JP2007258669A - インプリントリソグラフィー方法及びインプリントリソグラフィー装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 RnSi(OH)4−n (1)
(式(1)中、RはH又はアルキル基、nは0〜3の整数)
被加工材の表面上の上記一般式(1)のシロキサン成分と有機溶剤との混合溶液1に、この混合溶液1が液体状態を維持している状態で、凹凸パターン3を形成した型4を押圧する。型4を押圧した状態で混合溶液1から有機溶剤を揮発させて、凹凸パターン5が転写されたレジスト層6を被加工材2の表面に形成する。
【選択図】図1
Description
RnSi(OH)4−n (1)
(式(1)中、RはH又はアルキル基、nは0〜3の整数)
被加工材2の表面上の上記一般式(1)のシロキサン成分と有機溶剤との混合溶液1に、この混合溶液1が液体状態を維持している状態で、凹凸パターン3を形成した型4を押圧し、型4を押圧した状態で混合溶液1から有機溶剤を揮発させて、凹凸パターン5が転写されたレジスト層6を被加工材2の表面に形成することを特徴とするものである。
RnSi(OH)4−n (1)
(式(1)中、RはH又はアルキル基、nは0〜3の整数)
被加工材の表面に供給された上記一般式(1)のシロキサン成分と有機溶剤との混合溶液1と、凹凸パターン3を形成した型4のうち、少なくとも一方に対して有機溶剤17を散布する溶剤散布手段と、前記混合溶液1に凹凸パターン3を形成した型4を押圧する型押圧手段とを備えることを特徴とする。
RnSi(OH)4−n (1)
のシロキサン成分と有機溶剤との混合溶液1を用いるものである。一般式(1)においてRはH又はアルキル基を示すものであり、アルキル基は特に限定されるものではないが炭素数が1〜4のものであることが望ましい。また一般式(1)においてnは0〜3の整数である。このシロキサン成分としては、例えば水素化シルセスキオキサンポリマーを用いることができる。
式(1)のシロキサン成分と有機溶剤との混合溶液1として、水素化シルセルキオキサンポリマー(HSQ)をメチルイソブチルケトン(MIBK)に溶解したダウコーニング社の商品名「FOX」(密度1.5g/cm3)を用い、この混合溶液1をSi基板からなる被加工材2の表面に滴下した(図1(a)参照)。次に、この混合溶液1が流動性を有する液体状態のうちに、3.5μmピッチのピラミッドアレイ状の凹凸パターン3を形成したSi(Niでもよい)からなる型4を、10MPaの圧力で型押しした(図1(b)参照)。そしてこのように型4で型押しした状態で100℃まで型4を昇温させ、この状態を30分間保持した後、型4を外すことによって、凹凸パターン5が転写して形成されたレジスト層6を被加工材2の表面に形成した(図1(c)参照)。
実施例1と同じ組成の混合溶液1を用い、Si基板からなる被加工材2の表面にスピンコートした(図8(a)参照)。このようにスピンコートすることによって、混合溶液1から有機溶剤が揮散し、混合溶液1からなるレジスト形成材料14の膜は固化して流動性を有しない状態になっていた。次に実施例1と同様に3.5μmピッチのピラミッドアレイ状の凹凸パターン3を形成した型4を150MPaの圧力で型押しした(図8(b)参照)。そしてこのように型4で型押しした後に、型4を外すことによって、凹凸パターン4が転写して形成されたレジスト層6を被加工材2の表面に形成した(図8(c)参照)。
実施例1と同じ混合溶液1をSi基板からなる被加工材2の表面に滴下し、この混合溶液1が流動性を有する液体状態のうちに、矩形断面の突条を平行に複数列設した形状の凹凸パターン3を形成した型4を1MPaの圧力で型押しした。そしてこのように型4で型押しした状態で90℃まで型4を昇温させ、この状態を30分間保持した後、型4を離型することによって、矩形断面の突条を平行に複数列設した形状の凹凸パターン5が転写して形成されたレジスト層6を被加工材2の表面に形成した。
実施例1と同じ組成の混合溶液1を用い、Si基板からなる被加工材2の表面にスピンコートした。このようにスピンコートすることによって、混合溶液1から有機溶剤が揮散し、混合溶液1からなるレジスト形成材料14の膜は固化して流動性を有しない状態になっていた。次に実施例2と同様に矩形断面の突条を平行に複数列設した形状の凹凸パターン3を形成した型4を15MPaの圧力で型押しした後に、型4を離型することによって、凹凸パターン5が転写して形成されたレジスト層6を被加工材2の表面に形成した。
実施例1と同じ混合溶液1を、実施例1と同じ被加工材2の表面にスピンコートにより塗布した(図2(a)参照)。次に、この被加工材2上の混合溶液1の表面に全面に亘って、有機溶剤17としてメチルイソブチルケトン(MIBK)をスプレー噴射し、この混合溶液1を流動性を有する液体状態とした(図2(b)参照)。この状態で、実施例1と同一の型4を、10MPaの圧力で型押しした(図2(c)参照)。そしてこのように型4で型押しした状態で100℃まで型4を昇温させ、この状態を30分間保持した後、型4を外すことによって、凹凸パターン5が転写して形成されたレジスト層6を被加工材2の表面に形成した(図2(d)参照)。
実施例1と同じ混合溶液1をSi基板からなる被加工材2の表面にスピンコートにより塗布し、この被加工材2上の混合溶液1の表面に全面に亘って、有機溶剤17としてメチルイソブチルケトン(MIBK)をスプレー噴射し、この混合溶液1を流動性を有する液体状態とした。この状態で、実施例2と同じ型4を1MPaの圧力で型押しした。そしてこのように型4で型押しした状態で90℃まで型4を昇温させ、この状態を30分間保持した後、型4を離型することによって、矩形断面の突条を平行に複数列設した形状の凹凸パターン5が転写して形成されたレジスト層6を被加工材2の表面に形成した。
2 被加工材
3 凹凸パターン
4 型
5 凹凸パターン
6 レジスト層
7 半導体発光素子
8 基板
Claims (9)
- RnSi(OH)4−n (1)
(式(1)中、RはH又はアルキル基、nは0〜3の整数)
被加工材の表面上の上記一般式(1)のシロキサン成分と有機溶剤との混合溶液に、この混合溶液が液体状態を維持している状態で、凹凸パターンを形成した型を押圧し、型を押圧した状態で混合溶液から有機溶剤を揮発させて、凹凸パターンが転写されたレジスト層を被加工材の表面に形成することを特徴とするインプリントリソグラフィー方法。 - 上記一般式(1)のシロキサン成分と有機溶剤との混合溶液を被加工材の表面に供給し、被加工材の表面の混合溶液が液体状態である間に、凹凸パターンを形成した型を混合溶液に押圧し、型を押圧した状態で混合溶液から有機溶剤を揮発させて、凹凸パターンが転写されたレジスト層を被加工材の表面に形成することを特徴とする請求項1に記載のインプリントリソグラフィー方法。
- 上記一般式(1)のシロキサン成分と有機溶剤との混合溶液を被加工材の表面に供給した後、この混合溶液に有機溶剤を加えて液体状態を維持させた状態で、凹凸パターンを形成した型を混合溶液に押圧し、型を押圧した状態で混合溶液から有機溶剤を揮発させて、凹凸パターンが転写されたレジスト層を被加工材の表面に形成することを特徴とする請求項1に記載のインプリントリソグラフィー方法。
- 上記一般式(1)のシロキサン成分と有機溶剤との混合溶液を被加工材の表面に供給し、凹凸パターンを形成した型に有機溶剤を塗布した後、この型を混合溶液に押圧することで、混合溶液に有機溶剤を加えた状態で凹凸パターンを形成した型により混合溶液を押圧することを特徴とする請求項3に記載のインプリントリソグラフィー方法。
- 型を押圧した状態で加熱することによって、混合溶液から有機溶剤を揮発させることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィー方法。
- 型を押圧した状態で、型押しをする雰囲気を減圧することによって、混合溶液から有機溶剤を揮発させることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに一項に記載のインプリントリソグラフィー方法。
- 型を押圧した状態で、型押しをする雰囲気を減圧しながら加熱することによって、混合溶液から有機溶剤を揮発させることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィー方法。
- 被加工材が、半導体発光素子の基板であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載のインプリントリソグラフィー方法。
- 請求項2又は3に記載の方法にて凹凸パターンが転写されたレジスト層を被加工材の表面に形成するためのインプリントリソグラフィー装置であって、
RnSi(OH)4−n (1)
(式(1)中、RはH又はアルキル基、nは0〜3の整数)
被加工材の表面に供給された上記一般式(1)のシロキサン成分と有機溶剤との混合溶液と、凹凸パターンを形成した型のうち、少なくとも一方に対して有機溶剤を散布する溶剤散布手段と、前記混合溶液に凹凸パターンを形成した型を押圧する型押圧手段とを備えることを特徴とするインプリントリソグラフィー装置。
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- 2006-10-26 JP JP2006291762A patent/JP2007258669A/ja active Pending
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