JP2007259228A - 電圧制御フィルタ - Google Patents

Abstract

【課題】通過帯域近傍の減衰特性を変化させずに、通過中心周波数から一定の周波数離れた周波数の信号を減衰できる電圧制御フィルタを提供する。
【解決手段】一対のマイクロストリップラインＭＬＳ１、ＭＳＬ２は、結合器を構成する。バラクタダイオードＸ１、Ｘ２は、制御電圧Ｖ１に応じて容量が変化し、結合器の結合量を制御して通過中心周波数を制御する。帯域阻止調整部１１、１２は、それぞれバラクタダイオードＸ３、Ｘ４を有し、バラクタダイオードＸ３、Ｘ４に印加される制御電圧Ｖ２、Ｖ３に応じた周波数の信号を減衰させる。帯域阻止調整部１１、１２は、制御電圧Ｖ２を変化させて帯域阻止周波数を変化させても、結合器の結合量を変化させず、通過周波数帯域近傍の減衰特性を変化させない。
【選択図】図１

Description

本発明は、電圧制御フィルタに関し、更に詳しくは、無線装置や計測器等において、送受信信号間の干渉防止や、ミキサにおけるＬＯ信号等のスプリアス信号の抑圧のために必要となる帯域通過型フィルタ（ＢＰＦ）又は帯域阻止型フィルタ（ＢＥＦ）に使用できる電圧制御フィルタに関する。

印加電圧を制御することによって、通過帯域を制御可能な電圧制御フィルタ（以下、ＶＣＦ（Voltage Controlled Filter）とも呼ぶ）がある。一般に、ＶＣＦは、マイクロストリップラインや誘電共振器から構成される結合器と、可変容量素子とを備えており、可変容量素子に印加するバイアス電圧を変化させることで、通過帯域や減衰帯域を制御する。ＶＣＦでは、所望の通過帯域を得るために、通過中心周波数から一定周波数位置の周波数帯の通過を阻止する帯域阻止機能が付加されることも多い。

帯域阻止機能を有するＶＣＦとしては、制御電圧によって結合器の結合量を変化させるものがある（例えば、特許文献１参照）。図１１は、従来の帯域阻止機能を有するＶＣＦ回路の構成を示している。ＶＣＦ回路２０では、制御電圧（バイアス電圧）Ｖ２１を変化させることで、バラクタダイオードＸ２１、Ｘ２２の容量を変化させ、結合器を構成するマイクロストリップラインＭＳＬ２１、ＭＳＬ２２間の結合量を変化させることで、通過中心周波数が制御される。また、制御電圧Ｖ２２を変化させてバラクタダイオードＸ２３、Ｘ２４の容量を変化させ、結合器の結合量を変化させて帯域阻止周波数を調整している。
特開２００５−３４１２７９号公報

従来のＶＣＦでは、帯域阻止周波数を変化させる際に、結合器の結合量を変化させているため、帯域阻止周波数を変化させると、通過帯域近傍の減衰特性も変化するという問題がある。この様子を図１２に示す。図１２では、帯域阻止周波数設定前のＶＣＦの減衰量の周波数特性をグラフ（ａ）で示し、設定後のＶＣＦの減衰量の周波数特性をグラフ（ｂ）で示す。従来のＶＣＦ２０（図１１）では、制御電圧Ｖ２１を調整して、図１２にグラフ（ａ）で示すように、通過中心周波数が１．５ＧＨｚになるようにした後に、制御電圧Ｖ２２を調整して、通過中心周波数から離れた周波数帯に阻止周波数（２ＧＨｚ）を設定すると、通過帯域近傍の減衰特性は、グラフ（ｂ）に示すように変化し、通過帯域の近傍、特に通過中心周波数よりも高い側で減衰特性が劣化する。また、帯域阻止周波数よりも高い周波数領域では、大きな減衰量が得られないという問題もある。

本発明は、通過帯域近傍の減衰特性を大きく変化させることなく、通過中心周波数から一定周波数離れた位置に帯域阻止特性を持たせることができる電圧制御フィルタを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の電圧制御フィルタは、誘導性結合器を有し、該結合器の結合量を制御することで通過中心周波数が制御される電圧制御フィルタにおいて、ＲＦ信号の入力端子と前記結合器との間、及び、ＲＦ信号の出力端子と前記結合器との間の少なくとも一方に、前記結合器の結合量を変化させずに、特定の帯域阻止周波数の信号を減衰させる帯域阻止部を備えたことを特徴とする。

本発明の電圧制御フィルタでは、入力端子と結合器の間、及び、出力端子と結合器の間の少なくとも一方に、結合器の結合量を変化させずに特定の帯域阻止周波数の信号を減衰させる帯域阻止部を設ける。帯域阻止部は、結合器の結合量を変化させないため、帯域阻止周波数が所望の周波数となるように調整した場合でも、通過帯域近傍の減衰特性は変化しない。従って、通過帯域近傍の減衰特性を変化させることなく、通過中心周波数から一定周波数離れた位置に帯域阻止特性を持たせることができる。

本発明の電圧制御フィルタでは、前記帯域阻止周波数が、前記通過中心周波数から所定の周波数離れた周波数である構成を採用できる。通過中心周波数が複数あるときには、通過中心周波数の変化に連動して、帯域阻止周波数を変化させ、通過中心周波数から所定の周波数離れた周波数に帯域阻止特性を持たせればよい。

本発明の電圧制御フィルタでは、前記帯域阻止部が、制御電圧に応じて共振周波数が変化する共振器を有する構成を採用できる。この場合、制御電圧を制御して共振周波数を調整することで、その共振周波数に対応する帯域阻止周波数の信号を減衰できる。

本発明の電圧制御フィルタでは、前記帯域阻止部が、前記制御電圧に応じて容量が変化するバラクタダイオードと、所定のインダクタンス成分を有するインダクタとを含む構成を採用できる。この場合、バラクタダイオードの容量を制御することで、共振周波数を調整することができる。

本発明の電圧制御フィルタでは、前記帯域阻止部が、前記バラクタダイオードのアノードを直流的に接地する抵抗を有する構成を採用できる。この場合、バラクタのカソードに制御電圧（バイアス電圧）を印加することで、バラクタダイオードにＤＣ逆バイアスを印加することができ、バラクタダイオードの容量を、印加する制御電圧に応じて調整することができる。

本発明の電圧制御フィルタでは、前記帯域阻止部が、前記バラクタダイオードのカソードに接続されたオープンスタブを有する構成を採用できる。この場合、帯域阻止周波数近傍を、広く減衰させることができる。特に、帯域阻止周波数が通過中心周波数よりも高い場合には、帯域阻止周波数近傍の周波数帯域を広く減衰することが好ましく、オープンスタブを有する構成が好ましい。

本発明の電圧制御フィルタは、前記結合器の入力側及び出力側の双方に前記帯域阻止部を有する構成を採用できる。この場合、入力側と、出力側との双方で、帯域阻止周波数の信号を減衰することができ、減衰効果を高めることができる。

本発明の電圧制御フィルタでは、前記入力端子と前記結合器との間の帯域阻止部の帯域阻止周波数と、前記出力端子と前記結合器と間の帯域阻止部の帯域阻止周波数とが、同じ周波数である構成を採用できる。この場合、帯域阻止周波数近傍を、局所的に減衰させることができる。

本発明の電圧制御フィルタでは、前記入力端子と前記結合器との間の帯域阻止部の帯域阻止周波数と、前記出力端子と前記結合器と間の帯域阻止部の帯域阻止周波数とが、異なる周波数である構成を採用できる。例えば、入力側と出力側とで、帯域阻止周波数を少しずらすことで、減衰される周波数帯域を拡大できる。

本発明の電圧制御フィルタでは、前記入力端子と前記結合器との間の帯域阻止部の帯域阻止周波数、及び、前記出力端子と前記結合器と間の帯域阻止部の帯域阻止周波数の何れか一方が前記通過中心周波数よりも低い周波数であり、他方が前記通過中心周波数よりも高い周波数である構成を採用できる。この場合、通過帯域よりも低い周波数と、高い周波数との双方に、帯域阻止特性を付加できる。

本発明の電圧制御フィルタでは、前記結合器が、一対のマイクロストリップライン又は誘電体共振器から成る構成を採用できる。誘電性結合器としては、このようなものを用いることができる。

本発明の電圧制御フィルタでは、帯域阻止部は、結合器の結合量を変化させずに特定の帯域阻止周波数の信号を減衰させる。このため、帯域阻止周波数が所望の周波数となるように調整した場合でも、通過帯域近傍の減衰特性を変化させずに、通過中心周波数から一定周波数離れた位置に帯域阻止特性を持たせることができる。

以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施形態の電圧制御フィルタの構成を示している。このＶＣＦ１０は、結合器を構成する一対のマイクロストリップラインＭＳＬ１、ＭＳＬ２と、結合器の結合量を制御するバラクタダイオードＸ１、Ｘ２と、入力端子Ｊ１から入力される信号（ＲＦ信号）のうちの特定の周波数の信号成分を減衰させる第１の帯域阻止調整部１１と、結合器から出力された信号のうちの特定の周波数成分を減衰させる第２の帯域阻止調整部１２とを備える。

バラクタダイオードＸ１、Ｘ２は、それぞれ、マイクロストリップラインＭＳＬ１、ＭＳＬ２の一端に、コンデンサＣ１、Ｃ２を介して接続される。マイクロストリップラインＭＳＬ１、ＭＳＬ２の他端は、コンデンサＣ３、Ｃ４に接続される。コンデンサＣ３の入力端子Ｊ１側、及び、コンデンサＣ４の出力端子Ｊ２側には、それぞれコンデンサＣ５、Ｃ６の一端が接続される。コンデンサＣ５、Ｃ６の他端は、グランドに接続されており、これにより、バラクタダイオードＸ１、Ｘ２の容量に応じた結合量で通過中心周波数が定まるＶＣＦが構成される。

制御電圧Ｖ１を入力するノードは、コンデンサＣ８を介してグランドに接続される。バラクタダイオードＸ１には、マイクロストリップラインＭＳＬ７、及び、抵抗Ｒ１を介して制御電圧Ｖ１が印加され、バラクタダイオードＸ１の容量は、この制御電圧Ｖ１に応じた値に制御される。マイクロストリップラインＭＳＬ７の端部の抵抗Ｒ１側は、コンデンサＣ７を介してグランドに接続されており、制御電圧Ｖ１の入力側の端部には、マイクロストリップラインＭＳＬ８（オープンスタブ）が接続される。

バラクタダイオードＸ２には、マイクロストリップラインＭＳＬ９、及び、抵抗Ｒ２を介して制御電圧Ｖ１が印加され、バラクタダイオードＸ２の容量は、この制御電圧Ｖ１に応じた値に制御される。マイクロストリップラインＭＳＬ９の抵抗Ｒ２側の端部は、コンデンサＣ９を介してグランドに接続されており、制御電圧Ｖ１の入力側の端部には、マイクロストリップラインＭＳＬ１０が接続される。コンデンサＣ７〜Ｃ９、及び、マイクロストリップラインＭＳＬ７〜ＭＳＬ１０は、ＲＦ信号がバイアス方向（制御電圧Ｖ１の印加端子側）に漏れることを防ぐ役割を有する。バラクタダイオードＸ１とマイクロストリップラインＭＳＬ１との間のコンデンサＣ１、及び、バラクタダイオードＸ２とマイクロストリップラインＭＳＬ２との間のコンデンサＣ２は、それぞれ制御電圧Ｖ１をブロックする役割を有する。

入力端子Ｊ１とコンデンサＣ３、Ｃ５の接続ノードとの間には、第１の帯域阻止調整部１１及びコンデンサＣ１２が挿入される。第１の帯域阻止調整部１１は、バラクタダイオードＸ３、マイクロストリップラインＭＳＬ３、ＭＳＬ５、コンデンサＣ１０、及び、抵抗Ｒ３を有する。バラクタダイオードＸ３のカソードは、コンデンサＣ１２を介して入力端子Ｊ１に接続される。また、バラクタダイオードＸ３のカソードには、抵抗Ｒ５、マイクロストリップラインＭＳＬ１１を介して制御電圧Ｖ２が印加される。マイクロストリップラインＭＳＬ１１の抵抗Ｒ５側の端部はコンデンサＣ１４を介してグランドに接続され、制御電圧Ｖ２の入力側の端部は、マイクロストリップラインＭＳＬ１２が接続される。コンデンサＣ１４、マイクロストリップラインＭＳＬ１１、１２は、ＲＦ信号がバイアス方向に漏れることを防ぐ役割を有する。また、入力端子Ｊ１と第１の帯域阻止調整部１１との間のコンデンサＣ１２は、制御電圧Ｖ２をブロックする役割を有する。

第１の帯域阻止調整部１１では、バラクタダイオードＸ３とマイクロストリップラインＭＳＬ３とが直列に接続されており、バラクタダイオードＸ３とマイクロストリップラインＭＬＳ３とに対して、コンデンサＣ１０が並列に接続されている。また、マイクロストリップラインＭＳＬ３のバラクタダイオードＸ３と反対側は、抵抗Ｒ３を介してグランドに接続されており、バラクタダイオードＸ３のアノードは、直流的にグランドに接続される。

第１の帯域阻止調整部１１は、マイクロストリップラインＭＳＬ３によるインダクタンス成分と、コンデンサＣ１０及びバラクタダイオードＸ３によるキャパシタンス成分とで定まる周波数の信号を減衰し、通過を阻止する。以下では、この周波数を、帯域阻止周波数とも呼ぶ。バラクタダイオードＸ３のカソードには、マイクロストリップラインＭＳＬ５が接続されており、マイクロストリップラインＭＳＬ５は、阻止周波数帯域を広げる働きを有する。

出力端子Ｊ２とコンデンサＣ４、Ｃ６の接続ノードとの間には、第２の帯域阻止調整部１２及びコンデンサＣ１３が挿入される。第２の帯域阻止調整部１２は、第１の帯域阻止調整部１１と同様な構成であり、バラクタダイオードＸ４、マイクロストリップラインＭＳＬ４、ＭＳＬ６、コンデンサＣ１１、抵抗Ｒ４を有する。バラクタダイオードＸ４のカソードには、抵抗Ｒ６と、ＲＦ信号がバイアス方向に漏れることを防ぐマイクロストリップラインＭＳＬ１３、ＭＳＬ１４及びコンデンサＣ１５とを介して制御電圧Ｖ３が印加される。出力端子Ｊ２と第２の帯域阻止調整部１２との間のコンデンサＣ１３は、制御電圧Ｖ３をブロックする役割を有する。

第２の帯域阻止調整部１２は、マイクロストリップラインＭＳＬ４によるインダクタンス成分と、コンデンサＣ１１及びバラクタダイオードＸ４によるキャパシタンス成分とで定まる周波数の信号を減衰し、通過を阻止する。バラクタダイオードＸ４のカソードには、マイクロストリップラインＭＳＬ６が接続されており、マイクロストリップラインＭＳＬ６は、阻止周波数帯域を広げる働きを有する。

上記構成のＶＣＦ１０では、まず、制御電圧Ｖ１を変化させてバラクタダイオードＸ１、Ｘ２の容量を変化させ、マイクロストリップラインＭＳＬ１とＭＳＬ２との間の結合量を変化させて、所望の通過帯域が得られるように調整する。次いで、制御電圧Ｖ２、Ｖ３をそれぞれ変化させ、バラクタダイオードＸ３、Ｘ４の容量を調整して、ＶＣＦの通過中心周波数よりも高い周波数帯において、一定周波数離れた周波数帯の帯域阻止特性を調整する。制御電圧Ｖ２、Ｖ３の調整では、制御電圧Ｖ２、Ｖ３を、Ｖ２＝Ｖ３とすることができる。或いは、個別に制御して、Ｖ２≠Ｖ３としてもよい。

図２（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ帯域阻止調整部における周波数と減衰量との関係を示している。同図（ａ）は、帯域阻止調整部１１、１２の単体の特性をしている。制御電圧Ｖ２、Ｖ３を変化させ、バラクタダイオードＸ３、Ｘ４の容量を変化させると、帯域阻止周波数は、グラフ（Ａ）〜（Ｃ）に示すように変化する。このように、制御電圧Ｖ２、Ｖ３を調整することにより、帯域阻止調整部１１、１２で、所望の周波数成分を減衰させることができる。

図２（ｂ）は、帯域阻止調整部１１、１２を直列に接続したときの周波数と減衰量との関係を示している。同図では、制御電圧Ｖ２≠Ｖ３として、第１の帯域阻止調整部１１と第２の帯域阻止調整部１２とで、帯域阻止周波数を異なる周波数としている。同図に示すように、制御電圧Ｖ２とＶ３とを異なる値に調整し、第１の帯域阻止調整部１１と第２の帯域阻止調整部１２とで、帯域阻止周波数を少しずらすことで、帯域阻止調整部１１、１２の組み合わせで減衰させる周波数帯の幅を広げることができる。

ＶＣＦ１０の通過中心周波数が複数ある場合には、そのそれぞれについて、制御電圧Ｖ１〜Ｖ３の調整を行い、通過中心周波数の変化に合わせて、帯域阻止調整部１１、１２により、その通過中心周波数と一定周波数離れた所望の周波数帯を減衰させるようにする。或いは、ある通過中心周波数に対して制御電圧Ｖ１〜Ｖ３の調整を行い、他の中心周波数に対しては、制御電圧Ｖ１の変化の比率に基づいて制御電圧Ｖ２、Ｖ３を増減し、帯域阻止周波数を中心周波数の変化に追随させても良い。

ここで、図３は、比較例に用いるＶＣＦの構成を示している。比較例のＶＣＦ５０は、図１に示す本実施形態のＶＣＦ１０の構成から、帯域阻止調整部１１、１２、及び、帯域阻止調整部１１、１２に制御電圧Ｖ２、Ｖ３を印加する部分を除いた構成となっている。このＶＣＦ５０における減衰量の周波数特性を図４に示す。この例では、ＶＣＦ５０の通過中心周波数は、５ＧＨｚに設定されている。

図５（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態のＶＣＦ１０の減衰量の周波数特性を示している。同図（ａ）では、ＶＣＦ１０の通過中心周波数は５ＧＨｚに設定されており、帯域阻止調整部１１、１２の帯域阻止周波数は、それぞれ通過中心周波数から＋２ＧＨｚ離れた位置（７ＧＨｚ）に設定されている。図４に示す比較例のＶＣＦ５０の減衰特性と、図５（ａ）に示す本実施形態のＶＣＦ１０の減衰特性とを比較すると、本実施形態のＶＣＦ１０では、通過帯域近傍の減衰特性を維持したまま、所望の周波数帯を減衰させることができる。また、制御電圧Ｖ２、Ｖ３を同じ値に調整し、第１の帯域阻止調整部１１と第２の帯域阻止調整部１２との帯域阻止周波数を同じ周波数とすることで、所望の周波数位置を、局所的に減衰させることができることがわかる。

図５（ｂ）では、通過中心周波数は同図（ａ）と同様に５ＧＨｚに設定されている。帯域阻止調整部１１、１２の帯域阻止周波数については、制御電圧Ｖ２とＶ３とを個別に調整し、それぞれ通過中心周波数から＋２ＧＨｚ、３ＧＨｚ離れた位置（７ＧＨｚ、８ＧＨｚ）としている。この場合でも、同図（ａ）と同様に、通過帯域近傍の減衰特性を維持したまま、所望の周波数帯を減衰させることができる。また、第１の帯域阻止調整部１１と第２の帯域阻止調整部１２とで、帯域阻止周波数を少しずらすことで、同図（ａ）に比して、減衰量が大きい周波数帯の幅を広げることができる。

本実施形態では、帯域阻止調整部１１、１２により、結合器を構成するマイクロストリップラインＭＳＬ１、ＭＳＬ２の結合量を変化させずに、通過中心周波数よりも所定の周波数だけ高い周波数の信号成分を減衰させる。このため、図１１に示す構成を有する、結合器の結合量を変化させることで帯域阻止周波数を設定する従来のＶＣＦ２０の特性（図１２）とは異なり、通過帯域近傍の減衰特性には影響を与えずに、特定の周波数帯に減衰特性を付加できる。また、第１の帯域阻止調整部１１と第２の帯域阻止調整部１２とで、帯域阻止周波数を同じにする場合には、その帯域阻止周波数を局所的に減衰でき、異なる帯域阻止周波数とする場合には、減衰される周波数の幅を広げることができる。

図６は、本発明の第２実施形態のＶＣＦの構成を示している。本実施形態のＶＣＦ１０ａは、図１に示すＶＣＦ１０とは、帯域阻止調整部１１ａ、１２ａが、マイクロストリップラインＭＳＬ５、ＭＳＬ６を有しない点で異なる。第１実施形態では、通過中心周波数よりも高い周波数を減衰させたが、本実施形態では、帯域阻止調整部１１ａ、１２ａにより、通過中心周波数よりも低い周波数を減衰させる。通過中心周波数を定める制御電圧Ｖ１の調整の仕方は、第１実施形態と同様である。また、帯域阻止調整部１１ａ、１２ａの帯域阻止周波数を定める制御電圧Ｖ２、Ｖ３の調整の仕方は、帯域阻止周波数を通過中心周波数よりも低くする点を除いて、第１実施形態と同様である。

図７は、帯域阻止調整部１１ａ、１２ａにおける周波数と減衰量との関係を示している。同図は、帯域阻止調整部１１ａ、１２ａの単体の特性をしている。制御電圧Ｖ２、Ｖ３を変化させ、バラクタダイオードＸ３、Ｘ４の容量を変化させると、帯域阻止周波数は、グラフ（Ａ）〜（Ｃ）に示すように変化する。図２（ａ）に示す第１実施形態の帯域阻止調整部１１、１２の単体の特性と比較すると、減衰させる周波数が異なっており、また、図２（ａ）に比して、帯域阻止周波数付近での周波数の変化に対する減衰量の変化が急峻となっている。これは、本実施形態における帯域阻止調整部１１ａ、１２ａが、阻止周波数帯域を広げる働きを有するマイクロストリップラインＭＳＬ５、ＭＳＬ６を有していないためである。

図８は、ＶＣＦ１０ａの減衰量の周波数特性を示している。この例では、通過中心周波数を５ＧＨｚとし、帯域阻止調整部１１ａ、１２ａの帯域阻止周波数を、通過中心周波数に対して−２．５ＧＨｚとしている。図４に示す比較例のＶＣＦ５０の特性と比較すると、本実施形態のＶＣＦ１０ａでは、第１実施形態と同様に、通過帯域近傍の減衰特性を維持したままで、通過中心周波数５ＧＨｚよりも２．５ＧＨｚ低い周波数を、局所的に減衰できることがわかる。また、本実施形態においても、第１の帯域阻止調整部１１ａと、第２の帯域阻止調整部１２ａとで、帯域阻止周波数を異なる周波数とすることで、減衰させる周波数の幅を広げることができる。

図９は、本発明の第３実施形態のＶＣＦの構成を示している。本実施形態のＶＣＦ１０ｂでは、通過中心周波数よりも高い周波数と低い周波数との双方を減衰させる。同図では、信号入力側の帯域阻止調整部を、第２実施形態で用いた、低い周波数を減衰させるための帯域阻止調整部１１ａで構成し、信号出力側の帯域阻止調整部を、第１実施形態で用いた、高い周波数を減衰させるための帯域阻止調整部１２で構成している。これらは逆であってもよい。本実施形態では、制御電圧Ｖ２、Ｖ３を、Ｖ２≠Ｖ３として制御する。

図１０は、ＶＣＦ１０ｂの減衰量の周波数特性を示している。この例では、通過中心周波数を５ＧＨｚとし、第１の帯域阻止調整部１１ａの帯域阻止周波数を、通過中心周波数よりも２．５ＧＨｚ低い周波数（２．５ＧＨｚ）としている。また、第２の帯域阻止調整部１２の帯域阻止周波数を、通過中心周波数よりも２ＧＨｚ高い周波数（７ＧＨｚ）としている。図４に示す比較例のＶＣＦ５０の特性と比較すると、本実施形態のＶＣＦ１０ｂでは、通過帯域近傍の減衰特性を維持したままで、通過中心周波数５ＧＨｚよりも高い周波数と低い周波数との双方の周波数を減衰できることがわかる。

なお、上記実施形態では、２つの帯域阻止調整部を結合器の入力側と出力側とに設けたが、何れか一方とすることもできる。また、第１実施形態における帯域阻止調整部１１、１２はマイクロストリップラインＭＳＬ５、ＭＳＬ６を有する構成とし、第２実施形態における帯域阻止調整部１１ａ、１２ａはマイクロストリップラインＭＳＬ５、ＭＳＬ６に相当するマイクロストリップラインを有しない構成としたが、これには限定されない。マイクロストリップラインＭＳＬ５、ＭＳＬ６は、帯域阻止周波数近傍での周波数変化に対する減衰量の変化の程度を決めるものであり、得たい減衰特性に応じて、その使用の有無を選択すればよい。

以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明のＶＣＦは、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、上記実施形態の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。

本発明の第１実施形態の電圧制御フィルタの構成を示す回路図。 （ａ）及び（ｂ）は、それぞれ帯域阻止調整部における周波数と減衰量との関係を示すグラフ。 比較例に用いるＶＣＦの構成を示す回路図。 比較例のＶＣＦおける減衰量の周波数特性を示すグラフ。 （ａ）及び（ｂ）は、それぞれ本実施形態のＶＣＦ１０の減衰量の周波数特性を示すグラフ。 本発明の第２実施形態のＶＣＦの構成を示す回路図。 第２実施形態の帯域阻止調整部における周波数と減衰量との関係を示すグラフ。 第２実施形態のＶＣＦの減衰量の周波数特性を示すグラフ。 本発明の第３実施形態のＶＣＦの構成を示す回路図。 第３実施形態のＶＣＦの減衰量の周波数特性を示すグラフ。 従来の帯域阻止機能を有するＶＣＦの構成を示す回路図。 従来のＶＣＦの減衰量の周波数特性を示すグラフ。

符号の説明

１０：電圧制御フィルタ（ＶＣＦ）
１１、１２：帯域阻止調整部
Ｃ１〜Ｃ１５：コンデンサ
ＭＳＬ１〜ＭＳＬ１４：マイクロストリップライン
Ｒ１〜Ｒ６：抵抗
Ｘ１〜Ｘ４：バラクタダイオード

Claims (11)

1. 誘導性結合器を有し、該結合器の結合量を制御することで通過中心周波数が制御される電圧制御フィルタにおいて、
   ＲＦ信号の入力端子と前記結合器との間、及び、ＲＦ信号の出力端子と前記結合器との間の少なくとも一方に、前記結合器の結合量を変化させずに、特定の帯域阻止周波数の信号を減衰させる帯域阻止部を備えたことを特徴とする電圧制御フィルタ。
2. 前記帯域阻止周波数が、前記通過中心周波数から所定の周波数離れた周波数である、請求項１に記載の電圧制御フィルタ。
3. 前記帯域阻止部が、制御電圧に応じて共振周波数が変化する共振器を有する、請求項１又は２に記載の電圧制御フィルタ。
4. 前記帯域阻止部が、前記制御電圧に応じて容量が変化するバラクタダイオードと、所定のインダクタンス成分を有するインダクタとを含む、請求項３に記載の電圧制御フィルタ。
5. 前記帯域阻止部が、前記バラクタダイオードのアノードを直流的に接地する抵抗を有する、請求項４に記載の電圧制御フィルタ。
6. 前記帯域阻止部が、前記バラクタダイオードのカソードに接続されたオープンスタブを有する、請求項４又は５に記載の電圧制御フィルタ。
7. 前記結合器の入力側及び出力側の双方に前記帯域阻止部を有する、請求項１〜６の何れか一に記載の電圧制御フィルタ。
8. 前記入力端子と前記結合器との間の帯域阻止部の帯域阻止周波数と、前記出力端子と前記結合器と間の帯域阻止部の帯域阻止周波数とが、同じ周波数である、請求項７に記載の電圧制御フィルタ。
9. 前記入力端子と前記結合器との間の帯域阻止部の帯域阻止周波数と、前記出力端子と前記結合器と間の帯域阻止部の帯域阻止周波数とが、異なる周波数である、請求項７に記載の電圧制御フィルタ。
10. 前記入力端子と前記結合器との間の帯域阻止部の帯域阻止周波数、及び、前記出力端子と前記結合器と間の帯域阻止部の帯域阻止周波数の何れか一方が前記通過中心周波数よりも低い周波数であり、他方が前記通過中心周波数よりも高い周波数である、請求項９に記載の電圧制御フィルタ。
11. 前記結合器が、一対のマイクロストリップライン又は誘電体共振器から成る、請求項１〜１０の何れか一に記載の電圧制御フィルタ。

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