JPH113846A - Device and method for treating wafer - Google Patents
Device and method for treating waferInfo
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- JPH113846A JPH113846A JP15372697A JP15372697A JPH113846A JP H113846 A JPH113846 A JP H113846A JP 15372697 A JP15372697 A JP 15372697A JP 15372697 A JP15372697 A JP 15372697A JP H113846 A JPH113846 A JP H113846A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板や液晶
用ガラス基板等に対して使用する基板処理装置およびそ
れを用いた基板処理方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus used for a semiconductor substrate, a liquid crystal glass substrate, and the like, and a substrate processing method using the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体ウエハおよびガラス基板等の基板
の製造工程では、フォトレジスト液等の所定の塗布液の
塗布処理、現像処理、洗浄処理および熱処理(加熱処理
および冷却処理)等の複数の処理が行われる。2. Description of the Related Art In a process of manufacturing a substrate such as a semiconductor wafer and a glass substrate, a plurality of processes such as a coating process of a predetermined coating solution such as a photoresist solution, a developing process, a cleaning process and a heat treatment (heating process and cooling process) are performed. Is performed.
【0003】これに対して、従来では、基板処理装置
に、所定の塗布液の塗布処理、現像処理、洗浄処理およ
び熱処理等の処理を専用に行う専用ユニットを各処理ご
とに並列に搭載するか、或いは、特定の処理を専用に行
う処理装置を処理の種類分だけ導入することにより対応
している。On the other hand, conventionally, a dedicated unit that exclusively performs processing such as coating processing of a predetermined coating liquid, development processing, cleaning processing, and heat treatment is mounted on a substrate processing apparatus in parallel for each processing. Alternatively, a processing device dedicated to a specific process is introduced by the type of the process.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】このため、前述の従来
の装置構成では、基板に対して行われる処理の種類分だ
け装置に専用ユニットを搭載するか、或いは処理装置を
購入する必要があるので、フットプリントが増大し、高
コストになるという問題がある。For this reason, in the above-described conventional apparatus configuration, it is necessary to mount a dedicated unit in the apparatus or to purchase a processing apparatus for the type of processing performed on the substrate. However, there is a problem that the footprint increases and the cost increases.
【0005】そこで、本発明は前記問題点に鑑み、フッ
トプリントを減少させ、低コスト化を図ることができる
基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的
とする。In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of reducing a footprint and reducing costs.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の技術的手段は、回転自由度を有する基板保持手段と、
前記基板保持手段によって保持された基板に対して、所
定の塗布液の塗布処理、現像処理、洗浄処理および熱処
理のうちの2種類以上の処理を実行可能な処理手段と、
を備えていることを特徴とする。Technical means for achieving the above object include a substrate holding means having a rotational degree of freedom,
Processing means capable of executing two or more types of processing of a predetermined coating liquid application processing, a development processing, a cleaning processing, and a heat treatment on the substrate held by the substrate holding means;
It is characterized by having.
【0007】好ましくは、前記処理手段は、前記現像処
理と前記洗浄処理とを行うためのものであるのがよい。Preferably, the processing means is for performing the developing process and the cleaning process.
【0008】また、好ましくは、前記処理手段は、前記
基板上に現像液を供給するための現像液ノズルと、前記
基板上に純水を供給するための純水ノズルと、前記基板
の表面、または前記純水ノズルから供給された前記基板
上の純水に接触させ、基板表面を洗浄するための洗浄ブ
ラシと、を備えているのがよい。Preferably, the processing means includes a developer nozzle for supplying a developer onto the substrate, a pure water nozzle for supplying pure water onto the substrate, a surface of the substrate, Alternatively, a cleaning brush for cleaning the substrate surface by contacting the pure water on the substrate supplied from the pure water nozzle may be provided.
【0009】さらに、好ましくは、前記処理手段は、前
記現像液ノズルおよび前記洗浄ブラシを所定の待避位置
から前記基板上に移送するとともに、前記基板上にて支
持する支持アームをさらに備えているのがよい。Further, preferably, the processing means further includes a support arm for transferring the developer nozzle and the cleaning brush from a predetermined retracted position onto the substrate and supporting the developer nozzle and the cleaning brush on the substrate. Is good.
【0010】また、前記目的を達成するための技術的手
段は、回転自由度を有する基板保持手段によって保持さ
れた基板に対して、所定の塗布液の塗布処理、現像処
理、洗浄処理および熱処理のうちの2種類以上の処理を
実行することを特徴とする。Further, the technical means for achieving the above object includes a coating process of a predetermined coating solution, a developing process, a cleaning process, and a heat treatment for the substrate held by the substrate holding device having a rotational degree of freedom. It is characterized in that two or more types of processing are executed.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】図1は本発明の第1実施形態に係
る基板処理装置の構成を示す図であり、この基板処理装
置1は、基板Wの搬送を行う搬送ユニット3と、図示し
ないカセットに対して基板Wの取出し、および収納を行
いつつ、基板搬送ユニット3に対して基板Wの授受を行
うインデクサ5と、基板Wにフォトレジスト液を塗布す
る塗布ユニット7と、基板Wの表裏を反転させる反転ユ
ニット9と、現像処理および洗浄処理を行うスピンナー
ユニット(回転式基板処理部)11と、露光ユニット1
3と、加熱および冷却処理を行う熱処理ユニット15と
を備えており、このうちスピンナーユニット11が本実
施形態の特徴とするところである。FIG. 1 is a view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1 includes a transfer unit 3 for transferring a substrate W and a not-shown unit. An indexer 5 for transferring the substrate W to and from the substrate transport unit 3 while taking out and storing the substrate W in and from the cassette; an application unit 7 for applying a photoresist liquid to the substrate W; Unit 9 for reversing the process, a spinner unit (rotary substrate processing unit) 11 for performing a developing process and a cleaning process, and an exposure unit 1
3 and a heat treatment unit 15 for performing heating and cooling treatments, of which the spinner unit 11 is a feature of the present embodiment.
【0012】図2はスピンナーユニット11の平面図で
あり、図3はスピンナーユニット11に備えられる支持
アームの断面図であり、このスピンナーユニット11
は、回転自由度を有する基板保持部21(基板保持手
段)と、基板W上に現像液を供給するための現像液ノズ
ル23と、基板Wの上面を洗浄するための洗浄ブラシ2
5と、基板W上に純水を供給するための純水ノズル27
と、現像液ノズル23および洗浄ブラシ25を支持する
支持アーム31とを備えている。FIG. 2 is a plan view of the spinner unit 11, and FIG. 3 is a sectional view of a support arm provided in the spinner unit 11.
Are a substrate holder 21 (substrate holder) having a degree of freedom of rotation, a developer nozzle 23 for supplying a developer onto the substrate W, and a cleaning brush 2 for cleaning the upper surface of the substrate W.
5 and a pure water nozzle 27 for supplying pure water onto the substrate W
And a support arm 31 that supports the developer nozzle 23 and the cleaning brush 25.
【0013】支持アーム31は、基端部の旋回中心P1
を中心に旋回可能に、かつ昇降可能に備えられている。
この支持アーム31の先端部の下面には、現像液ノズル
23の放出口23aおよび洗浄ブラシ25が左右に並列
して備えられており、支持アーム31が旋回されるのに
伴って、現像液ノズル23の放出口23aおよび洗浄ブ
ラシ25が、旋回中心P1を中心に基板保持部21の外
側の図2に示される位置(待避位置)から、基板保持部
21によって保持された基板Wの上方にかけて旋回移動
する。The support arm 31 has a pivot center P1 at the base end.
Is provided so as to be able to turn around and to be able to move up and down.
A discharge port 23a of the developer nozzle 23 and a cleaning brush 25 are provided on the lower surface of the distal end of the support arm 31 in parallel on the left and right sides. The discharge port 23a of 23 and the cleaning brush 25 are turned around the turning center P1 from the position (retreat position) outside the substrate holding unit 21 shown in FIG. 2 to a position above the substrate W held by the substrate holding unit 21. Moving.
【0014】洗浄ブラシ25は、円柱形のブラシ台25
aと、そのブラシ台25a下面の円形領域に植毛された
樹脂製のブラシ部25bとを備えている。この洗浄ブラ
シ25のブラシ台25aは、モータ41の回転軸に連結
されており、モータ41により回転駆動されて自転する
ようになっている。この洗浄ブラシ25は着脱式になっ
ており、容易に交換等が行えるようになっている。な
お、ここでは、モータ41を備えて洗浄ブラシ25を自
転させてるようにしたが、洗浄ブラシ25を自転させな
い構成としてもよい。The cleaning brush 25 includes a cylindrical brush base 25.
a, and a resin brush portion 25b planted in a circular area on the lower surface of the brush stand 25a. The brush base 25a of the cleaning brush 25 is connected to a rotation shaft of a motor 41, and is driven to rotate by the motor 41 to rotate. The cleaning brush 25 is detachable and can be easily replaced. Here, the motor 41 is provided to rotate the cleaning brush 25, but the cleaning brush 25 may not rotate.
【0015】図2、図4および図5に示されるように、
基板保持部21の回転台21aには、互いに近接および
離反変位する複数の基板保持部材21bが設けられてお
り、モータ21cにより回転台21aが回転駆動される
と、この基板保持部材21bにより保持された基板Wが
回転するようになっている。As shown in FIGS. 2, 4 and 5,
A plurality of substrate holding members 21b that move toward and away from each other are provided on a turntable 21a of the substrate holding unit 21. When the turntable 21a is rotated by a motor 21c, the turntable 21a is held by the turntable 21a. The substrate W is rotated.
【0016】純水ノズル27は、搬送ユニット3による
スピンナーユニット11の基板保持部21への基板Wの
装填等の障害にならないように、基板保持部21の外側
に固定されている。The pure water nozzle 27 is fixed outside the substrate holding unit 21 so as not to hinder the loading of the substrate W into the substrate holding unit 21 of the spinner unit 11 by the transport unit 3.
【0017】搬送ユニット3は、搬送路43内を往復移
動する移動台45上に搭載され基板保持アーム47を備
えており、インデクサ5から受け取った基板Wを、この
保持アーム47により、後述する所定の処理工程に従っ
て各ユニット7,9,11,13,15に装填してゆ
き、全ての処理が終了すると、インデクサ5に渡す。The transport unit 3 is provided with a substrate holding arm 47 mounted on a moving table 45 that reciprocates in the transport path 43, and the substrate W received from the indexer 5 is moved by the holding arm 47 to a predetermined position to be described later. Are loaded into each of the units 7, 9, 11, 13, 15 according to the processing steps described above, and when all the processing is completed, they are transferred to the indexer 5.
【0018】塗布ユニット7は、前述のスピンナーユニ
ット11の基板保持部21と同様な図示しない基板保持
部を有しており、基板Wを回転させつつ、その基板Wに
フォトレジスト液を塗布する。なお、ここでは、この塗
布ユニット7により、フォトレジスト液を塗布するよう
にしたが、基板Wに絶縁膜や保護膜を形成するためのポ
リイミド樹脂およびシリカ系被膜形成用塗布液であるS
OG材等の他の塗布液を塗布するようにしてもよい。The coating unit 7 has a substrate holder (not shown) similar to the substrate holder 21 of the spinner unit 11, and applies a photoresist liquid to the substrate W while rotating the substrate W. Here, the coating liquid is applied by the coating unit 7, but a polyimide resin for forming an insulating film and a protective film on the substrate W and a coating liquid for forming a silica-based coating are used.
Another coating liquid such as an OG material may be applied.
【0019】熱処理ユニット15は、図示しない加熱部
と冷却部とを少なくとも1組備えており、加熱処理およ
び加熱により熱せられた基板Wの冷却処理を行うように
なっている。The heat treatment unit 15 has at least one set of a heating unit and a cooling unit (not shown), and performs a heating process and a cooling process for the substrate W heated by heating.
【0020】図6は、基板処理装置1の基板処理工程を
示すフローチャートである。インデクサ5から搬送ユニ
ット3が受け取った基板Wは、ステップS1で塗布ユニ
ット7に送られ、その主面側にフォトレジスト液が塗布
され、ステップS2で反転ユニット9に送られ、表裏が
反転された後、ステップS3でスピンナーユニット11
に送られ、洗浄処理が行われる。FIG. 6 is a flowchart showing a substrate processing step of the substrate processing apparatus 1. The substrate W received by the transport unit 3 from the indexer 5 is sent to the coating unit 7 in step S1, the photoresist liquid is applied to the main surface thereof, and sent to the reversing unit 9 in step S2, and the front and back are reversed. Then, in step S3, the spinner unit 11
And a cleaning process is performed.
【0021】ステップS3の洗浄処理では、基板Wが基
板保持部21に装填されると、基板保持部21によって
基板Wが回転され、純水ノズル27から基板W上に純水
が供給されるとともに、支持アーム31が、図4に示さ
れるように、洗浄ブラシ25が待避位置から基板Wの上
方に至るまで旋回された後、下降され、洗浄ブラシ25
が基板Wの上面(裏面)に接触され、または、洗浄ブラ
シ25が基板Wとは接触せずに純水ノズル27から供給
された基板W上の純水のみに接触され、基板Wの裏面側
の洗浄が行われる。このとき、洗浄ブラシ25は、モー
タ41によって自転されつつ、旋回アーム31が徐々に
旋回されることによって基板W上で走査され、基板Wの
裏面側全体が洗浄される。洗浄ブラシ25による洗浄が
終了すると、支持アーム31が上昇して待避位置に戻
り、純水ノズル27による純水の供給が停止された後、
さらに基板保持部21による基板Wの回転が続けられ、
基板Wに付着した純水を回転により振り切る振切り乾燥
が行われ、ステップS4に進む。In the cleaning process in step S3, when the substrate W is loaded into the substrate holding unit 21, the substrate W is rotated by the substrate holding unit 21, and pure water is supplied from the pure water nozzle 27 onto the substrate W. The support arm 31 is lowered after the cleaning brush 25 is pivoted from the retracted position to above the substrate W, as shown in FIG.
Is contacted with the upper surface (back surface) of the substrate W, or the cleaning brush 25 is contacted only with pure water on the substrate W supplied from the pure water nozzle 27 without contacting the substrate W, and the back surface side of the substrate W Is performed. At this time, the cleaning brush 25 is scanned on the substrate W by rotating the rotation arm 31 gradually while being rotated by the motor 41, and the entire back surface side of the substrate W is cleaned. When the cleaning by the cleaning brush 25 is completed, the support arm 31 is raised and returned to the retreat position, and after the supply of pure water by the pure water nozzle 27 is stopped,
Further, the rotation of the substrate W by the substrate holding unit 21 is continued,
Shaking-off drying in which the pure water adhering to the substrate W is shaken off by rotation is performed, and the process proceeds to step S4.
【0022】裏面側の洗浄処理が行われた基板Wは、ス
テップS4でスピンナーユニット11から反転ユニット
9に送られ、その表裏が反転され、ステップS5で露光
ユニット13に送られ、露光処理が行われると、ステッ
プS6で再びスピンナーユニット11に送られ、現像処
理が行われる。The substrate W having undergone the cleaning process on the back surface side is sent from the spinner unit 11 to the reversing unit 9 in step S4, where the substrate W is turned over, and is sent to the exposure unit 13 in step S5 to perform the exposure process. Then, in step S6, it is sent to the spinner unit 11 again, and the developing process is performed.
【0023】ステップS6の現像処理では、基板Wが基
板保持部21に装填されると、支持アーム31が、図5
に示されるように、現像液ノズル23が待避位置から基
板Wの上方に至るまで旋回された後、現像液ノズル23
から現像液が基板W上に供給され、基板W表面全体に現
像液が行き渡ると、所定時間放置された後、基板W上へ
の純水ノズル27による純水の供給が開始されるととも
に、基板保持部21による基板Wの回転が開始され、基
板W上の現像液が純水に置換される。この純水置換処理
が終了すると、純水ノズル27からの純水の供給が停止
されるとともに、基板Wの回転が続行され、基板Wに付
着した純水が振切り乾燥により除去され、ステップS7
に進む。In the developing process of step S6, when the substrate W is loaded into the substrate holding section 21, the support arm 31 is moved to the position shown in FIG.
As shown in FIG. 5, after the developer nozzle 23 is swung from the retracted position to above the substrate W, the developer nozzle 23
When the developer is supplied from above to the substrate W, and the developer spreads over the entire surface of the substrate W, after being left for a predetermined time, the supply of pure water to the substrate W by the pure water nozzle 27 is started, and The rotation of the substrate W by the holding unit 21 is started, and the developing solution on the substrate W is replaced with pure water. When this pure water replacement process is completed, the supply of pure water from the pure water nozzle 27 is stopped, and the rotation of the substrate W is continued, and the pure water attached to the substrate W is removed by shaking-drying, and step S7 is performed.
Proceed to.
【0024】ステップS7では、基板Wがスピンナーユ
ニット11から熱処理ユニット15に送られ、加熱処理
およびそれに続く冷却処理が行われた後、搬送ユニット
3によりインデクサ5に渡され、所定のカセットに収納
される。In step S7, the substrate W is sent from the spinner unit 11 to the heat treatment unit 15, subjected to a heating process and a subsequent cooling process, and then transferred to the indexer 5 by the transport unit 3 and stored in a predetermined cassette. You.
【0025】以上のように、本実施形態によれば、スピ
ンナーユニット11にて現像処理と洗浄処理とを行うよ
うにしたので、従来のように現像処理および洗浄処理ご
とに個別に専用のユニットや専用の処理装置を備えるの
に比して、装置構成を簡略化することができ、よって装
置のフットプリントを減少させ、低コスト化を図ること
ができる。As described above, according to the present embodiment, the developing process and the cleaning process are performed by the spinner unit 11, so that a dedicated unit or a separate unit is used for each of the developing process and the cleaning process. Compared to having a dedicated processing device, the configuration of the device can be simplified, so that the footprint of the device can be reduced and the cost can be reduced.
【0026】また、洗浄処理と現像処理とは共に純水を
用いる処理であるとともに、基板Wの回転を伴う処理で
あるので、ユニットの共用化が容易であるため、容易に
実施することができる。In addition, since both the cleaning process and the developing process are processes using pure water and are processes involving the rotation of the substrate W, the units can be easily shared, so that the processes can be easily performed. .
【0027】さらに、現像液ノズル23と洗浄ブラシ2
5とが同一の支持アーム31によって支持されているの
で、構成が簡単であり、装置1の製造コストを削減する
ことができるとともに、例えば従来の洗浄ユニット或い
は現像ユニットを本実施形態のような共用ユニットに変
更する場合、支持アームを新たに設ける必要がなく、比
較的簡単な変更で共用化を行うことができる。Further, the developer nozzle 23 and the cleaning brush 2
5 is supported by the same support arm 31, the configuration is simple, the manufacturing cost of the apparatus 1 can be reduced, and, for example, the conventional cleaning unit or developing unit is shared as in this embodiment. When changing to a unit, it is not necessary to newly provide a support arm, and sharing can be performed with a relatively simple change.
【0028】また、洗浄ブラシ25が着脱式なので、洗
浄ブラシ25の交換等を容易に行うことができる。Since the cleaning brush 25 is detachable, the cleaning brush 25 can be easily replaced.
【0029】図7は、本発明の第2実施形態に係るスピ
ンナーユニット51の構成を示す平面図である。本実施
形態のスピンナーユニット51は、赤外線ランプ53お
よびその赤外線ランプ53を支持する支持アーム55を
備えた点を除いて第1実施形態のスピンナーユニット1
1と同様な構成であり、対応する部分には同一の参照符
号を付して説明を省略する。FIG. 7 is a plan view showing the configuration of a spinner unit 51 according to a second embodiment of the present invention. The spinner unit 51 according to the first embodiment is different from the spinner unit 1 according to the first embodiment except that an infrared lamp 53 and a support arm 55 that supports the infrared lamp 53 are provided.
The configuration is the same as that of No. 1, and the corresponding parts are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
【0030】この赤外線ランプ53は、洗浄処理および
現像処理の最後で、基板Wに付着した水分を加熱乾燥す
るためのものである。赤外線ランプ53を支持する支持
アーム55は、その基端部の旋回中心P2を中心に旋回
可能となっており、この支持アーム55が旋回すると、
その先端部の下面に備えられた赤外線ランプ53が、旋
回中心P2を中心に基板保持部21の外側の図7に示さ
れる位置(待避位置)から、基板保持部21によって保
持された基板Wの上方にかけて公転するようになってい
る。そして、洗浄処理および現像処理の最後では、支持
アーム55が旋回されて赤外線ランプ53が基板Wの上
方に移動され、赤外線ランプ53による加熱乾燥が行わ
れる。The infrared lamp 53 is for heating and drying the moisture adhered to the substrate W at the end of the cleaning process and the developing process. The support arm 55 that supports the infrared lamp 53 is rotatable around a center of rotation P2 at the base end thereof.
The infrared lamp 53 provided on the lower surface of the distal end portion of the substrate W held by the substrate holding unit 21 from the position (retreat position) shown in FIG. It revolves upward. Then, at the end of the cleaning processing and the developing processing, the support arm 55 is turned, the infrared lamp 53 is moved above the substrate W, and the heating and drying by the infrared lamp 53 is performed.
【0031】なお、ここでは、赤外線ランプ53により
基板Wの乾燥を行うようにしたが、光増幅型レジスト処
理において基板Wに塗布されたフォトレジスト液の架橋
反応または分解反応を生じさせるための加熱処理をこの
赤外線ランプ53により行うようにしてもよい。In this case, the substrate W is dried by the infrared lamp 53. However, in the optical amplification type resist processing, the heating for causing a crosslinking reaction or a decomposition reaction of the photoresist liquid applied to the substrate W is performed. The processing may be performed by the infrared lamp 53.
【0032】本実施形態でも、現像処理、洗浄処理およ
び加熱処理が単一のユニット51により行えるので、装
置構成を簡略化することができ、よって装置のフットプ
リントを減少させ、低コスト化を図ることができる等の
第1実施形態と同様な効果が得られる。Also in this embodiment, since the development processing, cleaning processing, and heating processing can be performed by a single unit 51, the configuration of the apparatus can be simplified, thereby reducing the footprint of the apparatus and reducing the cost. For example, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.
【0033】なお、上述の第1および第2実施形態で
は、支持アーム31,55を旋回させることにより、現
像液ノズル23、洗浄ブラシ25および赤外線ランプ5
3を待避位置から基板W上に移動させるようにしたが、
支持アーム31,55を平行移動させることにより、現
像液ノズル23、洗浄ブラシ25および赤外線ランプ5
3を移動させるようにしてもよい。In the first and second embodiments, the developer nozzle 23, the cleaning brush 25, and the infrared lamp 5 are rotated by rotating the support arms 31 and 55.
3 was moved from the retracted position onto the substrate W,
By moving the support arms 31 and 55 in parallel, the developer nozzle 23, the cleaning brush 25, and the infrared lamp 5 are moved.
3 may be moved.
【0034】また、上述の第1および第2実施形態で
は、現像ノズル23および洗浄ブラシ25を単一の支持
アーム31で支持するようにしたが、それぞれ個別の支
持アームで支持するようにしてもよい。In the first and second embodiments described above, the developing nozzle 23 and the cleaning brush 25 are supported by the single support arm 31. However, the development nozzle 23 and the cleaning brush 25 may be supported by individual support arms. Good.
【0035】さらに、上述の第1および第2実施形態で
は、支持アーム31に単一の現像液ノズル23を備えた
が、この現像液ノズル23の他に、他の薬液(例えば洗
浄用の溶液)や純水を供給するためのノズルを備えるよ
うにしてもよい。Further, in the first and second embodiments described above, the support arm 31 is provided with a single developer nozzle 23, but in addition to the developer nozzle 23, another chemical solution (for example, a cleaning solution) is used. ) Or a nozzle for supplying pure water.
【0036】図8は、本発明の第3実施形態に係るスピ
ンナーユニット61の構成を示す平面図である。本実施
形態のスピンナーユニット61は、第1実施形態のスピ
ンナーユニット11と類似しており、互いに対応する部
分には同一の参照符号を付して説明を省略する。FIG. 8 is a plan view showing the configuration of a spinner unit 61 according to a third embodiment of the present invention. The spinner unit 61 of the present embodiment is similar to the spinner unit 11 of the first embodiment, and the corresponding parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.
【0037】このスピンナーユニット61では、ピック
アップアーム63が図8に示される待避位置から基板保
持部21によって保持された基板W上にかけて平行移動
可能に備えられており、現像処理または洗浄処理の際に
は、このピックアップアーム63がそのチャック部63
aにより、載置部65に細緻された現像液ノズル23ま
たは洗浄ブラシ25を選択して保持し、基板W上まで移
動させるようになっている。In the spinner unit 61, the pick-up arm 63 is provided so as to be able to move in parallel from the retracted position shown in FIG. 8 to the substrate W held by the substrate holding portion 21. Is that the pickup arm 63 is
By a, the developer nozzle 23 or the cleaning brush 25 finely arranged on the mounting portion 65 is selected and held, and is moved onto the substrate W.
【0038】本実施形態でも、現像処理および洗浄処理
が単一のユニット61により行えるので、装置構成を簡
略化することができ、よって装置のフットプリントを減
少させ、低コスト化を図ることができる等の第1実施形
態と同様な効果が得られる。Also in this embodiment, since the developing process and the cleaning process can be performed by a single unit 61, the structure of the apparatus can be simplified, so that the footprint of the apparatus can be reduced and the cost can be reduced. The same effects as those of the first embodiment can be obtained.
【0039】なお、本実施形態では、ピックアップアー
ム63に現像液ノズル23および洗浄ブラシ25をピッ
クアップさせて所定位置までに移動させるようにした
が、前述の第2実施形態の赤外線ランプ53もピックア
ップさせて所定位置まで移動させるようにしてもよい。In this embodiment, the pick-up arm 63 picks up the developer nozzle 23 and the cleaning brush 25 and moves them to predetermined positions. However, the pick-up arm 63 also picks up the infrared lamp 53 of the second embodiment. May be moved to a predetermined position.
【0040】また、上述の各実施形態では、スピンナー
ユニット11,51,61での洗浄手段として、洗浄ブ
ラシ25を用いたが、洗浄ブラシ25の代わりに、或い
は洗浄ブラシ25とともに、高圧水流を基板W表面に与
えて洗浄する高圧ジェット洗浄手段、および超音波加振
した洗浄水を基板W表面に与えて洗浄する超音波洗浄手
段のいずれか一方或いは双方を備えるようにしてもよ
い。In each of the above embodiments, the cleaning brush 25 is used as the cleaning means in the spinner units 11, 51, and 61. However, instead of the cleaning brush 25 or together with the cleaning brush 25, the high-pressure water flow is applied to the substrate. One or both of a high-pressure jet cleaning means for applying and cleaning the W surface and an ultrasonic cleaning means for applying and cleaning ultrasonically-vibrated cleaning water to the surface of the substrate W may be provided.
【0041】さらに、上述の各実施形態では、現像処理
および洗浄処理、或いはこれらに加えて熱処理を単一の
ユニットで行うようにしたが、例えば塗布処理と洗浄処
理とを単一のユニットで行うようにしてもよい。Further, in each of the above-described embodiments, the developing process and the cleaning process, or the heat treatment in addition to the developing process and the cleaning process are performed in a single unit. However, for example, the coating process and the cleaning process are performed in a single unit. You may do so.
【0042】[0042]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、請求項
1ないし請求項5記載の発明によれば、所定の塗布液の
塗布処理、現像処理、洗浄処理および熱処理のうちの2
種類以上の処理を基板に対して行うための処理手段が備
えられているので、従来のように各処理ごとに個別に専
用のユニットや専用の処理装置を備えるのに比して、装
置構成を簡略化することができ、よって装置のフットプ
リントを減少させ、低コスト化を図ることができる。As described above, according to the present invention, according to the first to fifth aspects of the present invention, two of coating, developing, cleaning and heat treatment of a predetermined coating solution are performed.
Since processing means for performing more than kinds of processing on the substrate are provided, the apparatus configuration is smaller than in the case where a dedicated unit or a dedicated processing apparatus is individually provided for each processing as in the related art. Simplification can be achieved, thereby reducing the footprint of the device and reducing costs.
【0043】また、請求項2ないし請求項4記載の発明
によれば、洗浄処理と現像処理とは共に純水を用いる処
理であるとともに、基板の回転を伴う処理であるので、
ユニット等の共用化が容易であるため、容易に実施する
ことができる。According to the second to fourth aspects of the present invention, the cleaning process and the developing process are both processes using pure water and processes involving rotation of the substrate.
Since the sharing of the units and the like is easy, it can be easily implemented.
【0044】さらに、請求項5記載の発明によれば、現
像液ノズルと洗浄ブラシとが同一の支持アームによって
支持されるので、構成が簡単であり、装置の製造コスト
を削減することができる。Further, according to the fifth aspect of the present invention, since the developer nozzle and the cleaning brush are supported by the same support arm, the configuration is simple and the manufacturing cost of the apparatus can be reduced.
【図1】本発明の第1実施形態に係る基板処理装置の全
体の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1の基板処理装置に備えられるスピンナーユ
ニットの構成を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a configuration of a spinner unit provided in the substrate processing apparatus of FIG.
【図3】図2のスピンナーユニットに備えられる支持ア
ームの断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a support arm provided in the spinner unit of FIG. 2;
【図4】図2のスピンナーユニットにより基板の洗浄処
理が行われている様子を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a state where a substrate is being cleaned by the spinner unit of FIG. 2;
【図5】図2のスピンナーユニットにより基板の現像処
理が行われている様子を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a state in which the spinner unit of FIG. 2 is performing a developing process on a substrate.
【図6】図1の基板処理装置の基板処理工程を示すフロ
ーチャートである。FIG. 6 is a flowchart showing a substrate processing step of the substrate processing apparatus of FIG. 1;
【図7】本発明の第2実施形態に係るスピンナーユニッ
トの構成を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view illustrating a configuration of a spinner unit according to a second embodiment of the present invention.
【図8】本発明の第3実施形態に係るスピンナーユニッ
トの構成を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view illustrating a configuration of a spinner unit according to a third embodiment of the present invention.
1 基板処理装置 11 スピンナーユニット 21 基板保持部 23 現像液ノズル 25 洗浄ブラシ 31 支持アーム 51,61 スピンナーユニット DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 11 Spinner unit 21 Substrate holding part 23 Developer nozzle 25 Cleaning brush 31 Support arm 51, 61 Spinner unit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/30 569F 571 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 21/30 569F 571
Claims (5)
定の塗布液の塗布処理、現像処理、洗浄処理および熱処
理のうちの2種類以上の処理を実行可能な処理手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。1. A substrate holding means having a degree of freedom of rotation, and two or more types of a coating liquid application processing, a development processing, a cleaning processing, and a heat treatment on a substrate held by the substrate holding means. Processing means capable of executing processing;
A substrate processing apparatus comprising:
浄処理とを行うためのものであることを特徴とする請求
項1に記載の基板処理装置。2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing unit is for performing the developing process and the cleaning process.
前記基板上の純水に接触させ、基板表面を洗浄するため
の洗浄ブラシと、を備えていることを特徴とする請求項
2に記載の基板処理装置。3. The processing means includes: a developing solution nozzle for supplying a developing solution onto the substrate; a pure water nozzle for supplying pure water onto the substrate; and a surface of the substrate or the pure water nozzle. The substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising: a cleaning brush configured to contact pure water on the substrate supplied from a water nozzle to clean a surface of the substrate.
置から前記基板上に移送するとともに、前記基板上にて
支持する支持アームをさらに備えていることを特徴とす
る請求項3に記載の基板処理装置。4. The processing unit further comprises a support arm for transferring the developer nozzle and the cleaning brush from a predetermined retracted position onto the substrate and supporting the developer nozzle and the cleaning brush on the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 3.
て保持された基板に対して、所定の塗布液の塗布処理、
現像処理、洗浄処理および熱処理のうちの2種類以上の
処理を実行することを特徴とする基板処理方法。5. A process of applying a predetermined coating liquid to a substrate held by a substrate holding means having a rotational degree of freedom,
A substrate processing method, wherein two or more types of processing among a development processing, a cleaning processing, and a heat treatment are performed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15372697A JPH113846A (en) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | Device and method for treating wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP15372697A JPH113846A (en) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | Device and method for treating wafer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH113846A true JPH113846A (en) | 1999-01-06 |
Family
ID=15568762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15372697A Pending JPH113846A (en) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | Device and method for treating wafer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH113846A (en) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000208458A (en) * | 1999-01-13 | 2000-07-28 | Ultra Clean Technology Kaihatsu Kenkyusho:Kk | Substrate cleaning unit |
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KR100796750B1 (en) * | 2001-05-21 | 2008-01-22 | 삼성전자주식회사 | Wet equipment |
JP2013182957A (en) * | 2012-02-29 | 2013-09-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
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US10032654B2 (en) | 2012-02-29 | 2018-07-24 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus |
-
1997
- 1997-06-11 JP JP15372697A patent/JPH113846A/en active Pending
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