JP2007258401A - 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法 - Google Patents
不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007258401A JP2007258401A JP2006080132A JP2006080132A JP2007258401A JP 2007258401 A JP2007258401 A JP 2007258401A JP 2006080132 A JP2006080132 A JP 2006080132A JP 2006080132 A JP2006080132 A JP 2006080132A JP 2007258401 A JP2007258401 A JP 2007258401A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate electrode
- memory device
- memory cell
- semiconductor memory
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【解決手段】周辺トランジスタ1とメモリセルトランジスタ2とを具備する不揮発性半導体記憶装置を用いる。トランジスタ1は、第1チャネル領域上に形成された第1ゲート電極34を備える。メモリセルトランジスタ2は、第2チャネル領域上に形成された第2ゲート電極30と、第2ゲート電極30の側面に絶縁層31を介して形成された第3ゲート電極32とを備える。第2ゲート電極30の膜厚t20は、第1ゲート電極34の膜厚t10及び第3ゲート電極32の膜厚t30より厚い。
【選択図】図3
Description
本発明では、第2ゲート電極(30)の膜厚(t20)が薄くなっても、第1ゲート電極(34)の膜厚(t10)を相対的に厚くしておくことで、第2ゲート電極(30)の上部と第3ゲート電極(32)の上部との距離を離すことが出来る。それにより、第2ゲート電極(30)の上部と第3ゲート電極(32)の上部との間の短絡を防止することができる。すなわち、メモリセルトランジスタ(2)の第2ゲート電極(30)及び第3ゲート電極(32)の構造が、周辺トランジスタ(1)の第1ゲート電極(34)の構造に影響されないようにすることが出来る。本発明の不揮発性半導体記憶装置は、不揮発性メモリを搭載した不揮発性メモリ混載半導体装置を含む。
2 メモリセルトランジスタ
20 半導体基板
21、27、29 ポリシリコン膜
22、35 ゲート絶縁膜
23 素子分離領域
24 マスク絶縁膜
26 ワードゲート絶縁膜
28、31 ONO積層膜
30 ワードゲート電極
30a 第1層
30b 第2層
31 ONO積層膜
32 コントロールゲート電極
34 ゲート電極
35 ゲート絶縁膜
37、38 LDD拡散層
40 サイドウォール絶縁膜
41、42 サイドウォール
43、44 ソース/ドレイン拡散層
46、47、49、50 シリサイド層
Claims (10)
- 第1チャネル領域上に形成された第1ゲート電極を備えるトランジスタと、
第2チャネル領域上に形成された第2ゲート電極と、前記第2ゲート電極の側面に絶縁層を介して形成された第3ゲート電極とを備えるメモリセルトランジスタと
を具備し、
前記第2ゲート電極の膜厚は、前記第1ゲート電極及び前記第3ゲート電極の膜厚より厚い
不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第2ゲート電極の上部はシリサイド化されている
不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1又は2に記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第3ゲート電極は、前記第2ゲート電極のサイドウォールで覆われている
不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第2ゲート電極は二層構造を有する
不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項4に記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第2ゲート電極の一層目の膜厚は、前記第1ゲート電極の膜厚と同じである
不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記メモリセルトランジスタは、前記第2ゲート電極を挟んで二つの前記第3ゲート電極を備える
不揮発性半導体記憶装置。 - (a)半導体基板上の第1領域に形成された第1ゲート絶縁層及び第2領域に形成された第2ゲート絶縁層上に、第1ゲート層を形成する工程と、
(b)前記第2領域の前記第1ゲート層上に第2ゲート層を形成する工程と、
(c)前記第2領域の前記第2ゲート層及び前記第1ゲート層をエッチングして、メモリセルトランジスタの第2ゲート電極を形成する工程と、
(d)前記第2ゲート電極の側面に絶縁層を介して前記メモリセルトランジスタの第3ゲート電極を形成する工程と、
(e)前記第1領域の前記第1ゲート層をエッチングして、トランジスタの第1ゲート電極を形成する工程と
(f)前記第1ゲート電極及び前記第2ゲート電極にサイドウォールを形成する工程と
を具備する
不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 請求項7に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
(g)前記前記第2ゲート電極の上部をシリサイド化する工程を更に具備する
不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 請求項7又は8に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記第3ゲート電極は、前記第2ゲート電極の前記サイドウォールで覆われている
不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 請求項7乃至9のいずれか一項に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記(d)工程は、
(d1)前記第3ゲート層及び前記絶縁層をエッチバックして、前記第2ゲート電極の対向する二側面に前記絶縁層を介して前記メモリセルトランジスタの二つの第3ゲート電極を形成する工程を備える
不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006080132A JP4789250B2 (ja) | 2006-03-23 | 2006-03-23 | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006080132A JP4789250B2 (ja) | 2006-03-23 | 2006-03-23 | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007258401A true JP2007258401A (ja) | 2007-10-04 |
JP4789250B2 JP4789250B2 (ja) | 2011-10-12 |
Family
ID=38632340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006080132A Expired - Fee Related JP4789250B2 (ja) | 2006-03-23 | 2006-03-23 | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4789250B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007305711A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2008066386A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
JP2010067645A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-25 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
CN104916643A (zh) * | 2014-03-12 | 2015-09-16 | 株式会社东芝 | 非易失性半导体存储装置 |
JP7091675B2 (ja) | 2018-01-26 | 2022-06-28 | ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社 | 半導体装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003309193A (ja) * | 2002-04-18 | 2003-10-31 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2006351987A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体装置およびその製造方法 |
-
2006
- 2006-03-23 JP JP2006080132A patent/JP4789250B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003309193A (ja) * | 2002-04-18 | 2003-10-31 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2006351987A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007305711A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2008066386A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
JP2010067645A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-25 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
CN104916643A (zh) * | 2014-03-12 | 2015-09-16 | 株式会社东芝 | 非易失性半导体存储装置 |
US9530782B2 (en) | 2014-03-12 | 2016-12-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device comprising memory gate and peripheral gate having different thicknesses |
CN104916643B (zh) * | 2014-03-12 | 2018-03-23 | 东芝存储器株式会社 | 非易失性半导体存储装置 |
JP7091675B2 (ja) | 2018-01-26 | 2022-06-28 | ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4789250B2 (ja) | 2011-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7557005B2 (en) | Semiconductor device and a method of manufacturing the same | |
US20190348542A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device | |
KR101618160B1 (ko) | 불휘발성 반도체 메모리 및 불휘발성 반도체 메모리의 제조 방법 | |
JP5592214B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20050285219A1 (en) | Nonvolatile semiconductor memory and method of fabricating the same | |
US20050045941A1 (en) | Nonvolatile semiconductor memory and method of fabricating the same | |
CN107452747B (zh) | 制造半导体器件的方法 | |
US10446569B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2016051745A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US8815675B2 (en) | Method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory with backing wirings | |
JP4789250B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 | |
JP5118887B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US7414282B2 (en) | Method of manufacturing a non-volatile memory device | |
US8093647B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory having transistor with a diffusion blocking layer between the lower gate and fully silicided upper gate | |
JP2009141248A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法及び不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2009010110A (ja) | 不揮発性メモリ及びその製造方法 | |
JP2007067027A (ja) | 埋め込み型不揮発性メモリーの製作方法 | |
JP2003046062A (ja) | 半導体メモリ装置の製造方法 | |
JP2006080567A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
JP2011096727A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010062359A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006120758A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法 | |
JP2008172069A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法 | |
JP2000195973A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2007096038A (ja) | 不揮発性メモリー素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110114 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110311 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110401 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110525 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110715 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110715 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140729 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |