JP2007256881A - Display device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ディスプレイ装置に関し、例えば有機EL(Electro Luminescence)表示装置等の電流駆動による自発光のディスプレイ装置に適用することができる。本発明は、信号レベル保持用コンデンサの一端に接続されるダブルゲートトランジスタの直上に、発光素子の駆動側端より低電圧の配線層を設けることにより、各画素における輝度レベルのばらつきを防止する。 The present invention relates to a display device, and can be applied to a self-luminous display device driven by current, such as an organic EL (Electro Luminescence) display device. In the present invention, a wiring layer having a lower voltage than the driving side end of the light emitting element is provided immediately above the double gate transistor connected to one end of the signal level holding capacitor, thereby preventing variations in luminance level in each pixel.
従来、有機EL素子を用いたディスプレイ装置に関して、例えばUSP5,684,365、特開平8−234683号公報等に種々の工夫が提案されている。 Conventionally, various devices have been proposed for display devices using organic EL elements, for example, in US Pat. No. 5,684,365 and Japanese Patent Laid-Open No. 8-234683.
ここで図11は、従来の有機EL素子を用いたいわゆるアクティブマトリックス型のディスプレイ装置を示すブロック図である。ディスプレイ装置1において、画素部2は、マトリックス状に画素(PX)3が配置されて形成される。また画素部2は、このマトリックス状に配置した画素3に対して、1対の走査線SCN1、SCN2がライン単位で水平方向に設けられ、またこの1対の走査線SCN1、SCN2と直交するように信号線SIGが各列毎に設けられる。
FIG. 11 is a block diagram showing a so-called active matrix display device using a conventional organic EL element. In the
ここで図12は、各画素3の構成を示す接続図である。有機EL素子を用いたディスプレイ装置1は、各画素3が、電流駆動による自発光型の発光素子である有機EL素子8と、この有機EL素子8を駆動する各画素の駆動回路(以下、画素回路と呼ぶ)とで形成される。
Here, FIG. 12 is a connection diagram showing the configuration of each
ここで画素回路は、信号レベル保持用コンデンサC1の一端が一定電位に保持され、書き込み信号WSによりオンオフ動作するトランジスタTR1を介して、この信号レベル保持用コンデンサC1の他端が信号線SIGに接続される。これにより画素回路は、書き込み信号WSの立ち上がりによってトランジスタTR1がオン動作し、信号レベル保持用コンデンサC1の他端が信号線SIGの信号レベルに設定される。 Here, in the pixel circuit, one end of the signal level holding capacitor C1 is held at a constant potential, and the other end of the signal level holding capacitor C1 is connected to the signal line SIG via the transistor TR1 that is turned on and off by the write signal WS. Is done. Thus, in the pixel circuit, the transistor TR1 is turned on by the rising of the write signal WS, and the other end of the signal level holding capacitor C1 is set to the signal level of the signal line SIG.
画素回路は、ソースを電源VCCに接続したトランジスタTR2のゲートに、この信号レベル保持用コンデンサC1の他端が接続され、駆動パルス信号DSによりオンオフ動作するトランジスタTR3を介して、このトランジスタTR2のドレインが有機EL素子8のアノードに接続される。ここで画素回路は、このトランジスタTR2が常に飽和領域で動作するように設定され、その結果、トランジスタTR2は、(1/2)×μ×(W/L)×Cox×(Vgs−Vth)2で表されるドレイン電流Idsによる定電流回路を構成する。なおここでVgsは、トランジスタTR2のゲートソース間電圧であり、μは移動度である。またWはチャンネル幅、Lはチャンネル長、Coxはゲート容量、VthはトランジスタTR2のしきい値電圧である。これにより画素回路は、駆動パルス信号DSの立ち上がりによってトランジスタTR3がオン動作し、信号レベル保持用コンデンサC1の他端に設定された信号線SIGの電位に応じた駆動電流Idsにより有機EL素子8を駆動する。
In the pixel circuit, the drain of the transistor TR2 is connected to the gate of the transistor TR2 whose source is connected to the power supply VCC via the transistor TR3 which is connected to the other end of the signal level holding capacitor C1 and is turned on / off by the drive pulse signal DS. Is connected to the anode of the
この画素部2に対して、図13に示すように、ディスプレイ装置1は、垂直駆動回路4で走査線SCN1、SCN2を駆動して順次ライン単位で画素部2の画素3を選択すると共に、この画素3の選択に対応するように水平駆動回路5で信号線SIGを駆動して各画素3の階調を設定する。
As shown in FIG. 13, the
すなわち垂直駆動回路4は、各画素3への書き込みをライン単位で順次指示する書き込み信号WSをライトスキャン回路(WSCN)4Aで生成し、この書き込み信号WSを走査線SCN1に出力して各画素3の階調を設定する。また垂直駆動回路4は、各画素3の発光期間を制御する駆動パルス信号DSをドライブスキャン回路(DSCN)4Bで生成し、この駆動パルス信号DSを走査線SCN2に出力する。また水平駆動回路5は、各画素3の階調を指示する階調データD1に応じて駆動信号を生成し、この駆動信号を水平セレクタ(HSEL)5Aで各信号線SIGに振り分けて出力する。なおこの図13においては、垂直方向に連続するラインを括弧書により示す。従って図13(A1)及び図13(A2)は、表示画面において最も上側のライン及び続くラインに出力される書き込み信号WSである。
That is, the
ここで有機EL素子8は、図14に示すように、使用により電流が流れ難くなる方向に電流電圧特性が経時変化する。なおこの図14において、符号L1が初期の特性を示し、符号L2が経時変化による特性を示すものである。従って図12との対比により図15に示すように、全てのトランジスタTR1〜TR3にNチャンネル型を適用した場合、この図14に示す電流電圧特性の変化によって、有機EL素子8に流れる電流が徐々に減少し、各画素の輝度が徐々に低下することになる。なお図16は、図13との対比により、この図15に示すディスプレイ装置のタイミングチャートである。しかしながら図12に示す回路構成により有機EL素子8を駆動する場合には、電流電圧特性の経時変化による各画素の輝度変化を防止することができる。
Here, as shown in FIG. 14, the current-voltage characteristics of the
このような有機EL素子を用いたアクティブマトリックス型のディスプレイ装置については、例えば図17に示すように、発光素子の電流電圧特性の経時変化による各画素の輝度変化を防止しつつ、構成部品のばらつきを防止する工夫も提案されている。 For an active matrix display device using such an organic EL element, for example, as shown in FIG. 17, the variation in component parts is prevented while preventing a change in luminance of each pixel due to a change in current-voltage characteristics of the light emitting element over time. Some ideas have been proposed to prevent this.
ここでこの図17に示すディスプレイ装置11において、画素部12は、画素13をマトリックス状に配置して形成される。ここで画素13は、信号レベル保持用コンデンサC1の一端が有機EL素子8のアノードに接続され、書き込み信号WSに応じてオンオフ動作するトランジスタTR1を介して、この信号レベル保持用コンデンサC1の他端が信号線SIGに接続される。これにより画素13は、書き込み信号WSに応じて信号レベル保持用コンデンサC1の他端の電圧が、信号線SIGの信号レベルVsigに設定される。
Here, in the
画素13は、この信号レベル保持用コンデンサC1の両端がトランジスタTR2のソース及びゲートに接続され、駆動パルス信号DSによりオンオフ動作するトランジスタTR3を介して、このトランジスタTR2のドレインが電源Vccに接続される。これにより画素13は、ゲート電位が信号線SIGの信号レベルVSIGに設定されたソースフォロワ回路構成のトランジスタTR2により有機EL素子8を駆動して発光させる。
In the
また画素13は、それぞれ制御信号AZ2、AZ1によりオンオフ動作するトランジスタTR4、TR5を介して、信号レベル保持用コンデンサC1の両端が所定の固定電位Vofs、Viniに接続される。ここでこれら制御信号AZ2、AZ1は、それぞれ垂直駆動回路14に設けられた制御信号生成回路(AZ2、AZ1)14C、14Dで生成される。なおここでC2は、有機EL素子8の容量である。
Further, in the
図18において時点t1で示すように、これら制御信号AZ2、AZ1は、書き込み信号WSにより信号レベル保持用コンデンサC1の端子電圧を信号線SIGの信号レベルVsigに設定する前に立ち上がる。これにより画素13は、制御信号AZ2、AZ1によりトランジスタTR4、TR5がオン動作し、信号レベル保持用コンデンサC1の両端電位が、固定電位Vofs、Viniで決まる電位に設定される。なおここで信号レベル保持用コンデンサC1の両端電位は、この図18において、それぞれトランジスタTR2のゲート及びソースの電位である。
As shown at time t1 in FIG. 18, the control signals AZ2 and AZ1 rise before the terminal voltage of the signal level holding capacitor C1 is set to the signal level Vsig of the signal line SIG by the write signal WS. Thereby, in the
この画素13では、続いて制御信号AZ1によりトランジスタTR5がオフ動作する。また駆動パルス信号DSが一旦立ち下がった後(時点t2)、立ち上がる(時点t3)。これにより画素13は、有機EL素子8を介した信号レベル保持用コンデンサC1の蓄積電荷の放電により、又はトランジスタTR4を介した信号レベル保持用コンデンサC1への電荷の流入により、トランジスタTR5のオン動作により設定された信号レベル保持用コンデンサC1の他端の電位が変化し、信号レベル保持用コンデンサC1の両端電位差がトランジスタTR2のしきい値電圧Vthに設定される。
In the
その後、制御信号AZ1の立ち下がりによりトランジスタTR4がオフ動作した後、時点t4で書き込み信号WSが立ち上がり、信号レベル保持用コンデンサC1の他端の電位が信号線SIGの信号レベルVsigに立ち上がり、信号レベル保持用コンデンサC1の両端電位差が、トランジスタTR2のしきい値電圧Vthに信号線SIGの信号レベルVsigを加算した電圧Vsig+Vthに設定される。なおこのとき信号レベル保持用コンデンサC1の容量が十分に大きいことから、駆動用トランジスタTR2のソース電位は変化しない。 Thereafter, after the transistor TR4 is turned off by the fall of the control signal AZ1, the write signal WS rises at time t4, the potential of the other end of the signal level holding capacitor C1 rises to the signal level Vsig of the signal line SIG, and the signal level The potential difference between both ends of the holding capacitor C1 is set to a voltage Vsig + Vth obtained by adding the signal level Vsig of the signal line SIG to the threshold voltage Vth of the transistor TR2. At this time, since the capacitance of the signal level holding capacitor C1 is sufficiently large, the source potential of the driving transistor TR2 does not change.
その後、画素13は、書き込み信号WSが立ち下がってトランジスタTR1がオフ動作した後、時点t5で駆動パルス信号DSが立ち下がってトランジスタTR2がオン動作し、信号レベル保持用コンデンサC1の両端電位差に応じた駆動電流Iにより有機EL素子8が発光する。この図18の構成によれば、事前に、有機EL素子8を駆動する駆動用トランジスタTR2のしきい値電圧Vthに、信号レベル保持用コンデンサC1の端子電圧を設定した後、この信号レベル保持用コンデンサC1の端子電圧を信号線の信号レベルに設定することにより、トランジスタTR2のしきい値電圧Vthのばらつきを補正し、このしきい値電圧Vthのばらつきによる画質劣化を防止すことができる。
After that, in the
これによりこの図17に示す画素部12において、トランジスタTR4、TR5は、信号レベル保持用コンデンサの端子電圧を補正して、トランジスタTR2のしきい値電圧Vthのばらつきを補正する補正回路を構成する。なおトランジスタTR1をオフ状態に設定した後、トランジスタTR3を時点t5でオン状態に切り換えるまでの期間の設定によって、トランジスタTR2の移動度のばらつきを補正することもできる。
Thus, in the
ところでこの種のディスプレイ装置では、レイアウトの自由度を向上する等の目的から、画素回路を構成するトランジスタをダブルゲートトランジスタで構成することが考えられる。しかしながら画素回路を構成するトランジスタをダブルゲートトランジスタで構成すると、リーク電流が発生して信号レベル保持用コンデンサC1の端子電圧がばらつき、各画素で輝度レベルがばらつくことが判った。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、画素回路を構成するトランジスタをダブルゲートトランジスタで構成する場合の輝度レベルのばらつきを防止することができるディスプレイ装置を提案しようとするものである。 The present invention has been made in consideration of the above points, and an object of the present invention is to propose a display device capable of preventing variations in luminance level when a transistor constituting a pixel circuit is constituted by a double gate transistor. .
上記の課題を解決するため請求項1の発明は、画素をマトリックス状に配置した画素部と、前記画素部を駆動回路とを有するディスプレイ装置に適用して、前記画素が、発光素子と、信号レベル保持用コンデンサと、前記駆動回路から出力される制御信号によりオンオフ動作して、前記信号レベル保持用コンデンサの一端の端子電圧を信号線の信号レベルに設定する信号レベル設定用トランジスタと、前記信号レベル保持用コンデンサの端子電圧に応じて、前記発光素子を駆動する駆動用トランジスタとを少なくとも有し、前記信号レベル保持用コンデンサの一端に接続されるトランジスタがダブルゲートトランジスタであり、前記信号レベル保持用コンデンサの一端に接続されるトランジスタの直上に、前記発光素子の前記駆動用トランジスタ側端より低電圧の配線層が設けられる。
In order to solve the above-described problems, the invention of
請求項1の構成により、信号レベル保持用コンデンサの一端に接続されるトランジスタがダブルゲートトランジスタである場合に、この信号レベル保持用コンデンサの一端に接続されるトランジスタの直上に、発光素子の駆動用トランジスタ側端より低電圧の配線層を設けるようにすれば、このトランジスタがオフ動作した場合に、十分にリーク電流を低減することができるように、ダブルゲートトランジスタの中間点の電位を設定することができ、リーク電流に起因する輝度レベルのばらつきを防止することができる。 When the transistor connected to one end of the signal level holding capacitor is a double gate transistor, the light emitting element driving circuit is directly above the transistor connected to one end of the signal level holding capacitor. If a wiring layer having a lower voltage than the transistor side end is provided, the potential of the intermediate point of the double gate transistor should be set so that the leakage current can be sufficiently reduced when the transistor is turned off. Thus, variation in luminance level due to leakage current can be prevented.
本発明によれば、画素回路を構成するトランジスタをダブルゲートトランジスタで構成する場合の輝度レベルのばらつきを防止することができる。 According to the present invention, it is possible to prevent variations in luminance level when the transistors constituting the pixel circuit are constituted by double gate transistors.
以下、適宜図面を参照しながら本発明の実施例を詳述する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings as appropriate.
(1)実施例の構成
図2は、図11との対比により本発明の実施例1に係るディスプレイ装置の構成を示す接続図である。このディスプレイ装置21において、画素部22は、画素23をマトリックス状に配置して形成される。また画素23は、信号レベル保持用コンデンサC1の端子電圧を信号線SIGの信号レベルVsigに設定するトランジスタTR1がダブルゲートトランジスタで形成される。このディスプレイ装置21は、この画素部22におけるトランジスタTR1に関する構成が異なる点を除いて、図11について上述したディスプレイ装置1と同一に構成される。
(1) Configuration of Embodiment FIG. 2 is a connection diagram showing a configuration of a display device according to
ここで図1(A)及び(B)に示すように、画素部22は、例えばガラス基板による絶縁基板B上に、TFT(Thin Film Transistor)等を積層して形成される。すなわち画素部22は、モリブデン等により画素回路を構成するトランジスタTR1〜TR3のゲート電極が絶縁基板B上に作成された後、シリコン酸化膜等によりゲート酸化膜M1が形成される。またさらにこのゲート酸化膜M1上に、不純物をドープしたアモルファスシリコン膜等を順次堆積した後、トランジスタTR1〜TR3のソース電極S、ドレイン電極Dが形成される。なおダブルゲートトランジスタであるトランジスタTR1は、さらに所定のシリコン酸化膜を堆積した後、図示しないゲート電極が作成される。画素部22は、このようにして作成されたトランジスタTR1〜TR3が、シリコン酸化膜による絶縁層M2で保護され、図示しない配線層で図1に示す回路構成により配線され、また信号線SIG、ゲート線SCN1、SCN2が作成される。また画素部22は、さらに絶縁層M2の表側面に、有機EL素子8のアノード電極34が形成された後、有機EL素子材料35を間に挟むようにしてカソード電極36が形成される。なおここで符号37は、シリコン酸化膜等による絶縁層である。画素部22は、隣接する画素23間で、アノード電極34が絶縁されて、画素23毎に有機EL素子材料35が配置され、画素23毎に有機EL素子8が設けられる。これに対してカソード電極36は、隣接する画素23で共通に形成される。なおここで図1(B)は、図1(A)をA−A線で切り取って示す断面図である。
Here, as shown in FIGS. 1A and 1B, the
このディスプレイ装置21では、有機EL素子材料35が配置された部位の下層に、有機EL素子8を駆動するトランジスタTR2、このトランジスタTR2を制御するトランジスタTR3が配置される。これに対して信号線SIGの信号レベルを信号レベル保持用コンデンサC1に設定するダブルゲートトランジスタTR1は、有機EL素子材料35の下層を避けて配置される。
In the
このディスプレイ装置21は、この有機EL素子材料35の下層を避けて配置したダブルゲートのトランジスタTR1の直上が、少なくとも有機EL素子8の駆動側端電圧より低電圧の配線層となるように設定される。より具体的に、この実施例では、有機EL素子8のアノード側をトランジスタTR3で駆動していることから、この有機EL素子8のアノード側端より低電圧の配線層がダブルゲートのトランジスタTR1の直上となるように設定される。このディスプレイ装置21では、この配線層に、カソード電極36が割り当てられる。なおここで直上とは、当然のことながら、絶縁層を間に挟んで、直近、真上にの意味である。
The
このため各画素23は、画素部22の全面をカソード電極36が覆うようにして、このカソード電極36に対向するアノード電極34が、少なくともダブルゲートのトランジスタTR3の直上を避けて設けられる。この配線層の設定により、このディスプレイ装置21は、ダブルゲートのトランジスタTR1のリーク電流IR(図2)を防止し、画素回路を構成するトランジスタをダブルゲートトランジスタで構成する場合の輝度レベルのばらつきを防止する。
Therefore, in each
すなわち図3に示すように、信号レベル保持用コンデンサC1の端子電圧を信号線SIGの電位に設定するトランジスタTR1は、直上に配置されている配線層の電位が有機EL素子8のアノード電極34の電位の場合、このアノード電極34の電位による基板バイアス効果で中間点にカップリングコンデンサCA〜CCが形成される。このためこの実施例では、図4に示すように、アノード電極34の電位−2.4〔V〕に対して中間点の電位が−2〔V〕に保持されることになり、図5に示すように、ダブルゲートトランジスタがデプレッション型トランジスタの特性を示すことになる。その結果、この場合、書き込み信号WSによりこのトランジスタTR1がオフ状態に設定されても、このトランジスタTR1を介して信号線SIGにリーク電流IRが流れるようになり、信号レベル保持用コンデンサC1の端子電圧が正規の電圧から変化し、各画素23で輝度レベルのばらつきが発生する。なおこの図5に示す特性は、ドレインソース間電圧Vdsを10〔V〕に設定し、アノード電極34の電位を0〔V〕、5〔V〕、10〔V〕、15〔V〕に設定した場合の特性であり、Vgsは、ゲートソース間電圧、Idsはソース電流である。
That is, as shown in FIG. 3, in the transistor TR1 for setting the terminal voltage of the signal level holding capacitor C1 to the potential of the signal line SIG, the potential of the wiring layer disposed immediately above the potential of the
しかしながらこの実施例のように、有機EL素子8のアノード側端より低電圧の配線層がダブルゲートのトランジスタTR1の直上となるように、より具体的に、ダブルゲートのトランジスタTR1の直上にカソード電極36を配置すれば、このトランジスタTR1のリーク電流IRを防止することができ、その結果、各画素の輝度レベルのばらつきを防止することができる。
However, as in this embodiment, more specifically, the cathode electrode is directly above the double gate transistor TR1 so that the wiring layer having a lower voltage than the anode side end of the
(2)実施例の動作
以上の構成において、このディスプレイ装置21では(図2)、垂直駆動回路4による走査線SCN1、SCN2の駆動により順次ライン単位で画素部22の画素23に水平駆動回路5により駆動される信号線SIGの信号レベルが設定されると共に、この設定された信号レベルにより各画素23が発光し、所望の画像が画素部22で表示される。
(2) Operation of Embodiment In the above configuration, in this display device 21 (FIG. 2), the
各画素23では、走査線SCN1に出力される書き込み信号WSによりトランジスタTR1がオン動作し、信号レベル保持用コンデンサC1の端子電圧が信号線SIGの信号レベルに設定される。また走査線SCN1の駆動によりトランジスタTR3がオン動作し、信号レベル保持用コンデンサC1の端子電圧に応じた駆動電流によりトランジスタTR2で有機EL素子8が駆動され、信号線SIGによって設定された階調で発光する(図13参照)。
In each
しかしながら単に信号レベル保持用コンデンサC1の端子に接続されたトランジスタTR1をダブルゲートトランジスタにより構成すると、このトランジスタTR1のリーク電流IRにより、信号線SIGの電位に設定されている信号レベル保持用コンデンサC1の端子電圧が変化することになる。このリーク電流IRは、各画素23に設けられるトランジスタTR1のばらつきによって変化し、その結果、画素部22で輝度レベルのばらつきが発生することになる。
However, when the transistor TR1 connected to the terminal of the signal level holding capacitor C1 is simply constituted by a double gate transistor, the leakage current IR of the transistor TR1 causes the signal level holding capacitor C1 set to the potential of the signal line SIG. The terminal voltage will change. This leakage current IR changes due to variations in the transistor TR1 provided in each
このためこのディスプレイ装置21では、有機EL素子8のアノード側端より低電圧の配線層がダブルゲートのトランジスタTR1の直上となるように設定され、より具体的に、ダブルゲートのトランジスタTR1の直上にカソード電極36が配置され、トランジスタTR1がオフ動作した場合の中間点の電位が十分に低電圧となるように設定される。これによりこのディスプレイ装置21では、トランジスタTR1のリーク電流IRが防止され、各画素23における輝度レベルのばらつきが防止される。
For this reason, in this
なおこのようにアノード電極下を避けて、トランジスタTR1をカソード電極下に配置すれば、画素回路の占有面積を小さくすることもでき、高精細化することもできる。 If the transistor TR1 is arranged below the cathode electrode while avoiding the area below the anode electrode in this way, the area occupied by the pixel circuit can be reduced and the definition can be increased.
(3)実施例の効果
以上の構成によれば、信号レベル保持用コンデンサの一端に接続されて、この信号レベル保持用コンデンサ端子電圧を設定するダブルゲートトランジスタの直上に、有機EL素子の駆動側端より低電圧の配線層を設けることにより、各画素における輝度レベルのばらつきを防止することができる。
(3) Effects of the embodiment According to the above configuration, the driving side of the organic EL element is connected to one end of the signal level holding capacitor and directly above the double gate transistor for setting the signal level holding capacitor terminal voltage. By providing a wiring layer having a lower voltage than the end, variations in luminance level in each pixel can be prevented.
より具体的に、このダブルゲートトランジスタの直上に、有機EL素子のカソード電極を配置することにより、各画素における輝度レベルのばらつきを防止することができる。 More specifically, by disposing the cathode electrode of the organic EL element immediately above the double gate transistor, it is possible to prevent variations in luminance level in each pixel.
図6は、図2との対比により本発明の実施例2のディスプレイ装置を示す接続図である。このディスプレイ装置31は、画素部32の構成が異なる点を除いて、実施例1のディスプレイ装置21と同一に構成される。またこの画素部32は、画素33の構成が異なる点を除いて、実施例1について上述したディスプレイ装置21の画素部22と同一に構成される。
FIG. 6 is a connection diagram showing a display apparatus according to a second embodiment of the present invention in comparison with FIG. The
ここで各画素33は、ソースフォロワ回路構成のトランジスタTR2に直接有機EL素子8が接続され、このトランジスタTR2のゲートソース間に信号レベル保持用コンデンサC1が配置される。またこのトランジスタTR2のソース側端を、トランジスタTR3によりオンオフ制御して、有機EL素子8の発光、非発光を制御する。また各画素33は、このトランジスタTR2のゲートに接続された信号レベル保持用コンデンサC1の端子電圧をトランジスタTR1のオンオフ制御により信号線SIGの信号レベルに設定し、有機EL素子8の階調を設定する。なお図7は、この図6に示す各画素33の動作を示すタイミングチャートである。
Here, in each pixel 33, the
この実施例では、この画素33において、信号レベル保持用コンデンサC1の両端にそれぞれ接続されるトランジスタTR1、TR3がダブルゲートトランジスタで構成される。またこれらのトランジスタTR1、TR3のうちトランジスタTR1は、信号レベル保持用コンデンサC1の端子電圧を設定するトランジスタであることから、実施例1のトランジスタTR1と同様に、直上に、有機EL素子8のアノード側端より低電圧の配線層が配置され、より具体的に、直上に有機EL素子のカソード電極36が配置される。
In this embodiment, in the pixel 33, the transistors TR1 and TR3 respectively connected to both ends of the signal level holding capacitor C1 are constituted by double gate transistors. Of these transistors TR1 and TR3, the transistor TR1 is a transistor for setting the terminal voltage of the signal level holding capacitor C1. Therefore, like the transistor TR1 of the first embodiment, the anode of the
これによりこの実施例では、トランジスタTR1によるリーク電流が防止されて信号レベル保持用コンデンサC1の端子電圧の変動が防止され、輝度レベルのばらつきが防止される。 As a result, in this embodiment, leakage current due to the transistor TR1 is prevented, fluctuation of the terminal voltage of the signal level holding capacitor C1 is prevented, and variation in luminance level is prevented.
この実施例のように、ソースフォロワ回路構成のトランジスタで有機EL素子を駆動する構成においても、信号レベル保持用コンデンサの端子電圧を設定するトランジスタの直上に、有機EL素子のアノード側端より低電圧の配線層を配置することにより、より具体的に、直上に有機EL素子のカソード電極を配置することにより、輝度レベルのばらつきを防止することができる。 Even in the configuration in which the organic EL element is driven by the transistor of the source follower circuit configuration as in this embodiment, a voltage lower than the anode side end of the organic EL element is directly above the transistor that sets the terminal voltage of the signal level holding capacitor. By arranging the wiring layer, more specifically, by arranging the cathode electrode of the organic EL element immediately above, it is possible to prevent variations in luminance level.
図8は、図17との対比により本発明の実施例3のディスプレイ装置を示す接続図である。このディスプレイ装置41は、画素部42において、トランジスタTR1、TR4、TR5がダブルゲートトランジスタで構成され、このトランジスタTR1、TR4、TR5に関する構成が異なる点を除いて、図17のディスプレイ装置と同一に構成される。
FIG. 8 is a connection diagram showing the display apparatus according to the third embodiment of the present invention in comparison with FIG. The
ここでこのディスプレイ装置41の各画素43では、これらダブルゲートトランジスタTR1、TR4、TR5のうち、トランジスタTR1、TR4が、信号レベル保持用コンデンサC1の端子電圧を設定するトランジスタであることから、実施例1のトランジスタTR1と同様に、これらのトランジスタTR1、TR4の直上に、有機EL素子8のアノード側端より低電圧の配線層が配置され、より具体的に、有機EL素子のカソード電極36が配置される。
Here, in each
これによりこの実施例では、トランジスタTR1、TR4によるリーク電流が防止されて信号レベル保持用コンデンサC1の端子電圧の変動が防止され、輝度レベルのばらつきが防止される。 As a result, in this embodiment, leakage current due to the transistors TR1 and TR4 is prevented, fluctuation of the terminal voltage of the signal level holding capacitor C1 is prevented, and variation in luminance level is prevented.
この実施例のように、信号線SIGの信号レベルを設定する信号レベル保持用コンデンサC1の一端に、別途、トランジスタを接続して信号レベル保持用コンデンサC1の端子電圧を補正する場合でも、これらのトランジスタの直上に、有機EL素子のアノード側端より低電圧の配線層を配置することにより、より具体的に、直上に有機EL素子のカソード電極を配置することにより、輝度レベルのばらつきを防止することができる。 Even when a transistor is separately connected to one end of the signal level holding capacitor C1 for setting the signal level of the signal line SIG as in this embodiment, the terminal voltage of the signal level holding capacitor C1 is corrected. By disposing a wiring layer having a lower voltage than the anode side end of the organic EL element directly above the transistor, more specifically, by disposing the cathode electrode of the organic EL element directly above, the luminance level variation can be prevented. be able to.
図9は、図8との対比により本発明の実施例4のディスプレイ装置を示す接続図である。このディスプレイ装置51は、図1との対比により図10に示すように、画素部52の各画素53において、ダブルゲートトランジスタTR1、TR4の直上に配置する有機EL素子のアノード側端より低電圧の配線層に、トランジスタTR5のソース側に供給する定電圧Viniの配線パターン56が適用される。なおここでこの定電圧Viniは、この実施例では−3.3〔V〕である。この実施例のディスプレイ装置51は、この配線層の構成が異なる点を除いて、実施例3と同一に構成される。なおこの図10では、この定電圧Viniの配線パターン56の上層には、実施例1の場合と同一に、カソード電極等を配置するように図示されてはいるものの、この上層側のレイアウトについては、種々に設定することができる。
FIG. 9 is a connection diagram showing the display device of Example 4 of the present invention in comparison with FIG. As shown in FIG. 10 in comparison with FIG. 1, the display device 51 has a lower voltage than the anode side end of the organic EL element disposed immediately above the double
この実施例のように、ダブルゲートトランジスタの直上に配置する有機EL素子のアノード側端より低電圧の配線層に、他の定電圧の配線パターンを適用するようにしても、実施例3と同一の効果を得ることができる。 Similar to the third embodiment, another constant voltage wiring pattern may be applied to the wiring layer having a lower voltage than the anode side end of the organic EL element disposed immediately above the double gate transistor as in this embodiment. The effect of can be obtained.
なお上述の実施例4においては、トランジスタTR4、TR5による補正回路を用いて、有機EL素子を駆動する駆動用トランジスタのしきい値電圧で信号レベル保持用コンデンサの端子間電圧を補正し、駆動用トランジスタのしきい値電圧のばらつきを補正する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、信号レベル保持用コンデンサの端子間電圧を補正する種々の補正回路を使用したディスプレイ装置に広く適用することができる。 In the above-described fourth embodiment, the voltage between the terminals of the signal level holding capacitor is corrected with the threshold voltage of the driving transistor for driving the organic EL element by using the correction circuit by the transistors TR4 and TR5, and the driving circuit is used. Although the case where the variation in the threshold voltage of the transistor is corrected has been described, the present invention is not limited to this, and is widely applied to display devices using various correction circuits for correcting the voltage across the terminals of the signal level holding capacitor. be able to.
また上述の実施例においては、特定の回路構成で各画素の画素回路を構成する場合において、信号レベル保持用コンデンサに接続されたダクルゲートトランジスタのリーク電流を防止して輝度レベルのばらつきを防止する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、種々の回路構成により画素回路を構成する場合に、広く適用することができる。 Further, in the above-described embodiment, when the pixel circuit of each pixel is configured with a specific circuit configuration, the leakage current of the Dackle gate transistor connected to the signal level holding capacitor is prevented to prevent luminance level variations. Although the case has been described, the present invention is not limited to this, and can be widely applied when the pixel circuit is configured by various circuit configurations.
また上述の実施例においては、有機EL素子による発光素子を電流駆動する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、電流駆動に係る種々の発光素子によるディスプレイ装置に広く適用することができる。 In the above-described embodiments, the case where the light emitting element by the organic EL element is current-driven has been described. However, the present invention is not limited to this, and can be widely applied to display devices using various light-emitting elements related to current driving. .
本発明は、ディスプレイ装置に関し、例えば有機EL表示装置等の電流駆動による自発光のディスプレイ装置に適用することができる。 The present invention relates to a display device, and can be applied to a self-luminous display device driven by current, such as an organic EL display device.
1、11、21、31、41、51……ディスプレイ装置、2、12、22、32、42、52……画素部、3、13、23、33、43、53……画素、4、14……垂直駆動回路、5……水平駆動回路、8……有機EL素子、C1……信号レベル保持用コンデンサ、TR1〜TR5……トランジスタ、34……アノード電極、35……有機EL材料、36……カソード電極
1, 11, 21, 31, 41, 51... Display device, 2, 12, 22, 32, 42, 52... Pixel unit, 3, 13, 23, 33, 43, 53. ...... Vertical drive circuit, 5 ... Horizontal drive circuit, 8 ... Organic EL element, C1 ... Signal level holding capacitor, TR1 to TR5 ... Transistor, 34 ... Anode electrode, 35 ... Organic EL material, 36 …… Cathode electrode
Claims (5)
前記画素が、
発光素子と、
信号レベル保持用コンデンサと、
前記駆動回路から出力される制御信号によりオンオフ動作して、前記信号レベル保持用コンデンサの一端の端子電圧を信号線の信号レベルに設定する信号レベル設定用トランジスタと、
前記信号レベル保持用コンデンサの端子電圧に応じて、前記発光素子を駆動する駆動用トランジスタとを少なくとも有し、
前記信号レベル保持用コンデンサの一端に接続されるトランジスタがダブルゲートトランジスタであり、
前記信号レベル保持用コンデンサの一端に接続されるトランジスタの直上に、前記発光素子の前記駆動用トランジスタ側端より低電圧の配線層が設けられた
ことを特徴とするディスプレイ装置。 In a display device having a pixel portion in which pixels are arranged in a matrix and a driving circuit for driving the pixel portion,
The pixel is
A light emitting element;
A signal level holding capacitor;
A signal level setting transistor that is turned on and off by a control signal output from the drive circuit and sets a terminal voltage at one end of the signal level holding capacitor to a signal level of a signal line;
And at least a driving transistor for driving the light emitting element according to a terminal voltage of the signal level holding capacitor,
The transistor connected to one end of the signal level holding capacitor is a double gate transistor,
A display device, wherein a wiring layer having a voltage lower than that of the driving transistor side end of the light emitting element is provided immediately above a transistor connected to one end of the signal level holding capacitor.
前記発光素子のカソード電極の配線層である
ことを特徴とする請求項1に記載のディスプレイ装置。 The low-voltage wiring layer is
It is a wiring layer of the cathode electrode of the said light emitting element. The display apparatus of Claim 1 characterized by the above-mentioned.
前記信号レベル保持用コンデンサの端子間電圧を補正するための、定電圧の配線層である
ことを特徴とする請求項1に記載のディスプレイ装置。 The low-voltage wiring layer is
The display device according to claim 1, wherein the display device is a constant voltage wiring layer for correcting a voltage between terminals of the signal level holding capacitor.
ことを特徴とする請求項1に記載のディスプレイ装置。 The display device according to claim 1, wherein the double gate transistor is the signal level setting transistor.
ことを特徴とする請求項1に記載のディスプレイ装置。
The display device according to claim 1, wherein the double gate transistor is a transistor of a correction circuit that corrects a voltage between terminals of the signal level holding capacitor.
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010039397A (en) * | 2008-08-08 | 2010-02-18 | Sony Corp | Display and electronic device |
CN102819996A (en) * | 2011-06-08 | 2012-12-12 | 索尼公司 | Pixel circuit, display device, electronic device, and pixel circuit driving method |
US9030390B2 (en) | 2012-04-03 | 2015-05-12 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
JP2016095520A (en) * | 2011-05-05 | 2016-05-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
WO2020066249A1 (en) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device and array substrate |
-
2006
- 2006-03-27 JP JP2006084728A patent/JP2007256881A/en active Pending
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8810558B2 (en) | 2008-08-08 | 2014-08-19 | Sony Corporation | Display device and electronic apparatus |
US8169432B2 (en) | 2008-08-08 | 2012-05-01 | Sony Corporation | Display device and electronic apparatus |
JP2010039397A (en) * | 2008-08-08 | 2010-02-18 | Sony Corp | Display and electronic device |
US10068926B2 (en) | 2011-05-05 | 2018-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US10283530B2 (en) | 2011-05-05 | 2019-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2016095520A (en) * | 2011-05-05 | 2016-05-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
US11942483B2 (en) | 2011-05-05 | 2024-03-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9508862B2 (en) | 2011-05-05 | 2016-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2019179270A (en) * | 2011-05-05 | 2019-10-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
CN102819996B (en) * | 2011-06-08 | 2016-12-14 | 株式会社日本有机雷特显示器 | Image element circuit, display device, electronic installation and pixel circuit drive method |
CN102819996A (en) * | 2011-06-08 | 2012-12-12 | 索尼公司 | Pixel circuit, display device, electronic device, and pixel circuit driving method |
US9721506B2 (en) | 2012-04-03 | 2017-08-01 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
US9030390B2 (en) | 2012-04-03 | 2015-05-12 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
US10553157B2 (en) | 2012-04-03 | 2020-02-04 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
US10957254B2 (en) | 2012-04-03 | 2021-03-23 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
US11423838B2 (en) | 2012-04-03 | 2022-08-23 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
US11710454B2 (en) | 2012-04-03 | 2023-07-25 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
US9361830B2 (en) | 2012-04-03 | 2016-06-07 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
WO2020066249A1 (en) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device and array substrate |
TWI719570B (en) * | 2018-09-26 | 2021-02-21 | 日商日本顯示器股份有限公司 | Display device |
US12015021B2 (en) | 2018-09-26 | 2024-06-18 | Japan Display Inc. | Display device and array substrate |
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