JP2017175166A - Substrate processing method and substrate processing device - Google Patents

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佑介 秋月
Yusuke Akizuki
佑介 秋月
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株式会社Screenホールディングス
Screen Holdings Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing method and a substrate processing device, capable of successfully removing a resist from a surface of a substrate.SOLUTION: A substrate processing device 1 includes: a spin chuck 5; an SPM supply unit 6 which supplies an SPM to a substrate W held on the spin chuck 5; and an organic solvent supply unit 7 which supplies a liquid IPA to the substrate W held on the spin chuck 5. The substrate processing device 1 is also configured to perform a rotating step, an IPA processing step, and an SPM processing supply step. The rotating step rotates the substrate W around a rotation axis A1. The IPA processing step continuously supplies the IPA to an upper surface of the substrate W in a flow manner in parallel with the rotating step. The SPM processing supply step supplies the SPM to the upper surface of the substrate W from which the IPA was removed in parallel with the rotating step after the IPA processing step is performed.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、基板の表面からレジストを除去するために用いられる基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が含まれる。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method used for removing a resist from a surface of a substrate. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photo Mask substrates, ceramic substrates, solar cell substrates and the like are included.
従来から、基板の表面に硫酸過酸化水素水混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:SPM)を供給することにより、基板の表面からレジストを除去する手法が提案されている。高ドーズのイオン注入が行われたウエハでは、レジストが炭化変質(硬化)し、レジストの表面に硬化層が形成されていることがある。表面に硬化層を有するレジストであっても、アッシングすることなく基板の表面から除去すべく、たとえば下記の特許文献1および2に記載の手法が提案されている。   Conventionally, a method of removing a resist from the surface of a substrate by supplying a sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture (SPM) to the surface of the substrate has been proposed. In a wafer subjected to high dose ion implantation, the resist may be carbonized (cured) and a cured layer may be formed on the surface of the resist. In order to remove a resist having a hardened layer on the surface from the surface of the substrate without ashing, for example, methods described in Patent Documents 1 and 2 below have been proposed.
特許文献1には、レジストの表面の硬化層を破壊すべくIPA(イソプロピルアルコール)と窒素ガスとから生成される液滴の噴流を基板の表面に供給し、その後、基板の表面にSPMを供給する手法が記載されている。
特許文献2には、レジストの表面の硬化層を溶かすべく、IPAのベーパを基板の表面に供給し、その後、基板の表面にSPMを供給する手法が記載されている。
In Patent Document 1, a jet of droplets generated from IPA (isopropyl alcohol) and nitrogen gas is supplied to the surface of the substrate to destroy the hardened layer on the resist surface, and then SPM is supplied to the surface of the substrate. The technique to do is described.
Patent Document 2 describes a method of supplying IPA vapor to the surface of the substrate and then supplying SPM to the surface of the substrate in order to dissolve the hardened layer on the surface of the resist.
特許第4986565号公報Japanese Patent No. 4986565 特開2007−103732号公報JP 2007-103732 A
しかしながら、特許文献1に記載の手法では、有機溶剤(IPA)が微細な液滴状をなして基板に供給されるので、レジストの表面に接触する有機溶剤の分子の数は比較的少なく、そのため、有機溶剤の供給の際には、十分な量の有機溶剤の分子がレジストの表面に作用しない。また、有機溶剤と窒素ガスとを混合させるために、液滴の噴流が所期の温度から低下する。これらの結果、レジストの表面の硬化層が十分に破壊されないおそれがある。また、液滴の噴流を基板の表面に吹き付けるので、基板の表面にダメージを与えるおそれもある。   However, in the method described in Patent Document 1, since the organic solvent (IPA) is supplied to the substrate in the form of fine droplets, the number of molecules of the organic solvent in contact with the resist surface is relatively small. When supplying the organic solvent, a sufficient amount of the organic solvent molecules do not act on the resist surface. In addition, since the organic solvent and nitrogen gas are mixed, the jet of droplets drops from the desired temperature. As a result, the cured layer on the surface of the resist may not be sufficiently destroyed. Further, since the jet of droplets is sprayed on the surface of the substrate, the surface of the substrate may be damaged.
また、特許文献2に記載の手法では、基板の表面に供給されるのが有機溶剤(IPA)のベーパであるので、レジストの表面に接触する有機溶剤の分子の数は少なく、そのため、有機溶剤の供給の際には、少量の有機溶剤の分子のみしかレジストの表面に作用しない。そのため、レジストの表面の硬化層が十分に溶けないおそれがある。
すなわち、特許文献1および2のいずれの手法によっても、硬化層を十分に破壊または溶融できず、基板の表面にレジストが残存するおそれがある。
In the method described in Patent Document 2, since the organic solvent (IPA) vapor is supplied to the surface of the substrate, the number of molecules of the organic solvent in contact with the resist surface is small. Only a small amount of organic solvent molecules act on the resist surface. Therefore, the cured layer on the resist surface may not be sufficiently dissolved.
In other words, the cured layer cannot be sufficiently destroyed or melted by any of the methods of Patent Documents 1 and 2, and the resist may remain on the surface of the substrate.
そこで、本発明の目的は、基板の表面からレジストを良好に除去できる、基板処理方法および基板処理装置を提供することである。   Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus that can satisfactorily remove a resist from the surface of a substrate.
前記の目的を達成するための請求項1に記載の発明は、基板(W)の表面からレジストを除去するための基板処理方法であって、前記基板を、当該基板の表面の中央部を通る回転軸線(A1)回りに回転させる回転工程と、前記回転工程に並行して、常温よりも高くかつ沸点未満の液温を有する液体の有機溶剤を、前記基板の表面の全域に連続流状に供給する有機溶剤供給工程(S3)と、前記有機溶剤供給工程が行われた後に、前記有機溶剤が除去された後の前記基板の表面の全域に硫酸過酸化水素水混合液を供給する硫酸過酸化水素水混合液供給工程(S6)とを含む、基板処理方法である。   The invention according to claim 1 for achieving the above object is a substrate processing method for removing a resist from a surface of a substrate (W), and passes the substrate through a central portion of the surface of the substrate. In parallel with the rotation step of rotating around the rotation axis (A1) and the rotation step, a liquid organic solvent having a liquid temperature higher than room temperature and lower than the boiling point is continuously flowed over the entire surface of the substrate. An organic solvent supply step (S3) to supply, and after the organic solvent supply step is performed, a sulfuric acid hydrogen peroxide solution mixture is supplied to the entire surface of the substrate after the organic solvent is removed. A substrate processing method including a hydrogen oxide water mixed solution supplying step (S6).
なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符合を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。
この方法によれば、基板の表面に対する硫酸過酸化水素水混合液の供給に先立って、その基板の表面に、常温よりも高くかつ沸点未満の液温を有する液体の有機溶剤が供給される。このような液温に保たれている有機溶剤は、高い熱エネルギーを有している。また、有機溶剤が液体状であるので、有機溶剤の分子は、レジストの表面の硬化層と高い接触効率で接触する。十分な熱エネルギーを有する有機溶剤の分子が、高い接触効率で硬化層と接触するので、有機溶剤がレジストの表面の硬化層に浸透する。有機溶剤の浸透により、硬化層は変質し軟化する。
In this section, the alphanumeric characters in parentheses represent reference signs of corresponding components in the embodiments described later, but the scope of the claims is not limited to the embodiments by these reference numerals.
According to this method, prior to supplying the sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture to the surface of the substrate, a liquid organic solvent having a liquid temperature higher than room temperature and lower than the boiling point is supplied to the surface of the substrate. The organic solvent maintained at such a liquid temperature has high heat energy. Further, since the organic solvent is in a liquid form, the molecules of the organic solvent come into contact with the cured layer on the resist surface with high contact efficiency. Since organic solvent molecules having sufficient thermal energy come into contact with the cured layer with high contact efficiency, the organic solvent penetrates into the cured layer on the surface of the resist. The cured layer is altered and softened by the penetration of the organic solvent.
有機溶剤の供給後に、硫酸過酸化水素水混合液が基板の表面に供給される。軟化した硬化層に硫酸過酸化水素水混合液が供給されるので、硫酸過酸化水素水混合液がレジストの内部の全域に行き渡る。これにより、基板の表面からレジストを良好に除去できる、基板処理方法を提供できる。
有機溶剤は、IPA、メタノール、エタノール、HFE(ハイドロフロロエーテル)およびアセトンのうちの少なくとも1つを含む。
After the supply of the organic solvent, a sulfuric acid hydrogen peroxide solution mixture is supplied to the surface of the substrate. Since the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide is supplied to the softened hardened layer, the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide spreads throughout the resist. Thereby, the substrate processing method which can remove a resist favorably from the surface of a board | substrate can be provided.
The organic solvent contains at least one of IPA, methanol, ethanol, HFE (hydrofluoroether) and acetone.
請求項2に記載の発明は、前記有機溶剤供給工程が行われた後、前記硫酸過酸化水素水混合液供給工程の実行に先立って、前記基板の表面から液体(水または液体状の有機溶剤)を除去して前記基板を乾燥させる乾燥工程(S5)をさらに含む、請求項1に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、硫酸過酸化水素水混合液供給工程の実行に先立って、基板の表面が乾燥される。これにより、硫酸過酸化水素水混合液供給工程において、硫酸過酸化水素水混合液を、その供給直後から基板の表面のレジストに作用させることができる。
According to a second aspect of the present invention, after the organic solvent supply step is performed, a liquid (water or liquid organic solvent) is applied from the surface of the substrate prior to the execution of the sulfuric acid hydrogen peroxide solution mixture supply step. The substrate processing method according to claim 1, further comprising a drying step (S <b> 5) of removing the) and drying the substrate.
According to this method, the surface of the substrate is dried prior to the execution of the sulfuric acid / hydrogen peroxide solution mixture supplying step. Thereby, in the sulfuric acid hydrogen peroxide solution mixture supplying step, the sulfuric acid hydrogen peroxide solution mixture can be applied to the resist on the surface of the substrate immediately after the supply.
この場合、前記乾燥工程は、前記基板を回転させることにより当該基板の表面の液体を前記基板の周囲に振り切って、前記基板を乾燥させる振り切り乾燥工程(S5)を含むものであってよい。
請求項3に記載の発明は、前記有機溶剤供給工程が行われた後、前記硫酸過酸化水素水混合液供給工程の実行に先立って、前記基板の表面に水を供給して、前記基板の表面から有機溶剤を洗い流す水洗工程(S4)をさらに含む、請求項1または2に記載の基板処理方法である。
In this case, the drying step may include a swing-off drying step (S5) in which the substrate is rotated to shake off the liquid on the surface of the substrate around the substrate and dry the substrate.
According to a third aspect of the present invention, after the organic solvent supplying step is performed, water is supplied to the surface of the substrate prior to the execution of the sulfuric acid / hydrogen peroxide solution mixture supplying step. 3. The substrate processing method according to claim 1, further comprising a water washing step (S4) for washing away the organic solvent from the surface.
この方法によれば、有機溶剤供給工程後に水洗処理を行うことによって、有機溶剤供給工程において発生する有機溶剤の雰囲気を基板の表面の周辺から排除できる。これにより、レジスト除去処理後におけるパーティクルの発生を抑制または防止できる。
請求項4に記載の発明に記載のように、前記水洗工程は、前記基板に供給された水を前記基板の周縁部から前記基板の周囲に排出することにより、前記基板の周囲を包囲するカップ内に浮遊している前記有機溶剤のヒュームを、前記基板の周辺から排除するヒューム排除工程を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法であってもよい。
According to this method, it is possible to exclude the atmosphere of the organic solvent generated in the organic solvent supplying step from the periphery of the surface of the substrate by performing the water washing treatment after the organic solvent supplying step. Thereby, generation | occurrence | production of the particle after a resist removal process can be suppressed or prevented.
According to a fourth aspect of the present invention, the washing step includes a cup surrounding the periphery of the substrate by discharging water supplied to the substrate from the peripheral portion of the substrate to the periphery of the substrate. The substrate processing method according to any one of claims 1 to 3, further comprising a fume removal step of removing the fumes of the organic solvent floating inside from the periphery of the substrate.
請求項5に記載の発明は、前記有機溶剤供給工程に並行して実行され、前記基板の前記表面と反対側の裏面に温度が調節された温調流体を供給する温調流体供給工程(S3)をさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法である。   The invention according to claim 5 is executed in parallel with the organic solvent supply step, and a temperature adjustment fluid supply step (S3) of supplying a temperature adjustment fluid whose temperature is adjusted to the back surface opposite to the front surface of the substrate. The substrate processing method according to any one of claims 1 to 4, further comprising:
この方法によれば、有機溶剤供給工程に並行して、基板の裏面に温調流体が供給される。基板の裏面への温調流体の供給により、基板を加温することができ、基板を介して、基板の表面に供給された有機溶剤の液温を保持させることができる。これにより、基板の表面上での有機溶剤の温度低下を抑制することができ、その結果、レジストの硬化層を、より効果的に軟化させることができる。   According to this method, the temperature control fluid is supplied to the back surface of the substrate in parallel with the organic solvent supply step. By supplying the temperature-controlled fluid to the back surface of the substrate, the substrate can be heated, and the liquid temperature of the organic solvent supplied to the surface of the substrate can be maintained via the substrate. Thereby, the temperature fall of the organic solvent on the surface of a board | substrate can be suppressed, As a result, the hardened layer of a resist can be softened more effectively.
請求項6に記載のように、前記硫酸過酸化水素水混合液供給工程に並行して、前記基板の表面に赤外線を照射して少なくとも前記基板の表面を加熱する加熱工程をさらに含んでいてもよい。   According to a sixth aspect of the present invention, the method may further include a heating step of heating at least the surface of the substrate by irradiating the surface of the substrate with infrared rays in parallel with the step of supplying the sulfuric acid / hydrogen peroxide solution mixture. Good.
請求項7に記載の発明は、表面にレジストが形成されている基板(W)を保持する基板保持手段(5)と、前記基板保持手段に保持されている基板を、当該基板の表面の中央部を通る回転軸線(A1)回りに回転させる回転手段(13)と、前記基板保持手段に保持されている基板の表面に、常温よりも高くかつ沸点未満の液温を有する液体の有機溶剤を供給するための有機溶剤供給手段(7)と、前記基板保持手段に保持されている基板の表面に硫酸過酸化水素水混合液を供給する硫酸過酸化水素水混合液供給手段(6)と、前記回転手段および前記有機溶剤供給手段を制御する制御手段とを含み、前記制御手段は、前記回転手段によって、前記基板を、当該基板の表面の中央部を通る回転軸線回りに回転させる回転工程と、前記回転工程に並行して、前記有機溶剤供給手段によって、前記有機溶剤を、前記基板の表面の全域に連続流状に供給する有機溶剤供給工程(S3)と、前記有機溶剤供給工程が行われた後に、前記回転工程に並行して、前記硫酸過酸化水素水混合液供給手段によって、前記有機溶剤が除去された後の前記基板の表面の全域に硫酸過酸化水素水混合液を供給する硫酸過酸化水素水混合液供給工程(S6)とを実行する制御手段(3)とを含む、基板処理装置(1)である。   According to the seventh aspect of the present invention, there is provided a substrate holding means (5) for holding a substrate (W) having a resist formed on a surface thereof, and a substrate held by the substrate holding means at a center of the surface of the substrate. A rotating means (13) that rotates about a rotation axis (A1) passing through the portion, and a liquid organic solvent having a liquid temperature higher than normal temperature and lower than boiling point on the surface of the substrate held by the substrate holding means. An organic solvent supply means (7) for supplying; a sulfuric acid hydrogen peroxide solution mixture supplying means (6) for supplying a sulfate hydrogen peroxide solution mixture to the surface of the substrate held by the substrate holding means; A rotation step of rotating the substrate about a rotation axis passing through a central portion of the surface of the substrate by the rotation unit; and a control unit that controls the rotation unit and the organic solvent supply unit. , The rotation step In parallel, after the organic solvent supply step (S3) for supplying the organic solvent in a continuous flow state over the entire surface of the substrate by the organic solvent supply means and the organic solvent supply step, In parallel with the rotation process, the sulfuric acid hydrogen peroxide solution supplying the sulfuric acid hydrogen peroxide solution mixture to the entire surface of the substrate after the organic solvent is removed by the sulfuric acid hydrogen peroxide solution mixture supplying means. A substrate processing apparatus (1) including a control means (3) for executing a mixed liquid supply step (S6).
この構成によれば、請求項1に関連して説明した作用効果と同等の作用効果を奏する。
請求項8に記載の発明は、前記制御装置は、前記有機溶剤供給工程が行われた後、前記硫酸過酸化水素水混合液供給工程の実行に先立って、前記基板回転手段によって前記基板を回転させることにより当該基板の表面の液体(水または液体状の有機溶剤)を前記基板の周囲に振り切って、前記基板を乾燥させる振り切り乾燥工程(S5)をさらに実行する、請求項7に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、請求項2に関連して説明した作用効果と同等の作用効果を奏する。
According to this structure, there exists an effect equivalent to the effect demonstrated in relation to Claim 1.
According to an eighth aspect of the present invention, the controller rotates the substrate by the substrate rotating means prior to the execution of the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution after the organic solvent supplying step is performed. The substrate according to claim 7, further performing a swing-off drying step (S <b> 5) in which the liquid (water or liquid organic solvent) on the surface of the substrate is sprinkled off around the substrate to dry the substrate. It is a processing device.
According to this structure, there exists an effect equivalent to the effect demonstrated in relation to Claim 2.
請求項9に記載の発明は、前記基板保持手段に保持されている基板の表面に水を供給する水供給手段(8)をさらに含み、前記制御装置は、前記有機溶剤供給工程が行われた後、前記硫酸過酸化水素水混合液供給工程の実行に先立って、前記水供給手段を制御して前記基板の表面に水を供給して、前記基板の表面から有機溶剤を洗い流す水洗工程(S4)をさらに実行する、請求項7または8に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、請求項3に関連して説明した作用効果と同等の作用効果を奏する。
The invention according to claim 9 further includes water supply means (8) for supplying water to the surface of the substrate held by the substrate holding means, and the control device performs the organic solvent supply step. Thereafter, prior to the execution of the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution, the water washing step of controlling the water supply means to supply water to the surface of the substrate and wash away the organic solvent from the surface of the substrate (S4). 9. The substrate processing apparatus according to claim 7, further comprising:
According to this structure, there exists an effect equivalent to the effect demonstrated in relation to Claim 3.
請求項10に記載の発明は、前記制御装置は、前記水洗工程において、前記基板に供給された水を前記基板の周縁部から前記基板の周囲に排出することにより、前記基板の周囲を包囲するカップ内に浮遊している前記有機溶剤のヒュームを、前記基板の周辺から排除するヒューム排除工程をさらに実行する、請求項7〜9のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、請求項4に関連して説明した作用効果と同等の作用効果を奏する。
According to a tenth aspect of the present invention, the control device surrounds the periphery of the substrate by discharging the water supplied to the substrate from the peripheral portion of the substrate to the periphery of the substrate in the water washing step. 10. The substrate processing apparatus according to claim 7, further comprising a fume removal step of removing the fumes of the organic solvent floating in the cup from the periphery of the substrate. 11.
According to this structure, there exists an effect equivalent to the effect demonstrated in relation to Claim 4.
請求項11に記載の発明は、前記基板の前記表面と反対側の裏面に温度が調節された温調流体を供給する温調流体供給手段(43〜46)をさらに含み、前記制御装置は、前記有機溶剤供給工程に並行して実行され、前記温調流体供給手段を制御して、前記基板の前記表面と反対側の裏面に前記温調流体を供給する温調流体供給工程(S3)をさらに実行する、請求項7〜10のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、請求項5に関連して説明した作用効果と同等の作用効果を奏する。
The invention according to claim 11 further includes temperature adjusting fluid supply means (43 to 46) for supplying a temperature adjusting fluid whose temperature is adjusted to the back surface opposite to the front surface of the substrate, and the control device includes: A temperature control fluid supply step (S3) that is executed in parallel with the organic solvent supply step, controls the temperature control fluid supply means, and supplies the temperature control fluid to the back surface opposite to the front surface of the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 7, further executed.
According to this structure, there exists an effect equivalent to the effect demonstrated in relation to Claim 5.
請求項12に記載の発明は、前記制御装置が、前記硫酸過酸化水素水混合液供給工程に並行して、前記基板の表面に赤外線を照射して少なくとも前記基板の表面を加熱する加熱工程をさらに実行する、請求項7〜11のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、請求項6に関連して説明した作用効果と同等の作用効果を奏する。
The invention according to claim 12 includes a heating step in which the control device heats at least the surface of the substrate by irradiating infrared rays onto the surface of the substrate in parallel with the sulfuric acid / hydrogen peroxide solution mixture supplying step. The substrate processing apparatus according to claim 7, further executed.
According to this structure, there exists an effect equivalent to the effect demonstrated in relation to Claim 6.
本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成の模式的な平面図である。It is a typical top view of the composition of the substrate processing device concerning one embodiment of the present invention. 図1に示す基板処理装置に備えられたチャンバの内部を水平に見た模式図である。It is the schematic diagram which looked at the inside of the chamber with which the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 was equipped horizontally. 図2に示す処理ユニットによって行われるレジスト除去処理の処理例を示すフローチャートである。3 is a flowchart illustrating a processing example of a resist removal process performed by a processing unit illustrated in FIG. 2. 有機溶剤処理工程が行われているときの基板を水平に見た模式図である。It is the schematic diagram which looked at the board | substrate when the organic-solvent treatment process is performed horizontally. SPM処理工程が行われているときの基板を水平に見た模式図である。It is the schematic diagram which looked at the board | substrate when the SPM processing process is performed horizontally. 第1のレジスト除去試験の内容および試験結果を示す図である。It is a figure which shows the content and test result of a 1st resist removal test. 第2のレジスト除去試験の試験結果を示す図である。It is a figure which shows the test result of a 2nd resist removal test.
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の模式的な平面図である。図2は、基板処理装置1に備えられたチャンバ4の内部を水平に見た模式図である。
図1に示すように、基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、処理液や処理ガスによって基板Wを処理する複数の処理ユニット2と、各処理ユニット2のチャンバ4に対して基板Wの搬入および搬出を行う基板搬送ロボットCRと、基板処理装置1に備えられた装置の動作やバルブの開閉などを制御する制御装置(制御手段)3とを含む。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic view of the inside of the chamber 4 provided in the substrate processing apparatus 1 as viewed horizontally.
As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type apparatus that processes a disk-shaped substrate W such as a semiconductor wafer one by one. The substrate processing apparatus 1 includes a plurality of processing units 2 that process a substrate W with a processing liquid and a processing gas, a substrate transport robot CR that loads and unloads the substrate W from and into the chamber 4 of each processing unit 2, and substrate processing. And a control device (control means) 3 for controlling the operation of the device provided in the device 1 and the opening and closing of a valve.
図2に示すように、各処理ユニット2は、枚葉式のユニットである。各処理ユニット2は、内部空間を有する箱形のチャンバ4と、チャンバ4内で一枚の基板Wを水平な姿勢で保持して、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック(基板保持手段)5と、スピンチャック5に保持されている基板WにSPM(硫酸過酸化水素水混合液。HSO(硫酸)およびH(過酸化水素水)を含む混合液)またはHを供給するSPM供給ユニット(硫酸過酸化水素水混合液供給手段)6と、スピンチャック5に保持されている基板Wに、有機溶剤としての液体状のIPAを供給する有機溶剤供給ユニット(有機溶剤供給手段)7と、リンス液供給ユニット(水供給手段)8と、スピンチャック5を取り囲む筒状のカップ9と、基板Wを加熱する加熱装置47とを含む。 As shown in FIG. 2, each processing unit 2 is a single-wafer type unit. Each processing unit 2 holds a box-shaped chamber 4 having an internal space and a single substrate W in the chamber 4 in a horizontal posture, and the substrate W around a vertical rotation axis A1 passing through the center of the substrate W. A spin chuck (substrate holding means) 5 for rotating the substrate, and a substrate W held on the spin chuck 5 with SPM (sulfuric acid / hydrogen peroxide solution mixture: H 2 SO 4 (sulfuric acid) and H 2 O 2 (hydrogen peroxide). Liquid) containing H 2 O 2 ) or SPM supply unit (sulfuric acid / hydrogen peroxide solution mixture supplying means) 6 for supplying H 2 O 2 and a substrate W held by the spin chuck 5 in a liquid state as an organic solvent. An organic solvent supply unit (organic solvent supply means) 7 for supplying the IPA, a rinse liquid supply unit (water supply means) 8, a cylindrical cup 9 surrounding the spin chuck 5, and a heating device 4 for heating the substrate W Including the door.
図2に示すように、スピンチャック5は、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース10と、スピンベース10の上方で基板Wを水平な姿勢で保持する複数のチャックピン11と、スピンベース10の中央部から下方に延びる回転軸12と、回転軸12を回転させることにより基板Wおよびスピンベース10を回転軸線A1まわりに回転させるスピンモータ(回転手段)13とを含む。スピンチャック5は、複数のチャックピン11を基板Wの周端面に接触させる挟持式のチャックに限らず、非デバイス形成面である基板Wの裏面(下面)をスピンベース10の上面に吸着させることにより基板Wを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。   As shown in FIG. 2, the spin chuck 5 includes a disk-shaped spin base 10 held in a horizontal posture, and a plurality of chuck pins 11 that hold the substrate W in a horizontal posture above the spin base 10. A rotation shaft 12 that extends downward from the central portion of the spin base 10 and a spin motor (rotation means) 13 that rotates the rotation shaft 12 around the rotation axis A1 by rotating the rotation shaft 12 are included. The spin chuck 5 is not limited to a clamping chuck in which a plurality of chuck pins 11 are brought into contact with the peripheral end surface of the substrate W, and the back surface (lower surface) of the substrate W, which is a non-device forming surface, is adsorbed to the upper surface of the spin base 10. Thus, a vacuum chuck that holds the substrate W horizontally may be used.
また、回転軸12は、中空に形成されている。回転軸12の内部には、温調液流通配管(温調流体供給手段)43が挿通されている。温調液流通配管43には、温調液供給配管(温調流体供給手段)44が接続されている。この温調液供給配管44を通して、温調流体としての温調液の一例としての温水が温調液流通配管43に供給されるようになっている。温調液供給配管44の途中部には、温調液供給配管44を開閉するための温調液バルブ(温調流体供給手段)45が介装されている。また、温調液流通配管43は、スピンチャック5(複数個のチャックピン11)に保持された基板Wの裏面(下面)中央に近接する位置まで延びていて、その先端には、温調液流通配管43に供給される温水を吐出する吐出口46Aを有する裏面ノズル(温調流体供給手段)46が設けられている。吐出口46Aから吐出される温水は、たとえば、スピンチャック5に保持された基板Wの裏面中央に対してほぼ垂直に入射する。   The rotating shaft 12 is formed in a hollow shape. Inside the rotating shaft 12, a temperature adjusting liquid circulation pipe (temperature adjusting fluid supply means) 43 is inserted. A temperature adjustment liquid supply pipe (temperature adjustment fluid supply means) 44 is connected to the temperature adjustment liquid circulation pipe 43. Through this temperature adjustment liquid supply pipe 44, hot water as an example of a temperature adjustment liquid as a temperature adjustment fluid is supplied to the temperature adjustment liquid distribution pipe 43. A temperature adjustment liquid valve (temperature adjustment fluid supply means) 45 for opening and closing the temperature adjustment liquid supply pipe 44 is interposed in the middle of the temperature adjustment liquid supply pipe 44. Further, the temperature adjustment liquid distribution pipe 43 extends to a position close to the center of the back surface (lower surface) of the substrate W held by the spin chuck 5 (the plurality of chuck pins 11). A back nozzle (temperature control fluid supply means) 46 having a discharge port 46A for discharging hot water supplied to the circulation pipe 43 is provided. For example, the hot water discharged from the discharge port 46 </ b> A is incident substantially perpendicular to the center of the back surface of the substrate W held by the spin chuck 5.
なお、温水は、基板処理装置1と別置された温水生成キャビネットにおいて、水を加熱することにより生成され、この温水生成キャビネットから温調液供給配管44に供給されてもよいし、基板処理装置1が設置される工場に温水が流通する温水ラインが設けられている場合には、その温水ラインから温調液供給配管44に供給されてもよい。温調液供給配管44に供給される温水は、後述する有機溶剤タンク27内でのIPAの設定温度(たとえば70℃)と同じ水温に設定されている。温水に用いられる水は、たとえば、純水(脱イオン水:Deionzied Water)であるが、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度(たとえば、10〜100ppm程度)の塩酸水のいずれかであってもよい。   The hot water may be generated by heating water in a hot water generation cabinet separately provided from the substrate processing apparatus 1 and supplied from the hot water generation cabinet to the temperature adjustment liquid supply pipe 44 or the substrate processing apparatus. When a hot water line through which hot water flows is provided in the factory where 1 is installed, the hot water line may be supplied to the temperature adjustment liquid supply pipe 44. The hot water supplied to the temperature adjusting liquid supply pipe 44 is set to the same water temperature as the IPA set temperature (for example, 70 ° C.) in the organic solvent tank 27 described later. The water used for the hot water is, for example, pure water (deionized water), but is not limited to pure water, carbonated water, electrolytic ion water, hydrogen water, ozone water, and dilution concentrations (for example, 10 to 100 ppm). Degree) hydrochloric acid water.
図2に示すように、カップ9は、スピンチャック5に保持されている基板Wよりも外方(回転軸線A1から離れる方向)に配置されている。カップ9は、スピンベース10の周囲を取り囲んでいる。スピンチャック5が基板Wを回転させている状態で、処理液が基板Wに供給されると、基板Wに供給された処理液が基板Wの周囲に振り切られる。処理液が基板Wに供給されるとき、上向きに開いたカップ9の上端部9aは、スピンベース10よりも上方に配置される。したがって、基板Wの周囲に排出された薬液(SPMおよび有機溶剤を含む)やリンス液、温水などの処理液は、カップ9によって受け止められる。そして、カップ9に受け止められた処理液は、図示しない回収装置または排液装置に送られる。   As shown in FIG. 2, the cup 9 is disposed outward (in a direction away from the rotation axis A <b> 1) from the substrate W held by the spin chuck 5. The cup 9 surrounds the periphery of the spin base 10. When the processing liquid is supplied to the substrate W while the spin chuck 5 is rotating the substrate W, the processing liquid supplied to the substrate W is shaken off around the substrate W. When the processing liquid is supplied to the substrate W, the upper end portion 9 a of the cup 9 that opens upward is disposed above the spin base 10. Accordingly, the chemical liquid (including SPM and organic solvent), the rinsing liquid, the hot water, and other treatment liquids discharged around the substrate W are received by the cup 9. Then, the processing liquid received by the cup 9 is sent to a collecting device or a draining device (not shown).
図2に示すように、SPM供給ユニット6は、SPMまたはHを基板Wの上面に向けて選択的に吐出するSPMノズル14と、SPMノズル14が先端部に取り付けられた第1のノズルアーム15と、第1のノズルアーム15を移動させることにより、SPMノズル14を移動させる第1のノズル移動ユニット16とを含む。
SPMノズル14は、たとえば、連続流の状態でSPMおよびHを選択的に吐出するストレートノズルであり、たとえば基板Wの上面に垂直な方向に処理液を吐出する垂直姿勢で第1のノズルアーム15に取り付けられている。第1のノズルアーム15は水平方向に延びており、スピンチャック5の周囲で鉛直方向に延びる第1の揺動軸線(図示しない)まわりに旋回可能に設けられている。なお、SPMノズル14は、吐出口よりも内方(回転軸線A1側)の位置にSPMまたはHが着液するように基板Wの上面に対して傾いた吐出方向にSPMまたはHが吐出される内向き姿勢で第1のノズルアーム15に保持されていてもよいし、吐出口よりも外方(回転軸線A1とは反対側)の位置にSPMまたはHが着液するように基板Wの上面に対して傾いた吐出方向にSPMまたはHを吐出する外向き姿勢で第1のノズルアーム15に保持されていてもよい。
As shown in FIG. 2, the SPM supply unit 6 includes a SPM nozzle 14 that selectively discharges SPM or H 2 O 2 toward the upper surface of the substrate W, and a first SPM nozzle 14 that is attached to the tip. It includes a nozzle arm 15 and a first nozzle moving unit 16 that moves the SPM nozzle 14 by moving the first nozzle arm 15.
The SPM nozzle 14 is, for example, a straight nozzle that selectively discharges SPM and H 2 O 2 in a continuous flow state. For example, the SPM nozzle 14 has a vertical posture in which a processing liquid is discharged in a direction perpendicular to the upper surface of the substrate W. Attached to the nozzle arm 15. The first nozzle arm 15 extends in the horizontal direction and is provided to be rotatable around a first swing axis (not shown) extending in the vertical direction around the spin chuck 5. Incidentally, SPM nozzle 14, SPM in position than the discharge port inside (axis of rotation A1 side) or H 2 O 2 is SPM or H 2 in the ejection direction inclined with respect to the upper surface of the substrate W to Chakueki It may be held by the first nozzle arm 15 in an inward posture from which O 2 is discharged, or SPM or H 2 O 2 is located at a position outward (opposite to the rotation axis A1) from the discharge port. It may be held by the first nozzle arm 15 in an outward posture in which SPM or H 2 O 2 is discharged in a discharge direction inclined with respect to the upper surface of the substrate W so as to be deposited.
第1のノズル移動ユニット16は、第1の揺動軸線まわりに第1のノズルアーム15を旋回させることにより、平面視で基板Wの上面中央部を通る軌跡に沿ってSPMノズル14を水平に移動させる。第1のノズル移動ユニット16は、SPMノズル14から吐出されたSPMが基板Wの上面に着液する処理位置と、SPMノズル14が平面視でスピンチャック5の周囲に設定されたホーム位置との間で、SPMノズル14を水平に移動させる。さらに、第1のノズル移動ユニット16は、SPMノズル14から吐出されたSPMまたはHが基板Wの上面中央部に着液する中央位置と、SPMノズル14から吐出されたSPMまたはHが基板Wの上面周縁部に着液する周縁位置との間で、SPMノズル14を水平に移動させる。中央位置および周縁位置は、いずれも処理位置である。 The first nozzle moving unit 16 rotates the first nozzle arm 15 around the first swing axis, thereby causing the SPM nozzle 14 to move horizontally along a trajectory passing through the center of the upper surface of the substrate W in plan view. Move. The first nozzle moving unit 16 includes a processing position where the SPM discharged from the SPM nozzle 14 is deposited on the upper surface of the substrate W, and a home position where the SPM nozzle 14 is set around the spin chuck 5 in plan view. In the meantime, the SPM nozzle 14 is moved horizontally. Further, the first nozzle moving unit 16 includes a central position where the SPM or H 2 O 2 discharged from the SPM nozzle 14 is deposited on the center of the upper surface of the substrate W, and the SPM or H 2 discharged from the SPM nozzle 14. The SPM nozzle 14 is moved horizontally between the peripheral position where O 2 is deposited on the peripheral surface of the upper surface of the substrate W. The center position and the peripheral position are both processing positions.
SPM供給ユニット6は、SPMノズル14に接続され、硫酸供給源(図示しない)からHSOが供給される硫酸配管17と、過酸化水素水供給源(図示しない)からHが供給される過酸化水素水配管18とをさらに含む。
硫酸配管17の途中部には、硫酸配管17を開閉するための硫酸バルブ19、硫酸流量調整バルブ20および第1のヒータ21が、SPMノズル14側からこの順に介装されている。第1のヒータ21は、HSOを室温よりも高い温度(70〜120℃の範囲内の一定温度。たとえば100℃)に維持する。HSOを加熱する第1のヒータ21は、図2に示すようなワンパス方式のヒータであってもよいし、ヒータを含む循環経路の内部にHSOを循環させることによりHSOを加熱する循環方式のヒータであってもよい。図示はしないが、硫酸流量調整バルブ20は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他の流量調整バルブについても同様である。
The SPM supply unit 6 is connected to the SPM nozzle 14, and a sulfuric acid pipe 17 to which H 2 SO 4 is supplied from a sulfuric acid supply source (not shown), and H 2 O 2 from a hydrogen peroxide solution supply source (not shown). And a hydrogen peroxide water pipe 18 to be supplied.
In the middle of the sulfuric acid pipe 17, a sulfuric acid valve 19, a sulfuric acid flow rate adjusting valve 20, and a first heater 21 for opening and closing the sulfuric acid pipe 17 are interposed in this order from the SPM nozzle 14 side. The first heater 21 maintains H 2 SO 4 at a temperature higher than room temperature (a constant temperature within a range of 70 to 120 ° C., for example, 100 ° C.). First heater 21 for heating the H 2 SO 4 may be a heater of one-pass system as shown in FIG. 2, H 2 by circulating the H 2 SO 4 in the interior of the circulation path including the heater A circulation type heater for heating SO 4 may be used. Although not shown, the sulfuric acid flow rate adjusting valve 20 includes a valve body in which a valve seat is provided, a valve body that opens and closes the valve seat, and an actuator that moves the valve body between an open position and a closed position. Including. The same applies to other flow rate adjusting valves.
過酸化水素水配管18の途中部には、過酸化水素水配管18を開閉するための過酸化水素水バルブ22と、過酸化水素水流量調整バルブ23とが、SPMノズル14側からこの順に介装されている。SPMノズル14には、温度調整されていない常温(約23℃)程度のHが、過酸化水素水配管18を通して供給される。過酸化水素水バルブ22は、制御装置3による制御により開閉される。 In the middle of the hydrogen peroxide water pipe 18, a hydrogen peroxide water valve 22 for opening and closing the hydrogen peroxide water pipe 18 and a hydrogen peroxide water flow rate adjusting valve 23 are arranged in this order from the SPM nozzle 14 side. It is disguised. The SPM nozzle 14 is supplied with H 2 O 2 at a normal temperature (about 23 ° C.) that is not temperature-controlled through the hydrogen peroxide pipe 18. The hydrogen peroxide water valve 22 is opened and closed under the control of the control device 3.
SPMノズル14は、たとえば略円筒状のケーシングを有している。このケーシングの内部には、混合室(図示しない)が区画形成されている。硫酸配管17は、SPMノズル14のケーシングの側壁に配置された硫酸導入口(図示しない)に接続されている。過酸化水素水配管18は、SPMノズル14のケーシングの側壁において硫酸導入口よりも上方に配置された過酸化水素水導入口(図示しない)に接続されている。   The SPM nozzle 14 has, for example, a substantially cylindrical casing. A mixing chamber (not shown) is defined in the casing. The sulfuric acid pipe 17 is connected to a sulfuric acid inlet (not shown) arranged on the side wall of the casing of the SPM nozzle 14. The hydrogen peroxide solution pipe 18 is connected to a hydrogen peroxide solution inlet (not shown) disposed above the sulfuric acid inlet on the side wall of the casing of the SPM nozzle 14.
硫酸バルブ19(図2参照)および過酸化水素水バルブ22(図2参照)が開かれると、硫酸配管17からのHSOが、SPMノズル14において硫酸導入口から混合室へと供給されるとともに、過酸化水素水配管18からのHが、SPMノズル14において過酸化水素水導入口から混合室へと供給される。SPMノズル14の混合室に流入したHSOおよびHは、その内部において十分に混合(攪拌)される。この混合によって、HSOとHとが均一に混ざり合い、HSOとHとの反応によってHSOおよびHの混合液(SPM)が生成される。SPMは、酸化力が強いペルオキソ一硫酸(Peroxymonosulfuric acid;H2SO5)を含み、混合前のHSOおよびHの温度よりも高い温度(100℃以上。たとえば、160℃)まで加熱される。SPMノズル14の混合室において生成された高温のSPMは、ケーシングの先端(下端)に開口した吐出口から吐出される。 When the sulfuric acid valve 19 (see FIG. 2) and the hydrogen peroxide valve 22 (see FIG. 2) are opened, H 2 SO 4 from the sulfuric acid pipe 17 is supplied from the sulfuric acid inlet to the mixing chamber in the SPM nozzle 14. At the same time, H 2 O 2 from the hydrogen peroxide solution pipe 18 is supplied from the hydrogen peroxide solution inlet to the mixing chamber in the SPM nozzle 14. H 2 SO 4 and H 2 O 2 that have flowed into the mixing chamber of the SPM nozzle 14 are sufficiently mixed (stirred) inside. This mixture, H 2 SO 4 and H 2 O 2 and is mingled evenly, a mixed solution of H 2 SO 4 and H 2 O 2 by reaction of H 2 SO 4 and H 2 O 2 (SPM) is generated Is done. SPM contains peroxymonosulfuric acid (H2SO5) having a strong oxidizing power, and is heated to a temperature (100 ° C. or higher, for example, 160 ° C.) higher than the temperature of H 2 SO 4 and H 2 O 2 before mixing. The The high-temperature SPM generated in the mixing chamber of the SPM nozzle 14 is discharged from a discharge port opened at the tip (lower end) of the casing.
図2に示すように、有機溶剤供給ユニット7は、スピンチャック5に保持されている基板Wに向けて有機溶剤の一例としてのIPA(液体)を吐出する有機溶剤ノズル24と、有機溶剤ノズル24が先端部に取り付けられた第2のノズルアーム25と、第2のノズルアーム25を移動させることにより、有機溶剤ノズル24を移動させる第2のノズル移動ユニット26とを含む。   As shown in FIG. 2, the organic solvent supply unit 7 includes an organic solvent nozzle 24 that discharges an IPA (liquid) as an example of an organic solvent toward the substrate W held by the spin chuck 5, and the organic solvent nozzle 24. Includes a second nozzle arm 25 attached to the tip, and a second nozzle moving unit 26 for moving the organic solvent nozzle 24 by moving the second nozzle arm 25.
有機溶剤ノズル24は、たとえば、連続流の状態で液体状のIPAを吐出するストレートノズルであり、たとえば基板Wの上面に垂直な方向に処理液を吐出する垂直姿勢で第2のノズルアーム25に取り付けられている。第2のノズルアーム25は水平方向に延びており、スピンチャック5の周囲で鉛直方向に延びる第2の揺動軸線(第1の揺動軸線とは水平方向に関し異なる軸線。図示しない)まわりに旋回可能に設けられている。なお、有機溶剤ノズル24は、吐出口よりも内方(回転軸線A1側)の位置にIPA(液体)が着液するように基板Wの上面に対して傾いた吐出方向にIPAが吐出される内向き姿勢で第2のノズルアーム25に保持されていてもよいし、吐出口よりも外方(回転軸線A1とは反対側)の位置にIPA(液体)が着液するように基板Wの上面に対して傾いた吐出方向にIPA(液体)を吐出する外向き姿勢で第2のノズルアーム25に保持されていてもよい。   The organic solvent nozzle 24 is, for example, a straight nozzle that discharges liquid IPA in a continuous flow state. For example, the organic solvent nozzle 24 is applied to the second nozzle arm 25 in a vertical posture that discharges the processing liquid in a direction perpendicular to the upper surface of the substrate W. It is attached. The second nozzle arm 25 extends in the horizontal direction, and extends around a second swing axis that extends in the vertical direction around the spin chuck 5 (an axis that is different from the first swing axis in the horizontal direction, not shown). It is provided so that turning is possible. The organic solvent nozzle 24 discharges IPA in a discharge direction inclined with respect to the upper surface of the substrate W so that IPA (liquid) is deposited at a position inward (rotation axis A1 side) from the discharge port. The substrate W may be held by the second nozzle arm 25 in an inward posture, and the IPA (liquid) is deposited on the outer side (opposite to the rotation axis A1) than the discharge port. You may hold | maintain at the 2nd nozzle arm 25 in the outward attitude | position which discharges IPA (liquid) in the discharge direction inclined with respect to the upper surface.
第2のノズル移動ユニット26は、第2の揺動軸線まわりに第2のノズルアーム25を旋回させることにより、平面視で基板Wの上面中央部を通る軌跡に沿って有機溶剤ノズル24を水平に移動させる。第2のノズル移動ユニット26は、有機溶剤ノズル24から吐出されたIPAが基板Wの上面中央部に着液する処理位置と、有機溶剤ノズル24が平面視でスピンチャック5の周囲に設定されたホーム位置との間で、有機溶剤ノズル24を水平に移動させる。   The second nozzle moving unit 26 rotates the second nozzle arm 25 around the second swing axis to horizontally move the organic solvent nozzle 24 along a trajectory passing through the center of the upper surface of the substrate W in plan view. Move to. In the second nozzle moving unit 26, the processing position where the IPA discharged from the organic solvent nozzle 24 is deposited on the center of the upper surface of the substrate W and the organic solvent nozzle 24 are set around the spin chuck 5 in plan view. The organic solvent nozzle 24 is moved horizontally between the home positions.
有機溶剤供給ユニット7は、IPAが溜められた有機溶剤タンク27と、有機溶剤タンク27に溜められているIPAを有機溶剤ノズル24に供給する有機溶剤配管28とを含む。有機溶剤タンク27に溜められたIPAには、NHOH(アルカリ)が含まれている。具体的には、IPAには、高濃度(約30重量%)のNHOH水溶液がIPA:NHOH溶液=1000:1の割合で添加されている。 The organic solvent supply unit 7 includes an organic solvent tank 27 in which IPA is stored, and an organic solvent pipe 28 that supplies the IPA stored in the organic solvent tank 27 to the organic solvent nozzle 24. The IPA stored in the organic solvent tank 27 contains NH 4 OH (alkali). Specifically, a high concentration (about 30% by weight) NH 4 OH aqueous solution is added to IPA at a ratio of IPA: NH 4 OH solution = 1000: 1.
有機溶剤配管28の一端は、有機溶剤タンク27に接続されており、有機溶剤配管28の他端は、有機溶剤ノズル24に接続されている。有機溶剤配管28には、有機溶剤配管28内を流通するIPAを加熱して温度調整する第2の第2のヒータ29と、有機溶剤タンク27からIPAを汲み出して有機溶剤配管28に送り込むポンプ30と、有機溶剤配管28内を流通するIPAをろ過して、そのIPAから異物を除去するフィルタ31と、有機溶剤流量調整バルブ61と、有機溶剤配管28から有機溶剤ノズル24へのIPAの供給および供給停止を切り替える有機溶剤バルブ32とが、有機溶剤タンク27側からこの順に介装されている。なお、処理ユニット2の起動時において、ポンプ30は常時駆動されている。   One end of the organic solvent pipe 28 is connected to the organic solvent tank 27, and the other end of the organic solvent pipe 28 is connected to the organic solvent nozzle 24. The organic solvent pipe 28 includes a second second heater 29 that heats the IPA flowing through the organic solvent pipe 28 to adjust the temperature, and a pump 30 that pumps the IPA from the organic solvent tank 27 and sends it to the organic solvent pipe 28. The filter 31 that filters the IPA flowing through the organic solvent pipe 28 and removes foreign matter from the IPA, the organic solvent flow rate adjustment valve 61, the supply of IPA from the organic solvent pipe 28 to the organic solvent nozzle 24, and An organic solvent valve 32 for switching the supply stop is interposed in this order from the organic solvent tank 27 side. Note that the pump 30 is always driven when the processing unit 2 is activated.
有機溶剤配管28における有機溶剤流量調整バルブ61とフィルタ31との間の部分には、有機溶剤配管28を流通するIPAを有機溶剤タンク27に帰還させるための帰還配管33が分岐接続されている。帰還配管33には、帰還バルブ34が介装されている。有機溶剤配管28の分岐位置よりも上流側部分および帰還配管33により、有機溶剤タンク27内のIPAを循環させるための循環経路が形成されている。   A return pipe 33 for returning IPA flowing through the organic solvent pipe 28 to the organic solvent tank 27 is branched and connected between the organic solvent flow rate adjusting valve 61 and the filter 31 in the organic solvent pipe 28. A return valve 34 is interposed in the return pipe 33. A circulation path for circulating the IPA in the organic solvent tank 27 is formed by a portion upstream of the branch position of the organic solvent pipe 28 and the return pipe 33.
制御装置3は、ポンプ30が駆動している状態で、有機溶剤バルブ32を閉じつつ帰還バルブ34を開く。これにより、有機溶剤タンク27から汲み出されたIPAが、第2のヒータ29、フィルタ31、帰還配管33および帰還バルブ34を通って、有機溶剤タンク27に帰還する。これにより、有機溶剤タンク27内のIPAは前述の循環経路を循環し、有機溶剤タンク27内のIPAは、この循環経路を循環することにより第2のヒータ29による温度調整を受け、所定の高温(常温(約23℃)よりも高くかつ沸点未満の温度。たとえば約70℃)に保持される。   The control device 3 opens the feedback valve 34 while closing the organic solvent valve 32 while the pump 30 is driven. As a result, the IPA pumped from the organic solvent tank 27 returns to the organic solvent tank 27 through the second heater 29, the filter 31, the return pipe 33 and the return valve 34. As a result, the IPA in the organic solvent tank 27 circulates through the above-described circulation path, and the IPA in the organic solvent tank 27 undergoes temperature adjustment by the second heater 29 by circulating through this circulation path, and reaches a predetermined high temperature. (A temperature higher than normal temperature (about 23 ° C.) and lower than the boiling point, for example, about 70 ° C.).
一方、制御装置3は、ポンプ30を駆動している状態で、帰還バルブ34を閉じつつ有機溶剤バルブ32を開く。これにより、有機溶剤タンク27から汲み出されたIPAが、第2のヒータ29、フィルタ31、有機溶剤流量調整バルブ61および有機溶剤バルブ32を通って有機溶剤ノズル24に流入する。
なお、有機溶剤配管28における有機溶剤流量調整バルブ61とフィルタ31との間の部分に、三方弁が介装されており、この三方弁に帰還配管33が分岐接続されていてもよい。このとき、三方弁の制御により、有機溶剤配管28を流通するIPAを、有機溶剤ノズル24側または帰還配管33側に選択的に送り出すようにしてもよい。
On the other hand, the control device 3 opens the organic solvent valve 32 while closing the feedback valve 34 while the pump 30 is being driven. As a result, the IPA pumped from the organic solvent tank 27 flows into the organic solvent nozzle 24 through the second heater 29, the filter 31, the organic solvent flow rate adjustment valve 61 and the organic solvent valve 32.
A three-way valve may be interposed between the organic solvent flow rate adjusting valve 61 and the filter 31 in the organic solvent pipe 28, and the return pipe 33 may be branched and connected to the three-way valve. At this time, IPA flowing through the organic solvent pipe 28 may be selectively sent to the organic solvent nozzle 24 side or the return pipe 33 side by controlling the three-way valve.
図2に示すように、リンス液供給ユニット8は、スピンチャック5に保持されている基板Wに向けてリンス液を吐出するリンス液ノズル35と、リンス液ノズル35にリンス液を供給するリンス液配管36と、リンス液配管36からリンス液ノズル35へのリンス液の供給および供給停止を切り替えるリンス液バルブ37とを含む。リンス液ノズル35は、リンス液ノズル35の吐出口が静止された状態でリンス液を吐出する固定ノズルである。リンス液供給ユニット8は、リンス液ノズル35を移動させることにより、基板Wの上面に対するリンス液の着液位置を移動させるリンス液ノズル移動装置を備えていてもよい。   As shown in FIG. 2, the rinsing liquid supply unit 8 includes a rinsing liquid nozzle 35 that discharges the rinsing liquid toward the substrate W held by the spin chuck 5, and a rinsing liquid that supplies the rinsing liquid to the rinsing liquid nozzle 35. A pipe 36 and a rinse liquid valve 37 for switching between supply and stop of the supply of the rinse liquid from the rinse liquid pipe 36 to the rinse liquid nozzle 35 are included. The rinse liquid nozzle 35 is a fixed nozzle that discharges the rinse liquid in a state where the discharge port of the rinse liquid nozzle 35 is stationary. The rinsing liquid supply unit 8 may include a rinsing liquid nozzle moving device that moves the rinsing liquid landing position relative to the upper surface of the substrate W by moving the rinsing liquid nozzle 35.
リンス液バルブ37が開かれると、リンス液配管36からリンス液ノズル35に供給されたリンス液が、リンス液ノズル35から基板Wの上面中央部に向けて吐出される。リンス液は、たとえば、純水(脱イオン水:Deionzied Water)である。リンス液は、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度(たとえば、10〜100ppm程度)の塩酸水のいずれかであってもよい。   When the rinse liquid valve 37 is opened, the rinse liquid supplied from the rinse liquid pipe 36 to the rinse liquid nozzle 35 is discharged from the rinse liquid nozzle 35 toward the center of the upper surface of the substrate W. The rinse liquid is, for example, pure water (deionized water). The rinse liquid is not limited to pure water, but may be any of carbonated water, electrolytic ion water, hydrogen water, ozone water, and hydrochloric acid water having a diluted concentration (for example, about 10 to 100 ppm).
図2に示すように、加熱装置47は、輻射によって基板Wを加熱する輻射加熱装置を含む。輻射加熱装置は、赤外線を基板Wに照射する赤外線ヒータ38と、赤外線ヒータ38が先端部に取り付けられたヒータアーム39と、ヒータアーム39を移動させるヒータ移動ユニット40とを含む。
赤外線ヒータ38は、赤外線を発する赤外線ランプ41(図5も併せて参照)と、赤外線ランプ41を収容するランプハウジング42(図5も併せて参照)とを含む。
As shown in FIG. 2, the heating device 47 includes a radiation heating device that heats the substrate W by radiation. The radiant heating device includes an infrared heater 38 that irradiates the substrate W with infrared rays, a heater arm 39 to which the infrared heater 38 is attached at the tip, and a heater moving unit 40 that moves the heater arm 39.
The infrared heater 38 includes an infrared lamp 41 that emits infrared light (see also FIG. 5) and a lamp housing 42 that houses the infrared lamp 41 (see also FIG. 5).
赤外線ランプ41は、ランプハウジング42内に配置されている。ランプハウジング42は、平面視で基板Wよりも小さい。したがって、このランプハウジング42内に配置されている赤外線ヒータ38は、平面視で基板Wよりも小さくなる。赤外線ランプ41およびランプハウジング42は、ヒータアーム39に取り付けられている。したがって、赤外線ランプ41およびランプハウジング42は、ヒータアーム39とともに移動する。   The infrared lamp 41 is disposed in the lamp housing 42. The lamp housing 42 is smaller than the substrate W in plan view. Therefore, the infrared heater 38 disposed in the lamp housing 42 is smaller than the substrate W in plan view. The infrared lamp 41 and the lamp housing 42 are attached to the heater arm 39. Therefore, the infrared lamp 41 and the lamp housing 42 move together with the heater arm 39.
赤外線ランプ41は、フィラメントと、フィラメントを収容する石英管とを含む。加熱装置47における赤外線ランプ41(例えばハロゲンランプ)として、カーボンヒータ等の発熱体を採用できる。ランプハウジング42の少なくとも一部は、石英などの光透過性および耐熱性を有する材料で形成されている。赤外線ランプ41が発光すると、当該赤外線ランプ41からは赤外線を含む光が放出される。この赤外線を含む光はランプハウジング42を透過してランプハウジング42の外表面から放射される。基板Wおよびその上面に保持された液膜はランプハウジング42の外表面からの透過光と輻射光とにより加熱される。   The infrared lamp 41 includes a filament and a quartz tube that accommodates the filament. A heating element such as a carbon heater can be adopted as the infrared lamp 41 (for example, a halogen lamp) in the heating device 47. At least a part of the lamp housing 42 is formed of a material having optical transparency and heat resistance such as quartz. When the infrared lamp 41 emits light, light including infrared rays is emitted from the infrared lamp 41. The light including infrared rays passes through the lamp housing 42 and is emitted from the outer surface of the lamp housing 42. The substrate W and the liquid film held on the upper surface thereof are heated by transmitted light and radiated light from the outer surface of the lamp housing 42.
ヒータ移動ユニット40は、赤外線ヒータ38を所定の高さで保持している。ヒータ移動ユニット40は、赤外線ヒータ38を鉛直に移動させる。さらに、ヒータ移動ユニット40は、スピンチャック5の周囲で上下方向に延びる第3の揺動軸線(第1および第2の揺動軸線とは水平方向に関し異なる軸線。図示しない)まわりにヒータアーム39を揺動させることにより、赤外線ヒータ38をスピンチャック5の上方を含む水平面内で移動させることができる。   The heater moving unit 40 holds the infrared heater 38 at a predetermined height. The heater moving unit 40 moves the infrared heater 38 vertically. Further, the heater moving unit 40 has a heater arm 39 around a third swing axis that extends in the vertical direction around the spin chuck 5 (an axis different from the first and second swing axes in the horizontal direction, not shown). The infrared heater 38 can be moved in a horizontal plane including the upper side of the spin chuck 5 by swinging.
図1および図2に示す制御装置3は、たとえばマイクロコンピュータなどによって構成されている。制御装置3は、予め定められたプログラムに従って、スピンモータ13、ノズル移動ユニット16,26、ヒータ移動ユニット40、ヒータ21,29等の動作を制御する。また、制御装置3は、赤外線ランプ41に供給される電力を調整する。さらに、制御装置3は、硫酸バルブ19、過酸化水素水バルブ22、温調液バルブ45、リンス液バルブ37等の開閉を制御するとともに、流量調整バルブ20,23,61のアクチュエータを制御して、当該流量調整バルブ20,23,61の開度を制御する。   The control device 3 shown in FIGS. 1 and 2 is configured by, for example, a microcomputer. The control device 3 controls the operations of the spin motor 13, the nozzle moving units 16, 26, the heater moving unit 40, the heaters 21, 29, etc., according to a predetermined program. In addition, the control device 3 adjusts the power supplied to the infrared lamp 41. Furthermore, the control device 3 controls the opening and closing of the sulfuric acid valve 19, the hydrogen peroxide solution valve 22, the temperature adjusting liquid valve 45, the rinsing liquid valve 37 and the like, and controls the actuators of the flow rate adjusting valves 20, 23, 61. The opening degree of the flow rate adjusting valves 20, 23, 61 is controlled.
図3は、処理ユニット2によって行われるレジスト除去処理の処理例を示すフローチャートである。図4は、有機溶剤処理工程(S3)が行われているときの基板Wを水平に見た模式図である。図5は、SPM処理工程(S3)が行われているときの基板Wを水平に見た模式図である。
以下、図2および図3を参照しつつレジスト除去処理の処理例について説明する。図4および図5については適宜参照する。
FIG. 3 is a flowchart illustrating an example of a resist removal process performed by the processing unit 2. FIG. 4 is a schematic view of the substrate W viewed horizontally when the organic solvent treatment step (S3) is performed. FIG. 5 is a schematic view of the substrate W viewed horizontally when the SPM processing step (S3) is performed.
Hereinafter, an example of the resist removal process will be described with reference to FIGS. 2 and 3. 4 and 5 will be referred to as appropriate.
処理ユニット2によって基板Wにレジスト除去処理が施されるときには、チャンバ4の内部に、高ドーズでのイオン注入処理後の基板Wが搬入される(ステップS1)。搬入される基板Wは、レジストをアッシングするための処理を受けていないものとする。具体的には、制御装置3は、ノズル等が全てスピンチャック5の上方から退避している状態で、基板Wを保持している基板搬送ロボットCR(図1参照)のハンドをチャンバ4の内部に進入させることにより、基板Wがその表面を上方に向けた状態でスピンチャック5に受け渡される。その後、制御装置3は、スピンモータ13によって基板Wの回転を開始させる(ステップS2)。基板Wは予め定める有機溶剤処理速度(100〜500rpmの範囲内で、たとえば約300rpm)まで上昇させられ、その有機溶剤処理速度に維持される。   When the resist removal process is performed on the substrate W by the processing unit 2, the substrate W after the ion implantation process at a high dose is carried into the chamber 4 (step S1). It is assumed that the loaded substrate W has not been subjected to a process for ashing the resist. Specifically, the control device 3 moves the hand of the substrate transfer robot CR (see FIG. 1) holding the substrate W inside the chamber 4 with all the nozzles etc. being retracted from above the spin chuck 5. The substrate W is transferred to the spin chuck 5 with its surface facing upward. Thereafter, the control device 3 starts the rotation of the substrate W by the spin motor 13 (step S2). The substrate W is raised to a predetermined organic solvent processing speed (within a range of 100 to 500 rpm, for example, about 300 rpm) and maintained at the organic solvent processing speed.
次いで、有機溶剤としてのIPAを基板Wの上面に供給する有機溶剤処理工程(有機溶剤供給工程。ステップS3)が行われる。具体的には、制御装置3は、第2のノズル移動ユニット26を制御することにより、有機溶剤ノズル24をホーム位置から前述の処理位置に移動させる。これにより、有機溶剤ノズル24が基板Wの上面中央部の上方に配置される。   Next, an organic solvent treatment process (organic solvent supply process, step S3) for supplying IPA as an organic solvent to the upper surface of the substrate W is performed. Specifically, the control device 3 controls the second nozzle moving unit 26 to move the organic solvent nozzle 24 from the home position to the processing position. As a result, the organic solvent nozzle 24 is disposed above the center of the upper surface of the substrate W.
有機溶剤ノズル24が処理位置に配置させられた後、制御装置3は、帰還バルブ34を閉じつつ有機溶剤ノズル32を開く。これにより、有機溶剤配管28の上流側部分および帰還配管33からなる循環経路を循環していたIPA(NHOHを含むIPA)は、有機溶剤配管28を通って有機溶剤ノズル32に供給される。これにより、有機溶剤ノズル24から所定の高温(常温よりも高くかつ沸点未満の温度。たとえば約70℃)の液体状のIPA(NHOHを含むIPA)が連続流状に吐出される。このとき、IPAの吐出流量が所定の処理流量(たとえば0.2リットル/分以上)になるように、有機溶剤流量調整バルブ61により有機溶剤配管28の開度が調整されている。 After the organic solvent nozzle 24 is placed at the processing position, the control device 3 opens the organic solvent nozzle 32 while closing the feedback valve 34. As a result, IPA (IPA containing NH 4 OH) circulating in the circulation path including the upstream portion of the organic solvent pipe 28 and the return pipe 33 is supplied to the organic solvent nozzle 32 through the organic solvent pipe 28. . Thereby, liquid IPA (IPA containing NH 4 OH) at a predetermined high temperature (temperature higher than normal temperature and lower than boiling point, for example, about 70 ° C.) is discharged from the organic solvent nozzle 24 in a continuous flow. At this time, the opening degree of the organic solvent pipe 28 is adjusted by the organic solvent flow rate adjusting valve 61 so that the discharge flow rate of IPA becomes a predetermined processing flow rate (for example, 0.2 liter / min or more).
有機溶剤ノズル24から吐出された高温の液体状のIPA(NHOHを含むIPA)は、有機溶剤処理速度(たとえば約300rpm)で回転している基板Wの上面に着液した後、遠心力によって基板Wの上面に沿って外方に流れる。そのため、図4に示すように、IPAが基板Wの上面全域に供給され、基板Wの上面全域を覆うIPAの液膜62が基板W上に形成される。 The high-temperature liquid IPA (IPA containing NH 4 OH) discharged from the organic solvent nozzle 24 is deposited on the upper surface of the substrate W rotating at an organic solvent processing speed (for example, about 300 rpm), and then subjected to centrifugal force. Flows outward along the upper surface of the substrate W. Therefore, as shown in FIG. 4, IPA is supplied to the entire upper surface of the substrate W, and an IPA liquid film 62 covering the entire upper surface of the substrate W is formed on the substrate W.
また、有機溶剤処理工程(S3)と並行して、裏面ノズル46の吐出口46Aから基板Wの裏面に温水が供給される。具体的には、制御装置3は、温調液バルブ45を開く。これにより、図4に示すように、温調液供給配管44からの温水が、温調液流通配管43を通って裏面ノズル46の吐出口46Aから上方に向けて吐出され、基板Wの裏面中央部に供給される。基板Wの裏面中央部に着液した温水は、基板Wの回転による遠心力を受けて、外方に流れ、これにより、基板Wの裏面の全域が、温水の液膜によって覆われる。   In parallel with the organic solvent treatment step (S3), hot water is supplied from the discharge port 46A of the back nozzle 46 to the back surface of the substrate W. Specifically, the control device 3 opens the temperature adjustment liquid valve 45. As a result, as shown in FIG. 4, the hot water from the temperature adjustment liquid supply pipe 44 is discharged upward from the discharge port 46 </ b> A of the back nozzle 46 through the temperature adjustment liquid distribution pipe 43, and the center of the back surface of the substrate W. Supplied to the department. The hot water that has landed on the center of the back surface of the substrate W receives the centrifugal force generated by the rotation of the substrate W and flows outward, whereby the entire back surface of the substrate W is covered with a liquid film of hot water.
基板Wの裏面への温水の供給により、基板Wが加温される。この加温された基板Wの上面にIPAが供給されることにより、IPAは、基板Wを介して加温される。基板Wの裏面に供給される温水の水温が、基板Wの上面に供給されるIPAと同温に設定されているので、基板Wの上面に形成されるIPAの液膜62の液温が、所期の液温(つまり、所定の高温(たとえば約70℃))に維持されている。また、基板Wの全域が温水によって温められるので、IPAの液膜62の面内温度分布が一様になる。   The substrate W is heated by supplying hot water to the back surface of the substrate W. By supplying IPA to the upper surface of the heated substrate W, the IPA is heated via the substrate W. Since the temperature of the hot water supplied to the back surface of the substrate W is set to the same temperature as the IPA supplied to the upper surface of the substrate W, the liquid temperature of the IPA liquid film 62 formed on the upper surface of the substrate W is The desired liquid temperature (that is, a predetermined high temperature (for example, about 70 ° C.)) is maintained. Further, since the entire area of the substrate W is warmed by the hot water, the in-plane temperature distribution of the IPA liquid film 62 becomes uniform.
有機溶剤処理工程(S3)において、基板Wの上面のIPAの液膜62が、所定の高温(常温よりも高くかつ沸点未満の液温。たとえば約70℃)を有している。このような液温に保たれている有機溶剤は、高い熱エネルギーを有している。また、IPAが液体状であるので、IPAの分子は、レジストの表面の硬化層と高い接触効率で接触する。IPAの液膜62とレジストの表面との境界部分では、十分な熱エネルギーを有するIPAの分子が、高い接触効率で硬化層と接触し、これにより、IPAがレジストの表面の硬化層に浸透する。IPAの浸透により、硬化層は変質し軟化する。   In the organic solvent treatment step (S3), the IPA liquid film 62 on the upper surface of the substrate W has a predetermined high temperature (liquid temperature higher than normal temperature and lower than boiling point, for example, about 70 ° C.). The organic solvent maintained at such a liquid temperature has high heat energy. Further, since IPA is in a liquid state, IPA molecules come into contact with the hardened layer on the resist surface with high contact efficiency. At the boundary between the IPA liquid film 62 and the resist surface, IPA molecules having sufficient thermal energy come into contact with the hardened layer with high contact efficiency, so that the IPA penetrates into the hardened layer on the resist surface. . Due to the penetration of IPA, the hardened layer is altered and softened.
また、基板Wに供給される有機溶剤に、NHOHが含まれている。レジストの硬化層は、含有するカーボンがアモルファス状になっている部分があるためにNHOH溶液に溶解し易いので、NHOHを含むIPAを基板Wの上面に供給する場合、NHOHを含むIPAは、レジストの硬化層を溶解しながら浸透する。これにより、硬化層の軟化を、より効果的に行うことができる。 Further, the organic solvent supplied to the substrate W contains NH 4 OH. Since the hardened layer of the resist is easily dissolved in the NH 4 OH solution because the contained carbon is in an amorphous state, when supplying IPA containing NH 4 OH to the upper surface of the substrate W, NH 4 OH The IPA containing the resin penetrates while dissolving the hardened layer of the resist. Thereby, softening of a hardened layer can be performed more effectively.
IPAの吐出開始から予め定める処理時間が経過すると、制御装置3は、IPAバルブ32を閉じてIPAの吐出を停止する。また、制御装置3は、裏面バルブ45を閉じて裏面ノズル46からの温水の吐出を停止する。また、第2のノズル移動ユニット26を制御することにより、有機溶剤ノズル24を処理位置からホーム位置に移動させる。
有機溶剤処理工程(S3)の終了後、次いで、リンス液を基板Wに供給する第1のリンス液供給工程(水洗工程。ステップS4)が行われる。具体的には、制御装置3は、リンス液バルブ37を開いて、基板Wの上面中央部に向けてリンス液ノズル35からリンス液を吐出させる。リンス液ノズル35から吐出されたリンス液は、IPAによって覆われている基板Wの上面中央部に着液する。基板Wの上面中央部に着液したリンス液は、基板Wの回転による遠心力を受けて基板Wの上面上を基板Wの周縁部に向けて流れる。これにより、基板W上のIPAが、リンス液によって外方に押し流され、基板Wの周囲に排出される。そのため、基板W上のIPAの液膜62が、基板Wの上面全域を覆うリンス液の液膜に置換される。これにより、基板Wの上面の全域においてIPAが洗い流される。
When a predetermined processing time has elapsed from the start of IPA discharge, the control device 3 closes the IPA valve 32 and stops IPA discharge. Further, the control device 3 closes the back valve 45 and stops the discharge of hot water from the back nozzle 46. Further, by controlling the second nozzle moving unit 26, the organic solvent nozzle 24 is moved from the processing position to the home position.
After the completion of the organic solvent treatment step (S3), a first rinse liquid supply step (water washing step, step S4) for supplying the rinse liquid to the substrate W is then performed. Specifically, the control device 3 opens the rinse liquid valve 37 and discharges the rinse liquid from the rinse liquid nozzle 35 toward the center of the upper surface of the substrate W. The rinse liquid discharged from the rinse liquid nozzle 35 is deposited on the center of the upper surface of the substrate W covered with IPA. The rinse liquid deposited on the center of the upper surface of the substrate W receives a centrifugal force due to the rotation of the substrate W and flows on the upper surface of the substrate W toward the peripheral edge of the substrate W. As a result, the IPA on the substrate W is pushed outward by the rinse liquid and discharged around the substrate W. Therefore, the IPA liquid film 62 on the substrate W is replaced with a rinse liquid film covering the entire upper surface of the substrate W. As a result, the IPA is washed away over the entire upper surface of the substrate W.
また、有機溶剤処理工程(S3)ではIPAの雰囲気が発生するため、有機溶剤処理工程(S3)の終了後において、カップ9内にIPAのヒュームが浮遊しているおそれがある。基板Wの上面をリンス液が流れることにより、カップ9内に浮遊しているIPAのヒュームを、基板Wの上面の周辺から排除できる。したがって、カップ9内に浮遊しているIPAのヒュームがパーティクルとなって、基板Wの表面を汚染することを抑制または防止できる。   In addition, since an IPA atmosphere is generated in the organic solvent treatment step (S3), there is a possibility that the fumes of IPA are floating in the cup 9 after the organic solvent treatment step (S3) is completed. When the rinse liquid flows on the upper surface of the substrate W, the IPA fumes floating in the cup 9 can be excluded from the periphery of the upper surface of the substrate W. Therefore, it is possible to suppress or prevent the IPA fumes floating in the cup 9 from becoming particles and contaminating the surface of the substrate W.
リンス液バルブ37が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置3は、リンス液バルブ37を閉じて、リンス液ノズル35からのリンス液の吐出を停止させる。
次いで、基板Wを乾燥させる第1の乾燥工程(振り切り乾燥工程。ステップS5)が行われる。具体的には、制御装置3は、スピンモータ13を制御することにより、乾燥回転速度(たとえば数千rpm)まで基板Wを加速させ、乾燥回転速度で基板Wを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板W上のリンス液に加わり、基板Wに付着しているリンス液が基板Wの周囲に振り切られる。このようにして、基板Wからリンス液が除去され、基板Wが乾燥する。基板Wの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、制御装置3は、スピンモータ13を制御することにより、スピンチャック5による基板Wの回転速度を、SPM処理速度(たとえば約300rpm)まで減速させる。
When a predetermined time elapses after the rinse liquid valve 37 is opened, the control device 3 closes the rinse liquid valve 37 and stops the discharge of the rinse liquid from the rinse liquid nozzle 35.
Next, a first drying process (shake-off drying process, step S5) for drying the substrate W is performed. Specifically, the control device 3 controls the spin motor 13 to accelerate the substrate W to a drying rotation speed (for example, several thousand rpm) and rotate the substrate W at the drying rotation speed. As a result, a large centrifugal force is applied to the rinse liquid on the substrate W, and the rinse liquid adhering to the substrate W is shaken off around the substrate W. In this way, the rinse liquid is removed from the substrate W, and the substrate W is dried. When a predetermined time elapses after high-speed rotation of the substrate W is started, the control device 3 controls the spin motor 13 to change the rotation speed of the substrate W by the spin chuck 5 to the SPM processing speed (for example, about 300 rpm). Decelerate.
基板Wの回転速度がSPM回転速度に達すると、次いで、制御装置3は、SPMを基板Wに供給するSPM処理工程(硫酸過酸化水素水混合液供給工程。ステップS6)を行う。具体的には、制御装置3は、第1のノズル移動ユニット16を制御することにより、SPMノズル14をホーム位置から処理位置に移動させる。これにより、SPMノズル14が基板Wの上方に配置される。   When the rotation speed of the substrate W reaches the SPM rotation speed, the control device 3 then performs an SPM treatment process (sulfuric acid / hydrogen peroxide solution mixture supply process; step S6) for supplying SPM to the substrate W. Specifically, the control device 3 moves the SPM nozzle 14 from the home position to the processing position by controlling the first nozzle moving unit 16. Thereby, the SPM nozzle 14 is disposed above the substrate W.
SPMノズル14が基板Wの上方に配置された後、制御装置3は、硫酸バルブ19および過酸化水素水バルブ22を同時に開く。これにより、硫酸配管17の内部を流通するHSOがSPMノズル14に供給されるとともに、過酸化水素水配管18を流通する過酸化水素水がSPMノズル14に供給される。そして、SPMノズル14の混合室においてHSOとHとが混合され、高温(たとえば、160℃)のSPMが生成される。そのSPMが、SPMノズル14の吐出口から吐出され、基板Wの上面に着液する。制御装置3は、第1のノズル移動ユニット16を制御することにより、この状態で基板Wの上面に対するSPMの着液位置を中央部と周縁部との間で移動させる。 After the SPM nozzle 14 is disposed above the substrate W, the control device 3 opens the sulfuric acid valve 19 and the hydrogen peroxide solution valve 22 simultaneously. As a result, H 2 SO 4 flowing through the sulfuric acid pipe 17 is supplied to the SPM nozzle 14 and hydrogen peroxide water flowing through the hydrogen peroxide pipe 18 is supplied to the SPM nozzle 14. Then, it is mixed with H 2 SO 4 and H 2 O 2 is in the mixing chamber of the SPM nozzle 14, a high temperature (e.g., 160 ° C.) is the SPM is generated. The SPM is discharged from the discharge port of the SPM nozzle 14 and is deposited on the upper surface of the substrate W. The control device 3 controls the first nozzle moving unit 16 to move the SPM liquid deposition position with respect to the upper surface of the substrate W between the central portion and the peripheral portion in this state.
SPMノズル14から吐出されたSPMは、SPM処理速度(たとえば300rpm)で回転している基板Wの上面に着液した後、遠心力によって基板Wの上面に沿って外方に流れる。そのため、SPMが基板Wの上面全域に供給され、図5に示すように、基板Wの上面全域を覆うSPMの液膜63が基板W上に形成される。
有機溶剤処理工程(S3)により、レジストの表面の硬化層は軟化されている。軟化した硬化層にSPMが供給されるので、SPMがレジストの内部の全域に行き渡り、レジストとSPMとの化学反応により、基板W上のレジストがSPMによって基板Wから除去される。さらに、制御装置3は、基板Wが回転している状態で、基板Wの上面に対するSPMの着液位置を中央部と周縁部との間で移動させるので、SPMの着液位置が、基板Wの上面全域を通過し、基板Wの上面全域が走査される。そのため、SPMノズル14から吐出されたSPMが、基板Wの上面全域に供給され、基板Wの上面全域が均一に処理される。
The SPM discharged from the SPM nozzle 14 lands on the upper surface of the substrate W rotating at an SPM processing speed (for example, 300 rpm), and then flows outward along the upper surface of the substrate W by centrifugal force. Therefore, SPM is supplied to the entire upper surface of the substrate W, and an SPM liquid film 63 covering the entire upper surface of the substrate W is formed on the substrate W as shown in FIG.
By the organic solvent treatment step (S3), the hardened layer on the resist surface is softened. Since the SPM is supplied to the softened hardened layer, the SPM spreads over the entire area inside the resist, and the resist on the substrate W is removed from the substrate W by the SPM due to a chemical reaction between the resist and SPM. Further, since the controller 3 moves the SPM landing position with respect to the upper surface of the substrate W between the central portion and the peripheral portion while the substrate W is rotating, the SPM landing position is determined by the substrate W The entire upper surface of the substrate W is scanned. Therefore, the SPM discharged from the SPM nozzle 14 is supplied to the entire upper surface of the substrate W, and the entire upper surface of the substrate W is processed uniformly.
また、SPM処理工程(S6)と並行して、赤外線ヒータ38によって基板Wおよび基板W上のSPMを基板Wに供給される前のSPMの温度よりも高温の加熱温度で加熱する加熱工程が行われる。具体的には、制御装置3は、ヒータ移動ユニット31を制御することにより、図5に示すように、赤外線ヒータ38を退避位置から処理位置に移動させる。これにより、赤外線ヒータ38が基板Wの上方に配置される。その後、制御装置3は、赤外線ヒータ38に発光を開始させる。これにより、赤外線ヒータ38の温度が、SPMのその濃度における沸点以上の加熱温度(たとえば、200℃以上)まで上昇し、加熱温度に維持される。   In parallel with the SPM treatment step (S6), the heating step of heating the substrate W and the SPM on the substrate W at a heating temperature higher than the temperature of the SPM before being supplied to the substrate W by the infrared heater 38 is performed. Is called. Specifically, the control device 3 controls the heater moving unit 31 to move the infrared heater 38 from the retracted position to the processing position as shown in FIG. Thereby, the infrared heater 38 is disposed above the substrate W. Thereafter, the control device 3 causes the infrared heater 38 to start light emission. Thereby, the temperature of the infrared heater 38 rises to a heating temperature (for example, 200 ° C. or higher) that is equal to or higher than the boiling point at the concentration of SPM, and is maintained at the heating temperature.
赤外線ヒータ38が基板Wの上方で発光を開始した後、制御装置3は、図5に示すように、ヒータ移動ユニット31によって赤外線ヒータ38を移動させることにより、基板Wの上面に対する赤外線の照射位置を基板Wの上面内で移動させる。基板Wが前記のSPM処理速度(たとえば300rpm)で回転している状態で、基板Wおよび基板W上のSPMが加熱される。   After the infrared heater 38 starts to emit light above the substrate W, the control device 3 moves the infrared heater 38 by the heater moving unit 31 as shown in FIG. Is moved within the upper surface of the substrate W. With the substrate W rotating at the SPM processing speed (for example, 300 rpm), the substrate W and the SPM on the substrate W are heated.
制御装置3は、赤外線ヒータ38による基板Wの加熱が所定時間にわたって行われた後、赤外線ヒータ38の発光を停止させる。その後、制御装置3は、ヒータ移動ユニット31を制御することにより、赤外線ヒータ38を基板Wの上方から退避させる。
このように、制御装置3は、基板Wを回転させている状態で、基板Wの上面に対する赤外線の照射位置を基板Wの上面内で移動させるので、基板Wが均一に加熱される。そのため、基板Wの上面全域を覆うSPMの液膜63も均一に加熱される。赤外線ヒータ38による基板Wの加熱温度は、たとえばSPMのその濃度における沸点よりも高温に設定されており、これにより、基板WとSPMとの界面の温度が、沸点よりも高温に維持され、基板Wからのレジストの除去が促進される。
The control device 3 stops the light emission of the infrared heater 38 after the substrate W is heated by the infrared heater 38 for a predetermined time. Thereafter, the control device 3 controls the heater moving unit 31 to retract the infrared heater 38 from above the substrate W.
Thus, since the control apparatus 3 moves the infrared irradiation position with respect to the upper surface of the substrate W within the upper surface of the substrate W while rotating the substrate W, the substrate W is heated uniformly. Therefore, the SPM liquid film 63 covering the entire upper surface of the substrate W is also heated uniformly. The heating temperature of the substrate W by the infrared heater 38 is set to be higher than the boiling point at the concentration of SPM, for example, and thereby the temperature at the interface between the substrate W and SPM is maintained higher than the boiling point. Removal of the resist from W is promoted.
なお、処理位置に配置された状態で、赤外線ヒータ38の基板対向面が基板W上のSPMの液膜63に接触していてもよいし、図5に示すように、赤外線ヒータ38の基板対向面が基板W上のSPMの液膜63から所定距離だけ離隔していてもよい。
また、赤外線ヒータ38による基板Wの加熱時(加熱工程)において、基板Wの上方に配置された赤外線ヒータ38を、静止状態で配置するようにしてもよい、
SPMの吐出開始から予め定めるSPM処理時間が経過すると、SPM処理工程(S6)が終了する。SPM処理工程(S6)の終了に引き続いて、Hを基板Wに供給する過酸化水素水供給工程(ステップS7)が行われる。
In addition, the substrate facing surface of the infrared heater 38 may be in contact with the SPM liquid film 63 on the substrate W in the state where the infrared heater 38 is disposed at the processing position, or as shown in FIG. The surface may be separated from the SPM liquid film 63 on the substrate W by a predetermined distance.
In addition, when the substrate W is heated by the infrared heater 38 (heating process), the infrared heater 38 disposed above the substrate W may be disposed in a stationary state.
When a predetermined SPM processing time has elapsed from the start of SPM discharge, the SPM processing step (S6) ends. Subsequent to the end of the SPM processing step (S6), a hydrogen peroxide solution supplying step (step S7) for supplying H 2 O 2 to the substrate W is performed.
具体的には、制御装置3は、第1のノズル移動ユニット16を制御することにより、基板Wの上面中央部の上方にSPMノズル14を配置し、その後、制御装置3は、過酸化水素水バルブ22を開いた状態に維持しつつ硫酸バルブ19だけを閉じる。これにより、硫酸配管17の内部をHSOが流通せずに、Hだけが過酸化水素水配管18の内部を流通してSPMノズル14に供給される。SPMノズル14に供給された過酸化水素水は、SPMノズル14の内部を通ってSPMノズル14の吐出口から吐出される。そのHが、SPM処理速度で回転している基板Wの上面中央部に着液する。すなわち、SPMノズル14から吐出される処理液が、SPMからHに切り換わる。 Specifically, the control device 3 controls the first nozzle moving unit 16 to place the SPM nozzle 14 above the center of the upper surface of the substrate W, and then the control device 3 Only the sulfuric acid valve 19 is closed while keeping the valve 22 open. As a result, H 2 SO 4 does not flow through the sulfuric acid pipe 17, but only H 2 O 2 flows through the hydrogen peroxide pipe 18 and is supplied to the SPM nozzle 14. The hydrogen peroxide solution supplied to the SPM nozzle 14 passes through the inside of the SPM nozzle 14 and is discharged from the discharge port of the SPM nozzle 14. The H 2 O 2 is deposited on the center of the upper surface of the substrate W rotating at the SPM processing speed. That is, the processing liquid discharged from the SPM nozzle 14 is switched from SPM to H 2 O 2 .
基板Wの上面中央部に着液したHは、基板Wの周縁に向かって基板W上を外方に流れる。基板W上のSPMがHに置換され、やがて、基板Wの上面全域が、Hの液膜によって覆われる。
過酸化水素水の吐出開始から予め定める過酸化水素水供給時間が経過すると、制御装置3は、過酸化水素水バルブ22を閉じて、SPMノズル14からのHの吐出を停止させる。また、制御装置3は、SPMノズル14を処理位置からホーム位置に移動させる。これにより、SPMノズル14が基板Wの上方に配置される。
The H 2 O 2 deposited on the center of the upper surface of the substrate W flows outward on the substrate W toward the periphery of the substrate W. The SPM on the substrate W is replaced with H 2 O 2 , and eventually, the entire upper surface of the substrate W is covered with a liquid film of H 2 O 2 .
When a predetermined hydrogen peroxide supply time elapses from the start of the discharge of the hydrogen peroxide solution, the control device 3 closes the hydrogen peroxide solution valve 22 and stops the discharge of H 2 O 2 from the SPM nozzle 14. Further, the control device 3 moves the SPM nozzle 14 from the processing position to the home position. Thereby, the SPM nozzle 14 is disposed above the substrate W.
次いで、リンス液を基板Wに供給する第2のリンス液供給工程(ステップS8)が行われる。具体的には、制御装置3は、リンス液バルブ37を開いて、基板Wの上面中央部に向けてリンス液ノズル35からリンス液を吐出させる。リンス液ノズル35から吐出されたリンス液は、Hによって覆われている基板Wの上面中央部に着液する。基板Wの上面中央部に着液したリンス液は、基板Wの回転による遠心力を受けて基板Wの上面上を基板Wの周縁部に向けて流れる。これにより、基板W上のHが、リンス液によって外方に押し流され、基板Wの周囲に排出される。そのため、基板W上のHの液膜が、基板Wの上面全域を覆うリンス液の液膜に置換される。これにより、基板Wの上面の全域においてHが洗い流される。そして、リンス液バルブ37が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置3は、リンス液バルブ37を閉じて、リンス液ノズル35からのリンス液の吐出を停止させる。 Next, a second rinsing liquid supply step (step S8) for supplying the rinsing liquid to the substrate W is performed. Specifically, the control device 3 opens the rinse liquid valve 37 and discharges the rinse liquid from the rinse liquid nozzle 35 toward the center of the upper surface of the substrate W. The rinse liquid discharged from the rinse liquid nozzle 35 is deposited on the center of the upper surface of the substrate W covered with H 2 O 2 . The rinse liquid deposited on the center of the upper surface of the substrate W receives a centrifugal force due to the rotation of the substrate W and flows on the upper surface of the substrate W toward the peripheral edge of the substrate W. As a result, H 2 O 2 on the substrate W is pushed outward by the rinse liquid and discharged around the substrate W. Therefore, the liquid film of H 2 O 2 on the substrate W is replaced with the liquid film of the rinsing liquid that covers the entire upper surface of the substrate W. As a result, H 2 O 2 is washed away in the entire upper surface of the substrate W. When a predetermined time elapses after the rinse liquid valve 37 is opened, the control device 3 closes the rinse liquid valve 37 and stops the discharge of the rinse liquid from the rinse liquid nozzle 35.
次いで、基板Wを乾燥させる第2のスピンドライ工程(ステップS9)が行われる。具体的には、制御装置3は、スピンモータ13を制御することにより、乾燥回転速度(たとえば数千rpm)まで基板Wを加速させ、乾燥回転速度で基板Wを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板W上の液体に加わり、基板Wに付着している液体が基板Wの周囲に振り切られる。このようにして、基板Wから液体が除去され、基板Wが乾燥する。そして、基板Wの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、制御装置3は、スピンモータ13を制御することにより、スピンチャック5による基板Wの回転を停止させる(ステップS10)。   Next, a second spin dry process (step S9) for drying the substrate W is performed. Specifically, the control device 3 controls the spin motor 13 to accelerate the substrate W to a drying rotation speed (for example, several thousand rpm) and rotate the substrate W at the drying rotation speed. Thereby, a large centrifugal force is applied to the liquid on the substrate W, and the liquid adhering to the substrate W is shaken off around the substrate W. In this way, the liquid is removed from the substrate W, and the substrate W is dried. When a predetermined time elapses after the high-speed rotation of the substrate W is started, the control device 3 controls the spin motor 13 to stop the rotation of the substrate W by the spin chuck 5 (step S10).
次に、チャンバ4内から基板Wが搬出される(ステップS11)。具体的には、制御装置3は、全てのノズル等がスピンチャック5の上方から退避している状態で、基板搬送ロボットCRのハンドをチャンバ4の内部に進入させる。そして、制御装置3は、基板搬送ロボットCRのハンドにスピンチャック5上の基板Wを保持させる。その後、制御装置3は、基板搬送ロボットCRのハンドをチャンバ4内から退避させる。これにより、処理済みの基板Wがチャンバ4から搬出される。   Next, the substrate W is unloaded from the chamber 4 (step S11). Specifically, the control device 3 causes the hand of the substrate transport robot CR to enter the chamber 4 in a state where all the nozzles and the like are retracted from above the spin chuck 5. Then, the control device 3 holds the substrate W on the spin chuck 5 by the hand of the substrate transport robot CR. Thereafter, the control device 3 retracts the hand of the substrate transport robot CR from the chamber 4. Thereby, the processed substrate W is unloaded from the chamber 4.
なお、図3の処理例において、第2のリンス供給工程(S8)の後、第2の乾燥工程(S9)に先立って、SC1(アンモニア過酸化水素水混合液)等の薬液で、基板Wの上面を洗浄する薬液供給工程、および当該薬液を基板Wの上面から洗い流すリンス工程が行われていてもよい。
また、図3の処理例では、SPM処理工程(S6)の後に過酸化水素水供給工程(S7)を実行するとしたが、過酸化水素水供給工程(S7)は省略することもできる。
In the processing example of FIG. 3, after the second rinse supply step (S8), prior to the second drying step (S9), a chemical solution such as SC1 (ammonia hydrogen peroxide solution mixed solution) is used for the substrate W. A chemical solution supplying step for cleaning the upper surface of the substrate and a rinsing step for washing the chemical solution from the upper surface of the substrate W may be performed.
In the processing example of FIG. 3, the hydrogen peroxide solution supply step (S7) is executed after the SPM treatment step (S6), but the hydrogen peroxide solution supply step (S7) can be omitted.
また、図3の処理例では、SPM処理工程(S6)と並行して加熱工程を実行するものを例に挙げたが、この加熱工程は省略してもよい。この場合、加熱装置47(輻射加熱装置。図2参照)の構成が、基板処理装置1から省略されていてもよい。
また、図3の処理例では、SPM処理工程(ステップS6)において、基板WをSPM処理速度(たとえば約300rpm)で回転させるとして説明したが、このときの基板Wの回転速度が、基板W上からのSPMの排出が抑制されて基板Wの上面にSPMの液膜が保持される状態(パドル状態)を維持できるような低回転速度(パドル回転速度)であってもよい。この場合、SPM液の液膜63の形成後は、SPMの供給を停止するようにしてもよい。
Further, in the processing example of FIG. 3, the heating process is performed in parallel with the SPM processing process (S6), but this heating process may be omitted. In this case, the configuration of the heating device 47 (radiant heating device; see FIG. 2) may be omitted from the substrate processing apparatus 1.
Further, in the processing example of FIG. 3, it has been described that the substrate W is rotated at the SPM processing speed (for example, about 300 rpm) in the SPM processing step (step S <b> 6). The SPM may be at a low rotation speed (paddle rotation speed) that can suppress the discharge of SPM from the substrate and maintain the state in which the liquid film of SPM is held on the upper surface of the substrate W (paddle state). In this case, the supply of SPM may be stopped after the formation of the liquid film 63 of the SPM liquid.
次に、レジスト除去試験について説明する。
図6は、第1のレジスト除去試験の内容および試験結果を示す図である。
第1のレジスト除去試験は、実施例と比較例とで、基板Wの周縁部におけるレジスト除去性能を比較するための試験である。
直径300mmのシリコンウエハWの表面全域にKrF(フッ化クリプトン)エキシマレーザ用レジストのパターンを隙間なく形成し、これをマスクとして、ウエハWの表面にAs(ヒ素)をドーズ量1×1015atoms/cm、ドーズエネルギー10kevでイオン注入したものを試料として用い、この試料に基板処理装置1を用いて、次に述べる実施例および比較例のレジスト除去処理を行った。そして、レジスト除去処理後のレジストの残りの有無およびその程度を、シリコンウエハWの周縁部の7カ所の計測地点P1〜P7において、電子顕微鏡を用いて観察した。図6(a)に示すように、計測地点P1〜P7は、各々、基板Wの回転半径方向に沿って延びる直線上に、等間隔に並置されている。最も外周縁寄りの計測地点P7とシリコンウエハWの外周縁との距離は、5mmであり、最も内周寄りの計測地点P1シリコンウエハWの外周縁との距離は、25mmである。なお、ステップS6のSPM処理工程で用いられるSPMにおける、HSOとHとの混合比(重量比)は2:1であるとし、ステップS6のSPM処理工程の処理時間を15秒間とした。
<実施例>
前述の図3に示す処理例と同等の処理を実行した。但し、有機溶剤処理工程(S3)において供給されるIPAは、NHOH等のアリカリを含んでいない。また、有機溶剤処理工程(S3)において供給されるIPAの液温を70℃とし、当該IPAの流量を0.2リットル/分とした。
<比較例>
前述の図3に示す処理例からステップS3〜S5を省いた内容で処理を実行した。
Next, the resist removal test will be described.
FIG. 6 is a diagram showing the contents and test results of the first resist removal test.
The first resist removal test is a test for comparing the resist removal performance in the peripheral portion of the substrate W between the example and the comparative example.
A resist pattern for KrF (krypton fluoride) excimer laser is formed on the entire surface of a silicon wafer W having a diameter of 300 mm without any gap, and using this as a mask, As (arsenic) is dosed on the surface of the wafer W by 1 × 10 15 atoms. The sample was ion-implanted at / cm 2 and a dose energy of 10 kev, and the substrate processing apparatus 1 was used for this sample, and the resist removal processing of Examples and Comparative Examples described below was performed. Then, the presence / absence and the degree of the remaining resist after the resist removal treatment were observed using an electron microscope at seven measurement points P1 to P7 on the peripheral edge of the silicon wafer W. As shown in FIG. 6A, the measurement points P1 to P7 are juxtaposed at equal intervals on a straight line extending along the rotational radius direction of the substrate W. The distance between the measurement point P7 closest to the outer periphery and the outer periphery of the silicon wafer W is 5 mm, and the distance between the measurement point P1 closest to the inner periphery and the outer periphery of the silicon wafer W is 25 mm. Note that the mixing ratio (weight ratio) of H 2 SO 4 and H 2 O 2 in the SPM used in the SPM processing step of Step S6 is 2: 1, and the processing time of the SPM processing step of Step S6 is 15 Seconds.
<Example>
A process equivalent to the process example shown in FIG. 3 was performed. However, the IPA supplied in the organic solvent treatment step (S3) does not contain ants such as NH 4 OH. Moreover, the liquid temperature of the IPA supplied in the organic solvent treatment step (S3) was set to 70 ° C., and the flow rate of the IPA was set to 0.2 liter / min.
<Comparative example>
The processing was executed with the contents of steps S3 to S5 omitted from the processing example shown in FIG.
この第1のレジスト除去試験の結果を図6(b)に示す。図6(b)では、レジスト残りがほとんど生じていない場合を「○」、少量のレジスト残りが生じている場合を「△」、多量のレジスト残りが生じている場合を「×」として示す。
図6(b)に示すように、実施例では、最も外周縁寄りの計測地点P7を除いて、レジスト残りがほとんど見られなかった。実施例では、シリコンウエハWの周縁部においても、高い除去性能の発揮を確認できた。
The result of the first resist removal test is shown in FIG. In FIG. 6B, “◯” indicates a case where almost no resist residue is generated, “Δ” indicates a case where a small amount of resist remains, and “X” indicates a case where a large amount of resist remains.
As shown in FIG. 6B, in the example, the resist residue was hardly seen except for the measurement point P7 closest to the outer peripheral edge. In the example, it was confirmed that the removal performance was high even at the peripheral edge of the silicon wafer W.
一方、比較例では、最も内周寄りの計測地点P1を除いて、レジスト残りが見られた。とくに、外周縁に近い計測地点P6や計測地点P7では、多量のレジスト残りが見られた。
第1のレジスト除去試験の結果から、実施例では、高ドーズのイオン注入が行われたシリコンウエハWであっても、基板の表面から良好にレジストが除去されていることがわかる。
On the other hand, in the comparative example, the resist residue was seen except for the measurement point P1 closest to the inner periphery. In particular, a large amount of resist residue was observed at measurement points P6 and P7 close to the outer periphery.
From the result of the first resist removal test, it can be seen that, in the example, the resist is satisfactorily removed from the surface of the substrate even in the case of the silicon wafer W on which high-dose ion implantation has been performed.
図7は、第2のレジスト除去試験の試験結果を示す図である。
第2のレジスト除去試験は、有機溶剤処理工程(S3)において用いられる高温のIPAが、アルカリを含まない場合とアルカリを含む場合とで、レジスト除去性能を比較するためのビーカー試験である。
シリコンウエハWの表面全域にKrF(フッ化クリプトン)エキシマレーザ用レジストのパターンを形成し、これをマスクとして、ウエハWの表面にAs(ヒ素)をドーズ量1×1016atoms/cm、ドーズエネルギー40kevでイオン注入し、それをチップ状に切断したものを試料として用い、この試料に、次に述べるような第1〜第3試験を行った。そして、試験後のチップ上におけるレジストの残りの有無およびその程度を、電子顕微鏡を用いて観察した。なお、各試験に用いられるSPMにおける、HSOとHとの混合比は2:1であるとし、SPMの浸漬時間を1分間とした。
<第1試験>
ビーカーにおいて、前記の試料を高温のIPA中に浸漬させた。このIPAは、NHOH等のアリカリを含んでおらず、また、IPAの液温は70℃である。次いで、当該試料を、SPM中に浸漬させた。
<第2試験>
ビーカーにおいて、前記の試料を高温のIPA中に浸漬させた。このIPAには、NHOHが添加されている。NHOHの添加濃度は、前述の有機溶剤処理工程(S3)で用いられるIPAと同等の添加濃度である。また、IPAの液温は70℃である。次いで、当該試料を、SPM中に浸漬させた。
<第3試験>
ビーカーにおいて、前記の試料を、高温のIPAの浸漬させることなく、SPM中に浸漬させた。
FIG. 7 is a diagram showing test results of the second resist removal test.
The second resist removal test is a beaker test for comparing the resist removal performance between the case where the high-temperature IPA used in the organic solvent treatment step (S3) does not contain alkali and the case where alkali is contained.
A resist pattern for KrF (krypton fluoride) excimer laser is formed over the entire surface of the silicon wafer W, and using this as a mask, As (arsenic) is dosed on the surface of the wafer W at a dose of 1 × 10 16 atoms / cm 2 . Ions implanted at an energy of 40 kev and cut into chips were used as samples, and the samples were subjected to the following first to third tests. And the presence or absence and the extent of the remaining resist on the chip after the test were observed using an electron microscope. In addition, the mixing ratio of H 2 SO 4 and H 2 O 2 in the SPM used for each test was 2: 1, and the immersion time of SPM was 1 minute.
<First test>
In a beaker, the sample was immersed in hot IPA. This IPA does not contain ants such as NH 4 OH, and the liquid temperature of IPA is 70 ° C. The sample was then immersed in SPM.
<Second test>
In a beaker, the sample was immersed in hot IPA. NH 4 OH is added to this IPA. The addition concentration of NH 4 OH is an addition concentration equivalent to IPA used in the organic solvent treatment step (S3) described above. The liquid temperature of IPA is 70 ° C. The sample was then immersed in SPM.
<Third test>
In a beaker, the sample was immersed in SPM without immersion of high temperature IPA.
この第2のレジスト除去試験の結果を図7に示す。図7では、レジスト残りがほとんど生じていない場合を「◎」、ほんの僅かのレジスト残りが生じている場合を「○」、多量のレジスト残りが生じている場合を「×」として示す。
図7に示すように、SPM供給に先立って高温のIPAを供給した試験1では、レジスト残りがほんの僅かながら見られた。また、アルカリを添加した高温のIPAをSPM供給に先立って供給した試験2では、レジスト残りがほとんど見られなかった。
The result of the second resist removal test is shown in FIG. In FIG. 7, “◎” indicates that almost no resist residue is generated, “◯” indicates that only a small amount of resist residue is generated, and “x” indicates that a large amount of resist residue is generated.
As shown in FIG. 7, in the test 1 in which the high temperature IPA was supplied prior to the SPM supply, only a slight amount of resist residue was observed. In Test 2 in which high-temperature IPA to which alkali was added was supplied prior to SPM supply, almost no resist residue was observed.
第2のレジスト除去試験の結果から、アルカリを添加したIPAをSPM供給に先立って供給した方が、アルカリを添加しないIPAを供給した場合よりも、高いレジスト除去性能を発揮できていることがわかる。
以上によりこの実施形態によれば、基板Wの上面に対するSPMの供給に先立って、その基板Wの上面に、高温(たとえば約70℃)の液体のIPAが供給される。このような高温に保たれている有機溶剤は、高い熱エネルギーを有している。また、IPAが液体状であるので、IPAの分子は、レジストの表面の硬化層と高い接触効率で接触する。十分な熱エネルギーを有するIPAの分子が、高い接触効率で硬化層と接触するので、IPAがレジストの表面の硬化層に浸透する。IPAの浸透により、硬化層は変質し軟化する。
From the result of the second resist removal test, it can be seen that the IPA to which alkali is added prior to the SPM supply can exhibit higher resist removal performance than the case of supplying IPA to which no alkali is added. .
As described above, according to this embodiment, prior to the supply of the SPM to the upper surface of the substrate W, high temperature (for example, about 70 ° C.) liquid IPA is supplied to the upper surface of the substrate W. Such an organic solvent kept at a high temperature has high thermal energy. Further, since IPA is in a liquid state, IPA molecules come into contact with the hardened layer on the resist surface with high contact efficiency. Since IPA molecules having sufficient thermal energy come into contact with the hardened layer with high contact efficiency, IPA penetrates into the hardened layer on the surface of the resist. Due to the penetration of IPA, the hardened layer is altered and softened.
IPAの供給後に、基板Wの上面にSPMが供給される。軟化した硬化層にSPMが供給されるので、SPMがレジストの内部の全域に行き渡る。これにより、基板Wの上面からレジストを良好に除去できる。
また、SPM処理工程(S6)の実行に先立って、第1の乾燥工程(S5)によって基板Wの上面が振り切り乾燥される。これにより、SPM処理工程(S6)において、SPMを、その供給直後から基板Wの上面のレジストに作用させることができる。
After the supply of IPA, SPM is supplied to the upper surface of the substrate W. Since the SPM is supplied to the softened hardened layer, the SPM spreads throughout the resist. Thereby, the resist can be satisfactorily removed from the upper surface of the substrate W.
Prior to the execution of the SPM processing step (S6), the upper surface of the substrate W is shaken and dried by the first drying step (S5). Thereby, in the SPM processing step (S6), SPM can be applied to the resist on the upper surface of the substrate W immediately after the supply.
また、有機溶剤処理工程(S3)後に、第1のリンス工程(S4)が実行されることによって、有機溶剤処理工程(S3)において発生するIPAの雰囲気を基板Wの上面の周辺から排除できる。これにより、一連のレジスト除去処理後におけるパーティクルの発生を抑制または防止できる。
また、アルカリ(NHOH)が添加されたIPAを基板Wの上面に供給する。レジストの硬化層は、含有するカーボンがアモルファス状になっている部分があるので、アルカリ溶液に溶解し易い。そのため、アルカリが添加されたIPAを基板Wの上面に供給することにより、当該IPAは、レジストの硬化層を溶解しながら浸透する。これにより、レジストの硬化層を、より効果的に軟化させることができる。
In addition, after the organic solvent treatment step (S3), the first rinsing step (S4) is performed, whereby the IPA atmosphere generated in the organic solvent treatment step (S3) can be excluded from the periphery of the upper surface of the substrate W. Thereby, generation | occurrence | production of the particle after a series of resist removal processes can be suppressed or prevented.
Further, IPA to which alkali (NH 4 OH) is added is supplied to the upper surface of the substrate W. The cured layer of the resist is easily dissolved in an alkaline solution because there is a portion where the contained carbon is amorphous. Therefore, by supplying IPA to which alkali is added to the upper surface of the substrate W, the IPA permeates while dissolving the hardened layer of the resist. Thereby, the hardened layer of the resist can be softened more effectively.
また、有機溶剤処理工程(S3)に並行して、基板Wの裏面に温水が供給される。基板Wの裏面への温水の供給により、基板Wを加温することができ、基板Wを介して、基板Wの上面に供給されたIPAを保持させることができる。これにより、基板W表面上での有機溶剤の温度低下を抑制することができ、その結果、レジストの硬化層を、より効果的に軟化させることができる。   In parallel with the organic solvent treatment step (S3), hot water is supplied to the back surface of the substrate W. By supplying hot water to the back surface of the substrate W, the substrate W can be heated, and the IPA supplied to the upper surface of the substrate W can be held via the substrate W. Thereby, the temperature fall of the organic solvent on the board | substrate W surface can be suppressed, As a result, the hardened layer of a resist can be softened more effectively.
以上、この発明の一実施形態について説明したが、本発明は他の形態で実施することもできる。
前述の実施形態では、有機溶剤処理工程(S3)において、基板を有機溶剤回転速度(たとえば約300rpm)で回転させながら、基板Wの上面にIPAを供給し続ける場合を例に挙げて説明したが、基板Wの回転速度を零または低速の状態で行うことにより、基板Wの上面の全域を覆うIPAの液膜を形成してもよい。この場合、IPAに零または小さな遠心力しか作用しないので、基板Wの上面にIPAが滞留して液膜を形成させることにより、基板Wの上面の全域にIPAの液膜が形成される。この場合でも、前述の実施形態の場合と同様に、レジストの硬化層への浸透を図ることができる。なお、基板Wの上面にIPAが液盛りされた後は、IPAの供給を停止するようにしてもよい。
As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form.
In the above-described embodiment, the case where the IPA is continuously supplied to the upper surface of the substrate W while rotating the substrate at the organic solvent rotation speed (for example, about 300 rpm) in the organic solvent treatment step (S3) has been described as an example. An IPA liquid film covering the entire upper surface of the substrate W may be formed by performing the rotation speed of the substrate W at zero or at a low speed. In this case, since only zero or a small centrifugal force acts on the IPA, the IPA stays on the upper surface of the substrate W to form a liquid film, whereby an IPA liquid film is formed over the entire upper surface of the substrate W. Even in this case, the penetration of the resist into the cured layer can be achieved as in the case of the above-described embodiment. Note that after the IPA is deposited on the upper surface of the substrate W, the supply of IPA may be stopped.
前述の実施形態において、IPAに対するNHOH(アルカリ)水溶液の添加割合は、高濃度(約30%)のNHOH水溶液がIPA:NHOH溶液=100:1の割合以下の割合であることが好ましい。アルカリを多く含むと、アンモニア水溶液中の水分が、レジストへのIPA接触を阻害するので、レジストの硬化層に対するIPAの浸透度合いが低下するおそれがあるからである。 In the above-described embodiment, the addition ratio of the NH 4 OH (alkaline) aqueous solution to IPA is a ratio in which the high concentration (about 30%) of the NH 4 OH aqueous solution is equal to or less than the ratio of IPA: NH 4 OH solution = 100: 1. It is preferable. If a large amount of alkali is contained, the moisture in the aqueous ammonia solution inhibits IPA contact with the resist, so that the degree of penetration of IPA into the cured layer of the resist may be reduced.
有機溶剤処理工程(S3)時に基板Wの裏面に供給される温調流体として、温水を例に挙げて説明したが、温水に代えて乾燥ガスや蒸気を、基板Wの裏面に供給することもできる。なお、有機溶剤処理工程(S3)時に温調流体を基板Wの裏面に供給しなくてもよい。
また、図3の処理例では、第1のリンス液供給工程(S4)を設けたが、第1のリンス液供給工程(S4)を省略してもよい。この場合、有機溶剤処理工程(S3)の実行後、次いで、第1の乾燥工程(ステップS5)が行われる。このとき、制御装置3は、乾燥回転速度(たとえば数千rpm)まで基板Wを加速させ、乾燥回転速度で基板Wを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板W上のIPAに加わり、基板Wに付着しているIPAが基板Wの周囲に振り切られて、基板Wが乾燥する。
As the temperature control fluid supplied to the back surface of the substrate W during the organic solvent treatment step (S3), hot water has been described as an example. However, dry gas or vapor may be supplied to the back surface of the substrate W instead of hot water. it can. In addition, it is not necessary to supply the temperature control fluid to the back surface of the substrate W during the organic solvent treatment step (S3).
In the processing example of FIG. 3, the first rinsing liquid supply step (S4) is provided, but the first rinsing liquid supply step (S4) may be omitted. In this case, after execution of the organic solvent treatment step (S3), the first drying step (step S5) is then performed. At this time, the control device 3 accelerates the substrate W to a drying rotation speed (for example, several thousand rpm), and rotates the substrate W at the drying rotation speed. Thereby, a large centrifugal force is applied to the IPA on the substrate W, and the IPA adhering to the substrate W is shaken off around the substrate W, and the substrate W is dried.
また、前記の実施形態において、有機溶剤の一例として、IPAを例示したが、有機溶剤としては、IPAの他に、メタノール、エタノール、HFE(ハイドロフロロエーテル)およびアセトンのうちの少なくとも1つを含む液を用いることができる。また、有機溶剤としては、単体成分のみからなる場合だけでなく、他の成分と混合した液体であってもよい。たとえば、IPAとアセトンの混合液であってもよいし、IPAとメタノールの混合液であってもよい。   Moreover, in the said embodiment, although IPA was illustrated as an example of an organic solvent, as an organic solvent, at least one of methanol, ethanol, HFE (hydrofluoroether), and acetone is included in addition to IPA. A liquid can be used. Further, the organic solvent may be a liquid mixed with other components as well as a case where it is composed of only a single component. For example, a mixed solution of IPA and acetone or a mixed solution of IPA and methanol may be used.
また、前述の実施形態では、SPM供給ユニット6として、HSOおよびHの混合をSPMノズル14の内部で行うノズル混合タイプのものを例に挙げて説明したが、SPMノズル14の上流側に配管を介して接続された混合部を設け、この混合部において、HSOとHとの混合が行われる配管混合タイプのものを採用することもできる。 In the above-described embodiment, the SPM supply unit 6 is described as an example of a nozzle mixing type in which H 2 SO 4 and H 2 O 2 are mixed inside the SPM nozzle 14. It is also possible to employ a pipe-mixing type in which a mixing section connected via a pipe is provided on the upstream side of the pipe, and in this mixing section, H 2 SO 4 and H 2 O 2 are mixed.
また、前述の各実施形態では、基板処理装置1が、円板状の基板Wを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置1は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板Wを処理する装置であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
In each of the above-described embodiments, the case where the substrate processing apparatus 1 is an apparatus that processes the disk-shaped substrate W has been described. However, the substrate processing apparatus 1 is a polygonal substrate such as a substrate for a liquid crystal display device. An apparatus for processing W may be used.
In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.
1 基板処理装置
3 制御装置(制御手段)
5 スピンチャック(基板保持手段)
6 SPM供給ユニット(硫酸過酸化水素水混合液供給手段)
7 有機溶剤供給ユニット(有機溶剤供給手段)
8 リンス液供給ユニット(水供給手段)
9 カップ
13 スピンモータ(回転手段)
43 温調液流通配管(温調流体供給手段)
44 温調液供給配管(温調流体供給手段)
45 温調液バルブ(温調流体供給手段)
46 裏面ノズル(温調流体供給手段)
A1 回転軸線
W 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 3 Control apparatus (control means)
5 Spin chuck (substrate holding means)
6 SPM supply unit (Sulfate hydrogen peroxide solution mixture supply means)
7 Organic solvent supply unit (Organic solvent supply means)
8 rinse liquid supply unit (water supply means)
9 cup 13 spin motor (rotating means)
43 Temperature control fluid distribution piping (temperature control fluid supply means)
44 Temperature control liquid supply piping (temperature control fluid supply means)
45 Temperature control valve (temperature control fluid supply means)
46 Back nozzle (Temperature control fluid supply means)
A1 Axis of rotation W Substrate

Claims (12)

  1. 基板の表面からレジストを除去するための基板処理方法であって、
    前記基板を、当該基板の表面の中央部を通る回転軸線回りに回転させる回転工程と、
    前記回転工程に並行して、常温よりも高くかつ沸点未満の液温を有する液体の有機溶剤を、前記基板の表面の全域に連続流状に供給する有機溶剤供給工程と、
    前記有機溶剤供給工程が行われた後に、前記回転工程に並行して、前記有機溶剤が除去された後の前記基板の表面の全域に硫酸過酸化水素水混合液を供給する硫酸過酸化水素水混合液供給工程とを含む、基板処理方法。
    A substrate processing method for removing a resist from a surface of a substrate,
    A rotation step of rotating the substrate around a rotation axis passing through a central portion of the surface of the substrate;
    In parallel with the rotating step, an organic solvent supplying step of supplying a liquid organic solvent having a liquid temperature higher than normal temperature and lower than the boiling point to the entire surface of the substrate in a continuous flow,
    After the organic solvent supplying step is performed, in parallel with the rotating step, the sulfuric acid hydrogen peroxide solution for supplying the sulfuric acid hydrogen peroxide solution mixed solution to the entire surface of the substrate after the organic solvent is removed. A substrate processing method including a mixed liquid supply step.
  2. 前記有機溶剤供給工程が行われた後、前記硫酸過酸化水素水混合液供給工程の実行に先立って、前記基板の表面から液体を除去して前記基板を乾燥させる乾燥工程をさらに含む、請求項1に記載の基板処理方法。   The method further comprises a drying step of removing the liquid from the surface of the substrate and drying the substrate prior to the execution of the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution after the organic solvent supply step is performed. 2. The substrate processing method according to 1.
  3. 前記有機溶剤供給工程が行われた後、前記硫酸過酸化水素水混合液供給工程の実行に先立って、前記基板の表面に水を供給して、前記基板の表面から有機溶剤を洗い流す水洗工程をさらに含む、請求項1または2に記載の基板処理方法。   After the organic solvent supply step is performed, prior to the execution of the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution, water is supplied to the surface of the substrate, and a water washing step of washing away the organic solvent from the surface of the substrate is performed. The substrate processing method according to claim 1, further comprising:
  4. 前記水洗工程は、前記基板に供給された水を前記基板の周縁部から前記基板の周囲に排出することにより、前記基板の周囲を包囲するカップ内に浮遊している、前記有機溶剤のヒュームを前記基板の周辺から排除するヒューム排除工程を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。   In the washing step, the water supplied to the substrate is discharged from the peripheral edge of the substrate to the periphery of the substrate, whereby the organic solvent fume floating in the cup surrounding the periphery of the substrate is removed. The substrate processing method as described in any one of Claims 1-3 including the fume removal process excluded from the periphery of the said board | substrate.
  5. 前記有機溶剤供給工程に並行して実行され、前記基板の前記表面と反対側の裏面に温度が調節された温調流体を供給する温調流体供給工程をさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。   The temperature control fluid supply process which is performed in parallel with the said organic solvent supply process, and further supplies the temperature control fluid by which the temperature was adjusted to the back surface on the opposite side to the said surface of the said board | substrate. The substrate processing method according to claim 1.
  6. 前記硫酸過酸化水素水混合液供給工程に並行して、前記基板の表面に赤外線を照射して少なくとも前記基板の表面を加熱する加熱工程をさらに含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理方法。   6. The method according to claim 1, further comprising a heating step of heating at least the surface of the substrate by irradiating infrared rays onto the surface of the substrate in parallel with the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide. The substrate processing method as described.
  7. 表面にレジストが形成されている基板を保持する基板保持手段と、
    前記基板保持手段に保持されている基板を、当該基板の表面の中央部を通る回転軸線回りに回転させる回転手段と、
    前記基板保持手段に保持されている基板の表面に、常温よりも高くかつ沸点未満の液温を有する液体の有機溶剤を供給するための有機溶剤供給手段と、
    前記基板保持手段に保持されている基板の表面に硫酸過酸化水素水混合液を供給する硫酸過酸化水素水混合液供給手段と、
    前記回転手段および前記有機溶剤供給手段を制御する制御手段とを含み、
    前記制御手段は、前記回転手段によって、前記基板を、当該基板の表面の中央部を通る回転軸線回りに回転させる回転工程と、前記回転工程に並行して、前記有機溶剤供給手段によって、前記有機溶剤を、前記基板の表面の全域に連続流状に供給する有機溶剤供給工程と、前記有機溶剤供給工程が行われた後に、前記回転工程に並行して、前記硫酸過酸化水素水混合液供給手段によって、前記有機溶剤が除去された後の前記基板の表面の全域に硫酸過酸化水素水混合液を供給する硫酸過酸化水素水混合液供給工程とを実行する制御手段とを含む、基板処理装置。
    Substrate holding means for holding a substrate having a resist formed on the surface;
    Rotating means for rotating the substrate held by the substrate holding means around a rotation axis passing through the center of the surface of the substrate;
    An organic solvent supply means for supplying a liquid organic solvent having a liquid temperature higher than room temperature and lower than the boiling point to the surface of the substrate held by the substrate holding means;
    A sulfuric acid hydrogen peroxide solution mixture supplying means for supplying a sulfuric acid hydrogen peroxide solution mixture to the surface of the substrate held by the substrate holding means;
    Control means for controlling the rotating means and the organic solvent supply means,
    The control means rotates the substrate about a rotation axis passing through the center of the surface of the substrate by the rotation means, and the organic solvent supply means performs the organic process in parallel with the rotation process. Supplying the solvent in a continuous flow to the entire surface of the substrate, and supplying the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide in parallel with the rotation step after the organic solvent supply step is performed And a control means for performing a sulfuric acid hydrogen peroxide solution mixture supplying step of supplying a sulfuric acid hydrogen peroxide solution mixture to the entire surface of the substrate after the organic solvent is removed by the means. apparatus.
  8. 前記制御装置は、前記有機溶剤供給工程が行われた後、前記硫酸過酸化水素水混合液供給工程の実行に先立って、前記基板回転手段によって前記基板を回転させることにより当該基板の表面の液体を前記基板の周囲に振り切って、前記基板を乾燥させる振り切り乾燥工程をさらに実行する、請求項7に記載の基板処理装置。   After the organic solvent supplying step is performed, the control device rotates the substrate by the substrate rotating means prior to the execution of the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution, thereby liquid on the surface of the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 7, further comprising a step of drying the substrate around the substrate to dry the substrate.
  9. 前記基板保持手段に保持されている基板の表面に水を供給する水供給手段をさらに含み、
    前記制御装置は、前記有機溶剤供給工程が行われた後、前記硫酸過酸化水素水混合液供給工程の実行に先立って、前記水供給手段を制御して前記基板の表面に水を供給して、前記基板の表面から有機溶剤を洗い流す水洗工程をさらに実行する、請求項7または8に記載の基板処理装置。
    Water supply means for supplying water to the surface of the substrate held by the substrate holding means;
    The control device controls the water supply means to supply water to the surface of the substrate prior to the execution of the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution after the organic solvent supply step is performed. The substrate processing apparatus according to claim 7, further comprising a water washing step of washing away the organic solvent from the surface of the substrate.
  10. 前記制御装置は、前記水洗工程において、前記基板に供給された水を前記基板の周縁部から前記基板の周囲に排出することにより、前記基板の周囲を包囲するカップ内に浮遊している、前記有機溶剤のヒュームを前記基板の周辺から排除するヒューム排除工程をさらに実行する、請求項7〜9のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The control device floats in a cup surrounding the substrate by discharging water supplied to the substrate from the peripheral portion of the substrate to the periphery of the substrate in the water washing step. The substrate processing apparatus according to claim 7, further comprising a fume removal step of removing organic solvent fume from the periphery of the substrate.
  11. 前記基板の前記表面と反対側の裏面に温度が調節された温調流体を供給する温調流体供給手段をさらに含み、
    前記制御装置は、前記有機溶剤供給工程に並行して実行され、前記温調流体供給手段を制御して、前記基板の前記表面と反対側の裏面に前記温調流体を供給する温調流体供給工程をさらに実行する、請求項7〜10のいずれか一項に記載の基板処理装置。
    Temperature control fluid supply means for supplying a temperature control fluid whose temperature is adjusted to the back surface opposite to the front surface of the substrate;
    The control device is executed in parallel with the organic solvent supply step, controls the temperature adjustment fluid supply means, and supplies the temperature adjustment fluid to the back surface opposite to the surface of the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 7, further executing a process.
  12. 前記制御装置が、前記硫酸過酸化水素水混合液供給工程に並行して、前記基板の表面に赤外線を照射して少なくとも前記基板の表面を加熱する加熱工程をさらに実行する、請求項7〜11のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The said control apparatus further performs the heating process which irradiates infrared rays to the surface of the said board | substrate, and heats at least the surface of the said board | substrate in parallel with the said sulfuric acid hydrogen peroxide aqueous solution supply process. The substrate processing apparatus as described in any one of these.
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