Thereby, thermal energy can be further applied to the resist formed on the surface of the wafer W. Therefore, the resist can be peeled off and removed more favorably and quickly from the surface of the wafer W.

なお、この実施形態では、ＵＶ照射装置２５と剥離液流通管１４とが一体型ヘッド３により一体的に保持されている構成を取り上げたが、ＵＶ照射装置２５と剥離液流通管１４とは別々に設けられてもよい。ＵＶ照射装置２５と剥離液流通管１４とが一体型ヘッド３により一体的に保持された構成では、それらを個別に保持する部材が不要であるので、それらを別々に設けた構成に比べて、部品点数の低減を図ることができ、ひいてはコストの低減を図ることができる。ＵＶ照射装置２５と剥離液流通管１４とが別々に設けられる場合には、それらを個別に移動させるための機構が備えられて、ウエハＷの表面における紫外線の照射位置とレジスト剥離液の供給位置とがそれぞれ移動可能とされることが好ましい。 In this embodiment, the configuration in which the UV irradiation device 25 and the stripping solution circulation tube 14 are integrally held by the integrated head 3 is taken up. However, the UV irradiation device 25 and the stripping solution circulation tube 14 are separately provided. May be provided. In the configuration in which the UV irradiation device 25 and the stripping solution circulation pipe 14 are integrally held by the integrated head 3, a member for individually holding them is unnecessary, so compared to the configuration in which they are provided separately, The number of parts can be reduced, and as a result, the cost can be reduced. When the UV irradiation device 25 and the stripping solution circulation pipe 14 are provided separately, a mechanism for individually moving them is provided, and an ultraviolet irradiation position and a resist stripping solution supply position on the surface of the wafer W are provided. Are preferably movable.

図６は、一体型ヘッド３の他の構成を示す断面図である。図６以降の各図において、前述した各部に相当する部分には、それら各部と同一の参照符号が付されている。また、以下では、同一の参照符号を付した部分についての詳細な説明は省略する。
この図６に示す一体型ヘッド３では、剥離液流通管１４が、その周囲に隙間を形成して貫通孔１３に挿通されている。そして、剥離液流通管１４の周囲の隙間が、オゾンガス流通路４１とされている。このオゾンガス流通路４１には、オゾンガスバルブ４２を介して、オゾンガス（Ｏ_３）が供給されるようになっている。また、剥離液流通管１４には、剥離液バルブ４３を介して、レジスト剥離液としての硫酸が供給されるようになっている。 FIG. 6 is a cross-sectional view showing another configuration of the integrated head 3. In the drawings after FIG. 6, portions corresponding to the respective portions described above are denoted by the same reference numerals as those portions. Further, in the following, detailed description of the portions given the same reference numerals is omitted.
In the integrated head 3 shown in FIG. 6, the stripping solution circulation pipe 14 is inserted into the through hole 13 with a gap formed around it. A gap around the stripping solution circulation pipe 14 is an ozone gas flow passage 41. Ozone gas (O ₃ ) is supplied to the ozone gas flow passage 41 via an ozone gas valve 42. Further, sulfuric acid as a resist stripping solution is supplied to the stripping solution circulation pipe 14 through a stripping solution valve 43.

この一体型ヘッド３が基板処理装置１に備えられる場合、プレート２に保持されたウエハＷがヒータ８により加熱されつつ、そのウエハＷの表面に、ＵＶ照射装置２５から紫外線が照射される。また、それと同時に、剥離液流通管１４から硫酸が供給され、さらにオゾンガス流通路４１からオゾンガスが供給される。これにより、ウエハＷの表面のレジストに対して、紫外線のエネルギーおよび硫酸の化学的エネルギー（酸化力）に加えて、オゾンガスの化学的エネルギー（酸化力）を同時に付与することができ、これらのエネルギーの相乗作用によって、レジスト硬化層を破壊して、ウエハＷの表面からレジストを速やかに剥離して除去することができる。 When the integrated head 3 is provided in the substrate processing apparatus 1, the wafer W held on the plate 2 is heated by the heater 8, and the surface of the wafer W is irradiated with ultraviolet rays from the UV irradiation device 25. At the same time, sulfuric acid is supplied from the stripping solution circulation pipe 14 and ozone gas is supplied from the ozone gas flow passage 41. Thereby, in addition to the energy of ultraviolet rays and the chemical energy (oxidizing power) of sulfuric acid, the chemical energy (oxidizing power) of ozone gas can be simultaneously applied to the resist on the surface of the wafer W. By the synergistic action, the resist cured layer can be destroyed, and the resist can be quickly peeled off from the surface of the wafer W to be removed.

図７は、一体型ヘッド３のさらに他の構成を示す断面図である。
この図７に示す一体型ヘッド３では、オゾンガス流通路４１を提供するオゾンガス流通管４４が設けられ、このオゾンガス流通管４４と剥離液流通管１４とが並べて設けられている。このような構成であっても、図６に示す一体型ヘッド３と同様に用いることができる。 FIG. 7 is a cross-sectional view showing still another configuration of the integrated head 3.
In the integrated head 3 shown in FIG. 7, an ozone gas circulation pipe 44 that provides an ozone gas flow passage 41 is provided, and the ozone gas circulation pipe 44 and the stripping liquid circulation pipe 14 are provided side by side. Even such a configuration can be used similarly to the integrated head 3 shown in FIG.

以上、この発明のいくつかの実施形態を説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。たとえば、前述の実施形態では、４本の冷陰極ＵＶランプ２６が備えられた構成を取り上げたが、冷陰極ＵＶランプ２６の本数は、４本に限らず、５本以上であってもよいし、３本以下であってもよい。１本の冷陰極ＵＶランプ２６が備えられる場合、その冷陰極ＵＶランプ２６は、図８に示すように、剥離液流通管１４を取り囲む渦巻状に配置されるとよい。 As mentioned above, although several embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form. For example, in the above-described embodiment, the configuration in which the four cold cathode UV lamps 26 are provided is taken up. However, the number of the cold cathode UV lamps 26 is not limited to four, and may be five or more. Three or less may be sufficient. When one cold cathode UV lamp 26 is provided, the cold cathode UV lamp 26 is preferably arranged in a spiral shape surrounding the stripping solution circulation tube 14 as shown in FIG.

また、ウエハＷの処理時において、一体型ヘッド３は、第１の近接位置から第２の近接位置に達した後、第２の退避位置に上昇されずに、第２の近接位置から第１の近接位置に戻され、その後さらに第１の近接位置から第２の近接位置に移動されるといったように、ウエハＷの表面に近接した状態で往復移動されてもよい。
さらにまた、ウエハＷとほぼ同じ平面サイズを有し、ウエハＷの表面に対して近接および離間可能に設けられる遮断板を備えている場合には、その遮断板に剥離液流通管１４およびＵＶ照射装置２５を保持させてもよい。この場合、一体型ヘッド３、揺動軸９、アーム１０、揺動駆動機構１１および昇降駆動機構１２を省略することができ、装置の構成を簡素化することができる。また、遮断板にヒータを追加して設け、遮断板がウエハＷに近接配置されたとき（ウエハＷの表面に対するレジスト剥離液および紫外線の供給時）に、そのヒータからの発熱によりウエハＷを加熱するようにしてもよい。これにより、ウエハＷの表面のレジストを直接に加熱することができ、レジスト硬化層の破壊をより促進することができる。 Further, when the wafer W is processed, the integrated head 3 reaches the second proximity position from the first proximity position and then does not move up to the second retracted position, but instead of being moved from the second proximity position to the first proximity position. May be moved back and forth in the state of being close to the surface of the wafer W, such as being returned to the proximity position of the wafer W and then further moved from the first proximity position to the second proximity position.
Furthermore, in the case where a shielding plate having substantially the same plane size as the wafer W and provided so as to be able to approach and separate from the surface of the wafer W is provided, the stripping plate 14 and the UV irradiation The device 25 may be held. In this case, the integrated head 3, the swing shaft 9, the arm 10, the swing drive mechanism 11, and the lift drive mechanism 12 can be omitted, and the configuration of the apparatus can be simplified. In addition, a heater is additionally provided on the shield plate, and when the shield plate is disposed close to the wafer W (when supplying a resist stripping solution and ultraviolet rays to the surface of the wafer W), the wafer W is heated by heat generated from the heater. You may make it do. Thereby, the resist on the surface of the wafer W can be directly heated, and the destruction of the resist hardened layer can be further promoted.

また、前述の実施形態においては、ウエハＷはヒータ８によって加熱されているが、必ずしもウエハＷは加熱されなくてもよい。その場合、ウエハＷは、円盤状のスピンベースの上面（基板対向面）の周縁部に間隔をあけて複数箇所（たとえば、等間隔で３箇所）に設けられた挟持ピンによって周縁部が挟持されることによって保持され、スピンベースとともに回転させる構成としてもよい。 In the above-described embodiment, the wafer W is heated by the heater 8, but the wafer W is not necessarily heated. In that case, the periphery of the wafer W is sandwiched by sandwiching pins provided at a plurality of locations (for example, three locations at equal intervals) with a spacing around the periphery of the upper surface (substrate facing surface) of the disc-shaped spin base. It is good also as a structure hold | maintained by rotating and rotating with a spin base.

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。 In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.

この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す側面図である。1 is a side view schematically showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図１Ａに示すプレートを上方から見た平面図である。It is the top view which looked at the plate shown to FIG. 1A from upper direction. 一体型ヘッドの図解的な断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an integrated head. 一体型ヘッドの下方から見た底面図である。It is the bottom view seen from the downward direction of an integrated head. 基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the electric constitution of a substrate processing apparatus. 基板の処理について説明するための工程図である。It is process drawing for demonstrating the process of a board | substrate. 一体型ヘッドの他の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other structure of an integrated head. 一体型ヘッドのさらに他の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows other structure of an integrated head. １本の冷陰極ＵＶランプの配置を示す底面図である。It is a bottom view which shows arrangement | positioning of one cold cathode UV lamp.

Explanation of symbols

１基板処理装置
２プレート
３一体型ヘッド
１２昇降駆動機構
１４剥離液流通管
１４ａ吐出口
１５剥離液供給管
１６ミキシングバルブ
１７硫酸供給管
１８過酸化水素水供給管
２０硫酸バルブ
２１過水バルブ
２４剥離液バルブ
２５ＵＶ照射装置
３３制御装置
４１オゾンガス流通路
４２オゾンガスバルブ
４３剥離液バルブ
Ｗウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 2 Plate 3 Integrated head 12 Elevating drive mechanism 14 Stripping liquid distribution pipe 14a Discharge port 15 Stripping liquid supply pipe 16 Mixing valve 17 Sulfuric acid supply pipe 18 Hydrogen peroxide water supply pipe 20 Sulfuric acid valve 21 Overwater valve 24 Peeling Liquid valve 25 UV irradiation device 33 Control device 41 Ozone gas flow path 42 Ozone gas valve 43 Stripping liquid valve W Wafer

Claims

A substrate holding means for holding a substrate having a resist formed on the surface;
Ultraviolet irradiation means for irradiating the surface of the substrate held by the substrate holding means with ultraviolet rays;
A stripping solution supply means for supplying a resist stripping solution for stripping the resist on the surface of the substrate held by the substrate holding means;
A substrate processing apparatus comprising: the ultraviolet irradiation means and a control means for controlling the peeling liquid supply means so that the supply of the resist stripping liquid to the surface of the substrate and the ultraviolet irradiation are performed in parallel. .

A moving means for moving the ultraviolet irradiation means between a proximity position close to the surface of the substrate held by the substrate holding means and a retreat position where the substrate is retracted above the substrate;
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the control unit controls the moving unit to place the ultraviolet irradiation unit at the proximity position when the ultraviolet irradiation unit irradiates the ultraviolet ray.

The stripping liquid supply means includes a discharge port for discharging a processing liquid,
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a holding head that integrally holds the ultraviolet irradiation unit and the discharge port.

The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a heating unit that heats the substrate held by the substrate holding unit.

5. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising ozone gas supply means for supplying ozone gas to the surface of the substrate held by the substrate holding means.

A substrate holding step of holding a substrate having a resist formed on the surface by the substrate holding means;
An ultraviolet irradiation step of irradiating the surface of the substrate held by the substrate holding means with ultraviolet rays;
In parallel with the ultraviolet irradiation step, the substrate processing method includes a stripping solution supplying step of supplying a resist stripping solution for stripping the resist onto the surface of the substrate held by the substrate holding means.