JP2007103732A - Method and apparatus for processing substrate - Google Patents

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Akio Hashizume
彰夫 橋詰
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Dainippon Screen Mfg Co Ltd
大日本スクリーン製造株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for processing a substrate and an apparatus for processing the substrate for allowing a resist that is used as a mask during ion implantation to be peeled off (removed) in a good condition without damaging the substrate. <P>SOLUTION: In order to peel off the resist from the substrate which is substituted to ion implantation processing, first, the substrate is carried in a vapor processor 1. At the vapor processor 1, an IPA (Isopropyl Alcohol) vapor is supplied to the surface of the substrate to melt a hardened layer formed on the resist surface of the substrate surface. The substrate is subsequently carried from the vapor processor 1 to a resist peeling processor 2, where a resist-peeling liquid is supplied to the substrate surface. Since the hardened layer on the resist surface is melted by the processing at the vapor processor 1 when the resist-peeling liquid is supplied to the substrate surface, the resist is favorably removed from the substrate surface. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイ用ガラス基板、FED(Field Emission Display)用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などに代表される各種基板の表面からレジストを除去するために適用される基板処理方法および基板処理装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for plasma display, a glass substrate for FED (Field Emission Display), an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, and a photomask substrate. The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus applied to remove a resist from the surface of various substrates typified by the above.
半導体装置の製造工程には、たとえば、半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)の表面にリン、砒素、硼素などの不純物(イオン)を局所的に注入する工程が含まれる。この工程では、不所望な部分に対するイオン注入を防止するため、ウエハの表面に感光性樹脂からなるレジストがパターン形成されて、イオン注入を所望しない部分がレジストによってマスクされる。ウエハの表面上にパターン形成されたレジストは、イオン注入の後は不要になるから、イオン注入後には、そのウエハの表面上の不要となったレジストを剥離して除去するためのレジスト除去処理が行われる。   The manufacturing process of a semiconductor device includes, for example, a step of locally implanting impurities (ions) such as phosphorus, arsenic, and boron into the surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”). In this step, in order to prevent ion implantation into an undesired portion, a resist made of a photosensitive resin is patterned on the surface of the wafer, and a portion where ion implantation is not desired is masked by the resist. Since the resist patterned on the surface of the wafer becomes unnecessary after ion implantation, after ion implantation, a resist removal process is performed to remove and remove the unnecessary resist on the surface of the wafer. Done.
レジスト除去処理は、たとえば、アッシング装置でレジスト膜をアッシング(灰化)して除去した後、ウエハを洗浄装置に搬入して、ウエハの表面からアッシング後のレジスト残渣(ポリマ)を除去することによって達成できる。アッシング装置では、たとえば、ウエハを収容した処理室内が酸素ガス雰囲気にされて、その酸素ガス雰囲気中にマイクロ波が放射される。これにより、処理室内に酸素ガスのプラズマ(酸素プラズマ)が発生し、この酸素プラズマがウエハの表面に照射されることによって、ウエハの表面のレジスト膜が分解されて除去される。一方、洗浄装置では、たとえば、ウエハの表面にAPM(ammonia−hydrogen peroxide mixture:アンモニア過酸化水素水)などの薬液が供給されて、ウエハの表面に対して薬液による洗浄処理(レジスト残渣除去処理)が施されることにより、ウエハの表面に付着しているレジスト残渣が除去される。   In the resist removal process, for example, the resist film is removed by ashing (ashing) with an ashing device, and then the wafer is carried into a cleaning device, and the resist residue (polymer) after ashing is removed from the surface of the wafer. Can be achieved. In the ashing apparatus, for example, a processing chamber containing a wafer is made an oxygen gas atmosphere, and microwaves are radiated into the oxygen gas atmosphere. As a result, oxygen gas plasma (oxygen plasma) is generated in the processing chamber, and this oxygen plasma is irradiated onto the surface of the wafer, whereby the resist film on the surface of the wafer is decomposed and removed. On the other hand, in the cleaning apparatus, for example, a chemical solution such as APM (ammonia-hydrogen peroxide mixture) is supplied to the wafer surface, and the wafer surface is cleaned with the chemical solution (resist residue removal process). As a result, the resist residue adhering to the surface of the wafer is removed.
ところが、プラズマによるアッシングは、ウエハの表面のレジスト膜で覆われていない部分(たとえば、露呈した酸化膜)がダメージを受けてしまうという問題を有している。
そのため、プラズマによるアッシングおよびAPMなどの薬液を用いた洗浄処理に代えて、ウエハの表面に硫酸と過酸化水素水との混合液であるSPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水)を供給して、このSPMに含まれるペルオキソ一硫酸(HSO)の強酸化力により、ウエハの表面に形成されているレジストを剥離して除去することが提案されている。
特開2005−109167号公報
However, ashing by plasma has a problem that a portion (eg, exposed oxide film) that is not covered with a resist film on the surface of the wafer is damaged.
Therefore, SPM (sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture) is a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution on the surface of the wafer instead of plasma ashing and cleaning treatment using chemicals such as APM. It is proposed that the resist formed on the surface of the wafer is stripped and removed by the strong oxidizing power of peroxomonosulfuric acid (H 2 SO 5 ) contained in the SPM.
JP 2005-109167 A
ところが、イオン注入(とくに、高ドーズのイオン注入)が行われたウエハでは、レジストの表面が変質(硬化)しているため、レジストを良好に除去できなかったり、レジストを除去するのに時間がかかったりする。
そこで、この発明の目的は、基板にダメージを与えることなく、イオン注入時にマスクとして用いられたレジストを良好に剥離(除去)することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
However, in a wafer that has been subjected to ion implantation (particularly, high-dose ion implantation), the resist surface has been altered (cured), so that the resist cannot be removed satisfactorily, or the time for removing the resist is long. It takes.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of satisfactorily peeling (removing) a resist used as a mask during ion implantation without damaging the substrate.
上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板(W)の表面に、処理液の蒸気を供給する蒸気供給工程と、前記蒸気供給工程の後に、基板の表面に、当該基板の表面からレジストを剥離するためのレジスト剥離液を供給するレジスト剥離液供給工程とを含むことを特徴とする、基板処理方法である。
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 includes a vapor supply step of supplying a vapor of the processing liquid to the surface of the substrate (W), and the substrate on the surface of the substrate after the vapor supply step. And a resist stripping solution supplying step for supplying a resist stripping solution for stripping the resist from the surface of the substrate.
In addition, the alphanumeric characters in parentheses represent corresponding components in the embodiments described later. The same applies hereinafter.
この構成によれば、基板の表面に対するレジスト剥離液の供給に先立って、その基板の表面に処理液の蒸気が供給される。
処理液がレジストの表面に形成された硬化層を溶解可能かつ蒸気化可能なもの、たとえば、IPA(イソプロピルアルコール)、NMP(Nメチル−2−ピロリドン)、アセトンまたはシクロヘキサノンなどの有機溶剤、もしくは、SPM、無水硫酸または硫酸などの薬液であれば、その蒸気を基板の表面に供給することにより、レジストの表面に形成されている硬化層を溶解させることができる。そのため、そのような処理液の蒸気を基板の表面に供給して、レジストの表面の硬化層を溶かした後に、基板の表面にレジスト剥離液を供給することにより、レジスト剥離液をレジストに良好に浸透させることができ、基板の表面からレジストを良好に剥離(除去)することができる。そのうえ、プラズマによるアッシングとは異なり、基板の表面にダメージを与えることもない。
According to this configuration, the vapor of the processing liquid is supplied to the surface of the substrate prior to the supply of the resist stripping liquid to the surface of the substrate.
A treatment liquid capable of dissolving and vaporizing the cured layer formed on the resist surface, for example, an organic solvent such as IPA (isopropyl alcohol), NMP (N methyl-2-pyrrolidone), acetone or cyclohexanone, or In the case of a chemical solution such as SPM, sulfuric anhydride, or sulfuric acid, the cured layer formed on the resist surface can be dissolved by supplying the vapor to the surface of the substrate. Therefore, after supplying such processing solution vapor to the surface of the substrate and dissolving the hardened layer on the surface of the resist, supplying the resist stripping solution to the surface of the substrate makes the resist stripping solution good for the resist. The resist can be permeated and the resist can be peeled (removed) well from the surface of the substrate. Moreover, unlike plasma ashing, the substrate surface is not damaged.
請求項2記載の発明は、前記蒸気供給工程と並行して、少なくとも基板の周囲を減圧状態にする減圧工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1記載の基板処理方法である。
この方法によれば、少なくとも基板の周囲が減圧されているので、処理液の蒸気を基板の表面に効率的に供給することができる。そのため、基板の表面上のレジストの表面に形成されている硬化層をより良好に溶かすことができる。
A second aspect of the present invention is the substrate processing method according to the first aspect, further comprising a depressurizing step of bringing at least the periphery of the substrate into a depressurized state in parallel with the vapor supplying step.
According to this method, since at least the periphery of the substrate is decompressed, the vapor of the processing liquid can be efficiently supplied to the surface of the substrate. Therefore, the hardened layer formed on the surface of the resist on the surface of the substrate can be dissolved better.
請求項3記載の発明は、前記レジスト剥離液は、硫酸と過酸化水素水との混合液を含むことを特徴とする、請求項1または2記載の基板処理方法である。
この方法によれば、硫酸と過酸化水素水との混合液、つまりSPMを基板の表面に供給することにより、その基板の表面に形成されているレジストを剥離することができる。
請求項4記載の発明は、前記蒸気供給工程と並行して、基板を加熱する基板加熱工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理方法である。
A third aspect of the present invention is the substrate processing method according to the first or second aspect, wherein the resist stripping solution contains a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution.
According to this method, the resist formed on the surface of the substrate can be peeled by supplying a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution, that is, SPM to the surface of the substrate.
A fourth aspect of the present invention is the substrate processing method according to any one of the first to third aspects, further comprising a substrate heating step of heating the substrate in parallel with the vapor supply step.
この方法によれば、基板の表面に処理液の蒸気が供給されつつ。その基板が加熱される。そのため、レジストの表面の硬化層と処理液の蒸気との反応を促進させることができ、レジストの表面の硬化層を一層良好に剥離することができる。
請求項5記載の発明は、基板(W)の表面に処理液の蒸気を供給して、基板の表面を処理するための蒸気処理部(1)と、前記蒸気処理部による処理後の基板の表面にレジスト剥離液を供給して、当該基板の表面からレジストを剥離するためのレジスト剥離処理部(2)と、前記蒸気処理部から前記レジスト剥離処理部へ基板を搬送する基板搬送手段(RB)とを含むことを特徴とする、基板処理装置である。
According to this method, the vapor of the processing liquid is being supplied to the surface of the substrate. The substrate is heated. Therefore, the reaction between the hardened layer on the resist surface and the vapor of the treatment liquid can be promoted, and the hardened layer on the resist surface can be peeled off more satisfactorily.
The invention according to claim 5 provides a vapor processing unit (1) for processing the surface of the substrate by supplying a vapor of the processing liquid to the surface of the substrate (W), and a substrate processed by the vapor processing unit. A resist stripper (2) for stripping the resist from the surface of the substrate by supplying a resist stripper to the surface, and a substrate transport unit (RB) for transporting the substrate from the vapor processing unit to the resist stripper And a substrate processing apparatus.
この構成によれば、請求項1記載の発明を実施することができ、請求項1に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができる。
請求項6記載の発明は、前記蒸気処理部内を減圧するための減圧手段(26,28,30)をさらに含むことを特徴とする、請求項5記載の基板処理装置である。
この構成によれば、請求項2記載の発明を実施することができ、請求項2に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができる
請求項7記載の発明は、前記蒸気処理部は、基板を保持する基板保持手段(13)と、この基板保持手段に保持されている基板を加熱するための加熱手段(38)とを備えていることを特徴とする、請求項5または6に記載の基板処理装置である。
According to this configuration, the invention described in claim 1 can be implemented, and the same effect as that described in relation to claim 1 can be achieved.
The invention according to claim 6 is the substrate processing apparatus according to claim 5, further comprising decompression means (26, 28, 30) for decompressing the inside of the steam processing section.
According to this configuration, the invention described in claim 2 can be carried out, and the same effect as that described in relation to claim 2 can be achieved. The part comprises a substrate holding means (13) for holding a substrate and a heating means (38) for heating the substrate held by the substrate holding means. 6. The substrate processing apparatus according to 6.
この構成によれば、請求項4記載の発明を実施することができ、請求項4に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができる
請求項8記載の発明は、基板(W)を保持する基板保持手段(41)と、前記基板保持手段に保持されている基板の表面に、処理液の蒸気を供給するための蒸気供給手段(44,52,54)と、前記基板保持手段に保持されている基板の表面に、当該基板の表面からレジストを剥離するためのレジスト剥離液を供給するためのレジスト剥離液供給手段(42,46)と、前記蒸気供給手段および前記レジスト剥離液供給手段を制御して、前記蒸気供給手段による蒸気の供給後に、前記レジスト剥離液供給手段によるレジスト剥離液の供給を行わせるための制御手段(55)とを含むことを特徴とする、基板処理装置である。
According to this configuration, the invention described in claim 4 can be carried out, and the same effect as the effect described in relation to claim 4 can be achieved. ) Holding substrate (41), vapor supply means (44, 52, 54) for supplying the vapor of the processing liquid to the surface of the substrate held by the substrate holding means, and the substrate holding A resist stripping solution supplying means (42, 46) for supplying a resist stripping solution for stripping the resist from the surface of the substrate to the surface of the substrate held by the means, the vapor supplying means and the resist stripping And a control means (55) for controlling the liquid supply means so that the resist stripping liquid is supplied by the resist stripping liquid supply means after the vapor is supplied by the steam supply means. It is a processing device.
この構成によれば、請求項1記載の発明を実施することができ、請求項1に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができる   According to this configuration, the invention described in claim 1 can be implemented, and the same effect as that described in relation to claim 1 can be achieved.
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1(a)は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す斜視図であり、図1(b)は、その平面図である。この基板処理装置は、たとえば、基板の一例であるウエハWの表面にリン、砒素、硼素などの不純物を局所的に注入するイオン注入処理の後に、そのウエハWの表面から不要になったレジストを剥離して除去するために用いられる。レジストの表面には、たとえば、高ドーズのイオン注入により変質(硬化)された硬化層が形成されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1A is a perspective view schematically showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a plan view thereof. This substrate processing apparatus, for example, removes an unnecessary resist from the surface of the wafer W after ion implantation processing for locally implanting impurities such as phosphorus, arsenic and boron into the surface of the wafer W as an example of the substrate. Used to peel and remove. On the surface of the resist, for example, a hardened layer that has been altered (hardened) by high dose ion implantation is formed.
この基板処理装置は、複数のカセットが載置される載置部、およびこの載置部に載置された複数のカセットから未処理のウエハWを搬出したり、当該複数のカセットへ処理済みのウエハWを収納するインデクサロボット(図示せず)を備えたインデクサ部IDと、ウエハWの表面に処理液の蒸気を供給して、レジスト表面の硬化層を溶解するための蒸気処理部1と、この蒸気処理部1における処理後のウエハWの表面にレジスト剥離液としてのSPMを供給して、ウエハWの表面からレジストを剥離するためのレジスト剥離処理部2と、インデクサ部IDのインデクサロボット、蒸気処理部1およびレジスト剥離処理部2に対してウエハWを搬入および搬出するためのウエハ搬送ロボットRBと、インデクサ部IDのインデクサロボット、蒸気処理部1およびレジスト剥離処理部2との間でウエハ搬送ロボットRBがウエハWを搬送する搬送路TPとを備えている。この基板処理装置は、互いに同じ構成のレジスト剥離処理部2を4つ備えており、レジスト剥離処理部2は、搬送路TPを挟んで1対ずつ配置されている。また、各レジスト剥離処理部2の上方には、互いに同じ構成の蒸気処理部1が配置されている。   The substrate processing apparatus is configured to unload an unprocessed wafer W from a plurality of cassettes mounted on the mounting unit and a plurality of cassettes mounted on the mounting unit, or to perform processing on the plurality of cassettes. An indexer unit ID provided with an indexer robot (not shown) for storing the wafer W, a vapor processing unit 1 for supplying a vapor of the processing liquid to the surface of the wafer W and dissolving the hardened layer on the resist surface; A resist stripping processing unit 2 for stripping the resist from the surface of the wafer W by supplying SPM as a resist stripping liquid to the surface of the wafer W after processing in the steam processing unit 1; an indexer robot having an indexer unit ID; A wafer transfer robot RB for loading and unloading the wafer W to and from the vapor processing unit 1 and the resist stripping processing unit 2, an indexer robot with an indexer unit ID, Wafer transfer robot RB between the processor 1 and the resist stripping processing unit 2 and a conveyance path TP for conveying the wafer W. This substrate processing apparatus includes four resist stripping processing units 2 having the same configuration, and the resist stripping processing units 2 are arranged in pairs with the transport path TP interposed therebetween. Also, above each resist stripping processing unit 2, steam processing units 1 having the same configuration are arranged.
図2は、蒸気処理部1の構成を図解的に示す縦断面図であり、図3は、その横断面図である。蒸気処理部1は、略直方体形状の処理チャンバ11と、処理チャンバ11内に設けられ、処理チャンバ11の底壁12上に配置された円板状のウエハ保持台13と、ウエハ保持台13に対してウエハWを昇降させるための複数本(たとえば、8本)のリフトピン14とを備えている。   FIG. 2 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of the steam processing unit 1, and FIG. 3 is a transverse sectional view thereof. The vapor processing unit 1 includes a substantially rectangular parallelepiped processing chamber 11, a disk-shaped wafer holding table 13 provided on the bottom wall 12 of the processing chamber 11, and a wafer holding table 13. A plurality of (for example, eight) lift pins 14 for raising and lowering the wafer W are provided.
処理チャンバ11の一方側の側壁15には、処理チャンバ11内に対して搬入および搬出されるウエハWが通過するウエハ通過口16が形成されている。
また、処理チャンバ11の側壁15と対向する側壁17には、窒素ガスバルブ18を介して供給される窒素ガスを処理チャンバ11内に導入するための側方導入管19が貫通して設けられている。側方導入管19の処理チャンバ11内に臨む端面は、側壁17の内面とほぼ面一となっている。そして、側壁17の内側に隣接して、その側壁17の内面のほぼ全域を覆うように、拡散板20が設けられている。この拡散板20は、多数の吐出口(図示せず)を有しており、側方導入管19から導入される窒素ガスを、多数の吐出口から分散して吐出することによって、側壁17の内面と平行な面内(ウエハWの表面と垂直な面内)でほぼ均一な流速となるシャワー状に拡散させて処理チャンバ11内に供給する。
On the side wall 15 on one side of the processing chamber 11, a wafer passage port 16 is formed through which the wafer W loaded into and unloaded from the processing chamber 11 passes.
Further, a side introduction pipe 19 for introducing nitrogen gas supplied through a nitrogen gas valve 18 into the processing chamber 11 is provided through the side wall 17 facing the side wall 15 of the processing chamber 11. . The end surface of the side introduction pipe 19 facing the processing chamber 11 is substantially flush with the inner surface of the side wall 17. A diffusion plate 20 is provided adjacent to the inside of the side wall 17 so as to cover almost the entire inner surface of the side wall 17. The diffusion plate 20 has a large number of discharge ports (not shown), and the nitrogen gas introduced from the side introduction pipe 19 is dispersed and discharged from the large number of discharge ports, whereby It is diffused in a shower shape having a substantially uniform flow rate in a plane parallel to the inner surface (in a plane perpendicular to the surface of the wafer W) and supplied into the processing chamber 11.
処理チャンバ11の上壁21には、窒素ガスバルブ22を介して供給される窒素ガスおよびIPAバルブ23を介して供給されるIPAベーパ(IPA蒸気)を処理チャンバ11内に導入するための上方導入管24が貫通して設けられている。上方導入管24の処理チャンバ11内に臨む端面は、上壁21の内面とほぼ面一となっている。そして、上壁21の内側に隣接して、ウエハWよりも大きな径を有する円板状の拡散板25が設けられている。この拡散板25は、多数の吐出口(図示せず)を有しており、上方導入管24から導入される窒素ガスおよびIPAベーパを、多数の吐出口から分散して吐出することによって、上壁21の内面と平行な面内(ウエハWの表面と平行な面内)でほぼ均一な流速となるシャワー状に拡散させて処理チャンバ11内に供給する。   An upper introduction pipe for introducing nitrogen gas supplied through the nitrogen gas valve 22 and IPA vapor (IPA vapor) supplied through the IPA valve 23 into the processing chamber 11 on the upper wall 21 of the processing chamber 11. 24 is provided penetrating. The end surface of the upper introduction pipe 24 facing the processing chamber 11 is substantially flush with the inner surface of the upper wall 21. A disc-shaped diffusion plate 25 having a larger diameter than the wafer W is provided adjacent to the inside of the upper wall 21. The diffusion plate 25 has a large number of discharge ports (not shown), and the nitrogen gas and IPA vapor introduced from the upper introduction pipe 24 are dispersed and discharged from the large number of discharge ports. It is diffused in a shower shape having a substantially uniform flow rate in a plane parallel to the inner surface of the wall 21 (in a plane parallel to the surface of the wafer W) and supplied into the processing chamber 11.
処理チャンバ11の底壁12には、ウエハ保持台13の周囲を取り囲む平面視円環状のウエハ周囲排気口26と、このウエハ周囲排気口26とウエハ通過口16(側壁15)との間において、側壁15と平行な方向に延びる平面視長方形状のウエハ通過口側排気口27とが形成されている。ウエハ通過口側排気口27は、底壁12の側壁15と平行な方向におけるほぼ全幅にわたって形成されている。そして、これらのウエハ周囲排気口26およびウエハ通過口側排気口27には、それぞれ排気設備(図示せず)に接続された排気管28,29が接続されている。排気管28,29の途中部には、それぞれ排気バルブ30,31が介装されている。これらの排気バルブ30,31を選択的に開閉することによって、処理チャンバ11内の雰囲気をウエハ周囲排気口26から排気したり、処理チャンバ11内の雰囲気をウエハ通過口側排気口27から排気したりすることができる。   On the bottom wall 12 of the processing chamber 11, an annular wafer peripheral exhaust port 26 that surrounds the periphery of the wafer holder 13, and between the wafer peripheral exhaust port 26 and the wafer passage port 16 (side wall 15), A wafer passing port side exhaust port 27 having a rectangular shape in plan view extending in a direction parallel to the side wall 15 is formed. The wafer passage port side exhaust port 27 is formed over substantially the entire width in a direction parallel to the side wall 15 of the bottom wall 12. Exhaust pipes 28 and 29 connected to an exhaust facility (not shown) are connected to the wafer peripheral exhaust port 26 and the wafer passing port side exhaust port 27, respectively. Exhaust valves 30 and 31 are interposed in the middle of the exhaust pipes 28 and 29, respectively. By selectively opening and closing these exhaust valves 30 and 31, the atmosphere in the processing chamber 11 is exhausted from the wafer peripheral exhaust port 26, or the atmosphere in the processing chamber 11 is exhausted from the wafer passing port side exhaust port 27. Can be.
各リフトピン14は、処理チャンバ11の底壁12およびウエハ保持台13を上下に貫通して形成された貫通孔32に挿通されて、それらの底壁12およびウエハ保持台13に対して昇降可能に設けられている。また、各リフトピン14は、共通の支持部材33に支持されており、この支持部材33に結合されたリフトピン昇降機構34によって、その先端がウエハ保持台13の上方に突出する状態とウエハ保持台13の下方に没入する状態との間で一体的に昇降される。   Each lift pin 14 is inserted into a through hole 32 formed through the bottom wall 12 and the wafer holding table 13 of the processing chamber 11 in the vertical direction so that the lift pins 14 can move up and down with respect to the bottom wall 12 and the wafer holding table 13. Is provided. Each lift pin 14 is supported by a common support member 33, and the lift pin lifting mechanism 34 coupled to the support member 33 projects the tip of the lift pin 14 above the wafer holding table 13 and the wafer holding table 13. Are lifted and lowered integrally with the state of being immersed below.
また、蒸気処理部1は、ウエハ通過口16が形成された側壁15の外側には、ウエハ通過口16を閉鎖可能なサイズに形成された長方形板状のゲートバルブシャッタ35が備えられている。ゲートバルブシャッタ35には、ゲートバルブ開閉機構36が結合されており、このゲートバルブ開閉機構36によって、ゲートバルブシャッタ35は、側壁15の外面に密着して、ウエハ通過口16を密閉する閉鎖位置と、側壁15の側方へ離間しつつ下降して、ウエハ通過口16を大きく開放する開放位置とに変位される。   Further, the vapor processing unit 1 is provided with a rectangular plate-like gate valve shutter 35 formed in a size capable of closing the wafer passage port 16 outside the side wall 15 where the wafer passage port 16 is formed. A gate valve opening / closing mechanism 36 is coupled to the gate valve shutter 35, and the gate valve opening / closing mechanism 36 allows the gate valve shutter 35 to be in close contact with the outer surface of the side wall 15 to seal the wafer passage port 16. As a result, the wafer 15 is lowered to the side of the side wall 15 and is moved to an open position where the wafer passage port 16 is largely opened.
さらに、蒸気処理部1は、CPU、RAMおよびROMを含むマイクロコンピュータからなる制御部37を備えている。制御部37は、ウエハWに対する処理を実現するために、窒素ガスバルブ18,22、IPAバルブ23および排気バルブ30,31の開閉を制御し、また、リフトピン昇降機構34およびゲートバルブ開閉機構36の駆動を制御する。   Further, the steam processing unit 1 includes a control unit 37 formed of a microcomputer including a CPU, a RAM, and a ROM. The control unit 37 controls the opening and closing of the nitrogen gas valves 18 and 22, the IPA valve 23 and the exhaust valves 30 and 31 in order to realize processing on the wafer W, and drives the lift pin lifting and lowering mechanism 34 and the gate valve opening and closing mechanism 36. To control.
図4は、蒸気処理部1におけるウエハWの処理時(蒸気処理時)の様子を図解的に示す縦断面図である。インデクサ部IDに載置された所定のカセットに収納されていたイオン注入処理後のウエハWは、インデクサロボットによりウエハ搬送ロボットRBに受け渡された後、このウエハ搬送ロボットRBにより、まず、蒸気処理部1に搬入される。ウエハ搬送ロボットRBによるウエハWの搬入に先立って、図4(a)に示すように、ゲートバルブ開閉機構36によりゲートバルブシャッタ35が開放位置に変位されて、ウエハ通過口16が開放される。また、ウエハ通過口16が開放されている間は、窒素ガスバルブ18および排気バルブ31が開かれて、側方導入管19から処理チャンバ11内に窒素ガスが導入されるとともに、処理チャンバ11内の雰囲気がウエハ通過口側排気口27から排気される。これにより、処理チャンバ11内には、ウエハ保持台13のウエハ通過口16と反対側、つまり側壁17側からウエハ通過口16へ向かう窒素ガスの気流が形成され、この気流によって、処理チャンバ11の外部の雰囲気が処理チャンバ11内に流入することが防止される。このとき、窒素ガスバルブ22、IPAバルブ23および排気バルブ30は閉じられている。   FIG. 4 is a longitudinal sectional view schematically showing the state of the wafer processing unit 1 when processing the wafer W (during the steam processing). The wafer W after the ion implantation process stored in a predetermined cassette placed in the indexer unit ID is transferred to the wafer transfer robot RB by the indexer robot, and then first vapor-processed by the wafer transfer robot RB. It is carried into part 1. Prior to loading of the wafer W by the wafer transfer robot RB, the gate valve shutter 35 is displaced to the open position by the gate valve opening / closing mechanism 36 as shown in FIG. In addition, while the wafer passage port 16 is open, the nitrogen gas valve 18 and the exhaust valve 31 are opened, nitrogen gas is introduced into the processing chamber 11 from the side introduction pipe 19, and in the processing chamber 11. The atmosphere is exhausted from the wafer passing port side exhaust port 27. As a result, an air flow of nitrogen gas is formed in the processing chamber 11 from the side opposite to the wafer passing port 16 of the wafer holder 13, that is, from the side wall 17 side to the wafer passing port 16. An external atmosphere is prevented from flowing into the processing chamber 11. At this time, the nitrogen gas valve 22, the IPA valve 23, and the exhaust valve 30 are closed.
ウエハ搬送ロボットRBによりウエハWが搬入されてくると、図4(b)に示すように、リフトピン昇降機構34によりリフトピン14が上昇されて、ウエハ搬送ロボットRBに保持されたウエハWがリフトピン14に受け取られる。そして、ウエハ搬送ロボットRBが処理チャンバ11内から退避されると、ゲートバルブ開閉機構36によりゲートバルブシャッタ35が閉鎖位置に変位されて、ウエハ通過口16が密閉される。ウエハ通過口16が密閉されると、窒素ガスバルブ18および排気バルブ31が閉じられて、窒素ガスバルブ22および排気バルブ30が開かれる。これにより、上方導入管24から処理チャンバ11内に窒素ガスが導入されるとともに、処理チャンバ11内の雰囲気がウエハ周囲排気口26から急速に排気されて、処理チャンバ11内の雰囲気が上方導入管24から導入される窒素ガスの雰囲気に短時間で置換される。これにより、処理チャンバ11内の酸素濃度は、たとえば、10ppm以下になる。また、ウエハ周囲排気口26からの排気流量よりも、上方導入管24から処理チャンバ11内に導入される窒素ガスの流量が小さく設定されていることにより、処理チャンバ11内が減圧されていく。処理チャンバ11内は、たとえば、最終的に0.5kPaまで減圧される。   When the wafer W is loaded by the wafer transfer robot RB, the lift pins 14 are lifted by the lift pin lifting mechanism 34 as shown in FIG. 4B, and the wafer W held by the wafer transfer robot RB is transferred to the lift pins 14. Received. When the wafer transfer robot RB is retracted from the processing chamber 11, the gate valve shutter 35 is displaced to the closed position by the gate valve opening / closing mechanism 36, and the wafer passing port 16 is sealed. When the wafer passage port 16 is sealed, the nitrogen gas valve 18 and the exhaust valve 31 are closed, and the nitrogen gas valve 22 and the exhaust valve 30 are opened. As a result, nitrogen gas is introduced into the processing chamber 11 from the upper introduction pipe 24, and the atmosphere in the processing chamber 11 is rapidly exhausted from the wafer peripheral exhaust port 26. The atmosphere of nitrogen gas introduced from 24 is replaced in a short time. Thereby, the oxygen concentration in the processing chamber 11 becomes, for example, 10 ppm or less. Further, since the flow rate of the nitrogen gas introduced into the processing chamber 11 from the upper introduction pipe 24 is set smaller than the exhaust flow rate from the wafer peripheral exhaust port 26, the inside of the processing chamber 11 is depressurized. The inside of the processing chamber 11 is finally depressurized to 0.5 kPa, for example.
処理チャンバ11内の減圧と並行して、または、処理チャンバ11内が目標気圧まで減圧された後、リフトピン昇降機構34によりリフトピン14が下降されて、リフトピン14上のウエハWがウエハ保持台13上に移載される。その後、窒素ガスバルブ22が閉じられて、IPAバルブ23が開かれることにより、図4(c)に示すように、上方導入管24から処理チャンバ11内にIPAベーパが導入される。このとき、排気バルブ30は開かれており、処理チャンバ11内の減圧状態が保たれたまま、その減圧された処理チャンバ11内へのIPAベーパの導入が行われる。これにより、ウエハWの表面にIPAベーパが供給され、レジスト表面に形成されている硬化層が溶かされていく。   In parallel with the pressure reduction in the processing chamber 11 or after the pressure in the processing chamber 11 is reduced to the target pressure, the lift pins 14 are lowered by the lift pin lifting mechanism 34, and the wafer W on the lift pins 14 is moved onto the wafer holding table 13. To be transferred. Thereafter, the nitrogen gas valve 22 is closed and the IPA valve 23 is opened, whereby the IPA vapor is introduced into the processing chamber 11 from the upper introduction pipe 24 as shown in FIG. At this time, the exhaust valve 30 is opened, and the IPA vapor is introduced into the decompressed processing chamber 11 while the decompressed state in the processing chamber 11 is maintained. Thereby, IPA vapor is supplied to the surface of the wafer W, and the hardened layer formed on the resist surface is melted.
処理チャンバ11内へのIPAベーパの供給が所定時間にわたって行われると、図4(d)に示すように、リフトピン昇降機構34によりリフトピン14が上昇されて、ウエハ保持台13上のウエハWがウエハ搬送ロボットRBとウエハWを受け渡しできる位置に持ち上げられる。そして、IPAバルブ23が閉じられ、窒素ガスバルブ22が開かれて、上方導入管24から処理チャンバ11内に窒素ガスが導入される。このとき、排気バルブ30は開かれている。したがって、処理チャンバ11内のIPAベーパを含む雰囲気は、上方導入管24から導入される窒素ガスの雰囲気に急速に置換されていく。また、ウエハ周囲排気口26からの排気流量よりも、上方導入管24から処理チャンバ11内に導入される窒素ガスの流量が大きく設定されていることにより、処理チャンバ11内が大気圧に戻されていく。   When the supply of IPA vapor into the processing chamber 11 is performed for a predetermined time, the lift pins 14 are lifted by the lift pin lifting mechanism 34 as shown in FIG. 4D, and the wafer W on the wafer holder 13 is moved to the wafer. The wafer is lifted to a position where the transfer robot RB and the wafer W can be delivered. Then, the IPA valve 23 is closed, the nitrogen gas valve 22 is opened, and nitrogen gas is introduced into the processing chamber 11 from the upper introduction pipe 24. At this time, the exhaust valve 30 is opened. Therefore, the atmosphere including the IPA vapor in the processing chamber 11 is rapidly replaced with the atmosphere of nitrogen gas introduced from the upper introduction pipe 24. Further, since the flow rate of nitrogen gas introduced from the upper introduction pipe 24 into the processing chamber 11 is set larger than the exhaust flow rate from the wafer peripheral exhaust port 26, the inside of the processing chamber 11 is returned to the atmospheric pressure. To go.
処理チャンバ11内の雰囲気が窒素ガス雰囲気に置換され、かつ、処理チャンバ11内が大気圧に戻ると、図4(e)に示すように、ゲートバルブ開閉機構36によりゲートバルブシャッタ35が開放位置に変位されて、ウエハ通過口16が開放される。また、ウエハ通過口16が開放されると、窒素ガスバルブ22および排気バルブ30が閉じられ、窒素ガスバルブ18および排気バルブ31が開かれて、側方導入管19から処理チャンバ11内に窒素ガスが導入されるとともに、処理チャンバ11内の雰囲気がウエハ通過口側排気口27から排気される。これにより、処理チャンバ11内に、側壁17側からウエハ通過口16へ向かう窒素ガスの気流が形成され、この気流によって、処理チャンバ11の外部の雰囲気が処理チャンバ11内に流入することが防止される。そして、その気流が形成された状態で、ウエハ通過口16から処理チャンバ11内にウエハ搬送ロボットRBが進入し、リフトピン14上のウエハWが、ウエハ搬送ロボットRBに受け取られて、ウエハ搬送ロボットRBにより処理チャンバ11から搬出されていく。   When the atmosphere in the processing chamber 11 is replaced with a nitrogen gas atmosphere and the inside of the processing chamber 11 returns to the atmospheric pressure, the gate valve shutter 35 is opened by the gate valve opening / closing mechanism 36 as shown in FIG. The wafer passage port 16 is opened. When the wafer passage port 16 is opened, the nitrogen gas valve 22 and the exhaust valve 30 are closed, the nitrogen gas valve 18 and the exhaust valve 31 are opened, and nitrogen gas is introduced into the processing chamber 11 from the side introduction pipe 19. At the same time, the atmosphere in the processing chamber 11 is exhausted from the wafer passing port side exhaust port 27. As a result, an air flow of nitrogen gas is formed in the processing chamber 11 from the side wall 17 side toward the wafer passage port 16, and this air flow prevents an atmosphere outside the processing chamber 11 from flowing into the processing chamber 11. The Then, with the air flow formed, the wafer transfer robot RB enters the processing chamber 11 from the wafer passage port 16, and the wafer W on the lift pins 14 is received by the wafer transfer robot RB, and the wafer transfer robot RB. Is carried out of the processing chamber 11.
この後、ウエハWは、ウエハ搬送ロボットRBにより、レジスト剥離処理部2に搬入される。レジスト剥離処理部2は、図示しないが、ウエハWをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャックと、このスピンチャックに保持されたウエハWの表面にSPMを供給するためのノズルとを備えている。レジスト剥離処理部2に搬入されるウエハWは、ウエハ搬送ロボットRBからスピンチャックに受け渡される。そして、スピンチャックによりウエハWが回転されつつ、そのウエハWの表面にノズルからSPMが供給される。蒸気処理部1における処理により、レジスト表面の硬化層はある程度まで溶かされているので、ウエハWの表面にSPMが供給されると、そのSPMがウエハWの表面上のレジストに良好に浸透し、SPMに含まれるペルオキソ一硫酸の強酸化力により、レジストがウエハWの表面から剥離されて除去されていく。ウエハWの表面に対するSPMの供給が所定時間にわたって行われると、SPMの供給が停止され、次いで、スピンチャックにより回転されるウエハWの表面に純水が供給されて、ウエハWの表面に付着しているSPMが純水で洗い流された後、スピンチャックによるウエハWの回転速度が上昇されて、ウエハWの表面に付着している純水が遠心力で振り切られて乾燥される。そして、処理後のウエハWは、ウエハ搬送ロボットRBによりレジスト剥離処理部2から搬出され、インデクサ部IDのインデクサロボットに受け渡され、このインデクサロボットによってインデクサ部IDに載置された所定のカセットに収納される。   Thereafter, the wafer W is carried into the resist stripping processing unit 2 by the wafer transfer robot RB. Although not shown, the resist stripping processing unit 2 includes a spin chuck for holding and rotating the wafer W substantially horizontally, and a nozzle for supplying SPM to the surface of the wafer W held by the spin chuck. ing. The wafer W carried into the resist stripping unit 2 is transferred from the wafer transfer robot RB to the spin chuck. Then, the SPM is supplied from the nozzle to the surface of the wafer W while the wafer W is rotated by the spin chuck. Since the hardened layer on the resist surface is dissolved to some extent by the processing in the steam processing unit 1, when SPM is supplied to the surface of the wafer W, the SPM penetrates well into the resist on the surface of the wafer W, The resist is peeled off from the surface of the wafer W and removed by the strong oxidizing power of peroxomonosulfuric acid contained in the SPM. When the supply of SPM to the surface of the wafer W is performed for a predetermined time, the supply of SPM is stopped, and then pure water is supplied to the surface of the wafer W rotated by the spin chuck and adheres to the surface of the wafer W. After the SPM is washed away with pure water, the rotation speed of the wafer W by the spin chuck is increased, and the pure water adhering to the surface of the wafer W is shaken off by the centrifugal force and dried. Then, the processed wafer W is unloaded from the resist stripping processing unit 2 by the wafer transfer robot RB, is transferred to the indexer robot having the indexer unit ID, and is transferred to a predetermined cassette placed on the indexer unit ID by the indexer robot. Stored.
以上のように、この実施形態によれば、ウエハWの表面からレジストを剥離するためのSPMの供給に先立って、そのウエハWの表面にIPAベーパが供給される。ウエハWの表面にIPAベーパを供給することにより、レジストの表面に形成されている硬化層を溶解させることができる。そのため、IPAベーパをウエハWの表面に供給して、レジストの表面の硬化層を溶かした後に、ウエハWの表面にSPMを供給することにより、レジストにSPMを良好に浸透させることができ、ウエハWの表面からレジストを良好に剥離(除去)することができる。そのうえ、プラズマによるアッシングとは異なり、ウエハWの表面にダメージを与えることもない。   As described above, according to this embodiment, the IPA vapor is supplied to the surface of the wafer W prior to the supply of the SPM for removing the resist from the surface of the wafer W. By supplying IPA vapor to the surface of the wafer W, the hardened layer formed on the surface of the resist can be dissolved. Therefore, by supplying IPA vapor to the surface of the wafer W, dissolving the cured layer on the surface of the resist, and then supplying SPM to the surface of the wafer W, the SPM can be satisfactorily penetrated into the resist. The resist can be satisfactorily peeled (removed) from the surface of W. In addition, unlike plasma ashing, the surface of the wafer W is not damaged.
また、処理チャンバ11内が減圧された状態で、その処理チャンバ11内にIPAベーパが導入されるので、そのIPAベーパをウエハWの表面に効率的に供給することができる。そのため、ウエハWの表面上のレジストの表面に形成されている硬化層をより良好に溶かすことができる。
図5は、この発明の他の実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す縦断面図である。上述の実施形態に係る基板処理装置は、図1に示すように、蒸気処理部1とレジスト剥離処理部2とが分離して別々に設けられる構成であるのに対し、この実施形態に係る基板処理装置は、図5に示すように、蒸気処理部1に相当する機能とレジスト剥離処理部2に相当する機能を併せ持った構成となっている。
In addition, since the IPA vapor is introduced into the processing chamber 11 in a state where the pressure in the processing chamber 11 is reduced, the IPA vapor can be efficiently supplied to the surface of the wafer W. Therefore, the hardened layer formed on the surface of the resist on the surface of the wafer W can be dissolved better.
FIG. 5 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus according to the above-described embodiment has a configuration in which the vapor processing unit 1 and the resist stripping processing unit 2 are separately provided, whereas the substrate according to this embodiment is provided. As shown in FIG. 5, the processing apparatus is configured to have both a function corresponding to the vapor processing unit 1 and a function corresponding to the resist stripping processing unit 2.
すなわち、この図5に示す基板処理装置は、ウエハWをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック41と、スピンチャック41に保持されたウエハWの上方に配置されるSPMノズル42および純水ノズル62と、スピンチャック41を包囲する円筒状の内側面を有する2重のガード43a,43bと、スピンチャック41に保持されたウエハWの表面に対向配置される遮断板44とを備えている。   That is, the substrate processing apparatus shown in FIG. 5 includes a spin chuck 41 for rotating the wafer W while holding it substantially horizontally, an SPM nozzle 42 disposed above the wafer W held by the spin chuck 41, and a pure substrate. A water nozzle 62, double guards 43 a and 43 b having a cylindrical inner surface surrounding the spin chuck 41, and a blocking plate 44 disposed to face the surface of the wafer W held by the spin chuck 41. Yes.
スピンチャック41は、たとえば、複数個の挟持部材45でウエハWを挟持することにより、ウエハWをほぼ水平な姿勢で保持することができ、さらにその状態でほぼ鉛直な軸線まわりに回転することによって、その保持したウエハWをほぼ水平な姿勢を保ったまま回転させることができる。
なお、スピンチャック41としては、このような構成のものに限らず、たとえば、ウエハWの下面を真空吸着することにより、ウエハWをほぼ水平な姿勢で保持し、さらにその状態でほぼ鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハWを回転させることができる真空吸着式のもの(バキュームチャック)が採用されてもよい。
The spin chuck 41 can hold the wafer W in a substantially horizontal posture by holding the wafer W with a plurality of holding members 45, for example, and further rotates around a substantially vertical axis in that state. The held wafer W can be rotated while maintaining a substantially horizontal posture.
The spin chuck 41 is not limited to such a configuration. For example, the lower surface of the wafer W is vacuum-sucked to hold the wafer W in a substantially horizontal posture, and in that state, a substantially vertical axis. A vacuum chucking type (vacuum chuck) that can rotate the held wafer W by rotating around may be employed.
SPMノズル42には、SPMバルブ46を介してSPMが供給されるようになっており、SPMノズル42は、そのSPMバルブ46を介して供給されるSPMをスピンチャック41に保持されたウエハWの回転中心に向けて吐出するように配置されている。
一方純水ノズル62には、純水バルブ66を介して純水が供給されるようになっており、純水ノズル62は、その純水バルブ66を介して供給される純水をスピンチャック41に保持されたウエハWの回転中心に向けて吐出するように配置されている。
SPM is supplied to the SPM nozzle 42 via the SPM valve 46, and the SPM nozzle 42 supplies the SPM supplied via the SPM valve 46 to the wafer W held by the spin chuck 41. It arrange | positions so that it may discharge toward a rotation center.
On the other hand, pure water is supplied to the pure water nozzle 62 via a pure water valve 66, and the pure water nozzle 62 supplies pure water supplied via the pure water valve 66 to the spin chuck 41. The wafer W is disposed so as to be discharged toward the rotation center of the wafer W.
2重のガード43a,43bには、回転しているウエハWから周囲に飛散するSPMやリンス液としての純水などを捕獲して、その捕獲したSPMや純水を下方に導いて廃液する。さらに詳しく説明すると、2重のガード43a,43bは、図示しない昇降駆動源によりウエハWの処理に応じて一体的に昇降されるようになっている。SPMノズル42からSPMをウエハWに供給してウエハWをSPM処理する場合には、予め、昇降駆動源によってガード43aとガード43bとの間の開口431がスピンチャック41に保持されたウエハWとほぼ同じ高さに設定されており、ウエハWに供給されてウエハWから飛散したSPMが上記開口431に捕獲されて廃液される。一方、SPM処理後にウエハW上のSPMを洗い流すために純水ノズル62から純水をウエハWに供給してウエハWをリンス処理する場合には、予め、昇降駆動源によってガード43bの内壁面432がスピンチャック41に保持されたウエハWとほぼ同じ高さに設定されており、ウエハWに供給されてウエハWから飛散した純水が上記内壁面432に捕獲されて廃液される。これらの構成により、レジストが多く含まれた高温のSPMと、比較的清浄でほぼ常温の純水とを分離して廃液することができる。このため、SPMの廃液処理設備への負担を軽減することができる。   The double guards 43a and 43b capture SPM scattered from the rotating wafer W and pure water as a rinsing liquid, etc., and guide the captured SPM and pure water downward to waste liquid. More specifically, the double guards 43a and 43b are integrally lifted and lowered according to the processing of the wafer W by a lift driving source (not shown). When the SPM is supplied from the SPM nozzle 42 to the wafer W and the wafer W is subjected to the SPM process, the wafer W and the opening W 431 between the guard 43a and the guard 43b previously held by the spin chuck 41 by the lift drive source The SPM is set to substantially the same height, and the SPM supplied to the wafer W and scattered from the wafer W is captured by the opening 431 and discarded. On the other hand, when the wafer W is rinsed by supplying pure water to the wafer W from the pure water nozzle 62 in order to wash away the SPM on the wafer W after the SPM processing, the inner wall surface 432 of the guard 43b is previously driven by the lift drive source. Is set to substantially the same height as the wafer W held by the spin chuck 41, and the pure water supplied to the wafer W and scattered from the wafer W is captured by the inner wall surface 432 and discarded. With these structures, a high temperature SPM containing a large amount of resist and a relatively clean and room temperature pure water can be separated and discharged. For this reason, the burden on the waste liquid treatment facility of SPM can be reduced.
遮断板44は、スピンチャック41の上方でほぼ水平に配置されている円板状の上壁部44aと、上壁部44aの周縁部から下方に延びる円筒状の側壁部44bとを有している。また、側壁部44bの下端部には、Oリング57が設けられている。この遮断板44は、スピンチャック41の上方でほぼ水平に配置され、スピンチャック41の上方に大きく退避する上方位置と、スピンチャック41に保持されたウエハWの表面に近接して対向する下方位置とに昇降可能に設けられている。そして、遮断板44が下方位置に下降された状態では、遮断板44の側壁部44bの下端部とスピンチャック41の上面の周縁部とがOリング57を介して当接し、ウエハWを収容する密閉された処理空間Sが形成される。   The blocking plate 44 includes a disk-shaped upper wall portion 44a disposed substantially horizontally above the spin chuck 41, and a cylindrical side wall portion 44b extending downward from the peripheral edge portion of the upper wall portion 44a. Yes. An O-ring 57 is provided at the lower end of the side wall 44b. The blocking plate 44 is disposed substantially horizontally above the spin chuck 41, and is located at an upper position where it is largely retracted above the spin chuck 41, and a lower position facing the surface of the wafer W held by the spin chuck 41. It can be moved up and down. In the state where the blocking plate 44 is lowered to the lower position, the lower end portion of the side wall portion 44b of the blocking plate 44 and the peripheral portion of the upper surface of the spin chuck 41 are in contact with each other via the O-ring 57 to accommodate the wafer W. A sealed processing space S is formed.
また、遮断板44の上壁部44aには、導入路52が形成されており、この導入路52には、窒素ガスバルブ53およびSPMベーパバルブ54を介して、窒素ガスおよびSPMベーパが選択的に供給されるようになっている。また、導入路52の上壁部44aの下面における開口は、ちょうどスピンチャック41に保持されたウエハWの中心に向けられている。
また、遮断板44の側壁部44bの下端部には、Oリング57の内側に処理空間Sの雰囲気を排気するための排気口56が等角度間隔で複数個形成されており、これら複数の排気口56は、ウエハWの周囲を取り囲むように連続して形成された環状の凹部56aに開口している。なお、各排気口56には、それぞれ排気管47が接続されており、各排気管47は、遮断板44の側壁部44b、上壁部44aおよび導入路52に沿うように延びており、真空ポンプ等の排気設備(図示せず)に接続された排気ライン48に接続されている。また、排気ライン48の途中部には、排気バルブ49が介装されている。この排気バルブ49を開くことにより、処理空間Sの雰囲気を排気管47から排気ライン48を通して排気することができる。
In addition, an introduction path 52 is formed in the upper wall portion 44 a of the blocking plate 44, and nitrogen gas and SPM vapor are selectively supplied to the introduction path 52 via a nitrogen gas valve 53 and an SPM vapor valve 54. It has come to be. Further, the opening in the lower surface of the upper wall portion 44 a of the introduction path 52 is directed to the center of the wafer W held by the spin chuck 41.
In addition, a plurality of exhaust ports 56 for exhausting the atmosphere of the processing space S are formed inside the O-ring 57 at equal angular intervals at the lower end of the side wall 44b of the blocking plate 44. The mouth 56 opens into an annular recess 56a formed continuously so as to surround the periphery of the wafer W. An exhaust pipe 47 is connected to each exhaust port 56, and each exhaust pipe 47 extends along the side wall portion 44 b, the upper wall portion 44 a, and the introduction path 52 of the blocking plate 44, and is in a vacuum state. It is connected to an exhaust line 48 connected to an exhaust facility (not shown) such as a pump. An exhaust valve 49 is interposed in the middle of the exhaust line 48. By opening the exhaust valve 49, the atmosphere of the processing space S can be exhausted from the exhaust pipe 47 through the exhaust line 48.
さらに、この基板処理装置は、CPU、RAMおよびROMを含むマイクロコンピュータからなる制御部55を備えている。制御部55は、ウエハWに対する処理を実現するために、SPMバルブ46、窒素ガスバルブ53、SPMベーパバルブ54、排気バルブ49および純水バルブ66の開閉を制御し、遮断板44を昇降させるための昇降機構(図示せず)などの駆動を制御する。   Further, the substrate processing apparatus includes a control unit 55 including a microcomputer including a CPU, a RAM, and a ROM. The controller 55 controls the opening and closing of the SPM valve 46, the nitrogen gas valve 53, the SPM vapor valve 54, the exhaust valve 49, and the pure water valve 66 in order to realize processing on the wafer W, and lifts and lowers the shield plate 44. Controls driving of a mechanism (not shown).
そして、ウエハWの搬入前は、遮断板44が上方位置に上昇されている。このとき、窒素ガスバルブ53が開かれて、遮断板44からスピンチャック41の上方の空間に窒素ガスが供給される。これにより、スピンチャック41の上方には、上方から下方へ向かう窒素ガスのダウンフローが形成され、スピンチャック41の周囲に外部の雰囲気が流入することが防止される。なお、SPMバルブ46、排気バルブ49およびSPMベーパバルブ54は閉じられている。   Before the wafer W is loaded, the blocking plate 44 is raised to the upper position. At this time, the nitrogen gas valve 53 is opened, and nitrogen gas is supplied from the blocking plate 44 to the space above the spin chuck 41. As a result, a down flow of nitrogen gas from above to below is formed above the spin chuck 41, and an external atmosphere is prevented from flowing around the spin chuck 41. The SPM valve 46, the exhaust valve 49, and the SPM vapor valve 54 are closed.
イオン注入処理後のウエハWがスピンチャック41に受け渡されると、遮断板44が下降位置に下降されて、ウエハWを収容する密閉された処理空間Sが形成される。そして、窒素ガスバルブ53が開かれた状態のまま、排気バルブ49が開かれて、処理空間Sの雰囲気が急速に窒素ガスの雰囲気に短時間で置換されるとともに、その空間が減圧されていく。   When the wafer W after the ion implantation process is transferred to the spin chuck 41, the blocking plate 44 is lowered to the lowered position, and a sealed processing space S for accommodating the wafer W is formed. Then, the exhaust valve 49 is opened while the nitrogen gas valve 53 is opened, and the atmosphere of the processing space S is rapidly replaced with the nitrogen gas atmosphere in a short time, and the space is decompressed.
その後、窒素ガスバルブ53が閉じられて、SPMベーパバルブ54が開かれることにより、導入路52からウエハWの表面に向けてSPMベーパが供給される。このとき、排気バルブ49は開かれており、処理空間Sの減圧状態が保たれたまま、ウエハWの表面に対するSPMベーパの供給が行われる。これにより、ウエハWの表面上のレジストの表面に形成されている硬化層が溶かされていく。ここで、導入路52から供給されたSPMベーパの大半は、スピンチャック41に保持されたウエハWの表面の中央部付近に向けて供給された後、ウエハWの中央部付近からウエハW外方に向かってほぼ放射状に流れていき、ウエハW周囲の環状の凹部56aで捕捉されて排気管47から排気されることになる。これにより、ウエハW表面においてほぼ層流状態で、かつ効率的にSPMベーパを流すことができ、ウエハW表面を均一かつ効率的にSPM処理することができる。   Thereafter, the nitrogen gas valve 53 is closed and the SPM vapor valve 54 is opened, whereby SPM vapor is supplied from the introduction path 52 toward the surface of the wafer W. At this time, the exhaust valve 49 is opened, and SPM vapor is supplied to the surface of the wafer W while the decompressed state of the processing space S is maintained. Thereby, the hardened layer formed on the surface of the resist on the surface of the wafer W is melted. Here, most of the SPM vapor supplied from the introduction path 52 is supplied toward the vicinity of the center of the surface of the wafer W held by the spin chuck 41, and then from the vicinity of the center of the wafer W to the outside of the wafer W. The air flows almost radially toward the surface of the wafer W, is captured by the annular recess 56a around the wafer W, and is exhausted from the exhaust pipe 47. Thereby, the SPM vapor can be efficiently flowed in a substantially laminar flow state on the surface of the wafer W, and the surface of the wafer W can be uniformly and efficiently subjected to the SPM process.
ウエハWの表面へのSPMベーパの供給が所定時間にわたって行われると、SPMベーパバルブ54が閉じられ、窒素ガスバルブ53が開かれて、処理空間Sに窒素ガスが導入される。また、排気管47からの排気流量を減少させることによって、処理空間SのSPMベーパを含む雰囲気が導入路52から供給される窒素ガスの雰囲気に急速に置換されていき、また、その空間が大気圧に戻されていく。   When the supply of SPM vapor to the surface of the wafer W is performed for a predetermined time, the SPM vapor valve 54 is closed, the nitrogen gas valve 53 is opened, and nitrogen gas is introduced into the processing space S. Further, by reducing the exhaust flow rate from the exhaust pipe 47, the atmosphere including the SPM vapor in the processing space S is rapidly replaced with the atmosphere of nitrogen gas supplied from the introduction path 52, and the space becomes large. It is returned to atmospheric pressure.
処理空間Sの雰囲気が窒素ガス雰囲気に置換され、かつ、処理空間Sが大気圧に戻ると、遮断板44が上方位置に上昇される。また、排気バルブ49が閉じられる。そして、スピンチャック41によるウエハWの回転が開始されるとともに、SPMバルブ46が開かれて、その回転するウエハWの表面にノズル42からSPMが供給される。これにより、ウエハWの表面からレジストが剥離されて除去されていく。ウエハWの表面に対するSPMの供給が所定時間にわたって行われると、SPMバルブ46が閉じられて、SPMの供給が停止され、次いで、純水バルブ66が開かれ、スピンチャック41により回転されるウエハWの表面に純水が供給されて、ウエハWの表面に付着しているSPMが純水で洗い流される。そして、純水バルブ66が閉じられた後、スピンチャック41によるウエハWの回転速度が上昇されて、ウエハWの表面に付着している純水が遠心力で振り切られて乾燥された後、この基板処理装置から搬出される。   When the atmosphere of the processing space S is replaced with a nitrogen gas atmosphere and the processing space S returns to atmospheric pressure, the blocking plate 44 is raised to the upper position. Further, the exhaust valve 49 is closed. Then, the rotation of the wafer W by the spin chuck 41 is started, the SPM valve 46 is opened, and SPM is supplied from the nozzle 42 to the surface of the rotating wafer W. As a result, the resist is peeled off from the surface of the wafer W and removed. When the supply of SPM to the surface of the wafer W is performed for a predetermined time, the SPM valve 46 is closed, the supply of SPM is stopped, the pure water valve 66 is then opened, and the wafer W rotated by the spin chuck 41 is opened. The pure water is supplied to the surface of the wafer W, and the SPM adhering to the surface of the wafer W is washed away with the pure water. After the pure water valve 66 is closed, the rotational speed of the wafer W by the spin chuck 41 is increased, and the pure water adhering to the surface of the wafer W is shaken off by the centrifugal force and dried. Unloaded from the substrate processing apparatus.
この実施形態に係る基板処理装置によっても、図1に示す基板処理装置と同様な効果を達成することができる。
以上、この発明の2つの実施形態を説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。たとえば、上述の第1の実施形態では、ウエハWのレジストの表面に形成されている硬化層を溶解させるためにIPAベーパを処理チャンバ11内に導入するとしたが、IPAベーパ以外に、NMP、アセトンまたはシクロヘキサノンなどの他の種類の有機溶剤の蒸気が処理チャンバ11内に導入されてもよいし、あるいは、SPM、無水硫酸または硫酸などの薬液の蒸気が処理チャンバ11内に導入されてもよい。
The substrate processing apparatus according to this embodiment can achieve the same effects as those of the substrate processing apparatus shown in FIG.
As mentioned above, although two embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form. For example, in the first embodiment described above, the IPA vapor is introduced into the processing chamber 11 in order to dissolve the hardened layer formed on the resist surface of the wafer W. However, in addition to the IPA vapor, NMP, acetone Alternatively, a vapor of another type of organic solvent such as cyclohexanone may be introduced into the processing chamber 11, or a vapor of a chemical solution such as SPM, sulfuric anhydride, or sulfuric acid may be introduced into the processing chamber 11.
また、薬液の蒸気が処理チャンバ11内に導入される場合、薬液の蒸気が供給される間、そのウエハWが加熱されることが好ましい。たとえば、上述の第1実施形態において、図2に破線で示すように、ウエハ保持台13の内部にヒータ38を埋設しておき、処理チャンバ11内に薬液の蒸気を導入しつつ、ウエハ保持台13上に載置されたウエハWを100〜400℃に加熱することが好ましい。こうすることにより、レジストの表面の硬化層と薬液の蒸気との反応を促進させることができ、レジストの表面の硬化層を一層良好に剥離することができる。   When the chemical vapor is introduced into the processing chamber 11, it is preferable that the wafer W is heated while the chemical vapor is supplied. For example, in the first embodiment described above, as indicated by a broken line in FIG. 2, a heater 38 is embedded in the wafer holding table 13, and a chemical vapor is introduced into the processing chamber 11, while the wafer holding table is introduced. It is preferable to heat the wafer W placed on the substrate 13 to 100 to 400 ° C. By doing so, the reaction between the hardened layer on the resist surface and the vapor of the chemical solution can be promoted, and the hardened layer on the resist surface can be peeled off more satisfactorily.
また、ウエハWを加熱する場合には、図2に二点鎖線で示すように、処理チャンバ11の上壁21に冷却装置39を設けて、ウエハWを加熱しつつ薬液の蒸気で処理した後に、その冷却装置39により、ウエハWとともに処理チャンバ11内を100℃以下まで冷却することが好ましい。こうすることにより、ウエハWが高温のまま処理チャンバ11から搬出されることを防止することができ、ウエハ搬送ロボットRBなどが熱による悪影響を受けることを防止することができる。また、ウエハ通過口16を開放したときに、高温雰囲気が処理チャンバ11の外部に漏れ出すことを防止することができる。   Further, when the wafer W is heated, as shown by a two-dot chain line in FIG. 2, a cooling device 39 is provided on the upper wall 21 of the processing chamber 11, and the wafer W is heated and processed with chemical vapor. It is preferable to cool the inside of the processing chamber 11 together with the wafer W to 100 ° C. or less by the cooling device 39. By doing so, the wafer W can be prevented from being unloaded from the processing chamber 11 at a high temperature, and the wafer transfer robot RB and the like can be prevented from being adversely affected by heat. Further, it is possible to prevent the high temperature atmosphere from leaking out of the processing chamber 11 when the wafer passage port 16 is opened.
なお、上述のヒータ38や冷却装置39は、上述の第2実施形態においても適用することができる。この場合、ヒータ38は、スピンチャック41に内蔵され、冷却装置39は、遮断板44の上壁部44aの上面に設けられる。
また、上述の第2の実施形態において、SPMベーパに変えて、NMP、アセトンまたはシクロヘキサノンなどの有機溶剤の蒸気がウエハWの表面に供給されてもよいし、あるいは、無水硫酸または硫酸などの他の種類の薬液の蒸気がウエハWの表面に供給されてもよい。
The heater 38 and the cooling device 39 described above can also be applied to the second embodiment described above. In this case, the heater 38 is built in the spin chuck 41, and the cooling device 39 is provided on the upper surface of the upper wall portion 44 a of the blocking plate 44.
In the second embodiment described above, vapor of an organic solvent such as NMP, acetone or cyclohexanone may be supplied to the surface of the wafer W instead of SPM vapor, or other sulfuric acid anhydride or sulfuric acid may be used. This kind of chemical vapor may be supplied to the surface of the wafer W.
さらにまた、処理チャンバ11内およびスピンチャック41の周囲の空間に導入される不活性ガスの一例として窒素ガスを取り上げたが、窒素ガスに限らず、ヘリウムガスなどの他の種類の不活性ガスや、窒素ガスと水素ガスとの混合ガスが用いられてもよい。
また、第1の実施形態では、レジスト剥離処理部2の上方に上記処理部1を配置する構成としたが、上記処理部1の上方にレジスト剥離処理部2を配置する構成としてもよい。また、図6に示すように、蒸気処理部1とレジスト剥離処理部2とを平面的に配置する構成としてもよい。
Furthermore, although nitrogen gas is taken up as an example of an inert gas introduced into the processing chamber 11 and the space around the spin chuck 41, other types of inert gas such as helium gas are not limited to nitrogen gas. A mixed gas of nitrogen gas and hydrogen gas may be used.
In the first embodiment, the processing unit 1 is disposed above the resist stripping processing unit 2. However, the resist stripping processing unit 2 may be disposed above the processing unit 1. Moreover, as shown in FIG. 6, it is good also as a structure which arrange | positions the vapor | steam process part 1 and the resist peeling process part 2 planarly.
また、基板の一例としてウエハWを取り上げたが、処理の対象となる基板は、ウエハWに限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、FED用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
Although the wafer W is taken up as an example of the substrate, the substrate to be processed is not limited to the wafer W, but is a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display, a glass substrate for an FED, an optical disk substrate, a magnetic substrate. It may be a disk substrate, a magneto-optical disk substrate, or a photomask substrate.
In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.
(a)は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す斜視図であり、(b)は、その平面図である。(A) is a perspective view which shows the structure of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention schematically, (b) is the top view. 蒸気処理部の構成を図解的に示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the structure of a steam processing part schematically. 図2に示す蒸気処理部の横断面図である。It is a cross-sectional view of the steam processing unit shown in FIG. 蒸気処理部における基板の処理時(蒸気処理時)の様子を図解的に示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the mode at the time of the process of the board | substrate in a vapor processing part (at the time of a vapor process). この発明の他の実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows schematically the structure of the substrate processing apparatus which concerns on other embodiment of this invention. この発明のさらに他の実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the structure of the substrate processing apparatus which concerns on further another embodiment of this invention.
符号の説明Explanation of symbols
1 蒸気処理部
2 レジスト剥離処理部
13 ウエハ保持台
26 ウエハ周囲排気口
28 排気管
30 排気バルブ
37 制御部
38 ヒータ
39 冷却装置
41 スピンチャック
42 SPMノズル
44 遮断板
46 SPMバルブ
52 導入管
54 SPMベーパバルブ
55 制御部
RB ウエハ搬送ロボット
W ウエハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vapor processing part 2 Resist stripping process part 13 Wafer holding stand 26 Wafer surrounding exhaust port 28 Exhaust pipe 30 Exhaust valve 37 Control part 38 Heater 39 Cooling device 41 Spin chuck 42 SPM nozzle 44 Blocking plate 46 SPM valve 52 Inlet pipe 54 SPM vapor valve 55 Control Unit RB Wafer Transfer Robot W Wafer

Claims (8)

  1. 基板の表面に、処理液の蒸気を供給する蒸気供給工程と、
    前記蒸気供給工程の後に、基板の表面に、当該基板の表面からレジストを剥離するためのレジスト剥離液を供給するレジスト剥離液供給工程とを含むことを特徴とする、基板処理方法。
    A vapor supply step for supplying a vapor of the treatment liquid to the surface of the substrate;
    A substrate processing method comprising: after the vapor supply step, a resist stripping solution supplying step of supplying a resist stripping solution for stripping the resist from the surface of the substrate to the surface of the substrate.
  2. 前記蒸気供給工程と並行して、少なくとも基板の周囲を減圧状態にする減圧工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1記載の基板処理方法。   2. The substrate processing method according to claim 1, further comprising a decompression step of bringing at least the periphery of the substrate into a decompressed state in parallel with the vapor supply step.
  3. 前記レジスト剥離液は、硫酸と過酸化水素水との混合液を含むことを特徴とする、請求項1または2記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 1, wherein the resist stripping solution includes a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution.
  4. 前記蒸気供給工程と並行して、基板を加熱する基板加熱工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 1, further comprising a substrate heating step of heating the substrate in parallel with the vapor supply step.
  5. 基板の表面に処理液の蒸気を供給して、基板の表面を処理するための蒸気処理部と、
    前記蒸気処理部による処理後の基板の表面にレジスト剥離液を供給して、当該基板の表面からレジストを剥離するためのレジスト剥離処理部と、
    前記蒸気処理部から前記レジスト剥離処理部へ基板を搬送する基板搬送手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。
    A vapor processing unit for supplying a vapor of the processing liquid to the surface of the substrate and processing the surface of the substrate;
    Supplying a resist stripping solution to the surface of the substrate after processing by the steam processing unit, and a resist stripping processing unit for stripping the resist from the surface of the substrate;
    A substrate processing apparatus comprising: a substrate transfer means for transferring a substrate from the vapor processing section to the resist stripping processing section.
  6. 前記蒸気処理部内を減圧するための減圧手段をさらに含むことを特徴とする、請求項5記載の基板処理装置。   6. The substrate processing apparatus according to claim 5, further comprising a decompression unit for decompressing the inside of the vapor processing unit.
  7. 前記蒸気処理部は、基板を保持する基板保持手段と、この基板保持手段に保持されている基板を加熱するための加熱手段とを備えていることを特徴とする、請求項5または6に記載の基板処理装置。   The said steam processing part is equipped with the board | substrate holding means to hold | maintain a board | substrate, and the heating means for heating the board | substrate currently hold | maintained at this board | substrate holding means, The Claim 5 or 6 characterized by the above-mentioned. Substrate processing equipment.
  8. 基板を保持する基板保持手段と、
    前記基板保持手段に保持されている基板の表面に、処理液の蒸気を供給するための蒸気供給手段と、
    前記基板保持手段に保持されている基板の表面に、当該基板の表面からレジストを剥離するためのレジスト剥離液を供給するためのレジスト剥離液供給手段と、
    前記蒸気供給手段および前記レジスト剥離液供給手段を制御して、前記蒸気供給手段による蒸気の供給後に、前記レジスト剥離液供給手段によるレジスト剥離液の供給を行わせるための制御手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。
    Substrate holding means for holding the substrate;
    Vapor supply means for supplying vapor of the processing liquid to the surface of the substrate held by the substrate holding means;
    A resist stripper supply means for supplying a resist stripper for stripping the resist from the surface of the substrate to the surface of the substrate held by the substrate holder;
    Control means for controlling the vapor supply means and the resist stripping solution supply means so that the resist stripping solution is supplied by the resist stripping solution after the vapor is supplied by the steam supply means. A substrate processing apparatus as a feature.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009194036A (en) * 2008-02-12 2009-08-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method and apparatus for removing polymer
CN101865667A (en) * 2009-04-17 2010-10-20 住友电装株式会社 The generating apparatus of image for appearance inspection of wire harness and generation method
JP2013077595A (en) * 2011-09-29 2013-04-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2013110324A (en) * 2011-11-22 2013-06-06 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2016515309A (en) * 2013-03-14 2016-05-26 東京エレクトロン株式会社 Track processing to remove organic films in guided self-organized chemoepitaxy applications
JP2017175166A (en) * 2017-06-23 2017-09-28 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method and substrate processing device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009194036A (en) * 2008-02-12 2009-08-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method and apparatus for removing polymer
CN101865667A (en) * 2009-04-17 2010-10-20 住友电装株式会社 The generating apparatus of image for appearance inspection of wire harness and generation method
JP2013077595A (en) * 2011-09-29 2013-04-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2013110324A (en) * 2011-11-22 2013-06-06 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2016515309A (en) * 2013-03-14 2016-05-26 東京エレクトロン株式会社 Track processing to remove organic films in guided self-organized chemoepitaxy applications
KR101759817B1 (en) 2013-03-14 2017-07-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Track processing to remove organic films in directed self-assembly chemo-epitaxy applications
JP2017175166A (en) * 2017-06-23 2017-09-28 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method and substrate processing device

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