JP6028892B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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本発明は、薬液を用いた処理を基板に施すための基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing processing using a chemical solution on a substrate. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal display devices, substrates for plasma displays, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, Substrates such as a photomask substrate, a ceramic substrate, and a solar cell substrate are included.

半導体装置の製造工程には、たとえば、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の主面にリン、砒素、硼素などの不純物（イオン）を局所的に注入する工程が含まれる。この工程では、不要な部分に対するイオン注入を防止するため、ウエハの表面に感光性樹脂からなるレジストがパターン形成されて、イオン注入が不要な部分がレジストによってマスクされる。ウエハの表面上にパターン形成されたレジストは、イオン注入の後は不要になるから、イオン注入後には、そのウエハの表面上の不要となったレジストを除去するためのレジスト除去処理が行われる。   The manufacturing process of a semiconductor device includes, for example, a step of locally implanting impurities (ions) such as phosphorus, arsenic, and boron into the main surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”). In this step, in order to prevent ion implantation into unnecessary portions, a resist made of a photosensitive resin is patterned on the surface of the wafer, and portions that do not require ion implantation are masked with the resist. Since the resist patterned on the surface of the wafer becomes unnecessary after the ion implantation, a resist removal process for removing the unnecessary resist on the surface of the wafer is performed after the ion implantation.

このようなレジスト除去処理の代表的なものでは、ウエハの表面に酸素プラズマが照射されて、ウエハの表面上のレジストがアッシングされる。そして、ウエハの表面に硫酸と過酸化水素水の混合液である硫酸過酸化水素水混合液（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：ＳＰＭ液）などの薬液が供給されて、アッシングされたレジストが除去されることにより、ウエハの表面からのレジストの除去が達成される。   In such a typical resist removal process, the surface of the wafer is irradiated with oxygen plasma, and the resist on the surface of the wafer is ashed. Then, a chemical solution such as a sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture (SPM solution) which is a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution is supplied to the surface of the wafer, and the ashed resist is removed. This achieves removal of the resist from the surface of the wafer.

ところが、レジストのアッシングのための酸素プラズマの照射は、ウエハの表面のレジストで覆われていない部分（たとえば、レジストから露呈した酸化膜）にダメージを与えてしまう。
そのため、最近では、レジストのアッシングを行わずに、ウエハの表面にＳＰＭ液を供給して、このＳＰＭ液に含まれるペルオキソ一硫酸（Ｈ２ＳＯ５）の強酸化力により、ウエハの表面からレジストを剥離して除去する手法が注目されつつある。 However, irradiation with oxygen plasma for ashing the resist damages a portion of the wafer surface that is not covered with the resist (for example, an oxide film exposed from the resist).
Therefore, recently, without ashing the resist, an SPM solution is supplied to the surface of the wafer, and the strong oxidizing power of peroxomonosulfuric acid (H 2 SO 5 ) contained in the SPM solution causes the resist from the wafer surface. Attention has been focused on a method of peeling and removing the film.

特開２００５−３２８１９号公報JP 2005-32819 A

ところが、高ドーズのイオン注入が行われたウエハでは、レジストが炭化変質（硬化）していることがある。
ＳＰＭ液に高いレジスト剥離性能を発揮させるためには、ＳＰＭ液の液温を２００℃以上の高温まで昇温させる必要がある。このようなＳＰＭ液であれば、表面に硬化層を有するレジストであっても、アッシングすることなく、ウエハの表面から除去することができる。また、ＳＰＭ液の液温を２００℃以上に保つことにより、レジストの剥離効率が高まるから、レジスト剥離の処理時間の短縮を図ることもできる。 However, in a wafer subjected to high dose ion implantation, the resist may be carbonized (cured).
In order for the SPM solution to exhibit high resist stripping performance, it is necessary to raise the temperature of the SPM solution to a high temperature of 200 ° C. or higher. With such an SPM solution, even a resist having a hardened layer on the surface can be removed from the surface of the wafer without ashing. Further, since the resist stripping efficiency is increased by keeping the liquid temperature of the SPM liquid at 200 ° C. or higher, it is possible to shorten the resist stripping processing time.

このような問題は、ＳＰＭ液等のレジスト剥離液を用いたレジスト除去処理だけでなく、高温の燐酸を用いた窒化膜等の選択エッチング処理等にも共通の課題である。
そこで、本発明の目的は、基板の主面の薬液を高温に保持させることにより、基板の主面に薬液を用いた処理を良好に行うことができる基板処理装置を提供することである。 Such a problem is common to not only resist removal processing using a resist stripping solution such as SPM solution, but also selective etching processing of a nitride film using high-temperature phosphoric acid.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can satisfactorily perform a process using a chemical on the main surface of the substrate by keeping the chemical on the main surface of the substrate at a high temperature.

前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）の主面に薬液を用いた処理を施すために用いられる基板処理装置（１）であって、基板を保持する基板保持手段（３）と、前記基板保持手段に保持されている基板の主面に薬液を供給する薬液ノズル（４）を有する薬液供給手段（４，１３）と、赤外線ランプ（３８）を有し、前記基板保持手段に保持されている基板の主面に対向して配置され、赤外線ランプからの赤外線の放射により、基板の主面に供給された薬液を加熱する、基板よりも小径のヒータ（３８，５２）と、前記薬液ノズルとは別に設けられて、前記ヒータを有するヒータヘッド（３５）と、前記基板保持手段に保持されている基板の主面に沿って、前記ヒータヘッドを移動させるヒータヘッド移動手段（３６，３７）とを含み、前記ヒータヘッドは、前記赤外線ランプを収容する有底容器状のランプハウジング（４０）を備え、前記ヒータは、前記赤外線ランプの照射により加熱される前記ランプハウジングの底板部（５２）を含む、基板処理装置を提供する。 The invention according to claim 1 for achieving the above object is a substrate processing apparatus (1) used for performing a process using a chemical on the main surface of a substrate (W), the substrate holding the substrate A holding means (3), a chemical supply means (4, 13) having a chemical liquid nozzle (4) for supplying a chemical liquid to the main surface of the substrate held by the substrate holding means, and an infrared lamp (38). A heater having a smaller diameter than the substrate, which is disposed opposite to the main surface of the substrate held by the substrate holding means and heats the chemical solution supplied to the main surface of the substrate by infrared radiation from the infrared lamp ( 38, 52) and the chemical nozzle, and the heater head is moved along the heater head (35) having the heater and the main surface of the substrate held by the substrate holding means. heater head moving means (36 37) and only contains the heater head is provided with a bottomed container-like lamp housing (40) for accommodating the infrared lamp, the heater includes a bottom plate portion of the lamp housing which is heated by the irradiation of the infrared lamp including (52), to provide a board processing unit.

なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すが、特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。以下、本項において同じ。
この構成によれば、ヒータを基板の主面に対向配置しつつ、赤外線ランプから赤外線を放射させることにより、基板の主面において、ヒータに対向する領域に存在する薬液が加熱される。また、ヒータによる加熱と並行して、ヒータを基板の主面に沿って移動させる。そのため、基板の主面におけるヒータに対向する領域が、所定の軌跡上を移動するので、ヒータによって基板の主面の全域を加熱することができる。これにより、基板の主面に存在する全ての薬液を高温に保つことができる。その結果、基板の主面の全域に、薬液を用いた処理を良好かつ均一に施すことができる。 In addition, although the alphanumeric characters in parentheses represent corresponding components in the embodiments described later, the scope of the claims is not intended to be limited to the embodiments. The same applies hereinafter.
According to this configuration, the chemical solution existing in the region facing the heater is heated on the main surface of the substrate by emitting infrared rays from the infrared lamp while the heater is disposed facing the main surface of the substrate. In parallel with the heating by the heater, the heater is moved along the main surface of the substrate. Therefore, since the area | region facing the heater in the main surface of a board | substrate moves on a predetermined locus | trajectory, the whole region of the main surface of a board | substrate can be heated with a heater. Thereby, all the chemicals existing on the main surface of the substrate can be kept at a high temperature. As a result, the treatment using the chemical solution can be satisfactorily and uniformly performed on the entire main surface of the substrate.

また、基板の主面の薬液を高温に保つことができるので、薬液による処理を促進することができ、薬液による処理時間を短縮することができる。
請求項２記載の発明は、前記薬液ノズルとは別に設けられて、前記ヒータを有するヒータヘッド（３５）をさらに含み、前記ヒータ移動手段は、前記ヒータヘッドを移動させるヒータヘッド移動手段（３６，３７）を含む、請求項１に記載の基板処理装置である。 In addition, since the chemical solution on the main surface of the substrate can be kept at a high temperature, the treatment with the chemical solution can be promoted, and the treatment time with the chemical solution can be shortened.
The invention according to claim 2 further includes a heater head (35) provided separately from the chemical nozzle and having the heater, wherein the heater moving means is a heater head moving means (36, 36) for moving the heater head. 37) The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising:

また、ヒータを有するヒータヘッドが、薬液ノズルとは別に設けられている。ヒータと薬液ノズルとが共通の保持ヘッドに含まれていると、ヒータによる加熱の対象は、薬液ノズルから基板の主面に供給された直後の薬液に限られる。これに対して、本願発明では、ヒータヘッドが薬液ノズルと別に設けられているので、ヒータヘッドおよび薬液ノズルの移動の態様を、それぞれ独自に設定することができる。この場合、基板の主面に供給されてから時間が経過し、温度降下している薬液を加熱することができるから、基板の主面の薬液を高温に良好に保つことができる。 The heater head having a heater is provided separately from the chemical liquid nozzle. When the heater and the chemical nozzle are included in the common holding head, the heating target by the heater is limited to the chemical immediately after being supplied from the chemical nozzle to the main surface of the substrate. On the other hand, in the present invention, since the heater head is provided separately from the chemical nozzle, the movement mode of the heater head and the chemical nozzle can be set independently. In this case, since the chemical solution whose temperature has been lowered after being supplied to the main surface of the substrate can be heated, the chemical solution on the main surface of the substrate can be favorably kept at a high temperature.

また、赤外線ランプの周囲がランプハウジングによって覆われている。そのため、基板の主面付近の薬液の液滴を含む雰囲気が、赤外線ランプに悪影響を及ぼすのを防止することができる。また、赤外線ランプの管壁に薬液の液滴が付着するのを防止できるので、赤外線ランプから放射される赤外線の光量を長期にわたって安定的に保つことができる。 Also, around the infrared lamp is covered by a lamp housing. Therefore, it is possible to prevent the atmosphere containing the chemical liquid droplets near the main surface of the substrate from adversely affecting the infrared lamp. Moreover, since it is possible to prevent the liquid droplets of the chemical solution from adhering to the tube wall of the infrared lamp, the amount of infrared light emitted from the infrared lamp can be stably maintained for a long time.

また、前記底板部は、前記基板の主面と対向する平坦な対向面（５２Ｂ）を有していてもよい。この場合、対向面と基板の主面との間の雰囲気を、その周囲から遮断することができ、当該雰囲気を保温させることができる。これにより、基板の主面における対向部材に対向する領域に存在する薬液の温度降下を抑制することができるので、当該領域に存在する薬液のより一層の高温化を図ることができる。
また、前記の目的を達成するための請求項２に記載の発明は、基板（Ｗ）の主面に薬液を用いた処理を施すために用いられる基板処理装置（１）であって、基板を保持する基板保持手段（３）と、前記基板保持手段に保持されている基板の主面に薬液を供給する薬液ノズル（４）を有する薬液供給手段（４，１３）と、赤外線ランプ（３８）を有し、前記基板保持手段に保持されている基板の主面に対向して配置され、赤外線ランプからの赤外線の放射により、基板の主面に供給された薬液を加熱する、基板よりも小径のヒータ（３８，５２）と、前記薬液ノズルとは別に設けられて、前記ヒータを有するヒータヘッド（３５）と、前記基板保持手段に保持されている基板の主面に沿って、前記ヒータヘッドを移動させるヒータヘッド移動手段（３６，３７）とを含み、前記ヒータヘッドは、前記赤外線ランプを収容する有底容器状のランプハウジング（４０）を備え、前記ランプハウジングは石英を用いて形成されている、基板処理装置を提供する。 The bottom plate portion may have a flat facing surface (52B) facing the main surface of the substrate. In this case, the atmosphere between the facing surface and the main surface of the substrate can be blocked from the surroundings, and the atmosphere can be kept warm. Thereby, since the temperature fall of the chemical | medical solution which exists in the area | region which opposes the opposing member in the main surface of a board | substrate can be suppressed, the much higher temperature of the chemical | medical solution which exists in the said area | region can be aimed at.
The invention according to claim 2 for achieving the above object is a substrate processing apparatus (1) used for performing a process using a chemical solution on a main surface of a substrate (W). A substrate holding means (3) for holding, a chemical solution supply means (4, 13) having a chemical solution nozzle (4) for supplying a chemical solution to the main surface of the substrate held by the substrate holding means, and an infrared lamp (38) And having a smaller diameter than that of the substrate, which is disposed opposite to the main surface of the substrate held by the substrate holding means and heats the chemical solution supplied to the main surface of the substrate by infrared radiation from the infrared lamp. The heater heads (38, 52) and the chemical nozzle are provided separately from the heater head (35) having the heater and the main surface of the substrate held by the substrate holding means. Move the heater head (36, 37), and the heater head includes a bottomed container-like lamp housing (40) for housing the infrared lamp, and the lamp housing is formed of quartz. provide.

この構成によれば、ヒータを基板の主面に対向配置しつつ、赤外線ランプから赤外線を放射させることにより、基板の主面において、ヒータに対向する領域に存在する薬液が加熱される。また、ヒータによる加熱と並行して、ヒータを基板の主面に沿って移動させる。そのため、基板の主面におけるヒータに対向する領域が、所定の軌跡上を移動するので、ヒータによって基板の主面の全域を加熱することができる。これにより、基板の主面に存在する全ての薬液を高温に保つことができる。その結果、基板の主面の全域に、薬液を用いた処理を良好かつ均一に施すことができる。
また、基板の主面の薬液を高温に保つことができるので、薬液による処理を促進することができ、薬液による処理時間を短縮することができる。
また、ヒータを有するヒータヘッドが、薬液ノズルとは別に設けられている。ヒータと薬液ノズルとが共通の保持ヘッドに含まれていると、ヒータによる加熱の対象は、薬液ノズルから基板の主面に供給された直後の薬液に限られる。これに対して、本願発明では、ヒータヘッドが薬液ノズルと別に設けられているので、ヒータヘッドおよび薬液ノズルの移動の態様を、それぞれ独自に設定することができる。この場合、基板の主面に供給されてから時間が経過し、温度降下している薬液を加熱することができるから、基板の主面の薬液を高温に良好に保つことができる。
また、赤外線ランプの周囲がランプハウジングによって覆われている。そのため、基板の主面付近の薬液の液滴を含む雰囲気が、赤外線ランプに悪影響を及ぼすのを防止することができる。また、赤外線ランプの管壁に薬液の液滴が付着するのを防止できるので、赤外線ランプから放射される赤外線の光量を長期にわたって安定的に保つことができる。
また、前記ランプハウジングは石英を用いて形成されている。ランプハウジングは赤外線ランプからの赤外線を受けて高温に熱せられるおそれがあるが、耐熱性を有するとともに、赤外線の透過にすぐれている石英を用いて形成することにより、ランプハウジングの破壊や溶融のおそれが少ない。
この場合、請求項３に記載のように、前記ヒータは、前記基板の主面と前記赤外線ランプとの間に配置され、前記赤外線ランプの照射により加熱される対向部材（５２）をさらに含んでいてもよい。
前記対向部材は、前記基板の主面と対向する平坦な対向面（５２Ｂ）を有していることが好ましい。この場合、対向面と基板の主面との間の雰囲気を、その周囲から遮断することができ、当該雰囲気を保温させることができる。これにより、基板の主面における対向部材に対向する領域に存在する薬液の温度降下を抑制することができるので、当該領域に存在する薬液のより一層の高温化を図ることができる。
請求項４記載の発明は、前記ヒータヘッドは、前記ランプハウジングの開口部（３９）を閉塞する蓋（４１）をさらに備えている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。 According to this configuration, the chemical solution existing in the region facing the heater is heated on the main surface of the substrate by emitting infrared rays from the infrared lamp while the heater is disposed facing the main surface of the substrate. In parallel with the heating by the heater, the heater is moved along the main surface of the substrate. Therefore, since the area | region facing the heater in the main surface of a board | substrate moves on a predetermined locus | trajectory, the whole region of the main surface of a board | substrate can be heated with a heater. Thereby, all the chemicals existing on the main surface of the substrate can be kept at a high temperature. As a result, the treatment using the chemical solution can be satisfactorily and uniformly performed on the entire main surface of the substrate.
In addition, since the chemical solution on the main surface of the substrate can be kept at a high temperature, the treatment with the chemical solution can be promoted, and the treatment time with the chemical solution can be shortened.
A heater head having a heater is provided separately from the chemical nozzle. When the heater and the chemical nozzle are included in the common holding head, the heating target by the heater is limited to the chemical immediately after being supplied from the chemical nozzle to the main surface of the substrate. On the other hand, in the present invention, since the heater head is provided separately from the chemical nozzle, the movement mode of the heater head and the chemical nozzle can be set independently. In this case, since the chemical solution whose temperature has been lowered after being supplied to the main surface of the substrate can be heated, the chemical solution on the main surface of the substrate can be favorably kept at a high temperature.
The periphery of the infrared lamp is covered with a lamp housing. Therefore, it is possible to prevent the atmosphere containing the chemical liquid droplets near the main surface of the substrate from adversely affecting the infrared lamp. Moreover, since it is possible to prevent the liquid droplets of the chemical solution from adhering to the tube wall of the infrared lamp, the amount of infrared light emitted from the infrared lamp can be stably maintained for a long time.
The lamp housing is made of quartz. The lamp housing may be heated to a high temperature in response to infrared rays from the infrared lamp. However, the lamp housing is made of quartz that has heat resistance and excellent infrared transmission, which may cause destruction and melting of the lamp housing. Less is.
In this case, as described in claim 3, the heater further includes a facing member (52) disposed between the main surface of the substrate and the infrared lamp and heated by irradiation of the infrared lamp. May be.
The facing member preferably has a flat facing surface (52B) facing the main surface of the substrate. In this case, the atmosphere between the facing surface and the main surface of the substrate can be blocked from the surroundings, and the atmosphere can be kept warm. Thereby, since the temperature fall of the chemical | medical solution which exists in the area | region which opposes the opposing member in the main surface of a board | substrate can be suppressed, the much higher temperature of the chemical | medical solution which exists in the said area | region can be aimed at.
Invention of claim 4, wherein the heater head, the comprises a lamp opening in the housing (39) further lid (41) for closing the substrate processing according to claim 1 Device.

この構成によれば、ランプハウジングの開口部が蓋によって閉塞されている。そのため、薬液の液滴を含む雰囲気のランプハウジング内への進入が確実に阻止される。これにより、薬液の液滴を含む雰囲気が赤外線ランプに悪影響を及ぼすのを、より確実に防止することができる。
この場合、蓋と赤外線ランプとが十分な間隔を隔てて配置されていれば、蓋が赤外線ランプによって熱せられることがない。したがって、請求項５に記載のように、当該蓋を、樹脂材料を用いて形成することもできる。 According to this configuration, the opening of the lamp housing is closed by the lid. This reliably prevents the atmosphere containing the chemical liquid droplets from entering the lamp housing. Thereby, it can prevent more reliably that the atmosphere containing the droplet of a chemical | medical solution has a bad influence on an infrared lamp.
In this case, if the lid and the infrared lamp are arranged at a sufficient interval, the lid is not heated by the infrared lamp. Therefore, as described in claim 5, the lid can be formed using a resin material .

請求項６に記載のように、前記赤外線ランプは、前記基板の主面に垂直な軸線を中心軸線とする環状をなしていてもよい。この場合、赤外線ランプが基板の主面に沿って延びるので、より大流量の薬液に対して、赤外線を照射することができる。
また、請求項７に記載のように、前記薬液はレジスト剥離液であってもよい。
この場合、基板の主面に存在する全てのレジスト剥離液を高温に保つことができるので、基板の主面の全域からレジストを良好かつ均一に除去することができる。 According to a sixth aspect of the present invention, the infrared lamp may have an annular shape having an axis perpendicular to the main surface of the substrate as a central axis. In this case, since the infrared lamp extends along the main surface of the substrate, it is possible to irradiate infrared rays onto a chemical liquid with a larger flow rate.
Further, as described in claim 7 , the chemical solution may be a resist stripping solution.
In this case, since all the resist stripping solution present on the main surface of the substrate can be kept at a high temperature, the resist can be removed favorably and uniformly from the entire area of the main surface of the substrate.

また、基板の主面のレジスト剥離液を高温に保つことができるので、硬化層を有するレジストであっても、アッシングすることなく、基板の主面から除去することができる。レジストのアッシングが不要であるから、アッシングによる基板の主面のダメージの問題を回避することができる。 In addition, since the resist stripping solution on the main surface of the substrate can be kept at a high temperature, even a resist having a hardened layer can be removed from the main surface of the substrate without ashing. Since resist ashing is unnecessary, the problem of damage to the main surface of the substrate due to ashing can be avoided .

本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 図１に示すヒータヘッドの図解的な断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view of the heater head shown in FIG. 1. 図２に示す赤外線ランプの斜視図である。It is a perspective view of the infrared lamp shown in FIG. 図１に示すヒータアームおよびヒータヘッドの斜視図である。It is a perspective view of a heater arm and a heater head shown in FIG. 図１に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the electric constitution of the substrate processing apparatus shown in FIG. 図１に示す基板処理装置におけるレジスト除去処理の第１処理例を示す工程図である。FIG. 7 is a process diagram illustrating a first processing example of a resist removal process in the substrate processing apparatus illustrated in FIG. 1. 図６に示す第１処理例の主要な工程における制御装置による制御内容を説明するためのタイムチャートである。It is a time chart for demonstrating the control content by the control apparatus in the main processes of the 1st process example shown in FIG. 第１処理例の一工程を説明するための図解的な図である。It is an illustration for explaining 1 process of the 1st processing example. 図８Ａの次の工程を示す図解的な図である。It is an illustration figure which shows the next process of FIG. 8A. 図８Ｂに示す工程におけるヒータヘッドの移動範囲を示す平面図である。It is a top view which shows the movement range of the heater head in the process shown to FIG. 8B. 第２処理例の主要な工程における制御装置による制御内容を説明するためのタイムチャートである。It is a time chart for demonstrating the control content by the control apparatus in the main processes of the 2nd processing example. 第３処理例の主要な工程における制御装置による制御内容を説明するためのタイムチャートである。It is a time chart for demonstrating the control content by the control apparatus in the main processes of the 3rd processing example.

以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の構成を模式的に示す図である。基板処理装置１は、たとえば基板の一例としてのウエハＷの表面（主面）に不純物を注入するイオン注入処理やドライエッチング処理の後に、そのウエハＷの表面から不要になったレジストを除去するための処理に用いられる枚葉式の装置である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. For example, the substrate processing apparatus 1 removes unnecessary resist from the surface of the wafer W after ion implantation processing or dry etching processing for injecting impurities into the surface (main surface) of the wafer W as an example of a substrate. It is a single wafer type device used for processing.

基板処理装置１は、隔壁（図示しない）により区画された処理室２内に、ウエハＷを保持して回転させるウエハ回転機構（基板保持手段）３と、ウエハ回転機構３に保持されているウエハＷの表面（上面）に対して、レジスト剥離液（薬液）の一例としてのＳＰＭ液を供給するための剥離液ノズル（薬液ノズル）４と、ウエハ回転機構３に保持されているウエハＷの表面に対向して配置され、ウエハＷの表面上のＳＰＭ液を加熱するヒータヘッド３５とを備えている。   The substrate processing apparatus 1 includes a wafer rotating mechanism (substrate holding means) 3 for holding and rotating a wafer W in a processing chamber 2 partitioned by a partition wall (not shown), and a wafer held by the wafer rotating mechanism 3. A surface of the wafer W held on the wafer rotation mechanism 3 and a stripping solution nozzle (chemical solution nozzle) 4 for supplying an SPM solution as an example of a resist stripping solution (chemical solution) to the surface (upper surface) of W. And a heater head 35 that heats the SPM liquid on the surface of the wafer W.

ウエハ回転機構３として、たとえば挟持式のものが採用されている。具体的には、ウエハ回転機構３は、モータ（回転手段）６と、このモータ６の駆動軸と一体化されたスピン軸７と、スピン軸７の上端にほぼ水平に取り付けられた円板状のスピンベース８と、スピンベース８の周縁部の複数箇所にほぼ等角度間隔で設けられた複数個の挟持部材９とを備えている。そして、複数個の挟持部材９は、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で挟持する。この状態で、モータ６が駆動されると、その駆動力によってスピンベース８が所定の鉛直軸線（回転軸線）Ｃまわりに回転され、そのスピンベース８とともに、ウエハＷがほぼ水平な姿勢を保った状態で鉛直な回転軸線Ｃまわりに回転される。   As the wafer rotation mechanism 3, for example, a sandwiching type is adopted. Specifically, the wafer rotating mechanism 3 includes a motor (rotating means) 6, a spin shaft 7 integrated with a drive shaft of the motor 6, and a disk-like shape attached to the upper end of the spin shaft 7 substantially horizontally. And a plurality of clamping members 9 provided at substantially equal angular intervals at a plurality of locations on the peripheral edge of the spin base 8. The plurality of clamping members 9 clamp the wafer W in a substantially horizontal posture. When the motor 6 is driven in this state, the spin base 8 is rotated around a predetermined vertical axis (rotation axis) C by the driving force, and the wafer W is maintained in a substantially horizontal posture together with the spin base 8. It is rotated around the vertical rotation axis C in the state.

なお、ウエハ回転機構３としては、挟持式のものに限らず、たとえば、ウエハＷの裏面を真空吸着することにより、ウエハＷを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で回転軸線Ｃまわりに回転することにより、その保持したウエハＷを回転させる真空吸着式のものが採用されてもよい。
剥離液ノズル４は、たとえば、連続流の状態でＳＰＭ液を吐出するストレートノズルである。剥離液ノズル４は、その吐出口を下方に向けた状態で、ほぼ水平に延びる第１液アーム１１の先端に取り付けられている。第１液アーム１１は、鉛直方向に延びる所定の揺動軸線まわりに旋回可能に設けられている。第１液アーム１１には、第１液アーム１１を所定角度範囲内で揺動させるための第１液アーム揺動機構１２が結合されている。第１液アーム１１の揺動により、剥離液ノズル４は、ウエハＷの回転軸線Ｃ上の位置（ウエハＷの回転中心に対向する位置）と、ウエハ回転機構３の側方に設定されたホームポジションとの間で移動される。 The wafer rotating mechanism 3 is not limited to the clamping type, and for example, the wafer W is held in a horizontal posture by vacuum suction on the back surface of the wafer W, and further rotated around the rotation axis C in that state. By doing so, a vacuum suction type of rotating the held wafer W may be employed.
The stripping liquid nozzle 4 is, for example, a straight nozzle that discharges the SPM liquid in a continuous flow state. The stripping liquid nozzle 4 is attached to the tip of the first liquid arm 11 extending substantially horizontally with its discharge port directed downward. The first liquid arm 11 is provided so as to be rotatable around a predetermined swing axis extending in the vertical direction. The first liquid arm 11 is coupled to a first liquid arm swinging mechanism 12 for swinging the first liquid arm 11 within a predetermined angle range. As the first liquid arm 11 swings, the stripping liquid nozzle 4 moves to a position on the rotation axis C of the wafer W (position facing the rotation center of the wafer W) and a home set on the side of the wafer rotation mechanism 3. Moved between positions.

剥離液ノズル４にＳＰＭ液を供給するための剥離液供給機構（薬液供給手段）１３は、硫酸と過酸化水素水とを混合させるための混合部１４と、混合部１４と剥離液ノズル４との間に接続された剥離液供給管１５とを備えている。混合部１４には、硫酸供給管１６および過酸化水素水供給管１７が接続されている。硫酸供給管１６には、後述する硫酸供給部（図示しない）から、所定温度（たとえば約８０℃）に温度調節された硫酸（Ｈ２ＳＯ４）が供給される。一方、過酸化水素水供給管１７には、過酸化水素水供給源（図示しない）から、温度調節されていない室温（約２５℃）程度の過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）が供給される。硫酸供給管１６の途中部には、硫酸バルブ１８および流量調節バルブ１９が介装されている。また、過酸化水素水供給管１７の途中部には、過酸化水素水バルブ２０および流量調節バルブ２１が介装されている。剥離液供給管１５の途中部には、攪拌流通管２２および剥離液バルブ２３が混合部１４側からこの順に介装されている。攪拌流通管２２は、たとえば、管部材内に、それぞれ液体流通方向を軸にほぼ１８０度のねじれを加えた長方形板状体からなる複数の撹拌フィンを、液体流通方向に沿う管中心軸まわりの回転角度を９０度ずつ交互に異ならせて配置した構成を有している。 A stripping solution supply mechanism (chemical solution supply unit) 13 for supplying the SPM solution to the stripping solution nozzle 4 includes a mixing unit 14 for mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide solution, a mixing unit 14, and the stripping solution nozzle 4. And a stripping solution supply pipe 15 connected between the two. A sulfuric acid supply pipe 16 and a hydrogen peroxide solution supply pipe 17 are connected to the mixing unit 14. The sulfuric acid supply pipe 16 is supplied with sulfuric acid (H 2 SO 4 ) whose temperature is adjusted to a predetermined temperature (for example, about 80 ° C.) from a sulfuric acid supply unit (not shown) described later. On the other hand, the hydrogen peroxide solution supply pipe 17 is supplied with hydrogen peroxide solution (H 2 O 2 ) at a room temperature (about 25 ° C.) that is not temperature-controlled from a hydrogen peroxide solution supply source (not shown). The A sulfuric acid valve 18 and a flow rate adjusting valve 19 are interposed in the middle of the sulfuric acid supply pipe 16. A hydrogen peroxide water valve 20 and a flow rate adjusting valve 21 are interposed in the middle of the hydrogen peroxide water supply pipe 17. In the middle of the stripping solution supply pipe 15, a stirring flow pipe 22 and a stripping solution valve 23 are interposed in this order from the mixing section 14 side. The stirring flow pipe 22 includes, for example, a plurality of stirring fins each formed of a rectangular plate with a twist of about 180 degrees about the liquid flow direction in the pipe member around the central axis of the pipe along the liquid flow direction. It has a configuration in which the rotation angles are alternately changed by 90 degrees.

剥離液バルブ２３が開かれた状態で、硫酸バルブ１８および過酸化水素水バルブ２０が開かれると、硫酸供給管１６からの硫酸および過酸化水素水供給管１７からの過酸化水素水が混合部１４に流入し、それらが混合部１４から剥離液供給管１５へと流出する。硫酸および過酸化水素水は、剥離液供給管１５を流通する途中、攪拌流通管２２を通過することにより十分に攪拌される。攪拌流通管２２による攪拌によって、硫酸と過酸化水素水とが十分に反応し、多量のペルオキソ一硫酸（Ｈ２ＳＯ５）を含むＳＰＭ液が生成される。そして、ＳＰＭ液は、硫酸と過酸化水素水との反応熱により、混合部１４に供給される硫酸の液温以上の高温に昇温する。その高温のＳＰＭ液が剥離液供給管１５を通して剥離液ノズル４に供給される。 When the sulfuric acid valve 18 and the hydrogen peroxide solution valve 20 are opened while the stripping solution valve 23 is opened, the sulfuric acid from the sulfuric acid supply tube 16 and the hydrogen peroxide solution from the hydrogen peroxide solution supply tube 17 are mixed. 14 and flows out from the mixing unit 14 to the stripping solution supply pipe 15. The sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution are sufficiently stirred by passing through the stirring flow pipe 22 while flowing through the stripping solution supply pipe 15. By the stirring by the stirring flow tube 22, the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution sufficiently react to generate an SPM liquid containing a large amount of peroxomonosulfuric acid (H 2 SO 5 ). The SPM liquid is heated to a temperature higher than the liquid temperature of sulfuric acid supplied to the mixing unit 14 by the reaction heat between sulfuric acid and hydrogen peroxide. The high-temperature SPM liquid is supplied to the stripping liquid nozzle 4 through the stripping liquid supply pipe 15.

この実施形態では、硫酸供給部（図示しない）の硫酸タンク（図示しない）には、硫酸が溜められており、この硫酸タンク内の硫酸は温度調節器（図示しない）により、所定温度（たとえば約８０℃）に温度調節されている。この硫酸タンク内に溜められた硫酸が硫酸供給管１６に供給される。混合部１４において、約８０℃の硫酸と、室温の過酸化水素水とが混合されることにより、約１４０℃のＳＰＭ液が生成される。剥離液ノズル４は、約１４０℃のＳＰＭ液を吐出する。   In this embodiment, sulfuric acid is stored in a sulfuric acid tank (not shown) of a sulfuric acid supply unit (not shown), and the sulfuric acid in the sulfuric acid tank is heated to a predetermined temperature (for example, about 80 ° C). The sulfuric acid stored in the sulfuric acid tank is supplied to the sulfuric acid supply pipe 16. In the mixing unit 14, sulfuric acid at about 80 ° C. and hydrogen peroxide solution at room temperature are mixed to generate an SPM liquid at about 140 ° C. The stripping solution nozzle 4 discharges about 140 ° C. SPM solution.

また、基板処理装置１は、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの表面にリンス液としてのＤＩＷ（脱イオン化された水）を供給するためのＤＩＷノズル２４と、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの表面に対して洗浄用の薬液としてのＳＣ１（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）を供給するためのＳＣ１ノズル２５とを備えている。   The substrate processing apparatus 1 is also held by the wafer rotation mechanism 3 and the DIW nozzle 24 for supplying DIW (deionized water) as a rinsing liquid to the surface of the wafer W held by the wafer rotation mechanism 3. And an SC1 nozzle 25 for supplying SC1 (ammonia-hydrogen peroxide mixture) as a cleaning chemical to the surface of the wafer W.

ＤＩＷノズル２４は、たとえば、連続流の状態でＤＩＷを吐出するストレートノズルであり、ウエハ回転機構３の上方で、その吐出口をウエハＷの回転中心付近に向けて固定的に配置されている。ＤＩＷノズル２４には、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷが供給されるＤＩＷ供給管２６が接続されている。ＤＩＷ供給管２６の途中部には、ＤＩＷノズル２４からのＤＩＷの供給／供給停止を切り換えるためのＤＩＷバルブ２７が介装されている。   The DIW nozzle 24 is, for example, a straight nozzle that discharges DIW in a continuous flow state. The DIW nozzle 24 is fixedly disposed above the wafer rotation mechanism 3 with its discharge port directed toward the vicinity of the rotation center of the wafer W. A DIW supply pipe 26 to which DIW is supplied from a DIW supply source is connected to the DIW nozzle 24. A DIW valve 27 for switching supply / stop of supply of DIW from the DIW nozzle 24 is interposed in the middle of the DIW supply pipe 26.

ＳＣ１ノズル２５は、たとえば、連続流の状態でＳＣ１を吐出するストレートノズルである。ＳＣ１ノズル２５は、その吐出口を下方に向けた状態で、ほぼ水平に延びる第２液アーム２８の先端に取り付けられている。第２液アーム２８は、鉛直方向に延びる所定の揺動軸線まわりに旋回可能に設けられている。第２液アーム２８には、第２液アーム２８を所定角度範囲内で揺動させるための第２液アーム揺動機構２９が結合されている。第２液アーム２８の揺動により、ＳＣ１ノズル２５は、ウエハＷの回転軸線Ｃ上の位置（ウエハＷの回転中心に対向する位置）と、ウエハ回転機構３の側方に設定されたホームポジションとの間で移動される。   The SC1 nozzle 25 is, for example, a straight nozzle that discharges SC1 in a continuous flow state. The SC1 nozzle 25 is attached to the tip of the second liquid arm 28 that extends substantially horizontally with its discharge port directed downward. The second liquid arm 28 is provided so as to be rotatable around a predetermined swing axis extending in the vertical direction. The second liquid arm 28 is coupled to a second liquid arm swing mechanism 29 for swinging the second liquid arm 28 within a predetermined angle range. As the second liquid arm 28 swings, the SC1 nozzle 25 moves to a position on the rotation axis C of the wafer W (a position facing the rotation center of the wafer W) and a home position set to the side of the wafer rotation mechanism 3. Moved between.

ＳＣ１ノズル２５には、ＳＣ１供給源からのＳＣ１が供給されるＳＣ１供給管３０が接続されている。ＳＣ１供給管３０の途中部には、ＳＣ１ノズル２５からのＳＣ１の供給／供給停止を切り換えるためのＳＣ１バルブ３１が介装されている。
ウエハ回転機構３の側方には、鉛直方向に延びる支持軸３３が配置されている。支持軸３３の上端部には、水平方向に延びるヒータアーム３４が結合されており、ヒータアーム３４の先端に、赤外線ランプ３８を収容保持するヒータヘッド３５が取り付けられている。また、支持軸３３には、支持軸３３を中心軸線まわりに回動させるための揺動駆動機構（ヒータヘッド移動手段）３６と、支持軸３３を中心軸線に沿って上下動させるための昇降駆動機構（ヒータヘッド移動手段）３７とが結合されている。 An SC1 supply pipe 30 to which SC1 from an SC1 supply source is supplied is connected to the SC1 nozzle 25. An SC1 valve 31 for switching supply / stop of supply of SC1 from the SC1 nozzle 25 is interposed in the middle of the SC1 supply pipe 30.
A support shaft 33 extending in the vertical direction is disposed on the side of the wafer rotation mechanism 3. A heater arm 34 extending in the horizontal direction is coupled to the upper end portion of the support shaft 33, and a heater head 35 that houses and holds the infrared lamp 38 is attached to the tip of the heater arm 34. Further, the support shaft 33 includes a swing drive mechanism (heater head moving means) 36 for rotating the support shaft 33 around the central axis, and a lift drive for moving the support shaft 33 up and down along the central axis. A mechanism (heater head moving means) 37 is coupled.

揺動駆動機構３６から支持軸３３に駆動力を入力して、支持軸３３を所定の角度範囲内で回動させることにより、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの上方で、ヒータアーム３４を、支持軸３３を支点として揺動させる。ヒータアーム３４の揺動により、ヒータヘッド３５を、ウエハＷの回転軸線Ｃ上を含む位置（ウエハＷの回転中心に対向する位置）と、ウエハ回転機構３の側方に設定されたホームポジションとの間で移動される。また、昇降駆動機構３７から支持軸３３に駆動力を入力して、支持軸３３を上下動させることにより、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの表面に近接する近接位置（後述する第１の近接位置および第２の近接位置の双方を含む。図１に二点鎖線で示す位置）と、そのウエハＷの上方に退避する退避位置（図１に実線で示す位置）との間で、ヒータヘッド３５を昇降させる。この実施形態では、近接位置は、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの表面とヒータヘッド３５の下面との間隔がたとえば３ｍｍになる位置に設定されている。   A driving force is input to the support shaft 33 from the swing drive mechanism 36 and the support shaft 33 is rotated within a predetermined angle range, whereby the heater arm 34 is located above the wafer W held by the wafer rotation mechanism 3. Is swung around the support shaft 33 as a fulcrum. By the swinging of the heater arm 34, the heater head 35 is moved to a position including the rotation axis C of the wafer W (position facing the rotation center of the wafer W), and a home position set to the side of the wafer rotation mechanism 3. Moved between. Further, by inputting a driving force from the lifting drive mechanism 37 to the support shaft 33 and moving the support shaft 33 up and down, the proximity position close to the surface of the wafer W held by the wafer rotation mechanism 3 (first described later). Between the proximity position and the second proximity position of FIG. 1. A position indicated by a two-dot chain line in FIG. 1) and a retreat position (position indicated by a solid line in FIG. 1) for retreating above the wafer W, The heater head 35 is moved up and down. In this embodiment, the proximity position is set to a position where the distance between the surface of the wafer W held by the wafer rotation mechanism 3 and the lower surface of the heater head 35 is 3 mm, for example.

図２は、ヒータヘッド３５の図解的な断面図である。
ヒータヘッド３５は、赤外線ランプ３８と、上部に開口部３９を有し、赤外線ランプ３８を収容する有底容器状のランプハウジング４０と、ランプハウジング４０の内で赤外線ランプ３８を吊り下げて支持する支持部材４２と、ランプハウジング４０の開口部３９を閉塞するための蓋４１とを備えている。この実施形態では、蓋４１がヒータアーム３４の先端に固定されている。 FIG. 2 is a schematic sectional view of the heater head 35.
The heater head 35 has an infrared lamp 38, an opening 39 in the upper part, a bottomed container-like lamp housing 40 that accommodates the infrared lamp 38, and the infrared lamp 38 is suspended and supported in the lamp housing 40. A support member 42 and a lid 41 for closing the opening 39 of the lamp housing 40 are provided. In this embodiment, the lid 41 is fixed to the tip of the heater arm 34.

図３は、赤外線ランプ３８の斜視図である。図２および図３に示すように、赤外線ランプ３８は、円環状の（円弧状の）円環部４３と、円環部４３の両端から、円環部４３の中心軸線に沿うように鉛直上方に延びる一対の直線部４４，４５とを有する１本の赤外線ランプヒータであり、主として円環部４３が発光部として機能する。この実施形態では、円環部４３の直径（外径）は、たとえば約６０ｍｍに設定されている。赤外線ランプ３８が支持部材４２に支持された状態で、円環部４３の中心軸線は、鉛直方向に延びている。換言すると、円環部４３の中心軸線は、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの表面に垂直な軸線である。また、赤外線ランプ３８はほぼ水平面内に配置される。   FIG. 3 is a perspective view of the infrared lamp 38. As shown in FIGS. 2 and 3, the infrared lamp 38 has an annular (arc-shaped) annular portion 43 and vertically extends from both ends of the annular portion 43 along the central axis of the annular portion 43. 1 is a single infrared lamp heater having a pair of straight line portions 44 and 45, and the annular portion 43 mainly functions as a light emitting portion. In this embodiment, the diameter (outer diameter) of the annular portion 43 is set to about 60 mm, for example. In a state where the infrared lamp 38 is supported by the support member 42, the central axis of the annular portion 43 extends in the vertical direction. In other words, the central axis of the annular portion 43 is an axis perpendicular to the surface of the wafer W held by the wafer rotation mechanism 3. Further, the infrared lamp 38 is disposed substantially in a horizontal plane.

赤外線ランプ３８は、フィラメントを石英配管内に配設して構成されている。赤外線ランプ３８には、電圧供給のためのアンプ５４が接続されている。赤外線ランプ３８として、ハロゲンランプやカーボンヒータに代表される短・中・長波長の赤外線ヒータを採用することができる。
図４は、ヒータアーム３４およびヒータヘッド３５の斜視図である。 The infrared lamp 38 is configured by arranging a filament in a quartz pipe. An amplifier 54 for supplying voltage is connected to the infrared lamp 38. As the infrared lamp 38, a short, medium and long wavelength infrared heater represented by a halogen lamp and a carbon heater can be adopted.
FIG. 4 is a perspective view of the heater arm 34 and the heater head 35.

図２および図４に示すように、蓋４１は円板状をなし、ヒータアーム３４に対して水平姿勢に固定されている。蓋４１は、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）などのフッ素樹脂材料を用いて形成されている。この実施形態では、蓋４１はヒータアーム３４と一体に形成されている。しかしながら、蓋４１をヒータアーム３４と別に形成するようにしてもよい。また、蓋４１の材料として、ＰＴＦＥ等の樹脂材料以外にも、セラミックスや石英などの材料を採用することもできる。   As shown in FIGS. 2 and 4, the lid 41 has a disk shape and is fixed in a horizontal posture with respect to the heater arm 34. The lid 41 is formed using a fluororesin material such as PTFE (polytetrafluoroethylene). In this embodiment, the lid 41 is formed integrally with the heater arm 34. However, the lid 41 may be formed separately from the heater arm 34. In addition to a resin material such as PTFE, a material such as ceramics or quartz can also be used as the material of the lid 41.

図２に示すように、蓋４１の下面４９には、（略円筒状の）溝部５１が形成されている。溝部５１は水平平坦面からなる上底面５０を有し、上底面５０に支持部材４２の上面４２Ａが接触固定されている。図２および図４に示すように、蓋４１には、上底面５０および下面４２Ｂを、上下方向（鉛直方向）に貫通する挿通孔５８，５９が形成されている。各挿通孔５８，５９は、赤外線ランプ３８の直線部４４，４５の各上端部が挿通するためのものである。なお、図４では、赤外線ランプ３８をヒータヘッド３５から取り除いた状態の構成を示している。   As shown in FIG. 2, a groove portion 51 (substantially cylindrical) is formed on the lower surface 49 of the lid 41. The groove 51 has an upper bottom surface 50 formed of a horizontal flat surface, and the upper surface 42A of the support member 42 is fixed to the upper bottom surface 50 in contact therewith. As shown in FIGS. 2 and 4, the lid 41 is formed with insertion holes 58 and 59 that penetrate the upper bottom surface 50 and the lower surface 42B in the vertical direction (vertical direction). The insertion holes 58 and 59 are for insertion of the upper ends of the linear portions 44 and 45 of the infrared lamp 38. FIG. 4 shows a configuration in a state where the infrared lamp 38 is removed from the heater head 35.

図２に示すように、ランプハウジング４０は有底円筒容器状をなしている。ランプハウジング４０は石英を用いて形成されている。
ランプハウジング４０は、その開口部３９を上方に向けた状態で、蓋４１の下面４９（この実施形態では、溝部５１を除く下面）に固定されている。ランプハウジング４０の開口側の周端縁からは、円環状のフランジ４０Ａが径方向外方に向けて（水平方向に）突出している。フランジ４０Ａがボルト等の固定手段（図示しない）を用いて蓋４１の下面４９に固定されることにより、ランプハウジング４０が蓋４１に支持されている。 As shown in FIG. 2, the lamp housing 40 has a bottomed cylindrical container shape. The lamp housing 40 is formed using quartz.
The lamp housing 40 is fixed to the lower surface 49 of the lid 41 (the lower surface excluding the groove portion 51 in this embodiment) with the opening 39 facing upward. An annular flange 40A projects radially outward (in the horizontal direction) from the peripheral edge on the opening side of the lamp housing 40. The lamp housing 40 is supported by the lid 41 by fixing the flange 40A to the lower surface 49 of the lid 41 using a fixing means (not shown) such as a bolt.

この状態で、ランプハウジング４０の底板部（対向部材）５２は、水平姿勢の円板状をなしている。底板部５２の上面５２Ａおよび下面（対向面）５２Ｂは、それぞれ水平平坦面をなしている。ランプハウジング４０内において、赤外線ランプ３８は、その円環部４３の下部が底板部５２の上面５２Ａに近接して対向配置されている。また、円環部４３と底板部５２とは互いに平行に設けられている。また、見方を変えると、円環部４３の下方は、ランプハウジング４０の底板部５２によって覆われている。なお、この実施形態では、ランプハウジング４０の外径は、たとえば約８５ｍｍに設定されている。また、赤外線ランプ３８（円環部４３の下部）と上面５２Ａとの間の上下方向の間隔はたとえば約２ｍｍに設定されている。   In this state, the bottom plate portion (opposing member) 52 of the lamp housing 40 has a disk shape in a horizontal posture. Each of the upper surface 52A and the lower surface (opposing surface) 52B of the bottom plate portion 52 forms a horizontal flat surface. In the lamp housing 40, the infrared lamp 38 is disposed so that the lower portion of the annular portion 43 is close to the upper surface 52 </ b> A of the bottom plate portion 52. The annular portion 43 and the bottom plate portion 52 are provided in parallel to each other. In other words, the bottom of the annular portion 43 is covered with the bottom plate portion 52 of the lamp housing 40. In this embodiment, the outer diameter of the lamp housing 40 is set to about 85 mm, for example. Further, the vertical distance between the infrared lamp 38 (the lower portion of the annular portion 43) and the upper surface 52A is set to about 2 mm, for example.

支持部材４２は厚肉の板状（略円板状）をなしており、ボルト５６等によって、蓋４１にその下方から、水平姿勢で取付け固定されている。支持部材４２は、耐熱性を有する材料（たとえばセラミックスや石英）を用いて形成されている。支持部材４２は、その上面４２Ａおよび下面４２Ｂを、上下方向（鉛直方向）に貫通する挿通孔４６，４７を２つ有している。各挿通孔４６，４７は、赤外線ランプ３８の直線部４４，４５が挿通するためのものである。   The support member 42 has a thick plate shape (substantially disk shape), and is attached and fixed to the lid 41 from below with a bolt 56 and the like in a horizontal posture. The support member 42 is formed using a heat-resistant material (for example, ceramics or quartz). The support member 42 has two insertion holes 46 and 47 that penetrate the upper surface 42A and the lower surface 42B in the vertical direction (vertical direction). The insertion holes 46 and 47 are for the insertion of the straight portions 44 and 45 of the infrared lamp 38.

各直線部４４，４５の途中部には、Ｏリング４８が外嵌固定されている。直線部４４，４５を挿通孔４６，４７に挿通させた状態では、各Ｏリング４８の外周が挿通孔４６，４７の内壁に圧接し、これにより、直線部４４，４５の各挿通孔４６，４７に対する抜止めが達成され、赤外線ランプ３８が支持部材４２によって吊り下げ支持される。
アンプ５４から赤外線ランプ３８に電圧が供給されると、赤外線ランプ３８が赤外線を放射し、ランプハウジング４０を介して、ヒータヘッド３５の下方に向けて出射される。ランプハウジング４０の底板部５２を介して出射された赤外線が、ＳＰＭ液を加熱する。 An O-ring 48 is fitted and fixed to the middle part of each straight part 44, 45. In a state where the straight portions 44 and 45 are inserted through the insertion holes 46 and 47, the outer periphery of each O-ring 48 is in pressure contact with the inner walls of the insertion holes 46 and 47, whereby the insertion holes 46 and 47 of the straight portions 44 and 45 are connected. 47 is achieved, and the infrared lamp 38 is suspended and supported by the support member 42.
When a voltage is supplied from the amplifier 54 to the infrared lamp 38, the infrared lamp 38 emits infrared rays and is emitted toward the lower side of the heater head 35 via the lamp housing 40. Infrared rays emitted through the bottom plate portion 52 of the lamp housing 40 heat the SPM liquid.

また、赤外線ランプ３８の円環部４３および底板部５２の双方が互いに平行に設けられているので、円環部４３が底板部５２に沿っている。そのため、円環部４３による底板部５２への照射面積を広く保っている。また、赤外線ランプ３８の円環部４３が水平姿勢であるので、同じく水平姿勢にあるウエハＷの表面への照射面積を広く保つことができ、これにより、ＳＰＭ液に対し赤外線を効率良く照射することができる。   Further, since both the annular portion 43 and the bottom plate portion 52 of the infrared lamp 38 are provided in parallel to each other, the annular portion 43 is along the bottom plate portion 52. Therefore, the irradiation area to the bottom plate part 52 by the annular part 43 is kept wide. Further, since the annular portion 43 of the infrared lamp 38 is in a horizontal posture, the irradiation area onto the surface of the wafer W that is also in the horizontal posture can be kept wide, and thereby infrared rays are efficiently irradiated to the SPM liquid. be able to.

赤外線ランプ３８の周囲がランプハウジング４０によって覆われており、また、ランプハウジング４０のフランジ４０Ａと蓋４１の下面４９とは、ランプハウジング４０の全周にわたって密着している。さらに、ランプハウジング４０の開口部３９が蓋４１によって閉塞されている。これらにより、後述するレジスト除去処理の際、ウエハＷの表面付近のＳＰＭ液の液滴を含む雰囲気が、ランプハウジング４０内に進入して、赤外線ランプ３８に悪影響を及ぼすのを防止することができる。また、赤外線ランプ３８の石英管の管壁にＳＰＭ液の液滴が付着するのを防止することができるので、赤外線ランプ３８から放射される赤外線の光量を長期にわたって安定的に保つことができる。   The periphery of the infrared lamp 38 is covered with the lamp housing 40, and the flange 40 </ b> A of the lamp housing 40 and the lower surface 49 of the lid 41 are in close contact with the entire circumference of the lamp housing 40. Further, the opening 39 of the lamp housing 40 is closed by a lid 41. Accordingly, it is possible to prevent an atmosphere including droplets of the SPM liquid near the surface of the wafer W from entering the lamp housing 40 and adversely affecting the infrared lamp 38 during the resist removal process described later. . Further, since it is possible to prevent the droplets of the SPM liquid from adhering to the wall of the quartz tube of the infrared lamp 38, the amount of infrared light emitted from the infrared lamp 38 can be stably maintained over a long period of time.

そして、後述するレジスト除去処理の際には、赤外線ランプ３８の円環部４３およびランプハウジング４０の底板部５２が、ウエハ回転機構３に保持されているウエハＷの表面に対向して配置される。換言すると、ウエハＷに対するレジスト除去処理時には、底板部５２は、ウエハ回転機構３に保持されているウエハＷの表面と、赤外線ランプ３８との間に配置される。   In the resist removal process described later, the annular portion 43 of the infrared lamp 38 and the bottom plate portion 52 of the lamp housing 40 are arranged to face the surface of the wafer W held by the wafer rotating mechanism 3. . In other words, at the time of resist removal processing for the wafer W, the bottom plate portion 52 is disposed between the surface of the wafer W held by the wafer rotation mechanism 3 and the infrared lamp 38.

また、蓋４１内には、ランプハウジング４０の内部にエアを供給するための給気経路６０と、ランプハウジング４０の内部の雰囲気を排気するための排気経路６１とが形成されている。給気経路６０および排気経路６１は、蓋４１の下面に開口する給気ポート６２および排気ポート６３を有している。給気経路６０には、給気配管６４の一端が接続されている。給気配管６４の他端は、エアの給気源に接続されている。排気経路６１には、排気配管６５の一端が接続されている。排気配管６５の他端は、排気源に接続されている。   Further, an air supply path 60 for supplying air to the inside of the lamp housing 40 and an exhaust path 61 for exhausting the atmosphere inside the lamp housing 40 are formed in the lid 41. The air supply path 60 and the exhaust path 61 have an air supply port 62 and an exhaust port 63 that open on the lower surface of the lid 41. One end of an air supply pipe 64 is connected to the air supply path 60. The other end of the air supply pipe 64 is connected to an air supply source. One end of an exhaust pipe 65 is connected to the exhaust path 61. The other end of the exhaust pipe 65 is connected to an exhaust source.

給気配管６４および給気経路６０を通して、給気ポート６２からランプハウジング４０内にエアを供給しつつ、ランプハウジング４０内の雰囲気を、排気ポート６３および排気経路６１を通して排気配管６５へ排気することにより、ランプハウジング４０内の高温雰囲気を換気することができる。これにより、ランプハウジング４０の内部を冷却し、その結果赤外線ランプ３８やランプハウジング４０、とくに支持部材４２を冷却することができる。   While supplying air into the lamp housing 40 from the air supply port 62 through the air supply pipe 64 and the air supply path 60, the atmosphere in the lamp housing 40 is exhausted to the exhaust pipe 65 through the exhaust port 63 and the exhaust path 61. Thus, the high temperature atmosphere in the lamp housing 40 can be ventilated. Thereby, the inside of the lamp housing 40 is cooled, and as a result, the infrared lamp 38 and the lamp housing 40, particularly the support member 42 can be cooled.

なお、図４に示すように、給気配管６４および排気配管６５（図４では図示していない。図２参照）は、ヒータアーム３４の一方の側面に配設された板状の給気配管ホルダ６６、およびヒータアーム３４の他方の側面に配設された板状の排気配管ホルダ６７に、それぞれ支持されている。
図５は、基板処理装置１の電気的構成を示すブロック図である。基板処理装置１は、さらに、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置５５を備えている。制御装置５５には、モータ６、アンプ５４、揺動駆動機構３６、昇降駆動機構３７、第１液アーム揺動機構１２、第２液アーム揺動機構２９、硫酸バルブ１８、過酸化水素水バルブ２０、剥離液バルブ２３、ＤＩＷバルブ２７、ＳＣ１バルブ３１、流量調節バルブ１９，２１等が制御対象として接続されている。 As shown in FIG. 4, the air supply pipe 64 and the exhaust pipe 65 (not shown in FIG. 4, see FIG. 2) are plate-like air supply pipes arranged on one side surface of the heater arm 34. The holder 66 and the plate-like exhaust pipe holder 67 disposed on the other side surface of the heater arm 34 are respectively supported.
FIG. 5 is a block diagram showing an electrical configuration of the substrate processing apparatus 1. The substrate processing apparatus 1 further includes a control device 55 configured to include a microcomputer. The control device 55 includes a motor 6, an amplifier 54, a swing drive mechanism 36, a lift drive mechanism 37, a first liquid arm swing mechanism 12, a second liquid arm swing mechanism 29, a sulfuric acid valve 18, and a hydrogen peroxide water valve. 20, stripping solution valve 23, DIW valve 27, SC1 valve 31, flow rate adjusting valves 19, 21 and the like are connected as control targets.

図６は、基板処理装置１におけるレジスト除去処理の第１処理例を示す工程図である。
図７は、次に述べるＳＰＭ液膜形成工程およびＳＰＭ液膜加熱工程における制御装置５５による制御内容を説明するためのタイムチャートである。図８Ａ〜図８Ｃは、ＳＰＭ液膜形成工程およびＳＰＭ液膜加熱工程を説明するための図解的な断面図である。図９は、図８Ａ〜図８Ｃに示す各工程におけるヒータヘッド３５の移動範囲を示す平面図である。 FIG. 6 is a process diagram showing a first processing example of the resist removal processing in the substrate processing apparatus 1.
FIG. 7 is a time chart for explaining the contents of control by the control device 55 in the SPM liquid film forming step and the SPM liquid film heating step described below. 8A to 8C are schematic sectional views for explaining the SPM liquid film forming step and the SPM liquid film heating step. FIG. 9 is a plan view showing the movement range of the heater head 35 in each step shown in FIGS. 8A to 8C.

以下、図１〜図９を参照しつつ、レジスト除去処理の第１処理例について説明する。
レジスト除去処理に際しては、搬送ロボット（図示しない）が制御されて、処理室２（図１参照）内にイオン注入処理後のウエハＷが搬入される（ステップＳ１：ウエハ搬入）。ウエハＷは、レジストをアッシングするための処理を受けていないものとする。ウエハＷは、その表面を上方に向けた状態でウエハ回転機構３に受け渡される。このとき、ウエハＷの搬入の妨げにならないように、ヒータヘッド３５、剥離液ノズル４およびＳＣ１ノズル２５は、それぞれホームポジションに配置されている。 Hereinafter, a first processing example of the resist removal processing will be described with reference to FIGS.
During the resist removal process, a transfer robot (not shown) is controlled, and the wafer W after the ion implantation process is loaded into the processing chamber 2 (see FIG. 1) (step S1: wafer loading). It is assumed that the wafer W has not undergone a process for ashing the resist. The wafer W is delivered to the wafer rotating mechanism 3 with its surface facing upward. At this time, the heater head 35, the stripping solution nozzle 4 and the SC1 nozzle 25 are each arranged at the home position so as not to hinder the loading of the wafer W.

ウエハ回転機構３にウエハＷが保持されると、制御装置５５はモータ６を制御して、ウエハＷを回転開始させる。ウエハＷの回転速度は第１回転速度（３０〜３００ｒｐｍの範囲で、たとえば６０ｒｐｍ）まで上げられ、その後、その第１回転速度に維持される（ステップＳ２）。第１回転速度は、ウエハＷをＳＰＭ液でカバレッジできる速度である。また、制御装置５５は、第１液アーム揺動機構１２を制御して、剥離液ノズル４をウエハＷの上方位置に移動する。   When the wafer W is held on the wafer rotation mechanism 3, the control device 55 controls the motor 6 to start rotating the wafer W. The rotation speed of the wafer W is increased to the first rotation speed (in the range of 30 to 300 rpm, for example, 60 rpm), and then maintained at the first rotation speed (step S2). The first rotation speed is a speed at which the wafer W can be covered with the SPM liquid. Further, the control device 55 controls the first liquid arm swing mechanism 12 to move the stripping liquid nozzle 4 to a position above the wafer W.

ウエハＷの回転速度が第１回転速度に達した後、図８Ａに示すように、制御装置５５は、硫酸バルブ１８、過酸化水素水バルブ２０および剥離液バルブ２３を開いて、剥離液ノズル４からＳＰＭ液をウエハＷの表面に供給する。
ウエハＷの回転速度が第１回転速度であるので、ウエハＷの表面に供給されるＳＰＭ液は、ウエハＷの表面上に溜められていき、ウエハＷの表面上に、その表面の全域を覆うＳＰＭ液の液膜（薬液の液膜）７０が形成される（ステップＳ３：ＳＰＭ液膜形成工程）。 After the rotation speed of the wafer W reaches the first rotation speed, as shown in FIG. 8A, the control device 55 opens the sulfuric acid valve 18, the hydrogen peroxide solution valve 20, and the stripping solution valve 23, and the stripping solution nozzle 4. To supply the SPM liquid to the surface of the wafer W.
Since the rotation speed of the wafer W is the first rotation speed, the SPM liquid supplied to the surface of the wafer W is stored on the surface of the wafer W and covers the entire surface of the wafer W. An SPM liquid film (chemical liquid film) 70 is formed (step S3: SPM liquid film forming step).

図８Ａに示すように、ＳＰＭ液膜形成工程の開始時には、制御装置５５は、第１液アーム揺動機構１２を制御して、剥離液ノズル４をウエハＷの回転中心上に配置させ、剥離液ノズル４からＳＰＭ液を吐出する。これにより、ウエハＷの表面にＳＰＭ液の液膜７０を形成するとともに、ＳＰＭ液をウエハＷの表面の全域に行き渡らせることができる。これにより、ＳＰＭ液の液膜７０でウエハＷの表面の全域を覆うことができる。   As shown in FIG. 8A, at the start of the SPM liquid film forming process, the control device 55 controls the first liquid arm swinging mechanism 12 so that the stripping liquid nozzle 4 is placed on the rotation center of the wafer W, and the stripping is performed. SPM liquid is discharged from the liquid nozzle 4. Thereby, the liquid film 70 of the SPM liquid can be formed on the surface of the wafer W, and the SPM liquid can be spread over the entire surface of the wafer W. Thereby, the entire surface of the wafer W can be covered with the liquid film 70 of the SPM liquid.

さらに、ステップＳ３のＳＰＭ液膜形成工程に並行して、制御装置５５は、アンプ５４を制御して、赤外線ランプ３８から赤外線を放射させるとともに、揺動駆動機構３６および昇降駆動機構３７を制御して、ヒータヘッド３５を保持したヒータアーム３４をウエハＷ上方で揺動および昇降させる。具体的には、ヒータヘッド３５を、ウエハＷの表面の回転軸線Ｃ上を含む第２の退避位置に移動させ、その後、その第２の退避位置から、ウエハＷの回転中心と対向する第２の近接位置（図９に二点鎖線で示す位置）に下降させる。そして、制御装置５５は、ヒータヘッド３５を第２の近接位置に配置した後、ヒータヘッド３５を、ウエハＷの周縁部に対向する第１の近接位置（図９に実線で示す位置）に向けて水平移動（ウエハＷの表面に沿って）移動させる。   Further, in parallel with the SPM liquid film forming process of step S3, the control device 55 controls the amplifier 54 to emit infrared rays from the infrared lamp 38, and controls the swing drive mechanism 36 and the elevation drive mechanism 37. Thus, the heater arm 34 holding the heater head 35 is swung and moved up and down above the wafer W. Specifically, the heater head 35 is moved to a second retreat position including the rotation axis C on the surface of the wafer W, and then the second retreat position facing the rotation center of the wafer W from the second retraction position. To a close position (position indicated by a two-dot chain line in FIG. 9). Then, the controller 55 arranges the heater head 35 at the second proximity position, and then directs the heater head 35 toward the first proximity position (position indicated by a solid line in FIG. 9) facing the peripheral edge of the wafer W. And move horizontally (along the surface of the wafer W).

ウエハＷの表面の全域を覆うＳＰＭ液の液膜７０が形成されるまでに要する時間は、剥離液ノズル４から吐出されるＳＰＭ液の流量によって異なるが、２〜１５秒間の範囲で、たとえば５秒間である。
この５秒間が、ＳＰＭ液の供給開始から経過すると、制御装置５５は、モータ６を制御して、ウエハＷの回転速度を第１回転速度よりも小さい所定の第２回転速度に下げる。これにより、ステップＳ４のＳＰＭ液膜加熱工程が実行される。 The time required for forming the SPM liquid film 70 covering the entire surface of the wafer W varies depending on the flow rate of the SPM liquid discharged from the stripping liquid nozzle 4, but in the range of 2 to 15 seconds, for example, 5 Seconds.
When the five seconds have elapsed from the start of the supply of the SPM liquid, the control device 55 controls the motor 6 to lower the rotation speed of the wafer W to a predetermined second rotation speed smaller than the first rotation speed. Thereby, the SPM liquid film heating process of step S4 is performed.

第２回転速度は、ウエハＷへのＳＰＭ液の供給がなくても、ウエハＷの表面上にＳＰＭ液の液膜７０を保持可能な速度（１〜２０ｒｐｍの範囲で、たとえば１５ｒｐｍ）である。また、モータ６によるウエハＷの減速と同期して、図８Ｂに示すように、制御装置５５は、剥離液バルブ２３を閉じて、剥離液ノズル４からのＳＰＭ液の供給を停止するとともに、第１液アーム揺動機構１２を制御して、剥離液ノズル４をホームポジションに戻す。ウエハＷへのＳＰＭ液の供給が停止されるが、ウエハＷの回転速度が第２回転速度に下げられることにより、ウエハＷの表面上にＳＰＭ液の液膜７０が継続して保持される。   The second rotation speed is a speed at which the SPM liquid film 70 can be held on the surface of the wafer W without supplying the SPM liquid to the wafer W (in the range of 1 to 20 rpm, for example, 15 rpm). Further, in synchronization with the deceleration of the wafer W by the motor 6, as shown in FIG. 8B, the control device 55 closes the stripping liquid valve 23 to stop the supply of the SPM liquid from the stripping liquid nozzle 4, and The one-liquid arm swinging mechanism 12 is controlled to return the stripping liquid nozzle 4 to the home position. Although the supply of the SPM liquid to the wafer W is stopped, the liquid film 70 of the SPM liquid is continuously held on the surface of the wafer W by reducing the rotation speed of the wafer W to the second rotation speed.

図８Ｂに示すように、ウエハＷの回転速度が下げられた後も、ヒータヘッド３５のヒータ３８，５２によるウエハＷの表面上のＳＰＭ液への加熱、ならびにヒータヘッド３５の移動（スキャン）は継続される（ステップＳ４：ＳＰＭ液膜加熱工程）。制御装置５５は、アンプ５４を制御して、赤外線ランプ３８から赤外線を放射させるとともに、揺動駆動機構３６および昇降駆動機構３７を制御して、図８Ｂおよび図９に示すように、ヒータヘッド３５を、第１の近接位置と、第２の近接位置との間で往復移動させる。赤外線ランプ３８による赤外線の照射により、ウエハＷの表面における底板部５２の下面５２Ｂに対向する領域に存在するＳＰＭ液が、約２５０℃程度の高温に加熱され、ＳＰＭ液が急激に温められる。そして、ウエハＷの表面における底板部５２の下面５２Ｂに対向する領域（赤外線ランプ３８に対向する領域）が、ウエハＷの回転中心を含む領域からウエハＷの周縁を含む領域に至る範囲内を円弧帯状の軌跡を描きつつ移動する。これにより、ウエハＷの表面の全域を加熱することができ、この場合、赤外線ランプ３８直下のウエハＷが温まり、ウエハＷとの境界付近のＳＰＭ液が温められる。なお、第２近接位置は、ヒータヘッド３５をその上方から見たときに、底板部５２の下面５２Ｂの一部、より好ましくは赤外線ランプ３８の円環部４３が、ウエハＷの外周よりも径方向に張り出している位置である。   As shown in FIG. 8B, even after the rotation speed of the wafer W is lowered, the heating of the heater head 35 to the SPM liquid on the surface of the wafer W by the heaters 38 and 52 and the movement (scanning) of the heater head 35 are performed. Continued (step S4: SPM liquid film heating step). The control device 55 controls the amplifier 54 to radiate infrared rays from the infrared lamp 38 and also controls the swing drive mechanism 36 and the lift drive mechanism 37, and as shown in FIGS. 8B and 9, the heater head 35 is controlled. Are reciprocated between the first proximity position and the second proximity position. By the infrared irradiation by the infrared lamp 38, the SPM liquid existing in the region facing the lower surface 52B of the bottom plate portion 52 on the surface of the wafer W is heated to a high temperature of about 250 ° C., and the SPM liquid is rapidly heated. Then, a region facing the lower surface 52B of the bottom plate portion 52 on the surface of the wafer W (a region facing the infrared lamp 38) has a circular arc within a range from the region including the rotation center of the wafer W to the region including the periphery of the wafer W Move while drawing a belt-like trajectory. As a result, the entire surface of the wafer W can be heated. In this case, the wafer W just below the infrared lamp 38 is warmed, and the SPM liquid near the boundary with the wafer W is warmed. The second proximity position is such that when the heater head 35 is viewed from above, a part of the lower surface 52B of the bottom plate portion 52, more preferably the annular portion 43 of the infrared lamp 38 has a diameter larger than the outer periphery of the wafer W. It is a position that protrudes in the direction.

また、前述のように、ヒータヘッド３５が近接位置にあるときには、底板部５２の下面５２ＢとウエハＷの表面との間が微小間隔（たとえば３ｍｍ）に保たれる。そのため、下面５２ＢとウエハＷの表面との間の雰囲気を、その周囲から遮断することができ、当該雰囲気を保温させることができる。これにより、ウエハＷの表面における底板部５２の下面５２Ｂに対向する領域に存在するＳＰＭ液の温度降下を抑制することができるので、当該領域に存在するＳＰＭ液のより一層の高温化を図ることができる。   Further, as described above, when the heater head 35 is in the close position, the space between the lower surface 52B of the bottom plate portion 52 and the surface of the wafer W is kept at a minute interval (for example, 3 mm). Therefore, the atmosphere between the lower surface 52B and the surface of the wafer W can be blocked from the surroundings, and the atmosphere can be kept warm. Thereby, since the temperature drop of the SPM liquid existing in the region facing the lower surface 52B of the bottom plate portion 52 on the surface of the wafer W can be suppressed, the temperature of the SPM liquid existing in the region can be further increased. Can do.

ステップＳ４のＳＰＭ液膜加熱工程では、ＳＰＭ液の液膜７０がウエハＷの表面との境界付近で温められる。この間に、ウエハＷの表面上のレジストとＳＰＭ液との反応が進み、ウエハＷの表面からのレジストの剥離が進行する。
その後、ウエハＷの回転速度が下げられてから予め定める液膜加熱処理時間（５〜２４０秒間の範囲で、たとえば約１４秒間）が経過すると、制御装置５５は、硫酸バルブ１８および過酸化水素水バルブ２０を閉じるとともに、制御装置５５は、アンプ５４を制御して、赤外線ランプ３８からの赤外線の放射を停止させる。また、制御装置５５は、揺動駆動機構３６および昇降駆動機構３７を制御して、ヒータヘッド３５をホームポジションに戻す。そして、制御装置５５は、モータ６を制御して、ウエハＷの回転速度を所定の液処理回転速度（３００〜１５００ｒｐｍの範囲で、たとえば１０００ｒｐｍ）に上げるとともに、ＤＩＷバルブ２７を開いて、ＤＩＷノズル２４の吐出口からウエハＷの回転中心付近に向けてＤＩＷを供給する（ステップＳ５：中間リンス処理工程）。ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上をウエハＷの周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面に付着しているＳＰＭ液がＤＩＷによって洗い流される。 In the SPM liquid film heating step of step S4, the liquid film 70 of the SPM liquid is heated near the boundary with the surface of the wafer W. During this time, the reaction between the resist on the surface of the wafer W and the SPM solution proceeds, and the resist peels off from the surface of the wafer W.
Thereafter, when a predetermined liquid film heating process time (in the range of 5 to 240 seconds, for example, about 14 seconds) has elapsed after the rotation speed of the wafer W is lowered, the control device 55 performs the sulfuric acid valve 18 and the hydrogen peroxide solution. While closing the bulb 20, the controller 55 controls the amplifier 54 to stop the infrared radiation from the infrared lamp 38. The control device 55 controls the swing drive mechanism 36 and the lift drive mechanism 37 to return the heater head 35 to the home position. Then, the control device 55 controls the motor 6 to increase the rotational speed of the wafer W to a predetermined liquid processing rotational speed (in the range of 300 to 1500 rpm, for example, 1000 rpm), and opens the DIW valve 27 to open the DIW nozzle. DIW is supplied from the 24 discharge ports toward the vicinity of the rotation center of the wafer W (step S5: intermediate rinsing process). The DIW supplied to the surface of the wafer W receives centrifugal force due to the rotation of the wafer W and flows on the surface of the wafer W toward the periphery of the wafer W. Thereby, the SPM liquid adhering to the surface of the wafer W is washed away by DIW.

ＤＩＷの供給が所定の中間リンス時間にわたって続けられると、ＤＩＷバルブ２７が閉じられて、ウエハＷの表面へのＤＩＷの供給が停止される。
ウエハＷの回転速度を液処理回転速度に維持しつつ、制御装置５５は、ＳＣ１バルブ３１を開いて、ＳＣ１ノズル２５からＳＣ１をウエハＷの表面に供給する（ステップＳ６）。また、制御装置５５は、第２液アーム揺動機構２９を制御して、第２液アーム２８を所定角度範囲内で揺動させて、ＳＣ１ノズル２５を、ウエハＷの回転中心上と周縁部上との間で往復移動させる。これによって、ＳＣ１ノズル２５からのＳＣ１が導かれるウエハＷの表面上の供給位置は、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を、ウエハＷの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。これにより、ウエハＷの表面の全域に、ＳＣ１がむらなく供給され、ＳＣ１の化学的能力により、ウエハＷの表面に付着しているレジスト残渣およびパーティクルなどの異物を除去することができる。 When the DIW supply is continued for a predetermined intermediate rinse time, the DIW valve 27 is closed and the supply of DIW to the surface of the wafer W is stopped.
While maintaining the rotation speed of the wafer W at the liquid processing rotation speed, the controller 55 opens the SC1 valve 31 and supplies SC1 from the SC1 nozzle 25 to the surface of the wafer W (step S6). Further, the control device 55 controls the second liquid arm swing mechanism 29 to swing the second liquid arm 28 within a predetermined angle range, so that the SC1 nozzle 25 is placed on the rotation center and the peripheral portion of the wafer W. Move back and forth between the top and bottom. As a result, the supply position on the surface of the wafer W to which SC1 is guided from the SC1 nozzle 25 is in the range from the rotation center of the wafer W to the peripheral edge of the wafer W in an arc shape that intersects the rotation direction of the wafer W. Move back and forth while drawing a trajectory. Thereby, SC1 is supplied uniformly over the entire surface of the wafer W, and foreign substances such as resist residues and particles adhering to the surface of the wafer W can be removed by the chemical ability of SC1.

ＳＣ１の供給が所定のＳＣ１供給時間にわたって続けられると、制御装置５５は、ＳＣ１バルブ３１を閉じるとともに、第２液アーム揺動機構２９を制御して、ＳＣ１ノズル２５をホームポジションに戻す。また、ウエハＷの回転速度が液処理回転速度に維持された状態で、制御装置５５は、ＤＩＷバルブ２７を開いて、ＤＩＷノズル２４の吐出口からウエハＷの回転中心付近に向けてＤＩＷを供給する（ステップＳ７：リンス処理工程）。ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上をウエハＷの周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面に付着しているＳＣ１がＤＩＷによって洗い流される。   When the supply of SC1 is continued for a predetermined SC1 supply time, the controller 55 closes the SC1 valve 31 and controls the second liquid arm swing mechanism 29 to return the SC1 nozzle 25 to the home position. In the state where the rotation speed of the wafer W is maintained at the liquid processing rotation speed, the controller 55 opens the DIW valve 27 and supplies DIW from the discharge port of the DIW nozzle 24 toward the vicinity of the rotation center of the wafer W. (Step S7: rinsing process). The DIW supplied to the surface of the wafer W receives centrifugal force due to the rotation of the wafer W and flows on the surface of the wafer W toward the periphery of the wafer W. Thereby, SC1 adhering to the surface of the wafer W is washed away by DIW.

ＤＩＷの供給が所定のリンス時間にわたって続けられると、ＤＩＷバルブ２７が閉じられて、ウエハＷの表面へのＤＩＷの供給が停止される。
リンス処理の開始から所定時間が経過すると、制御装置５５は、ＤＩＷバルブ２７を閉じて、ウエハＷの表面へのＤＩＷの供給を停止する。その後、制御装置５５は、モータ６を駆動して、ウエハＷの回転速度を所定の高回転速度（たとえば１５００〜２５００ｒｐｍ）に上げて、ウエハＷに付着しているＤＩＷを振り切って乾燥されるスピンドライ処理が行われる（ステップＳ８）。ステップＳ８のスピンドライ処理によって、ウエハＷに付着しているＤＩＷが除去される。なお、ステップＳ５の中間リンス工程およびステップＳ７のリンス工程において、リンス液として、ＤＩＷに限らず、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、還元水（水素水）、磁気水などを採用することもできる。 When the supply of DIW is continued for a predetermined rinse time, the DIW valve 27 is closed and the supply of DIW to the surface of the wafer W is stopped.
When a predetermined time has elapsed from the start of the rinsing process, the control device 55 closes the DIW valve 27 and stops the supply of DIW to the surface of the wafer W. Thereafter, the control device 55 drives the motor 6 to increase the rotational speed of the wafer W to a predetermined high rotational speed (for example, 1500 to 2500 rpm), and spins off the DIW adhering to the wafer W to be dried. A dry process is performed (step S8). The DIW adhering to the wafer W is removed by the spin dry process in step S8. In the intermediate rinsing step in step S5 and the rinsing step in step S7, not only DIW but also carbonated water, electrolytic ion water, ozone water, reduced water (hydrogen water), magnetic water, etc. may be employed as the rinsing liquid. it can.

スピンドライ処理が予め定めるスピンドライ処理時間にわたって行われると、制御装置５５は、モータ６を駆動して、ウエハ回転機構３の回転を停止させる。これにより、１枚のウエハＷに対するレジスト除去処理が終了し、搬送ロボットによって、処理済みのウエハＷが処理室２から搬出される（ステップＳ９）。
以上のように、この実施形態によれば、ウエハＷの表面にＳＰＭ液が供給される。また、ウエハ回転機構３に保持されているウエハＷの表面に、第１流量（たとえば０．９リットル／分）のＳＰＭ液を供給するとともに、そのウエハＷを第１回転速度（たとえば６０ｒｐｍ）で回転させることにより、ウエハＷの表面に当該表面を覆うＳＰＭ液の液膜７０が形成される。その後、ウエハＷの回転速度が第２回転速度（たとえば１５ｒｐｍ）に下げられることにより、ウエハＷの表面上にＳＰＭ液の液膜７０が継続して保持される。 When the spin dry process is performed for a predetermined spin dry process time, the control device 55 drives the motor 6 to stop the rotation of the wafer rotating mechanism 3. As a result, the resist removal process for one wafer W is completed, and the processed wafer W is unloaded from the processing chamber 2 by the transfer robot (step S9).
As described above, according to this embodiment, the SPM liquid is supplied to the surface of the wafer W. In addition, a first flow rate (for example, 0.9 liter / min) of SPM liquid is supplied to the surface of the wafer W held by the wafer rotation mechanism 3, and the wafer W is fed at a first rotation speed (for example, 60 rpm). By rotating, a liquid film 70 of the SPM liquid that covers the surface of the wafer W is formed. Thereafter, the rotation speed of the wafer W is lowered to a second rotation speed (for example, 15 rpm), so that the liquid film 70 of the SPM liquid is continuously held on the surface of the wafer W.

この液膜７０の保持と並行して、ウエハＷの表面にヒータヘッド３５を近接配置しつつ、赤外線ランプ３８の放射を開始することにより、ウエハＷの表面における赤外線ランプ３８に対向する領域に存在するＳＰＭ液が、赤外線ランプ３８により加熱される。また、赤外線ランプ３８による加熱と並行して、ヒータヘッド３５をウエハＷの表面に沿って移動させる。この場合、ウエハＷの表面における赤外線３８に対向する領域が、ウエハＷの回転中心を含む領域からウエハＷの周縁を含む領域に至る範囲内を円弧帯状の軌跡を描きつつ移動する。そのため、ウエハＷの表面のほぼ全域を加熱することができる。これにより、ウエハＷの表面に形成されたＳＰＭ液の液膜７０のウエハＷとの境界部分が温められるその結果、ウエハＷの表面の全域からレジストを良好かつ均一に除去することができる。   In parallel with the holding of the liquid film 70, the heater head 35 is placed close to the surface of the wafer W, and the radiation of the infrared lamp 38 is started, so that it exists in the region facing the infrared lamp 38 on the surface of the wafer W. The SPM liquid to be heated is heated by the infrared lamp 38. In parallel with the heating by the infrared lamp 38, the heater head 35 is moved along the surface of the wafer W. In this case, the region facing the infrared ray 38 on the surface of the wafer W moves within a range from the region including the rotation center of the wafer W to the region including the periphery of the wafer W while drawing an arc-shaped trajectory. Therefore, almost the entire surface of the wafer W can be heated. As a result, the boundary portion between the liquid film 70 of the SPM liquid formed on the surface of the wafer W and the wafer W is heated. As a result, the resist can be removed well and uniformly from the entire surface of the wafer W.

また、ウエハＷの表面上のＳＰＭ液ウエハＷとの境界付近を温めることができるので、硬化層を有するレジストであっても、アッシングすることなく、ウエハＷの表面から除去することができる。レジストのアッシングが不要であるから、アッシングによるウエハＷの表面のダメージの問題を回避することができる。
また、ウエハＷの表面上のＳＰＭ液のウエハＷとの境界付近を温めることができるので、レジストの剥離を促進することができ、レジスト除去のための処理時間を短縮することができる。 Further, since the vicinity of the boundary with the SPM liquid wafer W on the surface of the wafer W can be heated, even a resist having a hardened layer can be removed from the surface of the wafer W without ashing. Since resist ashing is unnecessary, the problem of damage to the surface of the wafer W due to ashing can be avoided.
Further, since the vicinity of the boundary of the SPM liquid on the surface of the wafer W with the wafer W can be heated, the resist peeling can be promoted and the processing time for removing the resist can be shortened.

仮に、ステップＳ３のＳＰＭ液膜形成工程や、ステップＳ４のＳＰＭ液膜加熱工程を用いずに、ウエハＷ上のレジスト剥離を行う場合、２００℃以上のＳＰＭ液を、２リットル／分の流量で、６０秒間供給し続ける必要がある。このとき、１枚のウエハＷをレジスト除去処理するために必要なＳＰＭ液の消費量は０．３８リットルである。しかもこの場合には、２００℃以上のＳＰＭ液を生成するために、硫酸供給部（図示しない）から混合部１４に供給される硫酸が、高温（約１８０〜１９５℃）に保たれている必要がある。したがって、硫酸の消費量が大きくなるばかりか、その硫酸を昇温させるために要する熱量も膨大になるおそれがある。   If the resist removal on the wafer W is performed without using the SPM liquid film forming process in step S3 or the SPM liquid film heating process in step S4, an SPM liquid at 200 ° C. or higher is flown at a flow rate of 2 liters / minute. For 60 seconds. At this time, the consumption amount of the SPM liquid necessary for performing resist removal processing on one wafer W is 0.38 liter. In this case, the sulfuric acid supplied from the sulfuric acid supply unit (not shown) to the mixing unit 14 needs to be kept at a high temperature (about 180 to 195 ° C.) in order to generate an SPM liquid of 200 ° C. or higher. There is. Therefore, not only does the consumption of sulfuric acid increase, but the amount of heat required to raise the temperature of the sulfuric acid may become enormous.

これに対し、この実施形態では、ステップＳ４のＳＰＭ液膜加熱工程においてウエハＷへのＳＰＭ液の供給を停止するので、ステップＳ３のＳＰＭ液膜形成工程およびステップＳ４のＳＰＭ液膜加熱工程におけるＳＰＭ液の消費量は、０．０７５リットルと低減されている。これにより、硫酸の消費量を低減することができる。
また、硫酸の消費量を低減できるので、硫酸供給部（図示しない）から供給される硫酸の温度が低温（約８０℃）であるだけでなく、その硫酸の消費量を低減することもできるので、高温（約１８０〜１９５℃）の硫酸を大量に消費する場合と比較して、硫酸の昇温のために要する熱量を大幅に低減することができる。以上により、１枚のウエハＷの処理に要するコストを低減することができる。 In contrast, in this embodiment, since the supply of the SPM liquid to the wafer W is stopped in the SPM liquid film heating process in step S4, the SPM in the SPM liquid film formation process in step S3 and the SPM liquid film heating process in step S4. The liquid consumption is reduced to 0.075 liters. Thereby, the consumption of sulfuric acid can be reduced.
Moreover, since the consumption of sulfuric acid can be reduced, not only the temperature of the sulfuric acid supplied from the sulfuric acid supply unit (not shown) is low (about 80 ° C.), but also the consumption of sulfuric acid can be reduced. Compared with the case where a large amount of sulfuric acid at a high temperature (about 180 to 195 ° C.) is consumed, the amount of heat required for raising the temperature of sulfuric acid can be greatly reduced. As described above, the cost required for processing one wafer W can be reduced.

また、赤外線ランプ３８やランプハウジング４０を有するヒータヘッド３５が、剥離液ノズル４とは別に設けられている。たとえば、赤外線ランプ３８やランプハウジング４０と剥離液ノズル４とが共通の保持ヘッドに含まれていると、赤外線ランプ３８や底板部５２による加熱の対象は、剥離液ノズル４からウエハＷの表面に供給された直後のＳＰＭ液に限られることになる。   Further, a heater head 35 having an infrared lamp 38 and a lamp housing 40 is provided separately from the stripping solution nozzle 4. For example, if the infrared lamp 38 or the lamp housing 40 and the stripping solution nozzle 4 are included in a common holding head, the object to be heated by the infrared lamp 38 or the bottom plate 52 is transferred from the stripping solution nozzle 4 to the surface of the wafer W. It is limited to the SPM liquid immediately after being supplied.

これに対して、この実施形態では、ヒータヘッド３５が剥離液ノズル４とは別に設けられているので、ウエハＷの表面に供給されてから時間が経過し、温度降下しているＳＰＭ液を加熱することができ、当該ＳＰＭ液を再び昇温させることができる。これにより、ウエハＷの表面上のＳＰＭ液を２００℃以上の高温に良好に保つことができる。
図１０は、レジスト除去処理の第２処理例の主要な工程における制御装置５５による制御内容を説明するためのタイムチャートである。図１１は、レジスト除去処理の第３処理例の主要な工程における制御装置５５による制御内容を説明するためのタイムチャートである。 On the other hand, in this embodiment, since the heater head 35 is provided separately from the stripping solution nozzle 4, the SPM solution that has been lowered in temperature after being supplied to the surface of the wafer W is heated. And the temperature of the SPM liquid can be raised again. Thereby, the SPM liquid on the surface of the wafer W can be favorably kept at a high temperature of 200 ° C. or higher.
FIG. 10 is a time chart for explaining the contents of control by the control device 55 in the main steps of the second processing example of the resist removal processing. FIG. 11 is a time chart for explaining the contents of control by the control device 55 in the main steps of the third processing example of the resist removal processing.

処理例２では処理例１と同様、ＳＰＭ液膜形成工程（図６に示すステップＳ３）、ＳＰＭ液膜加熱工程（図６に示すステップＳ４）、中間リンス工程（図６に示すステップＳ５）、ＳＣ１供給工程（図６に示すステップＳ６）およびリンス工程（図６に示すステップＳ７）およびスピンドライ処理（図６に示すステップＳ８）の各処理が、この順に実行される。   In the process example 2, as in the process example 1, the SPM liquid film forming process (step S3 shown in FIG. 6), the SPM liquid film heating process (step S4 shown in FIG. 6), the intermediate rinse process (step S5 shown in FIG. 6), The SC1 supply process (step S6 shown in FIG. 6), the rinse process (step S7 shown in FIG. 6), and the spin dry process (step S8 shown in FIG. 6) are executed in this order.

処理例２および処理例３が処理例１と相違する点は、ステップＳ４のＳＰＭ液膜加熱工程において、ウエハＷの表面に、ＳＰＭ液を、その単位時間当たりの流量が、第１流量よりも小さくなるように供給している点である。
具体的には、処理例２では、制御装置５５は、ステップＳ４のＳＰＭ液膜加熱工程の開始時において、第１流量のＳＰＭ液をウエハ回転機構３に保持されているウエハＷに供給するとともに、その後、流量調節バルブ１９，２１を制御して、ステップＳ４のＳＰＭ液膜加熱工程の進行に伴って、ウエハＷに供給するＳＰＭ液の流量を徐々に（時間の経過に比例して）減少させ、ＳＰＭ液膜加熱工程の開始から所定時間（たとえば５秒間）が経過した後、ウエハＷに対するＳＰＭ液の供給を停止させる。 Processing example 2 and processing example 3 differ from processing example 1 in that, in the SPM liquid film heating step of step S4, the flow rate per unit time of the SPM liquid on the surface of the wafer W is higher than the first flow rate. It is the point which supplies so that it may become small.
Specifically, in the processing example 2, the control device 55 supplies the first flow rate of the SPM liquid to the wafer W held by the wafer rotating mechanism 3 at the start of the SPM liquid film heating process in step S4. Thereafter, the flow rate adjusting valves 19 and 21 are controlled, and the flow rate of the SPM liquid supplied to the wafer W is gradually decreased (in proportion to the passage of time) as the SPM liquid film heating process in step S4 proceeds. After a predetermined time (for example, 5 seconds) has elapsed from the start of the SPM liquid film heating process, the supply of the SPM liquid to the wafer W is stopped.

また、処理例３では、制御装置５５は、ステップＳ４のＳＰＭ液膜加熱工程の開始時において、第１流量のＳＰＭ液を、ウエハ回転機構３に保持されているウエハＷに間欠的に供給する。より具体的には、ＳＰＭ液の間欠供給は、たとえば２秒間のＳＰＭ液の供給と、たとえば５秒間のＳＰＭ液の供給停止とを交互に繰り返している。
処理例２および処理例３によれば、ＳＰＭ液の液膜７０に対する加熱の際に、当該液膜７０に、新たなＳＰＭ液が加えられる。これにより、ウエハＷの表面上に、ＳＰＭ液の液膜７０が安定して保持される。また、ウエハＷの表面に対するＳＰＭ液の単位時間当たりの供給流量が第１流量よりも少ないので、ＳＰＭ液の消費量の低減を図ることができる。 In Process Example 3, the control device 55 intermittently supplies the SPM liquid having the first flow rate to the wafer W held by the wafer rotating mechanism 3 at the start of the SPM liquid film heating process in Step S4. . More specifically, the intermittent supply of the SPM liquid repeats, for example, the supply of the SPM liquid for 2 seconds and the supply stop of the SPM liquid for 5 seconds, for example.
According to the processing example 2 and the processing example 3, a new SPM liquid is added to the liquid film 70 when the liquid film 70 is heated with the SPM liquid. Thereby, the liquid film 70 of the SPM liquid is stably held on the surface of the wafer W. Further, since the supply flow rate per unit time of the SPM liquid to the surface of the wafer W is smaller than the first flow rate, the consumption amount of the SPM liquid can be reduced.

なお、処理例２では、ステップＳ４のＳＰＭ液膜加熱工程の途中に、ウエハＷに対するＳＰＭ液の供給を停止させるものとしたが、ＳＰＭ液の供給流量を徐々に（時間の経過に比例して）減少させた後に、ウエハＷに対するＳＰＭ液の供給流量を、第１流量よりも少ない第２流量とし、その後第２流量で、ＳＰＭ液の供給を続行させるようにすることもできる。   In the processing example 2, the supply of the SPM liquid to the wafer W is stopped during the SPM liquid film heating process in step S4. However, the supply flow rate of the SPM liquid is gradually increased (in proportion to the passage of time). ) After the decrease, the supply flow rate of the SPM liquid to the wafer W can be set to a second flow rate lower than the first flow rate, and then the supply of the SPM liquid can be continued at the second flow rate.

また、処理例３では、ＳＰＭ液の間欠吐出の際の流量を第１流量としたが、この間欠吐出のときのＳＰＭ液の供給流量を、第１流量よりも少ない第２流量とすることもできる。
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。
たとえば、赤外線ランプ３８として、１つの円形（環状）ランプを備えるもの例に挙げたが、これに限られずに、同心円状の複数の円形ランプを備えるものとすることもできる。また、赤外線ランプ３８として、水平面に沿って互いに平行に配置された複数本の直線状ランプを備えることもできる。 Further, in the processing example 3, the flow rate at the time of intermittent discharge of the SPM liquid is the first flow rate. However, the supply flow rate of the SPM liquid at the time of intermittent discharge may be a second flow rate that is smaller than the first flow rate. it can.
As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form.
For example, the infrared lamp 38 has been described as an example including one circular (annular) lamp, but is not limited thereto, and may include a plurality of concentric circular lamps. Further, as the infrared lamp 38, a plurality of linear lamps arranged in parallel with each other along a horizontal plane can be provided.

また、ランプハウジング４０として円筒状のものを採用したが、角筒状（たとえば四角筒状）のものを採用することもできる。この場合、底板部５２の形状が矩形板状になる。
また、ランプハウジング４０の底板部５２とは別に、ウエハＷの表面に対向する対向面を有するたとえば円板状や矩形板状の対向板（対向部材）を設けるようにしてもよい。この場合には、対向板の材料として、石英を採用することができる。 Moreover, although the cylindrical thing was employ | adopted as the lamp housing 40, a rectangular tube shape (for example, square tube shape) can also be employ | adopted. In this case, the shape of the bottom plate portion 52 is a rectangular plate shape.
In addition to the bottom plate portion 52 of the lamp housing 40, for example, a disk-like or rectangular plate-like counter plate (opposing member) having a counter surface facing the surface of the wafer W may be provided. In this case, quartz can be used as the material of the counter plate.

また、ステップＳ３のＳＰＭ液膜形成工程において、ヒータヘッド３５の赤外線ランプ３８によるウエハＷの表面上のＳＰＭ液への加熱を行わないようにすることもできる。つまり、ステップＳ４のＳＰＭ液膜加熱工程において、赤外線ランプ３８によるＳＰＭ液への加熱が初めて行われるようにしてもよい。
また、剥離液ノズル４からのＳＰＭ液の供給中において、剥離液ノズル４を往復移動させてもよい。。また、剥離液ノズル４は必ずしも移動ノズルである必要はなく、剥離液ノズル４として、その吐出口をウエハＷの回転中心付近に向けて固定的に配置された固定ノズルを採用することもできる。 Further, in the SPM liquid film forming process in step S3, the SPM liquid on the surface of the wafer W may not be heated by the infrared lamp 38 of the heater head 35. That is, in the SPM liquid film heating process of step S4, the heating of the SPM liquid by the infrared lamp 38 may be performed for the first time.
Further, during the supply of the SPM liquid from the stripping liquid nozzle 4, the stripping liquid nozzle 4 may be reciprocated. . Further, the stripping liquid nozzle 4 is not necessarily a moving nozzle, and as the stripping liquid nozzle 4, a fixed nozzle in which the discharge port is fixedly arranged near the rotation center of the wafer W can be adopted.

また、剥離液ノズル４は、ストレートノズルではなく、斜めノズルを使用してもよい。
また、本発明を、燐酸などの高温のエッチング液を用いて基板の表面の窒化膜を選択的にエッチングする基板処理装置に適用することもできる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。 Further, the stripping liquid nozzle 4 may be an oblique nozzle instead of a straight nozzle.
The present invention can also be applied to a substrate processing apparatus that selectively etches a nitride film on the surface of a substrate using a high-temperature etching solution such as phosphoric acid.
In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

１ 基板処理装置
３ ウエハ回転機構（基板保持手段）
４ 剥離液ノズル（薬液ノズル）
６ モータ（回転手段）
１３ 剥離液供給機構（薬液供給手段）
３５ ヒータヘッド
３６ 揺動駆動機構（ヒータヘッド移動手段）
３７ 昇降駆動機構（ヒータヘッド移動手段）
３８ 赤外線ランプ
３９ 開口部
４０ ランプハウジング
４１ 蓋
５２ 底板部（対向部材）
５２Ｂ 下面（対向面）
７０ ＳＰＭ液の液膜（薬液の液膜）
Ｗ ウエハ（基板） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 3 Wafer rotation mechanism (substrate holding means)
4 Stripper nozzle (chemical nozzle)
6 Motor (Rotating means)
13 Stripping solution supply mechanism (chemical solution supply means)
35 Heater head 36 Oscillation drive mechanism (heater head moving means)
37 Elevating drive mechanism (heater head moving means)
38 Infrared lamp 39 Opening 40 Lamp housing 41 Lid 52 Bottom plate (opposing member)
52B Bottom (opposite surface)
70 SPM liquid film (chemical liquid film)
W Wafer (Substrate)

Claims (7)

基板の主面に薬液を用いた処理を施すために用いられる基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板の主面に薬液を供給する薬液ノズルを有する薬液供給手段と、
赤外線ランプを有し、前記基板保持手段に保持されている基板の主面に対向して配置され、赤外線ランプからの赤外線の放射により、基板の主面に供給された薬液を加熱する、基板よりも小径のヒータと、
前記薬液ノズルとは別に設けられて、前記ヒータを有するヒータヘッドと、
前記基板保持手段に保持されている基板の主面に沿って、前記ヒータヘッドを移動させるヒータヘッド移動手段とを含み、
前記ヒータヘッドは、前記赤外線ランプを収容する有底容器状のランプハウジングを備え、
前記ヒータは、前記赤外線ランプの照射により加熱される前記ランプハウジングの底板部を含む、基板処理装置。 A substrate processing apparatus used for processing a main surface of a substrate using a chemical solution,
Substrate holding means for holding the substrate;
A chemical liquid supply means having a chemical liquid nozzle for supplying a chemical liquid to the main surface of the substrate held by the substrate holding means;
From the substrate, having an infrared lamp, disposed opposite to the main surface of the substrate held by the substrate holding means, and heating the chemical solution supplied to the main surface of the substrate by infrared radiation from the infrared lamp With a small diameter heater,
A heater head provided separately from the chemical nozzle and having the heater;
Heater head moving means for moving the heater head along the main surface of the substrate held by the substrate holding means,
The heater head includes a bottomed container-like lamp housing that houses the infrared lamp,
The substrate processing apparatus, wherein the heater includes a bottom plate portion of the lamp housing that is heated by irradiation of the infrared lamp. 基板の主面に薬液を用いた処理を施すために用いられる基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板の主面に薬液を供給する薬液ノズルを有する薬液供給手段と、
赤外線ランプを有し、前記基板保持手段に保持されている基板の主面に対向して配置され、赤外線ランプからの赤外線の放射により、基板の主面に供給された薬液を加熱する、基板よりも小径のヒータと、
前記薬液ノズルとは別に設けられて、前記ヒータを有するヒータヘッドと、
前記基板保持手段に保持されている基板の主面に沿って、前記ヒータヘッドを移動させるヒータヘッド移動手段とを含み、
前記ヒータヘッドは、前記赤外線ランプを収容する有底容器状のランプハウジングを備え、
前記ランプハウジングは石英を用いて形成されている、基板処理装置。 A substrate processing apparatus used for processing a main surface of a substrate using a chemical solution,
Substrate holding means for holding the substrate;
A chemical liquid supply means having a chemical liquid nozzle for supplying a chemical liquid to the main surface of the substrate held by the substrate holding means;
From the substrate, having an infrared lamp, disposed opposite to the main surface of the substrate held by the substrate holding means, and heating the chemical solution supplied to the main surface of the substrate by infrared radiation from the infrared lamp With a small diameter heater,
A heater head provided separately from the chemical nozzle and having the heater;
Heater head moving means for moving the heater head along the main surface of the substrate held by the substrate holding means,
The heater head includes a bottomed container-like lamp housing that houses the infrared lamp,
The substrate processing apparatus, wherein the lamp housing is made of quartz. 前記ヒータは、前記基板の主面と前記赤外線ランプとの間に配置され、前記赤外線ランプの照射により加熱される対向部材をさらに含む、請求項２に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the heater further includes a facing member that is disposed between the main surface of the substrate and the infrared lamp and is heated by irradiation of the infrared lamp. 前記ヒータヘッドは、前記ランプハウジングの開口部を閉塞する蓋をさらに備えている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the heater head further includes a lid that closes an opening of the lamp housing. 前記蓋は、樹脂材料を用いて形成されている、請求項４に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the lid is formed using a resin material . 前記赤外線ランプは、前記基板の主面に垂直な軸線を中心軸線とする環状をなしている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The infrared lamp is formed into a ring having a center axis corresponding to the axis perpendicular to the main surface of the substrate, the substrate processing apparatus according to any one of claims 1-5. 前記薬液は、レジスト剥離液である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The chemical is a resist stripping solution, the substrate processing apparatus according to any one of claims 1-6.
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