JP2007246952A - 化学的気相成長装置及びガス流路装置 - Google Patents
化学的気相成長装置及びガス流路装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007246952A JP2007246952A JP2006069028A JP2006069028A JP2007246952A JP 2007246952 A JP2007246952 A JP 2007246952A JP 2006069028 A JP2006069028 A JP 2006069028A JP 2006069028 A JP2006069028 A JP 2006069028A JP 2007246952 A JP2007246952 A JP 2007246952A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas flow
- gas
- flow path
- vapor deposition
- chemical vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 384
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 47
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 16
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】 ガス供給配管90,91から送入されるガスを受け入れて反応室内100に搬送供給するためのガス流路構造が、送入ガス流の流速を低減させる前段部10,20と、減速されたガス流を拡散放出する後段部40,41を有し、後段部が、ガス流の流線が45度以上屈曲する屈曲個所を2個所以上有する屈曲した平板状のガス流路空間42〜46を有し、少なくとも1ヶ所以上の屈曲個所においてその上流側と下流側でガス流路空間のガス流の流線に垂直な断面での断面積が拡大している。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明装置1の第1実施形態における要部の概略構成を模式的に示す要部断面透視図であり、ガス供給配管90,91から送入される2種類の原料ガスA,Bを各別に受け入れて反応室内100のサセプタ101の表面102(基板載置面)に載置された基板103上に、横方向(図面左方向)から搬送供給する本発明に係るガス流路装置2が、反応室隔壁104へ取り付けられた状態を模式的に示す。図1は、基板載置面102の中心を通り、ガス流の搬送供給方向(x方向)に平行で基板載置面102に垂直な平面での断面図である。また、理解の簡単のため、図1中のガス流路装置2内の原料ガスA,Bの流れる流路空間にドット状パターンを付している。尚、ガス流路装置2より下流側の基板載置面の上方領域105には、ガス流路装置2から供給された原料ガスA,Bが周辺部へ拡散せずに、上方領域105を一定の断面流速で横方向(図面右方向)へ流動可能にするための流路断面積一定の石英製のカバー106が設けられている。
2,4: 本発明に係るガス流路装置
3: 比較例に係るガス流路装置
10,10a,20,20a,30: 前段部
11,21: 衝突放散構造部
12,22: 誘導放出構造部
13,23: 前段部の送入口
14,24: 前段部の放出口
15,25: 一部開口空間
15a,25a: 一部開口空間の衝突壁面
15b,25b: 一部開口空間の開口面
16,26: 平板状のガス流路空間
12,22: 誘導放出構造部
40,41,60: 後段部
42〜46: 平板状のガス流路空間
43a〜46a: ガス流路空間の衝突壁面
47: 後段部の送入口
48: 後段部の放出口
50,51: 比較例に係るガス流路装置の後段部
61: 後段部の上段部
62: 後段部の中段部
63: 後段部の下段部
70: 従来のガス流路装置
71: 従来のガス流路装置の箱部分
72: 従来のガス流路装置の後段部
73: 従来のガス流路装置の放出口
90,91、92,93:ガス供給配管
94: ガス供給配管のノズル孔
100: 反応室内
101: サセプタ
102: 基板載置面
103: 基板
104: 反応室隔壁
105: 基板載置面の上方領域
106: カバー
A,B: 原料ガス
C: バリアガス
d1: 前段部の一部開口空間の奥行き
d4: 前段部のガス流路空間の奥行き
h1: 前段部の一部開口空間とその開口面の高さ
h2: 前段部のガス流路空間の高さ
h3,h5: 前段部の放出口の高さ
h4: 前段部の一部開口空間とガス流路空間の高さ
l2,l3: 前段部のガス流路空間の流路長
w1,w3: 前段部の一部開口空間とその開口面の幅
w2: 前段部のガス流路空間及び放出口の幅
w4: 前段部のガス流路空間の幅
w5: 前段部の放出口の幅
Claims (8)
- ガス供給配管から送入されるガスを受け入れて反応室内に搬送供給するためのガス流路構造が、
ガス供給配管から送入されるガス流を受け入れて流速を低減させる前段部と、前段部で減速されたガス流を前記ガス流の流線と垂直で前記反応室内の基板載置面と平行な幅方向に拡散させて放出する後段部を有し、
前記後段部が、前記ガス流の流線が45度以上屈曲する屈曲個所を2個所以上有する屈曲した平板状のガス流路空間を有し、
少なくとも1ヶ所以上の前記屈曲個所においてその上流側と下流側で前記ガス流路空間の前記ガス流の流線に垂直な断面での断面積が拡大していることを特徴とする化学的気相成長装置。 - 前記後段部が、前記ガス流の流線が直角に屈曲する屈曲個所が4個所存在する平板状のガス流路空間を有し、
少なくとも1ヶ所以上の前記屈曲個所においてその上流側と下流側で前記ガス流路空間の前記ガス流の流線に垂直な断面での断面積が拡大していることを特徴とする請求項1に記載の化学的気相成長装置。 - 前記前段部と前記後段部の間の境界部分でガス流路の断面積が狭小化していることを特徴とする請求項1または2に記載の化学的気相成長装置。
- 前記前段部が、前記ガス流の流線が45度以上屈曲する屈曲個所を2個所以上有する平板状のガス流路空間を有し、
少なくとも1ヶ所以上の前記屈曲個所においてその上流側と下流側で前記ガス流路空間の前記ガス流の流線に垂直な断面での断面積が拡大していることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の化学的気相成長装置。 - 前記ガス流路構造の前記前段部が前記反応室の隔壁外に設置され、前記ガス流路構造の前記後段部が前記反応室の隔壁内に設置されていることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の化学的気相成長装置。
- 複数の前記ガス供給配管から各別に前記反応室内に至るガス流路を複数備え、
前記各ガス流路が前記ガス流路構造を備えていることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の化学的気相成長装置。 - 前記複数のガス流路の前記各ガス流路構造において、前記前段部同士が多段に積層されて一体に形成され、前記後段部同士が多段に積層されて一体に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の化学的気相成長装置。
- ガス供給配管から送入されるガスを受け入れて反応室内に搬送供給するためのガス流路装置であって、請求項1〜7の何れか1項に記載の化学的気相成長装置のガス流路構造を備えることを特徴とするガス流路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006069028A JP4965875B2 (ja) | 2006-03-14 | 2006-03-14 | 化学的気相成長装置及びガス流路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006069028A JP4965875B2 (ja) | 2006-03-14 | 2006-03-14 | 化学的気相成長装置及びガス流路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007246952A true JP2007246952A (ja) | 2007-09-27 |
JP4965875B2 JP4965875B2 (ja) | 2012-07-04 |
Family
ID=38591570
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006069028A Active JP4965875B2 (ja) | 2006-03-14 | 2006-03-14 | 化学的気相成長装置及びガス流路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4965875B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011077641A1 (ja) * | 2009-12-24 | 2011-06-30 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長装置の製造方法 |
JP2011249448A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャル成長装置 |
JP2014022605A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Phoeton Corp | レーザアニール装置 |
JP2015224973A (ja) * | 2014-05-28 | 2015-12-14 | アズビル株式会社 | 粒子検出装置 |
CN113166939A (zh) * | 2018-11-27 | 2021-07-23 | 应用材料公司 | 用于减少颗粒产生的气体扩散器安装板 |
JP2021114541A (ja) * | 2020-01-20 | 2021-08-05 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11152572A (ja) * | 1997-11-18 | 1999-06-08 | Nec Corp | ガス拡大整流器 |
JP2000044385A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-15 | Nec Corp | ガス整流器 |
-
2006
- 2006-03-14 JP JP2006069028A patent/JP4965875B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11152572A (ja) * | 1997-11-18 | 1999-06-08 | Nec Corp | ガス拡大整流器 |
JP2000044385A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-15 | Nec Corp | ガス整流器 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011077641A1 (ja) * | 2009-12-24 | 2011-06-30 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長装置の製造方法 |
JP2011249448A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャル成長装置 |
JP2014022605A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Phoeton Corp | レーザアニール装置 |
JP2015224973A (ja) * | 2014-05-28 | 2015-12-14 | アズビル株式会社 | 粒子検出装置 |
CN113166939A (zh) * | 2018-11-27 | 2021-07-23 | 应用材料公司 | 用于减少颗粒产生的气体扩散器安装板 |
CN113166939B (zh) * | 2018-11-27 | 2023-09-22 | 应用材料公司 | 用于减少颗粒产生的气体扩散器安装板 |
JP2021114541A (ja) * | 2020-01-20 | 2021-08-05 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置 |
JP7497983B2 (ja) | 2020-01-20 | 2024-06-11 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4965875B2 (ja) | 2012-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4965875B2 (ja) | 化学的気相成長装置及びガス流路装置 | |
TWI675119B (zh) | 氣相成膜裝置 | |
KR100272752B1 (ko) | 기상성장장치및기상성장방법 | |
CN101413112B (zh) | 多种气体直通道喷头 | |
JP5779174B2 (ja) | 半導体プロセス反応器及びその構成要素 | |
US20100154908A1 (en) | Gas mixture supplying method and apparatus | |
US20060249253A1 (en) | Manifold assembly for feeding reactive precursors to substrate processing chambers | |
CN105331952B (zh) | 进气装置以及半导体加工设备 | |
US9551069B2 (en) | Reaction apparatus having multiple adjustable exhaust ports | |
JP2008016609A (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
CN102154691B (zh) | 狭缝式多气体输运喷头结构 | |
JPH06216030A (ja) | 化合物半導体気相成長装置 | |
US20030113451A1 (en) | System and method for preferential chemical vapor deposition | |
JP4683334B2 (ja) | 表面波励起プラズマ処理装置 | |
IL291444B2 (en) | Liquid dispensing device for thin film deposition device, device and related methods | |
CN104975271A (zh) | 进气装置以及半导体加工设备 | |
JP4838603B2 (ja) | 化学的気相成長装置及びガス流路装置 | |
CN105200395A (zh) | 用于mocvd设备的进气及冷却装置 | |
WO1989012703A1 (en) | Gas injector apparatus for chemical vapor deposition reactors | |
CN110093592B (zh) | 应用于化学气相沉积系统的气体喷头 | |
JP7497983B2 (ja) | 気相成長装置 | |
JP7175169B2 (ja) | SiCエピタキシャル成長装置 | |
US20030061991A1 (en) | Protective shield and system for gas distribution | |
JP7336841B2 (ja) | 気相成膜装置 | |
JP5481415B2 (ja) | 気相成長装置、及び気相成長方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090123 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120306 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120330 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4965875 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150406 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150406 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |