JP2007243114A - 薄膜パターン形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】液滴吐出法により基板上に多層配線の薄膜パターンを形成する場合において、導電膜パターンの密着性を確保しつつ、上下層間のコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】多層配線を有する薄膜パターンの形成方法であって、基板を含み、かつ、前記基板上に導電性を有する第１のパターン領域を有する基体上に、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記絶縁膜上に、第１の幅広部と、前記コンタクトホールを含む領域に第２の幅広部を有する第２のパターン領域を形成するためのバンクを形成する工程と、を有する。
【選択図】図６

Description

本発明は、薄膜パターン形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器に関する。

近年、電子回路または集積回路などに使われる配線などの薄膜パターンを形成する方法として、液体吐出ヘッドから液体材料を液滴状に吐出する液滴吐出法、いわゆるインクジェット法を用いて基板上に薄膜パターンを形成する方法が注目されている（例えば下記特許文献１及び２参照）。この液滴吐出法によると、薄膜パターン用の液体材料（機能液）を基板に直接パターン状に吐出して配置し、その後熱処理やレーザー照射を行って薄膜パターンに変換するため、フォトリソグラフィ法と比べて、製造プロセスが大幅に簡略化されるとともに、基板上に配置する機能液の量や位置の制御を容易に行うことができ、その結果、機能液を無駄なく使用できるという利点がある。

このような液滴吐出法では、吐出した機能液が着弾後に基板上で広がるため、微細な薄膜パターンを安定的に形成するのが困難であった。この問題を解決するために、例えば下記特許文献３には、バンクと呼ばれる隔壁にてパターン状に区画された領域を形成すると共に、当該領域において部分的に幅の広い領域（幅広部）を機能液着弾用として形成し、この幅広部に機能液を吐出して、幅広部と連続して形成された微細なパターン領域に機能液を拡散させることで、微細な薄膜パターンを形成する技術が開示されている。

また、液滴吐出法を用いて導電膜パターンを形成する場合、当該導電膜パターンは基板に対して密着力が弱い機能液からなるため、基板から剥離しやすいという問題があった。この問題を解決するために、例えば下記特許文献４には、基板と導電膜パターンの間に、基板との密着力の高い機能液からなる密着層を形成することで、導電膜パターンの剥離を防止する技術が開示されている。
特開平１１−２７４６７１号公報 特開２０００−２１６３３０号公報 特開２００５−１２１８１号公報 特開２００４−３６３５６１号公報

ところで、多層配線構造において、上下層間の導通をとるためにはコンタクトホールを設けることが一般的であるが、上記特許文献３に示される技術において、バンクにてパターン状に区画された領域内にコンタクトホール等の孔や段差が存在する場合、機能液は表面張力によって上記コンタクトホール等の孔や段差内部には拡散しない傾向があり、上下層間の導通がとれなくなるという問題があった。
一方、上記特許文献４に示される技術のように密着層を形成する場合、当該密着層がコンタクトホール内部にも形成されるため、上下層間のコンタクト抵抗が増大するという問題があった。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、液滴吐出法により基板上に多層配線の薄膜パターンを形成する場合において、導電膜パターンの密着性を確保しつつ、上下層間のコンタクト抵抗を低減することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係る薄膜パターン形成方法は、多層配線を有する薄膜パターンの形成方法であって、基板を含み、かつ、前記基板上に導電性を有する第１のパターン領域を有する基体上に、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記絶縁膜上に、第１の幅広部と、前記コンタクトホールを含む領域に第２の幅広部を有する第２のパターン領域を形成するためのバンクを形成する工程とを有することを特徴とする。

また、所定の機能を有する第１の機能液を前記第１の幅広部に吐出することによって第１の薄膜パターンを形成した後、配線としての主たる機能を有する第２の機能液を前記第２の幅広部に吐出することによって前記第１の薄膜パターン上に第２の薄膜パターンを形成することが好ましい。
このような特徴を有する薄膜パターン形成方法によると、多層配線構造において、下層側の第１のパターン領域と上層側の第２のパターン領域とをコンタクトホールによって導通接続する場合、第２のパターン領域に第１の幅広部と前記コンタクトホールを含む領域に第２の幅広部を形成する。そして、まず前記第１の幅広部に第１の機能液を吐出し、当該第１の機能液をパターン領域内に拡散させる。ここで、第１の機能液は、表面張力の影響によりコンタクトホール内部には拡散しない。よって、コンタクトホール内部を除く前記パターン領域に第１の薄膜パターンが形成される。次に、配線としての主たる機能（つまり大きな導電性）を有する第２の機能液を第２の幅広部に吐出する。これによって、第２の機能液は、コンタクトホール内部を含む前記パターン領域に拡散し、第１の薄膜パターン上に第２の薄膜パターンが形成される。すなわち、下層側の配線パターンと上層側の配線パターン（第２の薄膜パターン）とが直接導通されることになり、上下層間のコンタクト抵抗を低減することができる。また、第１の機能液として、第２の薄膜パターンの密着性を向上させる機能を有するものを使用した場合、導電膜パターン（第２の薄膜パターン）の密着性を確保しつつ、上下層間のコンタクト抵抗を低減することができる。

また、前記第１の機能液は、基板または絶縁膜に対する第２の薄膜パターンの密着性を向上させる機能を有することが好ましい。
これにより、上述のように、導電膜パターン（第２の薄膜パターン）の密着性を確保しつつ、上下層間のコンタクト抵抗を低減することができる。

また、前記第２の薄膜パターンの形成後、所定の機能を有する第３の機能液を前記第１の幅広部または第２の幅広部に吐出することによって、前記第２の薄膜パターン上に第３の薄膜パターンを形成することが好ましい。
これにより、導電膜パターン（第２の薄膜パターン）の密着性を確保しつつ、上下層間のコンタクト抵抗を低減するという効果だけでなく、第１の機能液または第３の機能液が有する機能によって様々な効果を得ることができる。

例えば、前記第１の機能液として、基板または絶縁膜に対する第２の薄膜パターンの密着性を向上させる機能を有するものを使用し、また、前記第３の機能液として、第２の薄膜パターンの酸化または損傷を防ぐ機能を有するものを使用しても良い。
これにより、導電膜パターン（第２の薄膜パターン）の密着性を確保しつつ、上下層間のコンタクト抵抗を低減するという効果だけでなく、第２の薄膜パターン上に形成された第３の薄膜パターンにより、第２の薄膜パターンの酸化または損傷を防ぐことができる。

また、例えば、前記第１の機能液及び第３の機能液として、前記第２の薄膜パターンにおけるエレクトロマイグレーションの発生を抑制する機能を有するものを使用しても良い。
エレクトロマイグレーションとは、長時間にわたり配線パターンに電流を流すことによって原子が電子の流れに沿って移動する現象であり、配線パターンの抵抗値の増加や断線の原因となる。このようなエレクトロマイグレーションを抑制する機能を有する機能液からなる第１及び第３の薄膜パターンによって第２の薄膜パターンを挟み込むことで、配線としての主たる機能を有する第２の薄膜パターンにおけるエレクトロマイグレーションの発生を抑制することができる。

また、第１の幅広部は、第２の幅広部の面積と比べて小さくなるように形成されること
が好ましい。
第１の幅広部及び第２の幅広部の面積は、可能な限り小さくすることが望ましいが、特に第１の機能液が吐出される第１の幅広部の面積は、第２の幅広部に比べて小さくすることが可能である。なぜなら、例えば密着性を向上させる機能を有する第１の機能液は、第２の機能液と比べて粘度の低いものが多い。したがって、第２の機能液は第１の機能液に比べ拡散しやすく、また、実際の第１の薄膜パターンの膜厚は、配線としての主たる機能を有する第２の薄膜パターンの１割程度であるため、少ない吐出量で第１の薄膜パターンを形成可能であるからである。従って、第１の幅広部による占有スペースを最小限にすることができる。一方、配線としての主な機能を有する第２の機能液は、第１の機能液と比べて粘度が高く、また、吐出量も大量に必要とするため、液だまりが発生しやすいことから、第２の幅広部は少なくとも第１の幅広部より大きく形成することが望ましい。

次に、本発明に係るデバイスの製造方法は、基板上に形成されたパターンを備えるデバイスの製造方法であって、上述の薄膜パターン形成方法によって基板上に薄膜パターンを形成することを特徴とする。
このような特徴を有するデバイスの製造方法によれば、導電膜パターン（第２の薄膜パターン）の密着性を確保しつつ、上下層間のコンタクト抵抗を低減することができる。

また、本発明に係る電気光学装置は、上記デバイスの製造方法を用いて製造されたデバイスを備えることを特徴としている。
このような特徴を有する電気光学装置、例えば、上記デバイスとしてのＴＦＴを備える液晶表示装置の場合、低コンタクト抵抗化を実現できるので、表示品質の向上を図ることが可能である。

さらに、本発明に係る電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴としている。
このような特徴を有する電子機器は、上記のように表示品質の高い電気光学装置を備えるので、機器の高性能化を図ることができる。

以下、本発明の薄膜パターン形成方法、デバイスの製造方法、電気光学装置、及び電子機器の一実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、本実施形態では、基板上に、バンクによってパターン状に区画された配線パターン領域を形成し、当該配線パターン領域に対し、液滴吐出法により液滴吐出ヘッドの吐出ノズルから導電性微粒子を含む配線パターン（薄膜パターン）形成用のインク（機能液）を液滴状に吐出し、基板上に導電性膜で形成された配線パターンを形成する場合の例を用いて説明する。

まず、使用するインク（機能液）について説明する。液体材料である配線パターン形成用のインクは導電性微粒子を分散媒に分散した分散液や有機銀化合物や酸化銀ナノ粒子を溶媒（分散媒）に分散した溶液からなるものである。本実施形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、パラジウム、マンガン、及びニッケルのうちの少なくともいずれか１つを含有する材料の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと後述する液滴吐出ヘッドの吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。

分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。

上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上〜０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法によりインクを吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インクのノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、インクの基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。

上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いてインクを液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。

配線パターンが形成される基板としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。

ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ^２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。

また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液体材料の一滴の量は例えば１〜３００ナノグラムである。

次に、本発明に係る薄膜パターン形成方法及びデバイスの製造方法を実現するデバイス製造装置について説明する。このデバイス製造装置としては、液滴吐出ヘッドから基板に対してインクの液滴を吐出（滴下）することにより配線パターンを形成する液滴吐出装置（インクジェット装置）が用いられる。なお、本発明に係る薄膜パターンの形成は、上記液滴吐出法に限らず、例えば、ディスペンサ法でも可能である。

図１は液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図である。図１に示すように、液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１、Ｘ軸方向駆動モータ２、Ｙ軸方向駆動モータ３、Ｘ軸方向駆動軸４、Ｙ軸方向ガイド軸５、制御装置６、ステージ７、クリーニング機構８、基台９及びヒータ１０とを備えている。

液滴吐出ヘッド１は、ピエゾ素子からなる複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＸ軸方向とを一致させて設けられている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド１の下面にＸ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルからは、ステージ７に支持されている基板Ｐに対して、上述した導電性微粒子を含むインクが吐出される。

図２は、液滴吐出ヘッド１の詳細な機能構成図である。図２において、配線パターン形成用のインクを収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、インクを収容する材料タンクを含むインク供給系２３を介してインクが供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、当該駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加してピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、吐出ノズル２５からインクが吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることによりピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることによりピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。このようなピエゾ方式による液滴吐出は材料、つまりインクに熱を加えないため、インクの組成に影響を与えにくいという利点を有する。

図１に戻って説明すると、Ｘ軸方向駆動モータ２はステッピングモータ等であり、制御装置６からＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、液滴吐出ヘッド１はＸ軸方向に移動する。Ｙ軸方向ガイド軸５は基台９に対して動かないように固定されている。ステージ７は、基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構、及び上記Ｙ軸方向ガイド軸５と接続されたＹ軸方向駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はステッピングモータ等であり、制御装置６からＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向に移動させる。

制御装置６は液滴吐出ヘッド１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。更に、この制御装置６は、Ｘ軸方向駆動モータ２に対して液滴吐出ヘッド１のＸ軸方向への移動を制御する駆動パルス信号を供給するとともに、Ｙ軸方向駆動モータ３に対してステージ７のＹ軸方向への移動を制御する駆動パルス信号を供給する。

クリーニング機構８は液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものであって、図示しないＹ軸方向駆動モータを備えている。このＹ軸方向駆動モータの駆動により、クリーニング機構８はＹ軸方向ガイド軸５に沿って移動する。クリーニング機構８の移動も制御装置６により制御される。

ヒータ１０は、例えばランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に吐出されたインクに含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ１０の電源の投入及び遮断も制御装置６により制御される。

このように構成される液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐを支持するステージ７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して（詳細にはバンクによって区画された配線パターン領域に対して）インクを吐出する。なお、図１では、液滴吐出ヘッド１は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド１の角度を調整することでノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節可能としてもよい。

次に、本発明の薄膜パターン形成方法の実施形態の一例として、基板上に多層配線を形成する方法について説明する。本実施形態に係る薄膜パターン形成方法は、上述した配線パターン用のインクを基板上に吐出し、その基板上に配線用の導電膜パターンを形成するものであり、バンク形成工程、残渣処理工程、撥液化処理工程、配線パターン形成工程、及び熱処理／光処理工程から概略構成される。以下、各工程毎に詳細に説明する。

〔薄膜パターン形成方法〕
（第１実施形態）
＜バンク形成工程＞
まず、バンク材料塗布前に基板表面改質処理として、基板Ｐに対してＨＭＤＳ処理が施される。ＨＭＤＳ処理は、ヘキサメチルジシラサン（(ＣＨ_３)_３ＳｉＮＨＳｉ(ＣＨ_３)_３）を蒸気状にして塗布する方法である。これにより、図３（ａ）に示すように、バンクと基板Ｐとの密着性を向上する密着層としてのＨＭＤＳ層３０が基板Ｐ上に形成される。

バンクは仕切部材として機能する部材であり、バンクの形成はフォトリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、フォトリソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法により、図３（ａ）に示すように、基板ＰのＨＭＤＳ層３０上にバンク兼層間絶縁膜となる３１を塗布し、その上にレジスト層を塗布する。そして、配線パターンに応じてマスクを施し、レジストを露光・現像することにより配線パターンに合わせたレジストを残す。最後にエッチングしてマスク以外の部分の３１を除去する。これにより、図３（ｂ）に示されるように、バンクＢ１によって区画された配線パターン領域Ｌ１、Ｌ２が形成される。なお、バンクＢ１の下層をインクに対し親液性を示す有機材料または無機材料で形成し、上層をインクに対して撥液性を示す有機材料で形成することで２層以上のバンクＢ１を形成してもよい。

バンクＢ１を形成する材料としては、液体材料に対してもともと撥液性を示す材料でも良いし、後述するように、プラズマ処理による撥液化（フッ素化）が可能で下地基板との密着性が良くフォトリソグラフィによるパターニングがし易い絶縁有機材料でも良い。例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料を用いることが可能である。また、ポリシラザン、ポリシロキサン等の無機系材料を用いることもできる。また、このバンクＢ１となる材料が感光性を持っていてもよい。この場合、バンクＢ１を形成するためのレジストが不要になり、更なる使用材料の効率化が図られる。

また、図３（ｃ）に、図３（ｂ）の平面図を示す。この図３（ｃ）に示すように、配線パターン領域Ｌ１、Ｌ２において、他の領域に比べて幅が広い（少なくともインクの飛翔径より大きい）幅広部Ｗを設けても良い。例えば、インクの飛翔径よりも微細な配線パターンを形成する場合、このように形成された幅広部にインクを吐出することで、微細な配線パターン領域にインクを拡散させることができる。なお、これら幅広部は配線パターンの長さや形状に応じて複数設けても良い。

＜残渣処理工程＞
基板Ｐ上にバンクＢ１が形成されると、フッ酸処理が施される。フッ酸処理は、例えば２．５％フッ酸水溶液でエッチングを施すことでＨＭＤＳ層３０を除去する処理である。フッ酸処理では、バンクＢがマスクとして機能し、配線パターン領域Ｌ１、Ｌ２の底部３２に存在するＨＭＤＳ層３０が除去される。

ここで、フッ酸処理では配線パターン領域Ｌ１、Ｌ２の底部３２のＨＭＤＳ（有機物）が完全に除去されない場合がある。あるいは、底部３２にバンク形成時のレジスト（有機物）が残っている場合もある。そこで、次に、底部３２におけるバンク形成時の有機物（レジストやＨＭＤＳ）残渣を除去するために、基板Ｐに対して残渣処理を施す。

残渣処理としては、紫外線を照射することにより残渣処理を行う紫外線（ＵＶ）照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ_２プラズマ処理等を選択できる。ここではＯ_２プラズマ処理を実施する。

Ｏ_２プラズマ処理は、基板Ｐに対してプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射する。Ｏ_２プラズマ処理の条件の一例として、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板１の相対移動速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃である。

そして、基板Ｐがガラス基板の場合、その表面は配線パターン形成用材料に対して親液性を有しているが、本実施形態のように残渣処理のためにＯ_２プラズマ処理や紫外線照射処理を施すことで、底部３２で露出する基板Ｐ表面の親液性を高めることができる。ここで、底部３２のインクに対する接触角が１５度以下となるように、Ｏ_２プラズマ処理や紫外線照射処理が行われることが好ましい。

また、ここでは、残渣処理の一部としてフッ酸処理を行うように説明したが、Ｏ_２プラズマ処理あるいは紫外線照射処理によりバンク間の底部３２の残渣を十分に除去できる場合は、フッ酸処理は行わなくてもよい。また、ここでは、残渣処理としてＯ_２プラズマ処理又は紫外線照射処理のいずれか一方を行うように説明したが、もちろん、Ｏ_２プラズマ処理と紫外線照射処理とを組み合わせてもよい。

＜撥液化処理工程＞
続いて、バンクＢ１に対し撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ_４プラズマ処理法）を採用することができる。ＣＦ_４プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化炭素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。

このような撥液化処理を行うことにより、バンクＢ１にはこれを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、高い撥液性が付与される。なお、上述した親液化処理としてのＯ_２プラズマ処理は、バンクＢ１の形成前に行ってもよいが、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等は、Ｏ_２プラズマによる前処理がなされた方がよりフッ素化（撥液化）されやすいという性質があるため、バンクＢ１を形成した後にＯ_２プラズマ処理することが好ましい。

なお、バンクＢに対する撥液化処理により、先に親液化処理したバンク間の基板Ｐ露出部（底部３２）に対し多少は影響があるものの、特に基板Ｐがガラス等からなる場合には、撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基板Ｐはその親液性、すなわち濡れ性が実質上損なわれることはない。また、バンクＢについては、撥液性を有する材料（例えばフッ素基を有する樹脂材料）によって形成することにより、その撥液処理を省略するようにしてもよい。

＜配線パターン形成工程＞
この配線パターン形成工程では、配線パターン領域Ｌ１、Ｌ２において、第１層として基板Ｐとの密着性を向上させるための密着層を形成し、当該密着層上に配線としての主な機能を担う導電層を第２層として形成する。
（１）インク吐出工程
まず、図４（ａ）に示すように、上述の液滴吐出装置ＩＪを用いて、導電性微粒子としてクロムを用いたインクＸ１を配線パターン領域Ｌ１、Ｌ２に吐出する。このようなインクＸ１は、導電層と基板Ｐとの密着性を向上させる機能を有するものである。なお、インクＸ１に含む導電性微粒子としては、クロムに限定されず、マンガン、ニッケルまたはシリコン等を用いても良い。また、液滴吐出の条件としては、例えば、インク重量４ｎｇ／ｄｏｔ、インク速度（吐出速度）５〜７ｍ／ｓｅｃで行うことできる。また、インクＸ１を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。なお、上述した幅広部ＷにインクＸ１を吐出しても良い。

吐出されたインクＸ１は、図４（ｂ）に示すように、基板Ｐ上の配線パターン領域Ｌ１、Ｌ２において拡散する。このとき、配線パターン領域Ｌ１、Ｌ２はバンクＢ１に囲まれているので、インクＸ１が所望の領域以外に拡がることを阻止できる。また、バンクＢ１の表面は撥液性が付与されているため、吐出されたインクＸ１の一部がバンクＢ１上にのっても、バンクＢ１表面が撥液性となっていることによりバンクＢ１からはじかれ、底部３２に流れ落ちるようになる。さらに、底部３２に露出した基板Ｐは親液性を付与されているため、吐出されたインクＸ１が配線パターン領域Ｌ１、Ｌ２において拡がり易くなる。これにより、インクＸ１を配線パターン領域Ｌ１、Ｌ２の延在方向において均一に拡散させることができる。

（２）中間乾燥工程
上記のように、配線パターン領域Ｌ１、Ｌ２に所定量の密着層用のインクＸ１を吐出した後、分散媒の除去及び膜厚確保のため乾燥処理を行なう。この乾燥処理は、液滴吐出装置ＩＪに設けられたヒータ１０によるランプアニールによって行う。ランプアニールに使用する光の光源としては、例えば、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。なお、基板Ｐを加熱する方法として、ホットプレート、電気炉等を使用しても良い。この中間乾燥工程によって、分散媒の少なくとも一部が除去され、図４（ｃ）に示すように、配線パターン領域Ｌ１、Ｌ２には、その表面が膜化されたインクＸ１からなる第１層目の密着層Ｙ１が形成される。

また、例えば１２０℃加熱を５分間程度、あるいは１８０℃加熱を６０分間程度の条
件にて乾燥処理を行うことにより、第１層目の密着層Ｙ１を多孔体に変換することができる。このように、密着層Ｙ１を多孔体にすることにより、次の工程で密着層Ｙ１上に吐出される導電層用のインクＸ２を密着層Ｙ１に染み込ませることができるので、配線パターン領域Ｌ１、Ｌ２にインクＸ２を良好に配置させることができる。

次に、図５（ａ）に示すように、密着層Ｙ１上に導電性微粒子として銀を用いたインクＸ２を吐出する。このようなインクＸ２は、配線としての主な機能、すなわち大きな導電性を有するものである。液滴吐出ヘッド１より吐出されたインクＸ２は、密着層Ｙ１上で拡散する。ここで、上述したように、第１層目の密着層Ｙ１を多孔体とすることで、この多孔体は受容膜としての機能を有するため、インクＸ２は、前記多孔体に染み込み、配線パターン領域Ｌ１、Ｌ２に良好に配置される。なお、必ずしも第１層目の密着層Ｙ１を多孔体に変換しなくてもよい。この場合、密着層Ｙ１の表面は吐出されたインクＸ２により再溶解する。これにより、吐出されたインクＸ２は密着層Ｙ１上で良好に拡散する。

そして、上述の中間乾燥工程を再び行うことによって、導電層用のインクＸ２の分散媒が除去され、図５（ｂ）に示すように、配線パターン領域Ｌ１、Ｌ２には、密着層Ｙ１上にインクＸ２からなる第２層目の導電層Ｙ２が形成される。つまり、密着層Ｙ１と導電層Ｙ２とが積層されてなる配線パターンＺ１、Ｚ２が形成されることになる。

＜熱処理／光処理工程＞
吐出工程後の乾燥膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び／又は光処理が施される。

熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行なうこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。たとえば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。以上の工程により吐出工程後の乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保される。

以上のようなバンク形成工程、残渣処理工程、撥液化処理工程、配線パターン形成工程、及び熱処理／光処理工程によって下層側の配線層が形成される。続いて、多層配線構造をとるために、上層の配線層を形成する。まず、図６（ａ）に示すように、上記配線パターンＺ１、Ｚ２上及びバンクＢ１上に絶縁層３３を形成し、当該絶縁層３３上にバンク形成用の有機系感光性材料３１を塗布する。

そして、上述したバンク形成工程と同様の処理により、平面図である図６（ｂ）に示すような配線パターン領域Ｌ３をバンクＢ２によって形成する。ここで、下層側の配線パターンＺ１と上層側の配線パターン領域Ｌ３に形成される配線パターンとを、絶縁層３３に設けられたコンタクトホールＨを介して導通させる場合を想定すると、上記配線パターン領域Ｌ３には、インクＸ１（第１の機能液）を吐出するための第１の幅広部Ｗ１と、コンタクトホールＨを含む領域にインクＸ２（第２の機能液）を吐出するための第２の幅広部Ｗ２が形成される。なお、第２の幅広部Ｗ２は、コンタクトホールＨを中心として形成することが望ましい。
図６（ｃ）に、図６（ｂ）のＡ−Ａ矢視断面図を示す。この図に示すように、上記のようにバンクＢ２を形成した後、第２の幅広部Ｗ２の中心の直下に該当する絶縁層３３にコンタクトホールＨが形成される。なお、バンクＢ２の形成後、残渣処理工程を行う必要はないが、撥液化処理工程は上記と同様に行われる。

続いて、配線パターン形成工程におけるインク吐出工程によって、インクＸ１を配線パターン領域Ｌ３の第１の幅広部Ｗ１に吐出する。このインクＸ１は、基板Ｐと導電層Ｙ２との密着性を向上させる機能だけでなく、絶縁層３３と配線パターン領域Ｌ３に形成される導電層との密着性をも向上させる機能を有する。そして、図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１の幅広部Ｗ１に吐出されたインクＸ１は、配線パターン領域Ｌ３に均一に拡散するが、表面張力の影響によりコンタクトホールＨの内部には拡散しない。このように、コンタクトホールＨの内部以外にインクＸ１が拡散した後、中間乾燥工程により、図７（ｃ）に示すように、配線パターン領域Ｌ３の第１層目にインクＸ１からなる密着層Ｙ３が形成される。

次に、図８（ａ）に示すように、第２の幅広部Ｗ２のコンタクトホールＨに対して、導電性微粒子として銀を用いたインクＸ２を吐出する。このようなインクＸ２は、配線としての主な機能、すなわち大きな導電性を有するものである。このように吐出されたインクＸ２は、図８（ｂ）に示すように、コンタクトホールＨを埋めた後、第２の幅広部Ｗ２を介して配線パターン領域Ｌ３、つまり密着層Ｙ３上に拡散する。このように、コンタクトホールＨの内部を含む配線パターン領域Ｌ３にインクＸ２が拡散した後、中間乾燥工程により、図８（ｃ）に示すように、配線パターン領域Ｌ３の第２層目にインクＸ２からなる導電層Ｙ４が形成される。つまり、密着層Ｙ３と導電層Ｙ４とが積層されてなる配線パターンＺ３が形成されることになる。

このように、密着層Ｙ３がコンタクトホールＨ内部に形成されないため、上層の導電層Ｙ４と下層の導電層Ｙ２とが直接導通されることになり、上層の配線パターンＺ３と下層の配線パターンＺ１とのコンタクト抵抗を低減することができ、また、その他の領域では、導電層Ｙ４と絶縁層３３との間に密着層Ｙ３が形成されているため、導電層Ｙ４の密着性を向上することができる。

以降、熱処理／光処理工程の終了後、さらに上層に配線パターンを形成する場合は、上述した処理を繰り返せば良い。すなわち、上層側と下層側との配線パターンをコンタクトホールにて導通させる場合は、上層側の配線パターン領域に、密着性を向上させる機能を有するインクＸ１を吐出させるための第１の幅広部と、配線としての主な機能（大きな導電性）を有するインクＸ２を吐出させるための第２の幅広部をコンタクトホールを含む領域に形成する。そして、最初にインクＸ１を第１の幅広部に吐出させて密着層を形成し、次にインクＸ２を第２の幅広部のコンタクトホールに吐出させて導電層を形成することにより、上層側の配線パターンと下層側の配線パターンとのコンタクト抵抗を低減することができ、且つ上層側の導電層の密着性を向上することができる。

ところで、第１の幅広部Ｗ１及び第２の幅広部Ｗ２の面積は、可能な限り小さくすることが望ましいが、特にインクＸ１が吐出される第１の幅広部の面積は、第２の幅広部に比べて小さくすることが可能である。なぜなら、密着性を向上させる機能を有するインクＸ１は、インクＸ２と比べて粘度が低いため拡散しやすく、また、実際の密着層の膜厚は導電層の１割程度であるため、少ない吐出量で密着層を形成可能であるからである。従って、第１の幅広Ｗ１による占有スペースを最小限にすることができる。一方、配線としての主な機能（大きな導電性）を有するインクＸ２は、インクＸ１と比べて粘度が高く、また、吐出量も大量に必要とするため、液だまりが発生しやすいことから、第２の幅広部Ｗ２は少なくとも第１の幅広部Ｗ１より大きく形成することが望ましい。

なお、上記実施形態では、１つの配線パターン領域に対して、第１の幅広部及び第２の幅広部をそれぞれ１つずつ設けた場合について説明したが、これに限定されず、配線パターン領域の大きさやコンタクトホールの数に応じて、それぞれ複数個設けても良い。また、下層側の幅広部の面積や設置数については、特に限定されず、下層側の配線パターンや機能液の種類に応じて適宜変更しても良い。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態として、上記第１実施形態とは異なる構成からなる配線パターンについて、図９を参照して説明する。なお、本第２実施形態において、上記第１実施形態と同様の説明については省略する。

まず、図９（ａ）に示すように、下層側の配線パターンＺ１が形成され、絶縁層３３、バンクＢ２、コンタクトホールＨがそれぞれ形成された後、第１の幅広部Ｗ１にチタンを導電性微粒子として用いたインクＸ３を吐出し、機能層Ｙ５を形成する。次に、図９（ｂ）に示すように、第２の幅広部Ｗ２のコンタクトホールＨに対して、配線としての主な機能を有する、つまり導電性微粒子として銀を用いたインクＸ２を吐出し、導電層Ｙ４を形成する。さらに、図９（ｃ）に示すように、インクＸ３を第１の幅広部Ｗ１または第２の幅広部Ｗ２に吐出し、導電層Ｙ４上に機能層Ｙ５を形成する。つまり、導電層Ｙ４が機能層Ｙ５で挟まれた構成の配線パターンＺ４が形成されることになる。

なお、導電層Ｙ４上に機能層Ｙ５を形成する場合、コンタクトホールＨは既に導電層Ｙ４で埋まっているため、第１の幅広部Ｗ１または第２の幅広部Ｗ２のどちらにインクＸ３を吐出しても良い。

このように、チタンを含有する機能層Ｙ５と銀を含有する導電層Ｙ４の積層からなる配線パターンは、導電層Ｙ４の単層と比較してエレクトロマイグレーションの発生を抑制する性質を有しているため、本実施形態のように、導電層Ｙ４が機能層Ｙ５で挟まれた構成の配線パターンＺ４は、エレクトロマイグレーションの発生を抑制できると共に、コンタクトホールＨ内部に機能層Ｙ５が形成されないため、下層の配線パターンＺ１とのコンタクト抵抗の増大を防ぐことができる。なお、エレクトロマイグレーションの発生を抑制する材料としては、上述のチタンの他に、鉄、パラジウム及びプラチナ等を挙げることができる。

（第３実施形態）
次に、第３実施形態として、上記第１及び第２実施形態とは異なる構成からなる配線パターンについて、図９を参照して説明する。なお、本第３実施形態において、上記第１実施形態と同様の説明については省略する。

まず、図９（ａ）に示すように、下層側の配線パターンＺ１が形成され、絶縁層３３、バンクＢ２、コンタクトホールＨがそれぞれ形成された後、第１の幅広部Ｗ１にクロムを導電性微粒子として用いたインクＸ１を吐出し、機能層Ｙ６を形成する。次に、図９（ｂ）に示すように、第２の幅広部Ｗ２のコンタクトホールＨに対して、配線としての主な機能を有する、つまり導電性微粒子として銀を用いたインクＸ２を吐出し、導電層Ｙ４を形成する。さらに、図９（ｃ）に示すように、インクＸ１を第１の幅広部Ｗ１または第２の幅広部Ｗ２に吐出し、導電層Ｙ４上に機能層Ｙ６を形成する。つまり、導電層Ｙ４が機能層Ｙ６で挟まれた構成の配線パターンＺ５が形成されることになる。

このように、導電層Ｙ４と絶縁層３３との間に形成されるクロムを含有する機能層Ｙ６によって、第１実施形態と同様に絶縁層３３に対する導電層Ｙ４の密着性が向上すると共に、導電層Ｙ４上に形成された機能層Ｙ６によって、導電層Ｙ４の酸化及び損傷を防止することが可能となる。
従って、本実施形態によれば、導電層Ｙ４の密着性が向上すると共に、耐酸化性及び耐傷性を有する配線パターンＺ５を得ることができ、さらに、下層の配線パターンＺ１とのコンタクト抵抗の増大を防ぐことができる。

（第４実施形態）
次に、第４実施形態として、上記第１〜第３実施形態とは異なる構成からなる配線パターンについて、図９を参照して説明する。なお、本第４実施形態において、上記第１実施形態と同様の説明については省略する。

まず、図９（ａ）に示すように、下層側の配線パターンＺ１が形成され、絶縁層３３、バンクＢ２、コンタクトホールＨがそれぞれ形成された後、第１の幅広部Ｗ１にマンガンを導電性微粒子として用いたインクＸ４を吐出し、機能層Ｙ７を形成する。次に、図９（ｂ）に示すように、第２の幅広部Ｗ２のコンタクトホールＨに対して、配線としての主な機能を有する、つまり導電性微粒子として銀を用いたインクＸ２を吐出し、導電層Ｙ４を形成する。さらに、図９（ｃ）に示すように、ニッケルを導電性微粒子として用いたインクＸ５を第１の幅広部Ｗ１または第２の幅広部Ｗ２に吐出し、導電層Ｙ４上に機能層Ｙ８を形成する。つまり、導電層Ｙ４が機能層Ｙ７及び機能層Ｙ８で挟まれた構成の配線パターンＺ６が形成されることになる。

このように、導電層Ｙ４と絶縁層３３との間に形成されるマンガンを含有する機能層Ｙ７によって、第１実施形態と同様に絶縁層３３に対する導電層Ｙ４の密着性が向上すると共に、導電層Ｙ４上に形成されたニッケルを含有する機能層Ｙ８によって、プラズマ照射による導電層Ｙ４の劣化を防止することが可能となる。
従って、本実施形態によれば、導電層Ｙ４の密着性が向上すると共に、プラズマ照射による導電層Ｙ４の劣化を防止可能な配線パターンＺ６を得ることができ、さらに、下層の配線パターンＺ１とのコンタクト抵抗の増大を防ぐことができる。

なお、上記第２〜第４実施形態で説明したような構成を有する配線パターンを、上層側だけでなく下層側において使用しても良い。

〔デバイスの製造方法〕
次に、上述した薄膜パターン形成方法を用いて、例えばデバイスとしてＴＦＴ（Thin Film Transistor）を製造する方法（デバイスの製造方法）について説明する。

図１０（ａ）に示すように、まず、ガラス基板Ｐの上面に、上述したバンク形成工程によりバンク４０を形成し、当該バンク４０によって区画されたゲート電極パターン形成用の領域（ゲートパターン領域４１）を形成する。バンク４０形成後、上述した撥液化処理工程によりバンク４０に撥液性を付与する。このバンク４０としては、形成後に光透過性と撥液性を備える必要があり、その素材としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料のほかポリシラザンなどの無機系の材料が好適に用いられる。なお、ここではバンク４０と基板Ｐとの密着性を高めるＨＭＤＳ層の形成工程についての説明は省略する。

そして、上述した配線パターン形成工程により、ゲートパターン領域４１にゲート電極パターン４２を形成する。つまり、まずインクＸ１をゲートパターン領域４１に吐出して密着層を形成し、当該密着層上にインクＸ２を吐出して導電層を形成する。ゲート電極パターン４２は、これら密着層と導電層との積層からなるものである。インクＸ２に含有する導電性材料としては、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，パラジウム、Ｎｉ，Ｗ−ｓｉ，導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。

次に、図１０（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法により、バンク４０及びゲート電極パターン４２上にゲート絶縁層４３を形成し、さらにゲート絶縁層４３上に活性層４４を形成し、当該活性層４４上にコンタクト層４５を形成する。ゲート絶縁層４３としては窒化シリコン膜、活性層４４としてはアモルファスシリコン膜、コンタクト層４５としてはｎ＋シリコン膜を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより形成する。プラズマＣＶＤ法を用いる場合、３００℃〜３５０℃の熱履歴が必要になるが、無機系の材料をバンクに使用することで、透明性、耐熱性に関する問題を回避することが可能である。

続いて、図１０（ｃ）に示すように、上述したバンク形成工程により、ゲート絶縁層４３上及びコンタクト層４５上にバンク４６を形成し、当該バンク４６によって区画されたソース電極パターン形成用の領域（ソースパターン領域４７）と、ドレイン電極パターン形成用の領域（ドレインパターン領域４８）を形成する。バンク４６に使用される材料はバンク４０と同様である。また、バンク４６形成後、上述した撥液化処理工程によりバンク４６に撥液性を付与する。

そして、図１０（ｄ）に示すように、上述した配線パターン形成工程により、ソースパターン領域４７にソース電極パターン４９を形成し、また、ドレインパターン領域４８にドレイン電極パターン５０を形成する。これらソース電極パターン４９及びドレイン電極パターン５０は、ゲート電極パターン４２と同様に密着層及び導電層によって構成しても良いし、導電層のみで構成しても良い。さらに、ソースパターン領域４７及びドレインパターン領域４８を埋めるように、ソース電極パターン４９及びドレイン電極パターン５０上に、絶縁層５１を形成する。

ここで、図１１（ａ）に示すように、ドレイン電極パターン５０上の絶縁層５１にコンタクトホール５２を形成し、絶縁層５１及びバンク４６上に形成される配線パターン５３とドレイン電極パターン５０とを導通させる場合を想定する。この場合、ドレイン電極パターン５０が下層側の配線パターンであり、配線パターン５３が上層側の配線パターンである。従って、上述した薄膜パターン形成方法に基づいて、絶縁層５１及びバンク４６上にバンク５４を形成し、当該バンク５４によって、図１１（ｂ）に示すような配線パターン領域５５を形成する。なお、図１１（ｂ）は、配線パターン５３が形成される前の図１１（ａ）の平面図である。この図に示すように、配線パターン領域５５には、第１の幅広部Ｗ１と、コンタクトホール５２を含む領域に第２の幅広部Ｗ２が設けられている。

そして、まず、密着層を形成するためのインクＸ１を上記第１の幅広部Ｗ１に吐出する。吐出されたインクＸ１は、コンタクトホール５２の内部以外の領域に拡散し、配線パターン領域５５には第１層目として密着層が形成される。次に、導電層を形成するためのインクＸ２を上記第２の幅広部Ｗ２のコンタクトホール５２に吐出する。吐出されたインクＸ２は、コンタクトホール５２を埋めた後、第２の幅広部Ｗ２を介して配線パターン領域５５に均一に拡散し、導電層が形成される。つまり、これら密着層及び導電層の積層からなる配線パターン５３が形成される。このような配線パターン５３は、密着性を向上することができ、また下層側のドレイン電極パターン５０とのコンタクト抵抗を低減することが可能である。なお、この配線パターン５３を例えば画素電極に接続することで、液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置等のアクティブマトリクス表示装置用のＴＦＴとして用いることができる。また、上記の説明では、ボトムゲート型のＴＦＴを例示して説明したが、トップゲート型のＴＦＴにも本発明は適用可能である。

〔電気光学装置〕
次に、上述したデバイスの製造方法により製造したデバイスを備える電気光学装置について説明する。なお、ここでは、上述したデバイスの製造方法により製造したＴＦＴ（デバイス）を備える液晶表示装置（電気光学装置）を例示して説明する。図１２（ａ）は液晶表示装置について対向基板側から見た平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＢ−Ｂ矢視断面図である。図１２（ｃ）は液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。

図１２（ａ）及び（ｂ）において、液晶表示装置ＬＤは、対をなすＴＦＴアレイ基板６０と対向基板６１とが光硬化性の封止材であるシール材６３によって貼り合わされ、このシール材６３によって区画された領域内に液晶６４が封入、保持されている。シール材６３は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されている。

シール材６３の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り６５が形成されている。シール材６３の外側の領域には、データ線駆動回路６６及び実装端子６７がＴＦＴアレイ基板６０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路６８が形成されている。ＴＦＴアレイ基板６０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路６８の間を接続するための複数の配線６９が設けられている。また、対向基板６１のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板６０と対向基板６１との間で電気的導通をとるための基板間導通材７０が配設されている。

なお、データ線駆動回路６６及び走査線駆動回路６８をＴＦＴアレイ基板６０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板６０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置ＬＤにおいては、使用する液晶６４の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。また、液晶表示装置ＬＤをカラー表示用として構成する場合には、対向基板６１において、ＴＦＴアレイ基板６０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。

このような構造を有する液晶表示装置ＬＤの画像表示領域においては、図１２（ｃ）に示すように、複数の画素８０がマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素８０の各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）８１が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線８２がＴＦＴ８１のソースに電気的に接続されている。データ線８２に書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線８２同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ８１のゲートには走査線８３が電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線８３にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。

画素電極８４はＴＦＴ８１のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ８１を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線８２から供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極８４を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図１２（ｂ）に示す対向基板６１の対向電極７１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極８４と対向電極７１（コモン配線８６）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量８５が付加されている。例えば、画素電極８４の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量８５により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置ＬＤを実現することができる。

なお、上記の説明では、ＴＦＴ８１を液晶表示装置ＬＤの駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ表示装置やＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）にも使用しても良い。

図１３は、液晶表示装置の別の実施形態を示す図である。
図１３に示す液晶表示装置９０１は、大別するとカラーの液晶パネル（電気光学パネル）９０２と、液晶パネル９０２に接続される回路基板９０３とを備えている。また、必要に応じて、バックライト等の照明装置、その他の付帯機器が液晶パネル９０２に付設されている。

液晶パネル９０２は、シール材９０４によって接着された一対の基板９０５ａ及び基板９０５ｂを有し、これらの基板９０５ｂと基板９０５ｂとの間に形成される間隙、いわゆるセルギャップには液晶が封入されている。これらの基板９０５ａ及び基板９０５ｂは、一般には透光性材料、例えばガラス、合成樹脂等によって形成されている。基板９０５ａ及び基板９０５ｂの外側表面には偏光板９０６ａ及び偏光板９０６ｂが貼り付けられている。なお、図１３においては、偏光板９０６ｂの図示を省略している。

また、基板９０５ａの内側表面には電極９０７ａが形成され、基板９０５ｂの内側表面には電極９０７ｂが形成されている。これらの電極９０７ａ、９０７ｂはストライプ状または文字、数字、その他の適宜のパターン状に形成されている。また、これらの電極９０７ａ、９０７ｂは、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）等の透光性材料によって形成されている。基板９０５ａは、基板９０５ｂに対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の端子９０８が形成されている。これらの端子９０８は、基板９０５ａ上に電極９０７ａを形成するときに電極９０７ａと同時に形成される。従って、これらの端子９０８は、例えばＩＴＯによって形成されている。これらの端子９０８には、電極９０７ａから一体に延びるもの、及び導電材（不図示）を介して電極９０７ｂに接続されるものが含まれる。

回路基板９０３には、配線基板９０９上の所定位置に液晶駆動用ＩＣとしての半導体素子９００が実装されている。なお、図示は省略しているが、半導体素子９００が実装される部位以外の部位の所定位置には抵抗、コンデンサ、その他のチップ部品が実装されていてもよい。配線基板９０９は、例えばポリイミド等の可撓性を有するベース基板９１１の上に形成されたＣｕ等の金属膜をパターニングして配線パターン９１２を形成することによって製造されている。

本実施形態では、液晶パネル９０２における電極９０７ａ、９０７ｂ及び回路基板９０３における配線パターン９１２が上記デバイス製造方法によって形成されている。
本実施形態の液晶表示装置によれば、電気特性の不均一が解消された高品質の液晶表示装置を得ることができる。

なお、前述した例はパッシブ型の液晶パネルであるが、アクティブマトリクス型の液晶パネルとしてもよい。すなわち、一方の基板に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、各ＴＦＴに対し画素電極を形成する。また、各ＴＦＴに電気的に接続する配線（ゲート配線、ソース配線）を上記のようにインクジェット技術を用いて形成することができる。一方、対向する基板には対向電極等が形成されている。このようなアクティブマトリクス型の液晶パネルにも本発明を適用することができる。

〔電子機器〕
次に、上述した電気光学装置を備える電子機器について説明する。
図１４（ａ）は携帯電話の一例を示した斜視図である。図１４（ａ）において、符号１００は携帯電話本体を示し、符号１０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１４（ｂ）はワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１４（ｂ）において、符号２００は情報処理装置、２０１はキーボードなどの入力部、２０２は情報処理本体、２０３は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１４（ｃ）は腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１４（ｃ）において、符号３００は時計本体を示し、３０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１４（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置を備えたものであり、所望の膜厚を有する配線パターンを有している。
なお、本実施形態の電子機器は液晶表示装置を備えるものとしたが、有機ＥＬ表示装置、ＰＤＰ等、他の電気光学装置を備えても良い。

電子機器に関する他の実施形態として、非接触型カード媒体について説明する。図１５に示すように、本実施形態に係る非接触型カード媒体（電子機器）７００は、カード基体７０２とカードカバー７１８から成る筐体内に、半導体集積回路チップ７０８とアンテナ回路７１２を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようになっている。本実施形態では、上記アンテナ回路７１２が、上記実施形態に係る配線パターン形成方法によって形成されている。

液滴吐出装置の概略斜視図である。 ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。 本発明の薄膜パターン形成方法の手順を示す第１の説明図である。 本発明の薄膜パターン形成方法の手順を示す第２の説明図である。 本発明の薄膜パターン形成方法の手順を示す第３の説明図である。 本発明の薄膜パターン形成方法の手順を示す第４の説明図である。 本発明の薄膜パターン形成方法の手順を示す第５の説明図である。 本発明の薄膜パターン形成方法の手順を示す第６の説明図である。 本発明の薄膜パターン形成方法の他の実施形態を示す説明図である。 本発明のデバイスの製造方法の手順を示す第１の説明図である。 本発明のデバイスの製造方法の手順を示す第２の説明図である。 本発明の電気光学装置の一例を示す第１の説明図である。 本発明の電気光学装置の一例を示す第２の説明図である。 本発明の電子機器の一例を示す第１の説明図である。 本発明の電子機器の一例を示す第２の説明図である。

符号の説明

Ｂ１、Ｂ２、４０、４６、５４…バンク、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５…インク（機能液）、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、Ｚ５、Ｚ６…配線パターン（薄膜パターン）、Ｗ１…第１の幅広部、Ｗ２…第２の幅広部、Ｈ、５２…コンタクトホール

Claims (10)

1. 多層配線を有する薄膜パターンの形成方法であって、
   基板を含み、かつ、前記基板上に導電性を有する第１のパターン領域を有する基体上に、絶縁膜を形成する工程と、
   前記絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、
   前記絶縁膜上に、第１の幅広部と、前記コンタクトホールを含む領域に第２の幅広部を有する第２のパターン領域を形成するためのバンクを形成する工程と、
   を有する薄膜パターンの形成方法。
2. 所定の機能を有する第１の機能液を前記第１の幅広部に吐出することによって第１の薄膜パターンを形成した後、配線としての主たる機能を有する第２の機能液を前記第２の幅広部に吐出することによって前記第１の薄膜パターン上に第２の薄膜パターンを形成する、
   ことを特徴とする請求項１記載の薄膜パターン形成方法。
3. 前記第１の機能液は、基板または絶縁膜に対する第２の薄膜パターンの密着性を向上させる機能を有することを特徴とする請求項２記載の薄膜パターン形成方法。
4. 前記第２の薄膜パターンの形成後、所定の機能を有する第３の機能液を前記第１の幅広部または第２の幅広部に吐出することによって、前記第２の薄膜パターン上に第３の薄膜パターンを形成することを特徴とする請求項２または３に記載の薄膜パターン形成方法。
5. 前記第１の機能液は、基板または絶縁膜に対する第２の薄膜パターンの密着性を向上させる機能を有し、また、前記第３の機能液は、第２の薄膜パターンの酸化または損傷を防ぐ機能を有することを特徴とする請求項４記載の薄膜パターン形成方法。
6. 前記第１の機能液及び第３の機能液は、第２の薄膜パターンにおけるエレクトロマイグレーションの発生を抑制する機能を有することを特徴とする請求項４記載の薄膜パターン形成方法。
7. 前記第１の幅広部は、第２の幅広部の面積と比べて小さくなるように形成されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の薄膜パターン形成方法。
8. 基板上に薄膜パターンを形成する工程を有するデバイスの製造方法において、
   請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の薄膜パターン形成方法により、前記基板上に薄膜パターンを形成することを特徴とするデバイスの製造方法。
9. 請求項８記載のデバイスの製造方法を用いて製造されたデバイスを備えることを特徴とする電気光学装置。
10. 請求項９記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
    
    
    
    

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