JP2007266397A - 研磨装置、検査装置及び半導体装置の検査方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】略板状のパッケージ部の一端面から突出する接続端子を備えた半導体装置の導通検査を行う検査装置において、接続端子と検査装置の接点部との電気接続を確実に図ることができると共に検査装置の取り扱いが容易となるようにする。
【解決手段】半導体装置11の接続端子17を研磨する研磨装置31〜34であって、表面3aにパッケージ部15の他端面15bを接触させて前記半導体装置11を載置する基台3と、該基台3の表面3aに対向配置され、前記接続端子17に接触した状態で前記接続端子17に対して相対的に移動する研磨ユニット7〜10とを備えることを特徴とする研磨装置31〜34を提供する。
【選択図】図1
【解決手段】半導体装置11の接続端子17を研磨する研磨装置31〜34であって、表面3aにパッケージ部15の他端面15bを接触させて前記半導体装置11を載置する基台3と、該基台3の表面3aに対向配置され、前記接続端子17に接触した状態で前記接続端子17に対して相対的に移動する研磨ユニット7〜10とを備えることを特徴とする研磨装置31〜34を提供する。
【選択図】図1
Description
この発明は、半導体装置の導通検査や機能検査を行う検査装置及びこれに備える研磨装置、並びに、半導体装置の検査方法に関する。
近年の半導体装置としては、WLCSP(Wafer Level Chip Size Package)やBGA(Ball Grid Array)等のように、板状に形成された半導体装置本体の表面から半田ボールやバンプ等の複数の接続端子が突出したものがある。この接続端子の表面には、電気抵抗の大きい酸化膜が付着している。
従来、このような半導体装置の導通検査や機能検査を行う際には、半導体装置の各接続端子に接触させる複数の接点部を備えた検査装置を使用する(例えば、特許文献1参照。)。各接点部には、微少突起が形成されており、この微少突起により前述の酸化膜を突き破ることで、接続端子と接点部との電気接続を図っている。また、この接点部においては、微少突起の高さ寸法や硬度の範囲を規定することで、接点部の接触によって接続端子を変形させることなく、低い接触圧で接続端子に接触させることができる。
特開平9―196969号公報
従来、このような半導体装置の導通検査や機能検査を行う際には、半導体装置の各接続端子に接触させる複数の接点部を備えた検査装置を使用する(例えば、特許文献1参照。)。各接点部には、微少突起が形成されており、この微少突起により前述の酸化膜を突き破ることで、接続端子と接点部との電気接続を図っている。また、この接点部においては、微少突起の高さ寸法や硬度の範囲を規定することで、接点部の接触によって接続端子を変形させることなく、低い接触圧で接続端子に接触させることができる。
しかしながら、上記従来の検査装置においては、半導体装置の導通検査等を行う度に微少突起に酸化膜が付着するため、付着した酸化膜によって接続端子と接点部との電気的な接触抵抗が大きくなる虞がある。したがって、微少突起から酸化膜を取り除いたり、接点部自体を交換する必要があるため、検査装置の取り扱いが面倒になるという問題がある。また、微少突起の高さ寸法や硬度の範囲は微少なものであるため、接点部の製造が面倒となり、検査装置の製造コストが増加するという問題もある。
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、接続端子と接点部との電気接続を確実に図ることができると共に取り扱いが容易な検査装置及びこれに備える研磨装置、並びに、半導体装置の検査方法を提供することを目的としている。
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、接続端子と接点部との電気接続を確実に図ることができると共に取り扱いが容易な検査装置及びこれに備える研磨装置、並びに、半導体装置の検査方法を提供することを目的としている。
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
請求項1に係る発明は、半導体装置を構成する略板状のパッケージ部の一端面に突出して設けられた接続端子を研磨する研磨装置であって、表面に前記パッケージ部の他端面を接触させて前記半導体装置を載置する基台と、該基台の表面に対向配置され、前記接続端子に接触した状態で前記接続端子に対して相対的に移動する研磨ユニットとを備えることを特徴とする研磨装置を提案している。
請求項1に係る発明は、半導体装置を構成する略板状のパッケージ部の一端面に突出して設けられた接続端子を研磨する研磨装置であって、表面に前記パッケージ部の他端面を接触させて前記半導体装置を載置する基台と、該基台の表面に対向配置され、前記接続端子に接触した状態で前記接続端子に対して相対的に移動する研磨ユニットとを備えることを特徴とする研磨装置を提案している。
この発明に係る研磨装置によれば、半導体装置の接続端子に研磨ユニットを接触させた状態で、研磨ユニットを接続端子に対して相対的に移動させると、研磨ユニットと接続端子との間に摩擦が発生する。この摩擦に基づいて接続端子の表面が研磨され、接続端子の表面に付着した酸化膜や塵埃等の不純物を取り除くことができる。
請求項2に係る発明は、請求項1に記載の研磨装置において、前記研磨ユニットが、駆動体と、前記駆動体に対して着脱自在に設けられると共に、前記接続端子に接触させるシート状の研磨紙とを備え、前記駆動体により前記研磨紙を前記接続端子に対して相対的に移動させることを特徴とする研磨装置を提案している。
この発明に係る研磨装置によれば、駆動体により研磨紙を相対的に移動させ、これに基づく研磨紙と接続端子との摩擦によって研磨紙が摩耗したり研磨紙に酸化膜や不純物が付着しても、研磨紙のみを交換すればよいため、研磨装置を容易に取り扱うことができる。
この発明に係る研磨装置によれば、駆動体により研磨紙を相対的に移動させ、これに基づく研磨紙と接続端子との摩擦によって研磨紙が摩耗したり研磨紙に酸化膜や不純物が付着しても、研磨紙のみを交換すればよいため、研磨装置を容易に取り扱うことができる。
請求項3に係る発明は、請求項2に記載の研磨装置において、前記駆動体による前記相対的な移動が、前記研磨紙に接触する前記接続端子の接続端子面と略平行な面内での平行移動、回転、若しくは揺動を含むものであることを特徴とする研磨装置を提案している。
請求項4に係る発明は、請求項2又は請求項3に記載の研磨装置において、前記駆動体がバイブレータからなり、前記相対的な移動が前記バイブレータの振動に基づいて生じるものであることを特徴とする研磨装置を提案している。
請求項4に係る発明は、請求項2又は請求項3に記載の研磨装置において、前記駆動体がバイブレータからなり、前記相対的な移動が前記バイブレータの振動に基づいて生じるものであることを特徴とする研磨装置を提案している。
これらの発明に係る研磨装置によれば、研磨紙を接続端子に接触させた状態で、駆動体により接続端子面に略平行な方向に移動させたり、バイブレータにより振動させたりすることにより、接続端子に研磨紙を強く押し付けなくても、研磨紙と接続端子との間に十分な摩擦が発生するため、接続端子を研磨することができる。
請求項5に係る発明は、請求項2から請求項4のいずれか1項に記載の研磨装置において、前記研磨紙が、弾性変形可能な弾性部材から形成されていることを特徴とする研磨装置を提案している。
この発明に係る研磨装置によれば、研磨ユニットを接続端子に押さえつける押圧力を、研磨紙の弾性変形によって緩和することができるため、接続端子つぶれ等の変形、接続端子の脱離等の半導体装置の不具合の発生を防止することができる。
この発明に係る研磨装置によれば、研磨ユニットを接続端子に押さえつける押圧力を、研磨紙の弾性変形によって緩和することができるため、接続端子つぶれ等の変形、接続端子の脱離等の半導体装置の不具合の発生を防止することができる。
請求項6に係る発明は、請求項2から請求項5のいずれか1項に記載の研磨装置において、前記接続端子に接触する前記研磨紙の表面が、前記接続端子の表面の少なくとも一部に倣う形状に形成されていることを特徴とする研磨装置を提案している。
この発明に係る研磨装置によれば、接続端子と研磨紙とを接触させた状態においては、研磨紙が接続端子の表面の一部に倣って接触するため、接続端子と研磨紙との接触面積の増加を図ることができる。したがって、研磨ユニットによって研磨される接続端子の表面面積の拡大を図ることができる。
この発明に係る研磨装置によれば、接続端子と研磨紙とを接触させた状態においては、研磨紙が接続端子の表面の一部に倣って接触するため、接続端子と研磨紙との接触面積の増加を図ることができる。したがって、研磨ユニットによって研磨される接続端子の表面面積の拡大を図ることができる。
請求項7に係る発明は、半導体装置の導通検査や機能検査を行うための検査装置であって、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の研磨装置と、前記接続端子に接触して電気接続させる検査用の接点部を有するプローブ部とを備え、該プローブ部が、前記基台の表面に対向するように前記研磨ユニットに隣接して配されると共に、前記研磨ユニットと一体的に固定され、前記バイブレータユニット及び前記プローブ部と前記基台とが、前記研磨ユニット及び前記プローブ部の配列方向に相対的に移動可能に配置されていることを特徴とする検査装置を提案している。
この発明に係る検査装置を用いて半導体装置の導通検査や機能検査を行う際には、はじめに、基台に配された半導体装置を研磨ユニットに対向する位置に配し、接続端子に対する研磨ユニットの相対的な移動により接続端子の表面を研磨する。次いで、研磨ユニット及びプローブ部と基台とを相対的に移動させて、半導体装置をプローブ部に対向する位置に配する。そして、この状態において、接続端子をプローブ部の接点部に接触させることで前述の導通検査や機能検査が行われることになる。すなわち、半導体装置の導通検査や機能検査を行う直前に、接続端子の表面に付着した酸化膜や不純物を除去するため、接続端子と接点部との電気接続を確実に図ることができる。
また、研磨ユニット及びプローブ部の配列方向に複数の半導体装置が並べて配置されている場合には、プローブ部による一の半導体装置の検査と同時に、研磨ユニットにより一の半導体装置に隣り合う他の半導体装置の研磨を行うことができる。
また、研磨ユニット及びプローブ部の配列方向に複数の半導体装置が並べて配置されている場合には、プローブ部による一の半導体装置の検査と同時に、研磨ユニットにより一の半導体装置に隣り合う他の半導体装置の研磨を行うことができる。
請求項8に係る発明は、請求項7に記載の検査装置を用いた半導体装置の検査方法であって、前記研磨装置の前記基台に前記パッケージ部の他端面を接触させて半導体装置を載置し、前記研磨ユニットを前記接続端子に接触させると共に、前記接続端子に対して相対的に移動させることにより前記接続端子の表面を研磨し、前記検査用の接点部を有するプローブ部を前記研磨された接続端子に接触させて検査を行うことを特徴とする半導体装置の検査方法を提案している。
この発明に係る半導体装置の検査方法によれば、接続端子の表面を研磨した直後に導通検査や機能検査を行うことにより、これら検査を行う前に、酸化膜が接続端子に付着することを確実に防止することができる。
この発明に係る半導体装置の検査方法によれば、接続端子の表面を研磨した直後に導通検査や機能検査を行うことにより、これら検査を行う前に、酸化膜が接続端子に付着することを確実に防止することができる。
請求項1及び請求項7に係る発明によれば、予め研磨装置において接続端子の表面から酸化膜や不純物を取り除いておくことにより、検査装置に設けられた検査用の接点部を接続端子に接触させても、接点部に酸化膜が付着しない。このため、接点部と接続端子との電気接続を確実に図ることができると共に、検査装置を容易に取り扱うことが可能となる。さらに、酸化膜や不純物に基づく接点部と接続端子との電気接続不良を防止できるため、検査装置における半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
また、接点部には、酸化膜を貫通させるための微少突起を形成する必要がないため、検査装置の製造コストが増加することも防止できる。
また、接点部には、酸化膜を貫通させるための微少突起を形成する必要がないため、検査装置の製造コストが増加することも防止できる。
また、請求項2に係る発明によれば、接続端子に接触する研磨紙が摩耗したり研磨紙に酸化膜や不純物が付着しても、この研磨紙を交換することができるため、研磨装置を容易に取り扱うことができる。
また、請求項3又は請求項4に係る発明によれば、研磨紙を接続端子面に接触させた状態で、研磨紙を接続端子面に略平行な方向に移動させたり、振動させたりすることにより、接続端子に研磨紙を強く押し付ける必要がなくなるため、接続端子のつぶれ等の変形、接続端子の脱離等の半導体装置の不具合が発生することを防止できる。
また、請求項5に係る発明によれば、研磨紙を弾性部材により形成することにより、接続端子に対する研磨ユニットの押圧力を高い精度で制御することなく、接続端子のつぶれ等の変形、接続端子の脱離等の半導体装置の不具合の発生を防止できる。
また、請求項6に係る発明によれば、研磨紙の表面を接続端子の表面の少なくとも一部に倣う形状に形成しておくことにより、研磨ユニットにより酸化膜を除去した接続端子の表面面積を拡大できるため、接続端子を検査装置の接点部に確実に電気接続することが可能となる。
また、請求項7及び請求項8に係る発明によれば、プローブ部と研磨ユニットとを相互に隣接する位置に配しておくことにより、プローブ部による半導体装置の導通検査や機能検査を行う直前に接続端子を研磨することができる。このため、接続端子に酸化膜が付着する前に上記検査を行うことができる、すなわち、接続端子と接点部との電気接続をより確実に図ることができる。
さらに、プローブ部による一の半導体装置の検査と同時に、研磨ユニットにより一の半導体装置に隣り合う他の半導体装置の研磨を行うことができるため、半導体装置の検査効率の向上を図ることができる。
さらに、プローブ部による一の半導体装置の検査と同時に、研磨ユニットにより一の半導体装置に隣り合う他の半導体装置の研磨を行うことができるため、半導体装置の検査効率の向上を図ることができる。
図1から図3は、本発明の一実施形態を示している。図1,2に示すように、この検査装置1は、半導体装置の導通検査や機能検査等を行うものであり、基台3と、基台3の表面3aに対向して配されたプローブ部5及び複数のバイブレータユニット(研磨ユニット)7〜10(図示例では4つ)とを備えている。
基台3は、その表面3aに所謂WLCSPからなる複数の半導体装置11,11,・・・を並べて形成した略板状のウエハ13が配されるように構成されており、プローブ部5及びバイブレータユニット7〜10に対して接近・離間する方向(AB方向)、及び、表面3aに沿う4つの方向(C〜F方向)に移動できるように配されている。
基台3は、その表面3aに所謂WLCSPからなる複数の半導体装置11,11,・・・を並べて形成した略板状のウエハ13が配されるように構成されており、プローブ部5及びバイブレータユニット7〜10に対して接近・離間する方向(AB方向)、及び、表面3aに沿う4つの方向(C〜F方向)に移動できるように配されている。
なお、各半導体装置11は、略板状に形成されたパッケージ部15の一端面15aに球体状の半田ボール(接続端子)17,17,・・・を複数設けて構成されており、複数のパッケージ部15,15,・・・は一体的に形成されている。これら複数のパッケージ部15,15,・・・は、検査装置1における各半導体装置11の検査が終了した後に個別に切り分けられる。
また、前述したウエハ13は、パッケージ部15の他端面15bを基台3の表面3aに接触させるように基台3に配される。すなわち、半田ボール17を設けたパッケージ部15の一端面15aが後述するプローブ部5及びバイブレータユニット7〜10に対向することになる。
また、前述したウエハ13は、パッケージ部15の他端面15bを基台3の表面3aに接触させるように基台3に配される。すなわち、半田ボール17を設けたパッケージ部15の一端面15aが後述するプローブ部5及びバイブレータユニット7〜10に対向することになる。
プローブ部5には、半導体装置11の各半田ボール17に接触させる略針状の接点部19,19,・・・が複数設けられている。これら複数の接点部19,19,・・・は、前述した導通検査や機能検査等を行うためのものであり、半導体装置11の各半田ボール17と電気接続させるものである。すなわち、接点部19は、各半導体装置11に設けられる半田ボール17と同じ数だけ形成されている。
各バイブレータユニット7〜10は、前述した基台3と共に半田ボール17の表面を振動により研磨するための研磨装置31〜34を構成するものであり、バイブレータ(駆動体)21と、バイブレータ21に対して着脱可能に設けられた略シート状の研磨紙23とを備えている。バイブレータ21は、振動を発生する振動発生部25を含んで構成されている。
研磨紙23は、半導体装置11の半田ボール17に接触可能となる位置に配されており、また、1つの半導体装置11に設けられた全ての半田ボール17に接触できる大きさを有している。研磨紙23としては、例えば、シート状の基材にクッション層(弾性部材)を介して研磨剤層を形成したクリーニングフィルムを用いることができる。ここで、クッション層は弾性変形可能な材料を含んだものからなり、また、研磨剤層は0.5〜3.0μm程度の酸化アルミニウム砥粒を含んだものからなる。なお、上記基材は紙であっても布であっても構わない。また、基材全体に研磨剤を分散したものを研磨紙23として用いてもよい。
研磨紙23は、半導体装置11の半田ボール17に接触可能となる位置に配されており、また、1つの半導体装置11に設けられた全ての半田ボール17に接触できる大きさを有している。研磨紙23としては、例えば、シート状の基材にクッション層(弾性部材)を介して研磨剤層を形成したクリーニングフィルムを用いることができる。ここで、クッション層は弾性変形可能な材料を含んだものからなり、また、研磨剤層は0.5〜3.0μm程度の酸化アルミニウム砥粒を含んだものからなる。なお、上記基材は紙であっても布であっても構わない。また、基材全体に研磨剤を分散したものを研磨紙23として用いてもよい。
また、この研磨紙23には、図3に示すように、その表面23aから窪む窪み部27が複数形成されており、各窪み部27は半田ボール17の表面と同じ曲率を有している。すなわち、各窪み部27は半田ボール17の球面に倣った形状に形成されている。したがって、研磨紙23が半田ボール17に接触した状態においては、窪み部27の内面全体に半田ボール17の表面が接触することになる。この窪み部27は、各半導体装置11に設けられる半田ボール17と同じ数だけ形成されている。
図1,2に示すように、これら4つのバイブレータユニット7〜10は、基台3の移動方向(C〜F方向)に沿ってプローブ部5と並べるように、プローブ部5を四方から囲んで配されている。また、4つのバイブレータユニット7〜10及びプローブ部5は、プローブカード35により一体的に固定されている。
なお、プローブ部5と各バイブレータユニット7〜10との間隔は、これらプローブ部5及びバイブレータユニット7〜10がそれぞれ各半導体装置11に対向して配されるように設定することが好ましい。また、複数の半導体装置11,11,・・・は、プローブ部5及び複数のバイブレータユニット7〜10の配列方向に合わせて並べられることが好ましい。これにより、プローブ部5の接点部19が一の半導体装置11の接触した状態において、各バイブレータユニット7〜10の研磨紙23を、一の半導体装置11に隣り合う他の半導体装置11の半田ボール17に接触させることが可能となる。
なお、プローブ部5と各バイブレータユニット7〜10との間隔は、これらプローブ部5及びバイブレータユニット7〜10がそれぞれ各半導体装置11に対向して配されるように設定することが好ましい。また、複数の半導体装置11,11,・・・は、プローブ部5及び複数のバイブレータユニット7〜10の配列方向に合わせて並べられることが好ましい。これにより、プローブ部5の接点部19が一の半導体装置11の接触した状態において、各バイブレータユニット7〜10の研磨紙23を、一の半導体装置11に隣り合う他の半導体装置11の半田ボール17に接触させることが可能となる。
次に、以上のように構成された検査装置1における半導体装置11の検査方法について説明する。
この検査装置1を用いて半導体装置11の導通検査や機能検査を行う際には、はじめに、研磨装置31〜34により検査対象となる半導体装置11の半田ボール17を研磨する。この際には、例えば、一の半導体装置11がいずれか1つのバイブレータユニット7〜10に対向する位置に配されるように、基台3をその表面3aに沿う方向(C〜F方向)に移動させる。次いで、基台3をA方向に移動させてバイブレータユニット7〜10の研磨紙23に一の半導体装置11の半田ボール17を押さえつける。
そして、この状態において、バイブレータユニット7〜10を振動させると、バイブレータユニット7〜10と半田ボール17との間に摩擦が発生する。この際には、研磨紙23に形成された各窪み部27の内面に接触する半田ボール17の表面が研磨され、これにより半田ボール17の表面に付着した酸化膜や不純物を除去することができる。
この検査装置1を用いて半導体装置11の導通検査や機能検査を行う際には、はじめに、研磨装置31〜34により検査対象となる半導体装置11の半田ボール17を研磨する。この際には、例えば、一の半導体装置11がいずれか1つのバイブレータユニット7〜10に対向する位置に配されるように、基台3をその表面3aに沿う方向(C〜F方向)に移動させる。次いで、基台3をA方向に移動させてバイブレータユニット7〜10の研磨紙23に一の半導体装置11の半田ボール17を押さえつける。
そして、この状態において、バイブレータユニット7〜10を振動させると、バイブレータユニット7〜10と半田ボール17との間に摩擦が発生する。この際には、研磨紙23に形成された各窪み部27の内面に接触する半田ボール17の表面が研磨され、これにより半田ボール17の表面に付着した酸化膜や不純物を除去することができる。
上記のように、一の半導体装置11に備える半田ボール17の研磨が終了した後には、半田ボール17がバイブレータユニット7〜10から離間する方向(B方向)に基台3を移動させ、また、一の半導体装置11がプローブ部5に対向する位置に配されるように、基台3をその表面3aに沿う方向(C〜F方向)に適宜移動させる。その後、基台3をA方向に移動させてプローブ部5の各接点部19に一の半導体装置11の半田ボール17を接触させる。この状態において、一の半導体装置11の導通検査や機能検査が行われることになる。
なお、上述のように、一の半導体装置11の検査が行われている状態においては、一の半導体装置11の四方に隣接して位置する4つの他の半導体装置11の半田ボール17が、各バイブレータユニット7〜10に接触している。このため、この検査装置においては、プローブ部5による一の半導体装置11の検査と同時に、バイブレータユニット7〜10により一の半導体装置11に隣り合う他の半導体装置11に備える半田ボール17の研磨を行うことができる。
なお、上述のように、一の半導体装置11の検査が行われている状態においては、一の半導体装置11の四方に隣接して位置する4つの他の半導体装置11の半田ボール17が、各バイブレータユニット7〜10に接触している。このため、この検査装置においては、プローブ部5による一の半導体装置11の検査と同時に、バイブレータユニット7〜10により一の半導体装置11に隣り合う他の半導体装置11に備える半田ボール17の研磨を行うことができる。
上記の検査装置1及びこれに備える研磨装置31〜34によれば、予め研磨装置31〜34において半田ボール17の表面から酸化膜や不純物を取り除いておくことにより、プローブ部5の接点部19を半田ボール17に接触させても、接点部19に酸化膜が付着しない。このため、接点部19と半田ボール17との電気接続を確実に図ることができると共に、検査装置1を容易に取り扱うことが可能となる。さらに、酸化膜や不純物に基づく接点部19と半田ボール17との電気接続不良を防止して半導体装置11の検査を正しく行うことができるため、検査装置1における半導体装置11の歩留まりを向上させることができる。
また、各接点部19に半田ボール17に付着した酸化膜を貫通させるための微少突起を形成する必要もないため、検査装置1の製造コストが増加することも防止できる。
さらに、振動を利用して半田ボール17の表面を研磨することにより、研磨紙23を半田ボール17に強く押しつけなくても、研磨紙23と半田ボール17との間に十分な摩擦が発生するため、半田ボール17のつぶれ等の変形、半田ボール17の脱離等の半導体装置11の不具合が発生することを防止することもできる。
また、半田ボール17を研磨するための研磨紙23は、バイブレータ21に対して着脱可能に設けられているため、バイブレータユニット7〜10の振動に基づいて研磨紙23と半田ボール17との摩擦によって研磨紙23が摩耗したり研磨紙23に酸化膜や不純物が付着した際には、研磨紙23のみを交換すればよい。したがって、研磨装置31〜34を容易に取り扱うことができる。
さらに、振動を利用して半田ボール17の表面を研磨することにより、研磨紙23を半田ボール17に強く押しつけなくても、研磨紙23と半田ボール17との間に十分な摩擦が発生するため、半田ボール17のつぶれ等の変形、半田ボール17の脱離等の半導体装置11の不具合が発生することを防止することもできる。
また、半田ボール17を研磨するための研磨紙23は、バイブレータ21に対して着脱可能に設けられているため、バイブレータユニット7〜10の振動に基づいて研磨紙23と半田ボール17との摩擦によって研磨紙23が摩耗したり研磨紙23に酸化膜や不純物が付着した際には、研磨紙23のみを交換すればよい。したがって、研磨装置31〜34を容易に取り扱うことができる。
さらに、研磨紙23は弾性部材から形成されているため、バイブレータユニット7〜10を半田ボール17に押さえつける押圧力を、研磨紙23の弾性部材の弾性変形によって緩和することができる。したがって、半田ボール17に対するバイブレータユニット7〜10の押圧力を高い精度で制御することなく、半田ボール17のつぶれ等の変形、半田ボール17の脱離等の半導体装置11の不具合の発生を防止できる。
また、研磨紙23の表面には、半田ボール17の球面に倣った窪み部27が形成されているため、半田ボール17と研磨紙23との接触面積の増加を図ることができる。したがって、バイブレータユニット7〜10を振動によって研磨される半田ボール17の表面面積の拡大を図ることができ、半田ボール17と接点部19とを確実に電気接続することが可能となる。
また、研磨紙23の表面には、半田ボール17の球面に倣った窪み部27が形成されているため、半田ボール17と研磨紙23との接触面積の増加を図ることができる。したがって、バイブレータユニット7〜10を振動によって研磨される半田ボール17の表面面積の拡大を図ることができ、半田ボール17と接点部19とを確実に電気接続することが可能となる。
さらに、この検査装置1及びこれを用いた半導体装置11の検査方法によれば、プローブ部5とバイブレータユニット7〜10とを相互に隣接する位置に配しておくことにより、プローブ部5による半導体装置11の導通検査や機能検査を行う直前に半田ボール17を研磨することができる。このため、半田ボール17に酸化膜が付着する前に上記検査を行うことができる、すなわち、半田ボール17と接点部19との電気接続をより確実に図ることができる。
また、プローブ部5による一の半導体装置11の検査と同時に、バイブレータユニット7〜10により一の半導体装置11に隣り合う他の半導体装置11の研磨を行うことができるため、半導体装置11の検査効率の向上を図ることができる。
また、プローブ部5による一の半導体装置11の検査と同時に、バイブレータユニット7〜10により一の半導体装置11に隣り合う他の半導体装置11の研磨を行うことができるため、半導体装置11の検査効率の向上を図ることができる。
なお、上記の実施の形態において、バイブレータユニット7〜10は、プローブ部5を四方から囲むように4つ設けられるとしたが、これに限ることはなく、プローブ部5に隣接して少なくとも1つだけ設けられていればよい。
また、上記実施形態のように、バイブレータユニットが複数設けられている場合には、プローブ部5が次に測定する半導体装置11の研磨が行われるようにしても構わない。例えば、研磨を行わないバイブレータユニットをオフにしておく、若しくは、研磨を行わないバイブレータユニットが半導体装置11から離れるように可動な構成とする等して、1つのバイブレータユニットのみを選択して研磨を行うようにする。これにより、測定の終わった半田ボール17を不要に研磨することが無くなるため、半田ボール17の高さのばらつきが発生することを回避できる。
一方、プローブ部5が複数の半導体装置11を同時に検査できる場合には、同時に複数の半導体装置11の半田ボール17を研磨するとしても構わない。
また、上記実施形態のように、バイブレータユニットが複数設けられている場合には、プローブ部5が次に測定する半導体装置11の研磨が行われるようにしても構わない。例えば、研磨を行わないバイブレータユニットをオフにしておく、若しくは、研磨を行わないバイブレータユニットが半導体装置11から離れるように可動な構成とする等して、1つのバイブレータユニットのみを選択して研磨を行うようにする。これにより、測定の終わった半田ボール17を不要に研磨することが無くなるため、半田ボール17の高さのばらつきが発生することを回避できる。
一方、プローブ部5が複数の半導体装置11を同時に検査できる場合には、同時に複数の半導体装置11の半田ボール17を研磨するとしても構わない。
また、各接点部19は略針状に形成されるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも半導体装置11の各半田ボール17に接触して電気接続可能な形状に形成されていればよい。
さらに、検査対象となる半導体装置11には、略球体状の半田ボール17が設けられるとしたが、これに限ることはなく、少なくともパッケージ部15の一端面15aから突出すると共に球状、円柱状、半円球状、角柱状等に形成された接続端子が設けられていればよい。すなわち、この接続端子は、例えば、パッケージ部15の内部から突出するバンプであっても構わない。
また、上記実施形態の検査装置1においては、WLCSPからなる半導体装置11の検査を行うとしたが、これに限ることはなく、少なくとも略板状のパッケージ部15の一端面に接続端子を突出して設けた半導体装置の検査を行うことができる。すなわち、検査対象となる半導体装置は、例えば、BGAであっても構わない。
さらに、検査対象となる半導体装置11には、略球体状の半田ボール17が設けられるとしたが、これに限ることはなく、少なくともパッケージ部15の一端面15aから突出すると共に球状、円柱状、半円球状、角柱状等に形成された接続端子が設けられていればよい。すなわち、この接続端子は、例えば、パッケージ部15の内部から突出するバンプであっても構わない。
また、上記実施形態の検査装置1においては、WLCSPからなる半導体装置11の検査を行うとしたが、これに限ることはなく、少なくとも略板状のパッケージ部15の一端面に接続端子を突出して設けた半導体装置の検査を行うことができる。すなわち、検査対象となる半導体装置は、例えば、BGAであっても構わない。
また、上記接続端子は、バイブレータ21の振動に基づいて研磨されるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも研磨紙23を接続端子に対して移動させることで研磨されればよい。したがって、例えば、図4に示すように、接続端子41は、複数のローラ等から構成される駆動体45により接続端子41群が形成する平面(接続端子面)と略平行な面内で、研磨紙43を一方向に平行移動させることで研磨されるとしても構わない。なお、この研磨紙43は、上記実施形態の研磨紙23と同様の基材、クッション層及び研磨材層を備えており、研磨紙43を接続端子41に接触させるための支持ブロック47の両側において巻き取られるように配されている。
この構成の場合にも、上記実施形態と同様に、研磨紙43を接続端子41に強く押しつけることなく、研磨紙43と接続端子41との間に十分な摩擦を発生させることができるため、接続端子41のつぶれ等の変形、接続端子41の脱離等の半導体装置の不具合が発生することを防止できる。
さらに、接続端子面と略平行な面内で研磨紙43を平行移動させているため、また、研磨紙43を巻き取るように構成することにより研磨紙43にテンションを付与することができるため、接続端子41をさらに効率よく研磨することができる。
さらに、接続端子面と略平行な面内で研磨紙43を平行移動させているため、また、研磨紙43を巻き取るように構成することにより研磨紙43にテンションを付与することができるため、接続端子41をさらに効率よく研磨することができる。
なお、上記構成においては、接続端子面と略平行な面内で研磨紙43を平行移動させるとしたが、接続端子41が曲面を有するバンプや半田ボールである場合にはこれに限らず、例えば、接続端子面の形成する面と交差する面内で研磨紙43を移動させるとしてもよい。
また、例えば、駆動体45により研磨紙43を一方向及び他方向に繰り返し移動させ、すなわち、研磨紙43を揺動させて接続端子を研磨するとしてもよい。この構成の場合には、単純に平行移動させる場合と比べて接続端子の表面を均一に研磨することができる。
さらに、例えば、研磨紙をディスク状に形成し、この研磨紙を接続端子面と平行な面内で回転させることで接続端子を研磨するとしても構わない。
また、例えば、駆動体45により研磨紙43を一方向及び他方向に繰り返し移動させ、すなわち、研磨紙43を揺動させて接続端子を研磨するとしてもよい。この構成の場合には、単純に平行移動させる場合と比べて接続端子の表面を均一に研磨することができる。
さらに、例えば、研磨紙をディスク状に形成し、この研磨紙を接続端子面と平行な面内で回転させることで接続端子を研磨するとしても構わない。
さらに、上記実施形態では、研磨紙23の表面23aに半田ボール17の表面と同じ曲率を有する窪み部27が形成されるとしたが、これに限ることはなく、研磨紙23の表面23aには少なくとも半導体装置11に突出して形成される接続端子の表面の一部に倣った形状に形成されていればよい。すなわち、前記接続端子の表面の一部に凹部が形成されている場合には、例えば、研磨紙23の表面23aに、前記凹部に挿入可能な突出部を形成すればよい。
また、上記実施形態においては、研磨装置31〜34を検査装置1に一体的に組み込んだ構成について説明したが、これに限ることはなく、研磨装置を検査装置から独立した別体の装置として構成しても構わない。この場合、研磨装置は、少なくとも半導体装置11を載置する基台と、半導体装置の接続端子に接触させるバイブレータユニットとを備えていればよい。
また、上記実施形態においては、研磨装置31〜34を検査装置1に一体的に組み込んだ構成について説明したが、これに限ることはなく、研磨装置を検査装置から独立した別体の装置として構成しても構わない。この場合、研磨装置は、少なくとも半導体装置11を載置する基台と、半導体装置の接続端子に接触させるバイブレータユニットとを備えていればよい。
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
1・・・検査装置、3・・・基台、3a・・・裏面、5・・・プローブ部、7〜10・・・バイブレータユニット(研磨ユニット)、11・・・半導体装置、15・・・パッケージ部、15a・・・一端面、15b・・・他端面、17・・・半田ボール(接続端子)、19・・・接点部、21・・・バイブレータ(駆動体)、23,43・・・研磨紙、23a・・・表面、31〜34・・・研磨装置、41・・・接続端子、45・・・駆動体
Claims (8)
- 半導体装置を構成する略板状のパッケージ部の一端面に突出して設けられた接続端子を研磨する研磨装置であって、
表面に前記パッケージ部の他端面を接触させて前記半導体装置を載置する基台と、該基台の表面に対向配置され、前記接続端子に接触した状態で前記接続端子に対して相対的に移動する研磨ユニットとを備えることを特徴とする研磨装置。 - 前記研磨ユニットが、駆動体と、前記駆動体に対して着脱自在に設けられると共に、前記接続端子に接触させるシート状の研磨紙とを備え、
前記駆動体により前記研磨紙を前記接続端子に対して相対的に移動させることを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。 - 前記駆動体による前記相対的な移動が、前記研磨紙に接触する前記接続端子の接続端子面と略平行な面内での平行移動、回転、若しくは揺動を含むものであることを特徴とする請求項2に記載の研磨装置。
- 前記駆動体がバイブレータからなり、前記相対的な移動が前記バイブレータの振動に基づいて生じるものであることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の研磨装置。
- 前記研磨紙が、弾性変形可能な弾性部材から形成されていることを特徴とする請求項2から請求項4のいずれか1項に記載の研磨装置。
- 前記接続端子に接触する前記研磨紙の表面が、前記接続端子の表面の少なくとも一部に倣う形状に形成されていることを特徴とする請求項2から請求項5のいずれか1項に記載の研磨装置。
- 半導体装置の導通検査や機能検査を行うための検査装置であって、
請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の研磨装置と、前記接続端子に接触して電気接続させる検査用の接点部を有するプローブ部とを備え、
該プローブ部が、前記基台の表面に対向するように前記研磨ユニットに隣接して配されると共に、前記研磨ユニットと一体的に固定され、
前記バイブレータユニット及び前記プローブ部と前記基台とが、前記研磨ユニット及び前記プローブ部の配列方向に相対的に移動可能に配置されていることを特徴とする検査装置。 - 請求項7に記載の検査装置を用いた半導体装置の検査方法であって、
前記研磨装置の前記基台に前記パッケージ部の他端面を接触させて半導体装置を載置し、
前記研磨ユニットを前記接続端子に接触させると共に、前記接続端子に対して相対的に移動させることにより前記接続端子の表面を研磨し、
前記検査用の接点部を有するプローブ部を前記研磨された接続端子に接触させて検査を行うことを特徴とする半導体装置の検査方法。
Priority Applications (1)
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JP2006090729A JP2007266397A (ja) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | 研磨装置、検査装置及び半導体装置の検査方法 |
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JP2007266397A true JP2007266397A (ja) | 2007-10-11 |
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JP2006090729A Pending JP2007266397A (ja) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | 研磨装置、検査装置及び半導体装置の検査方法 |
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CN104646326A (zh) * | 2013-11-21 | 2015-05-27 | 修建东 | 一种晶体管表面软化溢料清理机 |
-
2006
- 2006-03-29 JP JP2006090729A patent/JP2007266397A/ja active Pending
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