JP2007266389A - 導電性パターンの形成方法、およびそれを用いた有機トランジスタの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 高い配置精度を有する導電性パターンを、簡便な工程で得ることのできる手段を提供すること。
【解決手段】 基板１表面上にあらかじめ導電性パターンに応じて形成した凹部２に、機能液を注入し、機能液を導電膜６に変換することにより導電性パターンを形成させる。これにより、高精度に配置された導電性パターンを、大掛かりな設備を必要とせずに形成させることができる。しかも、材料を無駄に廃棄することがないので、材料使用率を向上させることができる。
【選択図】 図３

Description

本発明は、機能液を基板上に配置することによりパターンを形成する導電性パターンの形成方法および有機トランジスタの製造方法に関する。

従来より、半導体集積回路などの微細な導電性パターンを有するデバイスの製造方法としては、フォトリソグラフティ法およびインクジェット法が知られている。フォトリソグラフティ法は、あらかじめ導電膜を塗布した基板上に感光剤を塗布した後に、回路パターンを照射して現像し、パターンに応じて導電膜をエッチングすることで導電性パターンを形成するものであり、高精度に導電性パターンを配置することができる。しかしながら、この方法は真空装置などの大掛かりな設備を必要とすることに加え、材料使用率も低いため、製造コストが高くなってしまうという問題点があった。

また、別の方法として、インクジェットを用いた方法がある（例えば、特許文献１参照）。このインクジェット法は、金属微粒子等の導電性微粒子を分散させた機能液であるパターン用インクを基板に直接塗布し、その後熱処理やレーザー照射を行って導電性パターンに変換するものである。この方法によれば、フォトリソグラフティ法に比べて、プロセスが大幅に簡単なものになるとともに原材料の使用も少なくてすむ一方、導電性パターンの配置精度が悪くなってしまい、微小配線が形成できないという問題点があった。

そこで、有機分子膜によって撥液部と親液部のパターンを形成した基板の親液部のみに選択的に機能性液体材料を塗布し、その後の熱処理によって導電膜パターンに変換する導電性パターン形成方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。この導電性パターン形成方法を、図２７から図３１を参照して説明する。まず、図２７から図２９に示すように、基板１０１上に自己組織化膜１０２を形成（図２７参照）した後、自己組織化膜１０２を紫外光（ＵＶ）照射などにより部分的に除去し（図２８参照）、親液部１０３と撥液部１０４とを所定のパターンで形成する（図２９参照）パターン形成工程を踏む。そして、図３０に示すように、インクジェット法やスピンコート法などにより、親液部１０３に導電性微粒子が分散された機能液１０５塗布する機能液塗布工程を踏む。その後、図３１に示すように、熱処理によって、塗布した機能液を導電膜１０６に変換する熱処理工程を踏む。以上の工程により、図３１に示すように、導電性パターンが形成された基板素子１００が製造される。この導電性パターンの形成方法によれば、フォトリソグラフティに用いるような真空装置等が不要であるとともに、インクジェットのみを用いてパターンを塗布する方法と比較してパターンの配置精度の向上が期待される。
米国特許第５１３２２４８号公報 特開２００２−１６４６３５号公報

しかしながら、特許文献２に記載の方法によっても、親液部に微粒子分散液を塗布する工程で、インクジェット法を用いた場合には、実質的にはパターンの配置精度はインクジェットの液滴着弾精度以上の精度は得られず、配置精度を１０マイクロメートル以下とすることは難しいという問題点があった。一方、配置精度を向上させるために、親液部に微粒子分散液を塗布する工程で、スピンコート法を用いると、無駄に廃棄する材料が多くなってしまいコストがかかってしまうという問題点があった。しかも、自己組織化膜を部分的に除去する工程では、露光機やフォトマスクなどの大掛かりな装置が必要となり、工程が複雑になるとともに、製造コストがかかってしまうという問題点もあった。

このように、１０マイクロメートル以下の配置精度を有する導電性パターンを、大掛かりな装置を使用せず、簡便な工程で、しかも材料を無駄なく形成する手法は、これまでに提案されていなかった。

本発明は前記課題を解決するためになされたものであり、高い配置精度を有する導電性パターンを、簡便な工程でしかも材料を無駄なく使用して得ることのできる薄膜のパターンの形成方法およびそれを用いた有機トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。

前記課題を解決するために、請求項１に係る発明の導電性パターンの形成方法は、導電性を有する材料を含む機能液を基板上に塗布してパターンを形成する導電性パターンの形成方法であって、前記基板に、前記導電性パターンに応じた凹部、および該凹部と前記基板の端部とを連通させる溝部を形成する凹部形成工程と、前記凹部および前記溝部の上面を覆うカバー材を、前記基板と接着させるカバー材接着工程と、前記凹部および前記溝部と前記カバー材との隙間に、前記機能液を注入する注入工程と、前記凹部と前記溝部とに注入された前記機能液を導電膜に変換する変換工程と、前記カバー材と前記基板とを分離する分離工程と、前記導電膜のうち、前記溝部に応じて形成された部分を含む不要部を除去する除去工程とを有することを特徴とする。

また、請求項２に係る発明の導電性パターンの形成方法は、請求項１に記載の発明の構成に加え、前記カバー材は、フィルム材により形成されていることを特徴とする。

また、請求項３に係る発明の導電性パターンの形成方法は、請求項１または２に記載の発明の構成に加え、前記カバー材は、撥水性または撥油性を有することを特徴とする。

また、請求項４に係る発明の導電性パターンの形成方法は、請求項１または２に記載の発明の構成に加え、前記カバー材は、離型剤が塗布されていることを特徴とする。

また、請求項５に係る発明の導電性パターンの形成方法は、請求項１または２に記載の発明の構成に加え、前記カバー材は、前記分離工程において、紫外光を照射すると剥離性が生じることを特徴とする。

また、請求項６に係る発明の導電性パターンの形成方法は、請求項１または２に記載の発明の構成に加え、前記基板は、撥水性または撥油性を有することを特徴とする。

また、請求項７に係る発明の導電性パターンの形成方法は、請求項１または２に記載の発明の構成に加え、前記基板は、離型剤が塗布されていることを特徴とする。

また、請求項８に係る発明の導電性パターンの形成方法は、請求項１または２に記載の発明の構成に加え、前記基板は、前記分離工程において、紫外光を照射すると剥離性が生じることを特徴とする。

また、請求項９に係る発明の導電性パターンの形成方法は、請求項１乃至８のいずれかに記載の発明の構成に加え、前記機能液の粘度は、１０ｃＰ以下であることを特徴とする。

また、請求項１０に係る発明の有機トランジスタの製造方法は、導電性パターンを形成する工程を有する有機トランジスタの製造方法であって、請求項１乃至９のいずれかに記載の導電性パターンの形成方法により、前記基板上もしくは前記カバー材上に導電性パターンを形成することを特徴とする。

また、請求項１１に係る発明の有機トランジスタの製造方法は、支持層上に導電性パターンを形成する工程を有する有機トランジスタの製造方法であって、前記支持層上面にソース電極、ドレイン電極を形成する第１の工程と、前記ソース電極、ドレイン電極の上面に有機半導体を形成する第２の工程と、前記有機半導体が形成された前記支持層上面をゲート絶縁膜で皮膜する第３の工程と、前記ゲート絶縁膜で皮膜された前記支持層上面にゲート電極を形成する第４の工程とを有し、前記第１の工程では、前記基板若しくは前記カバー材の一方を前記支持層として、請求項１乃至９のいずれかに記載の導電性パターンの形成方法を用いて前記ソース電極、前記ドレイン電極を形成することを特徴とする。

また、請求項１２に係る発明の有機トランジスタの製造方法は、基板上に導電性パターンを形成する工程を有する有機トランジスタの製造方法であって、前記基板上面に請求項１乃至９のいずれかに記載の導電性パターンの形成方法を用いてソース電極、ドレイン電極を形成する第１の工程と、前記基板下面に請求項１乃至９のいずれかに記載の導電性パターンの形成方法を用いてゲート電極を形成する第２の工程と、前記ソース電極、前記ドレイン電極の上面に有機半導体を形成する第３の工程とからなることを特徴とする。

また、請求項１３に係る発明の有機トランジスタの製造方法は、基板上に導電性パターンを形成する工程を有する有機トランジスタの製造方法であって、前記基板上面に請求項１乃至９のいずれかに記載の導電性パターンの形成方法を用いてソース電極、ドレイン電極を形成する第１の工程と、前記基板下面にゲート電極を形成する第２の工程と、前記ソース電極、前記ドレイン電極の上面に有機半導体を形成する第３の工程とを有し、前記第２の工程は、前記基板に、前記導電性パターンに応じた凹部、および該凹部と前記基板の端部とを連通させる溝部を形成する凹部形成工程と、前記凹部および前記溝部の上面を覆うカバー材を、基板と接着させるカバー材接着工程と、前記凹部および前記溝部と前記カバー材との隙間に、機能液を注入する注入工程と、前記凹部と前記溝部とに注入された前記機能液を導電膜に変換する変換工程とを有することを特徴とする。

請求項１に係る発明の導電性パターンの形成方法では、基板表面上にあらかじめ導電性パターンに応じた凹部を形成して、パターン用機能液を基板上の凹部に注入することにより導電性パターンを形成させるために、パターン用機能液を基板に直接塗布する場合と比較して、高精度に配置された導電性パターンを形成させることができる。また、大掛かりな設備を必要とせずに、簡便な工程で導電性パターンを形成させることができるとともに、大面積の導電性パターンを形成することが可能である。しかも、材料を無駄に廃棄することがないので、材料使用率を向上させることができる。

また、請求項２に係る発明の導電性パターンの形成方法によれば、請求項１に記載の発明の効果に加え、フィルム材により構成されたカバー材をローラーに巻くことができるため、カバー材接着工程において、ローラーを用いてカバー材を基板上に接着させることができる。つまり、連続的にカバー材を基板に接着させることができ、効率的に導電性パターンを形成することができる。

また、請求項３に係る発明の導電性パターンの形成方法によれば、請求項１または２に記載の発明の効果に加え、撥水性または撥油性を有するカバー材が、分離工程においてスムーズに基板および基板凹部に形成された導電膜から分離されるため、効率的に高い品質の導電性パターンを形成することができる。

また、請求項４に係る発明の導電性パターンの形成方法によれば、請求項１または２に記載の発明の効果に加え、離型剤が塗布されたカバー材が、分離工程においてスムーズに基板および基板凹部に形成された導電膜から分離されるため、効率的に高い品質の導電性パターンを形成することができる。

また、請求項５に係る発明の導電性パターンの形成方法によれば、請求項１または２に記載の発明の効果に加え、紫外光照射により剥離性を有するカバー材に、分離工程において紫外光照射を行うことにより、カバー材がスムーズに基板および基板凹部に形成された導電膜から分離される。これにより、効率的に品質の高い導電性パターンを形成することができる。

また、請求項６に係る発明の導電性パターンの形成方法によれば、請求項１または２に記載の発明の効果に加え、撥水性または撥油性を有する基板が、分離工程においてカバー材および基板凹部に形成された導電膜から剥がれることにより、導電性パターンはカバー材表面に形成される。これにより、基板上に凹部および溝部を形成する凹部形成工程を１回行えば、凹部が形成された基板を何度も用いて、複数のカバー材に導電性パターンを形成することができる。そのため、材料を節約できるとともに、より製造工程を簡単にすることができる。しかも、カバー材には凹部や溝部を形成する必要がないため、薄い材料を選択することができる。そのため、より薄い導電性パターンを形成することができる。

また、請求項７に係る発明の導電性パターンの形成方法によれば、請求項１または２に記載の発明の効果に加え、離型剤が塗布された基板が分離工程においてスムーズにカバー材および基板凹部に形成された導電膜から分離されるため、効率的にカバー材上に配線パターンが形成された導電性パターンを形成することができる。

また、請求項８に係る発明の導電性パターンの形成方法によれば、請求項１または２に記載の発明の効果に加え、紫外光照射により剥離性を有する基板に、分離工程において紫外光照射を行うことにより、基板がスムーズにカバー材および基板凹部に注入した機能剤から分離される。そのため、効率的にカバー材上に配線パターンが形成された導電性パターンを形成することができる。

また、請求項９に記載の導電性パターンの形成方法によれば、請求項１乃至８のいずれかに記載の発明の効果に加えて、１０ｃＰ以下の粘度特性を持つ機能液が、注入工程において、基板端部からカバー材と基板の溝部および凹部との隙間をスムーズに流れていくために、効率よく導電性パターンを形成することができる。

また、請求項１０に記載の有機トランジスタの製造方法によれば、請求項１乃至９のいずれかに記載の導電性パターンの形成方法により製造された導電性パターンが基板上に形成されているために、薄型で、高集積化された有機トランジスタを得ることができる。

また、請求項１１に記載の有機トランジスタの製造方法によれば、支持層に形成されたソース電極、ドレイン電極の上面に、有機半導体を介してゲート絶縁膜を製膜し、その上面にゲート電極を形成するため、ゲート絶縁膜を薄くしてゲート電極とソース電極、ドレイン電極の距離を近づけることができる。そのため、低電圧駆動を可能とした有機トランジスタを得ることができる。

また、請求項１２に記載の有機トランジスタの製造方法によれば、請求項１乃至９のいずれかに記載の導電性パターンの形成方法を用いて、基板上面にソース電極、ドレイン電極のパターンを形成するだけでなく、基板下面にゲート電極のパターンを形成するため、ゲート電極についても高精度にパターンを配置することができる。これにより、いっそう配線精度の高い有機トランジスタを得ることができる。

また、請求項１３に記載の有機トランジスタの製造方法によれば、ゲート電極上を皮膜しているカバー材を基板から分離しないために、製造工程で用いたカバー材を、そのままゲート電極の封止として用いることができる。つまり、わざわざゲート電極剥離防止のための手段を講じることなく、製造工程で用いたカバー材を利用して、ゲート電極の剥離を防止することができる。そのため、いっそう簡単な工程で、高品質の有機トランジスタを製造することができる。

以下、本発明の導電性パターンの形成方法およびそれを用いた有機トランジスタの第１乃至第４の実施形態について、図面を参照して説明する。

（第１実施形態）
まず、本実施形態の導電性パターンの形成方法について、図１乃至図９を参照して説明する。図１は設計上必要とされる導電性パターン１４が形成された素子基板１５の平面図であり、図２は本実施形態の導電性パターンが形成された素子基板１０の平面図であり、図３は、図２に示した素子基板１０のＸ−Ｘ線における矢視方向断面図である。また、図４は凹部形成工程を説明するための基板１の斜視図であり、図５は図４に示した基板１のＸ−Ｘ線における矢視方向断面図であり、図６はカバー材接着工程を説明するための基板１、カバー材３の断面図である。また、図７は注入工程を説明するための基板１、カバー材３および機能液４の断面図であり、図８は注入工程を説明するための基板１、カバー材３および機能液４の該略的な斜視図である。また、図９は変換工程を説明するための基板１、カバー材３および導電膜６の断面図であり、図１０は分離工程を説明するための基板１、カバー材３および導電膜６の断面図である。

まず、本実施形態において設計上必要とされる導電性パターン１４について、図１を参照して説明する。図１に示すように、導電性パターン１４は、基板１上に形成される。この導電性パターン１４は、基板端部９の一端から他端に連通して形成される帯状のパターン１２と、基板端部９とは連通しない平面視四角形状のパターン１３とからなる。

次に、本実施形態の導電性パターンが形成された素子基板１０の構造について、図２、図３および図４を参照して説明する。図２、図３は、素子基板１０の平面図および断面図であり、図４は素子基板１０を構成する基板１の斜視図である。図２、図３に示すように、素子基板１０は、導電性パターンを構成する導電膜６と支持体となる基板１とから構成される。

導電膜６は、図２に示すように、基板端部９の一端から他端に連通して形成される帯状の導電膜Ｓ部６１と、基板端部９とは連通しない平面視四角形状の導電膜Ｄ部６２と、導電膜Ｄ部６２と基板端部９とを連通してなる導電膜Ｌ部６３とから構成される。つまり、導電膜６は、設計上必要とされるパターン１２、１３に対応する導電膜Ｓ部６１、導電膜Ｄ部６２以外に、導電膜Ｌ部６３を有する。この導電膜６は、図３に示すように、基板１に形成された後述する凹部２の内部に形成されている。

基板１は、図４に示すように、上面に、設計上必要な導電性パターン１４に応じて形成された凹部２および、凹部２と基板端部９とを連通するように形成された溝部７とが形成される。

凹部２は、図４に示すように、基板端部９の一端から他端に連通するようにまっすぐに形成された凹部Ｓ部２１３と、基板端部９とは連通しない四角柱状の凹部Ｄ部２２３とからなる。つまり、凹部Ｓ部２１３は、図１に示す帯状のパターン１２に対応しており、凹部Ｄ部２２３は、四角形状のパターン１３に対応している。この凹部２の形状は、幅については１μｍから１ｍｍ、深さについては１μｍから１ｍｍであることが好ましい。幅１μｍ、深さ１μｍ未満であると、後述する機能液４に分散させた導電性微粒子の粒子径との関係から、導電性パターンの形成が困難になる。一方、幅１ｍｍ、深さ１ｍｍより大きい場合には、精度の高い導電性パターン形成が可能となる本発明の効果が薄れてしまうからである。例えば、本実施形態の凹部Ｓ部２１３は、幅１００μｍ、深さ２５μｍで形成される。

溝部７は、導電膜６の材料となる機能液４を基板端部９から凹部Ｄ部２２３に案内する案内路の役割を果たし、凹部２および基板端部９とを連通させるように形成される。つまり、図４で示すように、溝部７は、凹部Ｓ部２１３のような基板端部９に直接連通している凹部２に対しては形成されず、凹部Ｄ部２２３のような基板端部９と直接連通していない凹部２に対してのみ形成される。

次に、本実施形態の導電性パターンの形成方法について、図１乃至図１０を参照して説明する。第1実施形態の導電性パターンの形成は、以下の工程で行われる。まず、図４、図５に示すように、基板１に導電性パターンに応じた凹部２、および凹部２と基板の端部とを連通させる溝部７を形成する（凹部形成工程）。次に、図６に示すように、凹部２および溝部７の上面を覆うカバー材３を、基板１と接着させる（カバー材接着工程）。そして、図７、図８に示すように、凹部２および溝部７とカバー材３との隙間に、機能液４を注入し（注入工程）、図９に示すように、注入した前記機能液４を熱処理により導電膜６に変換する（変換工程）。そして、図１０に示すように、カバー材３と前記基板１とを分離（分離工程）する。最後に、形成された導電膜６のうち、溝部７に応じて形成された導電膜６の一部を切断する（除去工程）ことにより、図２、図３に示される導電性パターンが形成された素子基板１０が完成する。以下、各工程の詳細を説明する。

<凹部形成工程>
はじめに、凹部形成工程を図４、図５を参照して説明する。凹部形成工程は、有機トランジスタの回路基板をなす基板１上面に、凹部２および溝部７を形成する工程である。

基板１の加工は、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ 三菱化学製アクリペット）を射出成型することにより行われる。基板１の厚さは、０．１から１．０ｍｍが好ましい。この工程により、基板１の上面には、図４に示すように、設計上必要な導電性パターン１４に応じた位置に凹部２が形成され、凹部２と基板端部９とを連通させるように溝部７が形成される。

なお、基板１の材料は、メタクリル樹脂に限定されず、他にも例えば、ガラス、シリコンウェハー、石英などの無機基材、フッ素樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリイミドなどの有機基材、もしくはそれらの複合基材を用いることが可能である。

<カバー材接着工程>
次のカバー材接着工程では、図６に示すように、凹部２および溝部７の形成された基板１上面とカバー材３とを接着させる。カバー材３は、伸びに等方性があるポリオレフィン基材に、紫外光（ＵＶ）を照射すると剥離性を生じる粘着剤を塗布し、フィルムセパレータを貼り合わせて形成される（スリオンテック社製 ＵＶ剥離テープ）。つまり、カバー材３は、粘着性を有するとともに、紫外光（ＵＶ）を吸収すると剥離性を有するという両性質を有する。なお、カバー材の材質として、ＵＶ剥離性を有するもののほかに、撥水性または撥油性を有するものや、その他の材質に離型材を塗布してもよい。

<注入工程>
注入工程は、図７に示すように、カバー材３と凹部２、溝部７との隙間に機能液４を注入する工程である。注入法には、例えば、図８に示すように、基板端部９の一端部を機能液４に浸して他端部を真空吸引することで、圧力差を利用して機能液４を吸い上げる方法や、基板１全体を機能液４に浸漬する方法などがある。本実施形態では、真空吸引する方法を用いた。

機能液４は、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液が用いられる。機能液４に分散される導電性微粒子としては、金、銅、パラジウム、ニッケルのうちのいずれかを含む金属性粒子、これらの酸化物、導電性高分子や超伝導体の微粒子などを用いることができる。これらの粒径は、１μｍ以下が好ましい。

分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散させることができるもので、凝集を起こさないものであれば、特に限定されない。例えば、水のほかに、アルコール類、炭化水素系化合物類、エーテル系化合物類、極性化合物類などが例示される。本実施形態では、機能液４にアルバックコーポレート製の銀ナノインクを用いた。

また、機能液４の粘度は１０ｃＰ以下であることが望ましい。粘度が１０ｃＰ以下であることにより、機能液４を注入する際に、機能液４が凹部２、溝部７にスムーズに行渡り、効率的に生産を行うことができるからである。

<変換工程>
変換工程は、図９に示すように、凹部２、溝部７に注入した前記機能液４を熱処理により導電膜６に変換する工程である。この工程では、機能液４中に存在する導電性微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒の除去を行う。分散媒の除去は、一般的に熱処理または光処理などにより行われるが、本実施形態では、まず、機能液４が凹部２、溝部７に十分に充填したことを目視で確認したところで引き上げて、大気中１００℃雰囲気下で１時間乾燥させ、さらに、後述する分離工程の後、大気中１５０℃雰囲気下で３時間乾燥させることにより行う。ここで、変換工程を２回に分けて行う理由は、本実施形態で用いるカバー材３が、高温下で劣化してしまう性質を有するからであり、耐熱性のカバー材３を使用した場合には、熱処理は分離工程の前に1度行うだけでよい。なお、必要に応じて、大気中ではなく、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。このような工程により、機能液４中の粒子間の電気的接触が確保されて、導電膜６に変換される。

<分離工程>
分離工程では、カバー材３と前記基板１とを分離する。分離は、図１０に示すように、互いに接着されたカバー材３と基板１とに、カバー材３側から紫外光（ＵＶ）を照射することにより行う。これにより、カバー材３に塗布された粘着剤に剥離性が生じ、カバー材３が基板１から剥離する。

<除去工程>
最後に、図２に示すように、形成された導電膜６のうち、溝部７に応じて形成された部分を切断することにより、必要な導電性パターンを得る。切断は、切断したい部分１１にレーザーを照射させることにより行う。レーザーを照射した部分は、レーザーにより高いエネルギーを与えられて高温となり焼き切られる。このような工程により、溝部に応じて形成された導電膜Ｌ部６３は電気的に切断され、配線に必要な導電膜Ｄ部６２を孤立させることができる。

以上の工程により、幅１００μｍ、深さ２５μｍに形成された凹部２の中に、幅７０μｍ、高さ２０μｍの導電膜６が形成された。この導電膜６の抵抗率を測定したところ、約０．００２Ωｃｍであり、十分低い値の抵抗率を得ることができた。

以上説明したように、第１の実施形態の導電性パターンの形成方法では、凹部形成工程において、基板１上に設計上必要な導電性パターン１４に対応した凹部２と凹部２に機能液を案内する溝部７とを形成し、カバー材接着工程で凹部２の形成された基板１にカバー材３をする。そして、注入工程でカバー材３と凹部２および溝部７との間に機能液４を注入した後、変換工程でパターン用の機能液４を導電膜６に変換する。最後に、分離工程でカバー材３と基板１とを分離して、除去工程で前記溝部７に応じて形成された導電膜Ｌ部６３を切断する。

このように、基板１表面上にあらかじめ導電性パターンに応じた凹部２を形成して、機能液４を基板１上の凹部２に注入することにより、導電性パターンを形成させるために、機能液４を基板１に直接塗布する場合と比較して、高精度に配置された導電性パターンを得ることができる。また、大掛かりな設備を必要とせずに、簡便な工程で導電性パターンを形成させることができるとともに、大面積の導電性パターンを形成することが可能である。しかも、材料を無駄に廃棄することがないので、材料使用率を向上させることができる。

また、カバー材３が紫外光（ＵＶ）照射により剥離性を有するために、分離工程においては、紫外光（ＵＶ）照射を行うことにより、カバー材がスムーズに基板および基板凹部に注入した機能剤から分離される。そのため、効率的に品質の高い導電性パターンを形成することができる。

さらに、機能液４が１０ｃＰ以下の粘度特性を持つことから、注入工程においては、基板端部９から基板１の凹部２および溝部７をスムーズに流れていく。そのために、効率よく導電性パターンを形成することができる。

また、厚みの薄いカバー材３および基板１を用いているため、カバー材３および基板１をローラーに巻くことができる。つまり、カバー材接着工程においては、ローラーを用いてカバー材３を基板１上に接着させることができるため、連続的にカバー材３を基板１に接着させることができ、効率的に導電性パターンを形成することができる。

（第２実施形態）
次に、第２の実施形態の導電性パターンの形成について、図１１乃至図１６を参照して説明する。図１１は、本発明の導電性パターンが形成された素子基板２０の平面図であり、図１２は、図１１に示す素子基板２０のＸ−Ｘ線における矢視方向断面図であり、図１３は凹部形成工程を説明するための基板２１の断面図である。また、図１４はカバー材接着工程を説明するための基板２１とカバー材２３との断面図であり、図１５は注入工程を説明するための基板２１とカバー材２３と機能液２４との断面図であり、図１６は変換工程を説明するための基板２１とカバー材２３と導電膜２６との断面図である。

第２の実施形態は第１の実施形態の変形例であり、第１の実施形態により形成された導電膜６が、図３に示すように、基板１上に形成されているのに対し、第２の実施形態により形成された導電膜２６は、図１２に示すように、カバー材２３上に形成されている。

第２実施形態の導電性パターンの形成方法は、第１実施形態と同様に、凹部形成工程、カバー材接着工程、注入工程、変換工程、分離工程、除去工程とを有するが、第１実施形態においては、カバー材３と基板１とを分離する分離工程において、導電膜６が基板１側に付着しているのに対し、第２実施形態では、導電膜２６は基板２１側ではなくカバー材２３側に付着する点で異なる。以下、第２実施形態の各工程を第１実施形態と異なる点を中心に説明する。

<凹部形成工程>
凹部形成工程では、図１３に示すように、第１実施形態と同様の方法で、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ 三菱化学製アクリペット）を射出成型して、基板２１上面に凹部２２および図示しない溝部を形成した後、基板２１の表面に、撥水剤２５（ＦＧ５０１０ フロロテクノロジー社製）を塗布する。なお、基板２１表面に塗布する塗布材は、撥水剤２５に限定されず、離型性を有するものであれば良い。離型性を有する塗布材としては、例えばフッ素樹脂、シリコン樹脂などがあげられる。

<カバー材接着工程>
カバー材接着工程では、図１４に示すように、基板２１上面とカバー材２３とを、両面テープ３１を用いて接着させる。カバー材２３は、厚さ１２５μｍのＰＥＴ樹脂により形成される。

<注入工程>
注入工程では、第１実施形態と同様の手法で、図１５に示すように、カバー材２３と凹部２２、図示しない溝部との隙間に機能液２４を注入する。機能液２４は、導電性高分子より成り、本実施形態ではＢａｙｔｒｏｎ ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを用いるが、他にもポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリイソチアナフテンなどを用いることができる。

<変換工程>
機能液２４の導電膜２６への変換は、第１実施形態と同様に熱処理により行われる。熱処理は、機能液２４が凹部２２、図示しない溝部に十分に充填したところで引き上げて、大気中１００℃雰囲気下で１時間乾燥させることにより行われる。このとき、基板２１表面上には撥水剤２５が塗布されているため、図１６に示すように導電膜２６はカバー材２３上に形成される。

<分離工程>
導電膜２６の形成後、カバー材２３と基板２１とを分離する。第２実施形態では、基板２１表面上に撥水剤２５が塗布されているために、特別な工程を踏まなくても、カバー材２３と基板２１とを簡単に分離することができる。この工程により、導電膜２６が形成されたカバー材２３（図１２）と、基板２１とが分離される。

<除去工程>
最後に、図１１に示すように、形成された導電膜２６のうち、溝部７に応じて形成された部分を切断することにより、必要な導電性パターンを得る。切断は、切断したい部分２１１にレーザーを照射させることにより行う。レーザーを照射した部分２１１は、レーザーにより高いエネルギーを与えられて高温となり焼き切られる。このような工程により、溝部に応じて形成された導電膜２６部分は電気的に切断され、配線に必要な導電膜２６部分を孤立させることができる。

以上の工程により、カバー材２３表面上に導電膜２６が形成される。例えば、凹部形成工程において、基板２１に形成する凹部２２を、幅１００μｍ、深さ２５μｍとした場合には、カバー材２３上面に、幅４０μｍ、高さ１０μｍの導電膜２６が形成された。この導電膜２６の抵抗率を測定したところ、約９．８Ωｃｍであり、十分低い値の抵抗率を得ることができた。

以上説明したように、第２の実施形態の導電性パターンの形成方法では、第１の実施形態の導電性パターンの形成方法の効果に加えて、以下の効果を有する。まず、基板２１上に撥水剤２５が塗布されているために、導電膜２６が基板２１上ではなく、カバー材２３表面に形成される。これにより、基板２１上に凹部２２と図示しない溝部とを形成する凹部形成工程を１回行えば、凹部２２と図示しない溝部とが形成された基板２１を何度も再利用して、複数のカバー材２３に導電性パターンを形成することができ、材料を節約できるとともに、製造工程を簡単にすることができる。しかも、カバー材２３には凹部２２や図示しない溝部を形成する必要がないため、薄い材料を選択することができる。そのため、より薄い導電性パターンを形成することができる。

さらに、基板２１には撥水剤２５が塗布されているために、基板２１は、分離工程において、スムーズに導電膜２６およびカバー材２３から分離される。そのため、効率的に高い品質の導電性パターンを形成することができる。

（第３実施形態）
次に、第３実施形態の有機トランジスタ４０の形成について、図１７乃至図２０を参照して説明する。図１７は、本発明の第３実施形態の製造方法により製造された有機トランジスタ４０の断面図であり、図１８は第１の工程を説明するための基板４１、ソース電極４６１およびドレイン電極４６２の断面図である。また、図１９は第２の工程を説明するための、基板４１、ソース電極４６１、ドレイン電極４６２および有機半導体４３の断面図であり、図２０は第３の工程を説明するための基板４１、ソース電極４６１、ドレイン電極４６２、有機半導体４３およびゲート絶縁膜４４の断面図である。第３実施形態により製造された有機トランジスタ４０は、第１の実施形態により形成された導電性パターンを、ソース配線およびドレイン配線として用いて形成されている。

はじめに、有機トランジスタ４０の構造について、図１７を参照して説明する。有機トランジスタ４０は、基板４１と、ソース電極４６１と、ドレイン電極４６２と、有機半導体４３と、ゲート絶縁膜４４と、ゲート電極４５とから構成される。基板４１の上面には、凹部４２が加工され、凹部４２の内部にはソース電極４６１、ドレイン電極４６２が形成されている。また、基板４１の上面には、有機半導体４３が、ソース電極４６１およびドレイン電極４６２の両方に接触するように、またがって形成される。また、有機半導体４３の上面には、ソース電極４６１、ドレイン電極４６２および有機半導体４３を覆うように、ゲート絶縁膜４４が積層される。そして、ゲート絶縁膜４４の上面には、有機半導体４３の上方となるように、ゲート電極４５が形成される。

次に、第３実施形態の有機トランジスタ４０の製造方法について説明する。有機トランジスタ４０の製造は、以下の工程で行われる。まず、基板４１の上面にソース電極４６１およびドレイン電極４６２を形成する（第１の工程）。次に、有機半導体４３を、ソース電極４６１およびドレイン電極４６２の両方に接触するように、またがって形成する（第２の工程）。そして、ゲート絶縁膜４４を、有機半導体４３の上面に、ソース電極４６１、ドレイン電極４６２および有機半導体４３を覆うように形成する（第３の工程）。最後に、ゲート電極４５を、ゲート絶縁膜４４の上面に、有機半導体４３の上方となるように形成する（第４の工程）。以下、有機トランジスタ４０の製造方法について、工程ごとに詳細に説明する。

<第１の工程>
第１の工程では、図１８に示すように、基板４１の上面にソース電極４６１およびドレイン電極４６２を形成する。この手法は、第１実施形態で示した導電性パターンの形成方法と同様の手法で行う。なお、本実施形態では、基板４１上にソース電極４６１、ドレイン電極４６２を形成させるが、第２実施形態で示した手法を用いて、カバー材上にソース電極４６１、ドレイン電極４６２を形成しても良い。

<第２の工程>
第２の工程では、図１９に示すように、有機半導体４３を、ソース電極４６１およびドレイン電極４６２の両方に接触するように、またがって形成する。有機半導体４３の素材としては、ペンタセン、銅フタロシアニン、テトラセン、ペリレンなどの低分子半導体や、ポリ３ヘキシルチオフェンなどの高分子半導体が用いられる。この有機半導体４３でのキャリア移動度が、有機トランジスタ４０の性能を大きく左右する。

有機半導体４３の形成方法としては、有機半導体４３としてペンタセンなどの低分子半導体を用いた場合には、蒸着法により形成され、一方、ポリ３ヘキシルチオフェンなどの高分子半導体を用いた場合には、スピンコート法やインクジェット法により形成される。

<第３の工程>
第３の工程では、図２０に示すように、ゲート絶縁膜４４を、有機半導体４３の上面に、ソース電極４６１、ドレイン電極４６２および有機半導体４３を含めて覆うように形成する。ゲート絶縁膜４４は、ポリメチルメタアクリレート、ポリイミド、ポリパラビニルフェノールなどにより形成され、主にスピンコート法により、ソース電極４６１、ドレイン電極４６２、有機半導体４３上面を皮膜する。

なお、ゲート絶縁膜４４の素材は、上記の有機材料に限定されず、例えばＳｉＯ２やＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３のような無機材料を使用することも可能である。この場合には、ゲート絶縁膜４４の製膜方法として、スパッタリングやＣＶＤ法が用いられる。

<第４の工程>
第４の工程では、図１７に示すように、ゲート電極４５を、ゲート絶縁膜４４の上面に、有機半導体４３の上方となるように形成する。ゲート電極４５は、金、モリブデン、クロム、アルミニウムなどの金属により形成される。ゲート電極４５の形成方法としては、蒸着法を用いてゲート絶縁膜４４上面に形成する場合や、スパッタリング法により、ゲート絶縁膜４４上面全体に製膜後、フォトリソグラフティ法を用いて製膜する場合がある。

なお、ゲート電極４５の形成方法は、蒸着法やスパッタリング法に限定されず、導電性材料を含有する液滴を、インクジェットで吐出することによっても形成される。この時の導電性材料としては、銀、アルミニウム、金、銅、パラジウム、ニッケル、導電性高分子などが好適に採用可能である。

このようにして、電子ペーパーなどで使用される有機トランジスタ４０が製造される。なお、説明した有機トランジスタ４０は、電子ペーパー等の1画素を駆動させるトランジスタに相当する。

第３実施形態の有機トランジスタ４０の製造方法によれば、第１実施形態の導電性パターンの形成方法により製造された導電性パターンが基板４１上に形成されているために、薄型で、高集積化された有機トランジスタ４０を得ることができる。

また、ゲート電極４５およびソース電極４６１ならびにドレイン電極４６２が、ゲート絶縁膜４４を介して形成されているため、ゲート絶縁膜４４を薄くして、ゲート電極４５とソース電極４６１・ドレイン電極４６２の距離を近づけることができる。そのため、低電圧駆動を可能とした有機トランジスタ４０を得ることができる。

（第４実施形態）
次に、第４実施形態の有機トランジスタ５０の形成について、図２１乃至図２６を参照して説明する。図２１は、本発明の第４実施形態の製造方法により製造された有機トランジスタ５０の断面図であり、図２２は凹部形成工程を説明するための基板５１の断面図であり、図２３はカバー材接着工程を説明するための基板５１とカバー材５３との断面図である。また、図２４は注入工程を説明するための基板５１、カバー材５３および機能液５４の断面図であり、図２５は分離工程を説明するための基板５１、カバー材５３、ソース電極５２１、ドレイン電極５２２およびゲート電極５２３の断面図であり、図２６は分離工程を説明するための基板５１、カバー材５３２、ソース電極５２１、ドレイン電極５２２およびゲート電極５２３の断面図である。

はじめに、第４実施形態の有機トランジスタ５０の構造について、図２１を参照して説明する。有機トランジスタ５０は、基板５１と、ソース電極５２１と、ドレイン電極５２２と、ゲート電極５２３と、カバー材５３２と、有機半導体５５とから構成される。有機トランジスタ５０の基板５１には、上面および下面の両方に凹部５２が形成されている。そして、基板５１上面に形成された凹部５２の内部にソース電極５２１、ドレイン電極５２２が形成されており、基板５１下面に形成された凹部５２の内部にゲート電極５２３が形成されている。ソース電極５２１、ドレイン電極５２２が形成された基板５１の上面には、有機半導体５５が、ソース電極５２１およびドレイン電極５２２の両方に接触するように、またがって形成される。一方、ゲート電極５２３が形成された基板５１の下面には、ゲート電極５２３を含めて基板５１を覆うように、カバー材５３２が積層される。

上記構成を有する第４実施形態の有機トランジスタ５０の製造は、以下の工程で行われる。まず、基板５１の上面にソース電極５２１およびドレイン電極５２２を形成する（第１の工程）とともに、基板５１の下面に、ゲート電極５２３を形成する（第２の工程）。この第１の工程と第２の工程とは、途中まで同時に並行して行われる。つまり、ソース電極５２１とドレイン電極５２２とゲート電極５２３とは、途中まで、同様の手法で同時に形成される。その後、有機半導体５５を、ソース電極５２１およびドレイン電極５２２の両方に接触するように、またがって形成する（第３の工程）。以下、有機トランジスタ５０の製造方法について、工程ごとに詳しく述べる。

<第１の工程および第２の工程>
第１の工程および第２の工程は、それぞれ、第１、第２実施形態で述べた凹部形成工程、カバー材接着工程、注入工程、変換工程とを有する。ここで、第１の工程においては、上記の工程に加えてさらに、分離工程と除去工程とを有するが、第２の工程においては有さない。つまり、ソース電極５２１とドレイン電極５２２とは、第１実施形態で述べた導電性パターンの形成方法と同様の工程により形成され、ゲート電極５２３は、途中まで第１実施形態で述べた導電性パターンの形成方法と同様の工程により形成される。以下、それぞれの工程について、第１実施形態とは異なる点について中心に述べる。

<凹部形成工程>
凹部形成工程では、図２２に示すように、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ 三菱化学製アクリペット）を射出成型することにより、基板５１上面および下面の両方に凹部５２、および図示しない溝部を形成する。基板５１上面に形成された凹部５２の位置は、有機トランジスタ５０におけるソース電極、ドレイン電極の配線パターンに対応しており、一方、基板５１下面に形成された凹部５２の位置は、ゲート電極の配線パターンに対応している。

<カバー材接着工程>
次のカバー材接着工程では、図２３に示すように、基板５１とカバー材５３とを、基板５１の上面および下面において接着させる。カバー材５３としては、基板５１上面に接着させるものについては、ＵＶ剥離性を有するカバー材５３１を用いる。一方、基板５１下面に接着させるカバー材５３２については、剥離性を有さないものを用いる。

<注入工程>
注入工程および変換工程は、第１実施形態から第３実施形態と同様の方法で行う。つまり、注入工程では、図２４に示すように、カバー材５３と上下面に形成された凹部５２、図示しない溝部との隙間に機能液５４を注入する。

<変換工程>
変換工程では、熱処理により、機能液２４の導電膜への変換を行う。この導電膜が、有機トランジスタ５０のソース電極５２１、ドレイン電極５２２、ゲート電極５２３に対応する。

<分離工程>
ソース電極５２１、ドレイン電極５２２、ゲート電極５２３の形成後、図２６に示すように、カバー材５３のうち基板５１の上面に接着されたカバー材５３１のみを、基板５１と分離する。カバー材５３１の分離は、図２５に示すように、カバー材５３１表面に紫外光（ＵＶ）を照射することによりおこなう。基板５１上面に貼り付けたカバー材５３１は、ＵＶ剥離性を有する一方、基板５１下面に貼り付けたカバー材５３２は、ＵＶ剥離性を有さないため、紫外光（ＵＶ）を照射させることにより、基板５１の上面に接着したカバー材５３１のみを選択的に剥離させることができる。

<除去工程>
カバー材５３１の分離後、形成された導電膜のうち、溝部７に応じて形成された部分を切断することにより、必要な導電性パターンを得る。切断は、第１実施形態から第３実施形態と同様に、切断したい部分にレーザーを照射させることにより行う。

<第３の工程>
第３の工程では、第３実施形態と同様の手法により、図２１に示すように、基板５１の上面に、有機半導体５５を、ソース電極５２１およびドレイン電極５２２の両方に接触するように、またがって形成させる。

以上の工程により、基板５１の上面にソース電極５２１、ドレイン電極５２２が形成されるとともに、基板５１下面にゲート電極５２３が形成された有機トランジスタ５０を製造することができる。

なお、第４実施形態においては、基板５１下面に接着されたカバー材５３２を、基板５１と分離せず、接着したままとしたが、分離工程において、基板５１上面に接着されたカバー材５３１と同様に、分離する製造方法としてもよい。つまり、ゲート電極５２３についても、ソース電極５２１、ドレイン電極５２２と同様に、第１実施形態で示した導電性パターンの形成方法と同様の手法でパターンを形成してもよい。この場合には、カバー材５３１、５３２を再利用することができるため、材料を無駄にすることなく有機トランジスタ５０を製造することができる。

第４実施形態の有機トランジスタ５０の製造方法によれば、基板５１上面にソース電極５２１、ドレイン電極５２２のパターンを形成するだけでなく、同時に、基板５１下面にゲート電極５２３のパターンを形成することができる。そのため、ゲート電極５２３についても高精度にパターンを配置することができ、いっそう配線精度の高い有機トランジスタ５０を得ることができる。また、ゲート電極５２３を形成時においても無駄に材料を廃棄することがないため、製造工程における材料廃棄率の少ない有機トランジスタ５０を得ることができる。さらに、ソース電極５２１とドレイン電極５２２とゲート電極５２３とを同時に形成させることができるので、製造工程をいっそう簡単にすることができる。

しかも、ゲート電極５２３上を皮膜しているカバー材５３２を基板から分離しないために、製造工程で用いたカバー材５３２を、そのままゲート電極５２３の封止として用いることができる。つまり、わざわざゲート電極５２３剥離防止のための手段を講じることなく、製造工程で用いたカバー材５３２を利用して、ゲート電極５２３の剥離を防止することができる。そのため、いっそう簡単な工程で、高品質の有機トランジスタ５０を製造することができる。

なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、様々な変形が可能であることは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせは一例であって、本発明の趣旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき、種々変更可能である。例えば、実施形態中の各工程の順序は、上述した例に限定されない。また、第１実施形態から４における凹部形成工程での基板加工方法は、射出成型に限定されないし、除去工程における除去方法も、レーザーを用いた導電膜の切断に限定されない。さらに、基板、カバー材、機能液やその他の材料についても、実施形態中で例示したものに限定されない。

設計上必要とされる導電性パターン１４が形成された素子基板１５の平面図である。 第１実施形態の導電性パターンが形成された素子基板１０の平面図である。 図２に示す素子基板１０のＸ−Ｘ線における矢視方向断面図である。 凹部形成工程を説明するための基板１の斜視図である。 図４に示した基板１のＸ−Ｘ線における矢視方向断面図である。 カバー材接着工程を説明するための基板１、カバー材３の断面図である。 注入工程を説明するための基板１とカバー材と機能液４との断面図である。 注入工程を説明するための基板１とカバー材３と機能液４との該略的な斜視図である。 変換工程を説明するための基板１とカバー材３と導電膜６との断面図である。 分離工程を説明するための基板１とカバー材３と導電膜６との断面図である。 本発明の導電性パターンが形成された素子基板２０の平面図である。 図１１に示す素子基板２０のＸ−Ｘ線における矢視方向断面図である。 凹部形成工程を説明するための基板２１の断面図である。 カバー材接着工程を説明するための基板２１とカバー材２３との断面図である。 注入工程を説明するための基板２１とカバー材２３と機能液２４との断面図である。 変換工程を説明するための基板２１とカバー材２３と導電膜２６との断面図である。 本発明の第３実施形態の製造方法により製造された有機トランジスタ４０の断面図である。 第１の工程を説明するための基板４１、ソース電極４６１およびドレイン電極４６２の断面図である。 第２の工程を説明するための、基板４１、ソース電極４６１、ドレイン電極４６２および有機半導体４３の断面図である。 第３の工程を説明するための基板４１、ソース電極４６１、ドレイン電極４６２、有機半導体４３およびゲート絶縁膜４４の断面図である。 本発明の第４実施形態の製造方法により製造された有機トランジスタ５０の断面図である。 凹部形成工程を説明するための基板５１の断面図である。 カバー材接着工程を説明するための基板５１とカバー材５３との断面図である。 注入工程を説明するための基板５１、カバー材５３および機能液５４の断面図である。 分離工程を説明するための基板５１、カバー材５３ソース電極５２１、ドレイン電極５２２、ゲート電極５２３の断面図である。 分離工程を説明するための基板５１、カバー材５３２ソース電極５２１、ドレイン電極５２２、ゲート電極５２３の断面図である。 従来の実施形態である導電性パターンを形成する工程を説明するための基板１０１と自己組織化膜１０２の断面図である。 従来の実施形態である導電性パターンを形成する工程を説明するための基板１０１と自己組織化膜１０２の断面図である。 従来の実施形態である導電性パターンを形成する工程を説明するための基板１０１と自己組織化膜１０２の断面図である。 従来の実施形態である導電性パターンを形成する工程を説明するための基板１０１と自己組織化膜１０２と機能液１０５の断面図である。 従来の実施形態である導電性パターンを形成する工程を説明するための基板１０１と自己組織化膜１０２と導電膜１０６の断面図である。

符号の説明

１ 基板
２ 凹部
３ カバー材
４ 機能液
６ 導電膜
７ 溝部
９ 基板端部
１０ 素子基板
４０ 有機トランジスタ
４１ 基板
４２ 凹部
４３ 有機半導体
４４ ゲート絶縁膜
４５ ゲート電極
５０ 有機トランジスタ
５１ 基板
５２ 凹部
５３ カバー材
５４ 機能液
５５ 有機半導体
５７ 溝部
４６１ ソース電極
４６２ ドレイン電極
５２１ ソース電極
５２２ ドレイン電極
５２３ ゲート電極
５３１ カバー材
５３２ カバー材

Claims (13)

1. 導電性を有する材料を含む機能液を基板上に塗布してパターンを形成する導電性パターンの形成方法であって、
   前記基板に、前記導電性パターンに応じた凹部、および該凹部と前記基板の端部とを連通させる溝部を形成する凹部形成工程と、
   前記凹部および前記溝部の上面を覆うカバー材を、前記基板と接着させるカバー材接着工程と、
   前記凹部および前記溝部と前記カバー材との隙間に、前記機能液を注入する注入工程と、
   前記凹部と前記溝部とに注入された前記機能液を導電膜に変換する変換工程と、
   前記カバー材と前記基板とを分離する分離工程と、
   前記導電膜のうち、前記溝部に応じて形成された部分を含む不要部を除去する除去工程と、
   を有することを特徴とする導電性パターンの形成方法。
2. 前記カバー材は、フィルム材により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の導電性パターンの形成方法。
3. 前記カバー材は、撥水性または撥油性を有することを特徴とする請求項１または２に記載の導電性パターンの形成方法。
4. 前記カバー材は、離型剤が塗布されていることを特徴とする請求項１または２に記載の導電性パターンの形成方法。
5. 前記カバー材は、前記分離工程において、紫外光を照射すると剥離性が生じることを特徴とする請求項１または２に記載の導電性パターンの形成方法。
6. 前記基板は、撥水性または撥油性を有することを特徴とする請求項１または２に記載の導電性パターンの形成方法。
7. 前記基板は、離型剤が塗布されていることを特徴とする請求項１または２に記載の導電性パターンの形成方法。
8. 前記基板は、前記分離工程において、紫外光を照射すると剥離性が生じることを特徴とする請求項１または２に記載の導電性パターンの形成方法。
9. 前記機能液の粘度は、１０ｃＰ以下であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の導電性パターンの形成方法。
10. 導電性パターンを形成する工程を有する有機トランジスタの製造方法において、
    請求項１乃至９のいずれかに記載の導電性パターンの形成方法により、前記基板上もしくは前記カバー材上に導電性パターンを形成することを特徴とする有機トランジスタの製造方法。
11. 支持層上に導電性パターンを形成する工程を有する有機トランジスタの製造方法において、
    前記支持層上面にソース電極、ドレイン電極を形成する第１の工程と、
    前記ソース電極、ドレイン電極の上面に有機半導体を形成する第２の工程と、
    前記有機半導体が形成された前記支持層上面をゲート絶縁膜で皮膜する第３の工程と、
    前記ゲート絶縁膜で皮膜された前記支持層上面にゲート電極を形成する第４の工程と、
    を有し、
    前記第１の工程では、前記基板若しくは前記カバー材の一方を前記支持層として、請求項１乃至９のいずれかに記載の導電性パターンの形成方法を用いて前記ソース電極、前記ドレイン電極を形成することを特徴とする有機トランジスタの製造方法。
12. 基板上に導電性パターンを形成する工程を有する有機トランジスタの製造方法において、
    前記基板上面に請求項１乃至９のいずれかに記載の導電性パターンの形成方法を用いてソース電極、ドレイン電極を形成する第１の工程と、
    前記基板下面に請求項１乃至９のいずれかに記載の導電性パターンの形成方法を用いてゲート電極を形成する第２の工程と、
    前記ソース電極、前記ドレイン電極の上面に有機半導体を形成する第３の工程と、
    からなることを特徴とする有機トランジスタの製造方法。
13. 基板上に導電性パターンを形成する工程を有する有機トランジスタの製造方法において、
    前記基板上面に請求項１乃至９のいずれかに記載の導電性パターンの形成方法を用いてソース電極、ドレイン電極を形成する第１の工程と、
    前記基板下面にゲート電極を形成する第２の工程と、
    前記ソース電極、前記ドレイン電極の上面に有機半導体を形成する第３の工程と、
    を有し、
    前記第２の工程は、前記基板に、前記導電性パターンに応じた凹部、および該凹部と前記基板の端部とを連通させる溝部を形成する凹部形成工程と、
    前記凹部および前記溝部の上面を覆うカバー材を、基板と接着させるカバー材接着工程と、
    前記凹部および前記溝部と前記カバー材との隙間に、機能液を注入する注入工程と、
    前記凹部と前記溝部とに注入された前記機能液を導電膜に変換する変換工程と、
    を有することを特徴とする有機トランジスタの製造方法。

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