JP2007242803A - 半導体薄膜の製造方法および半導体薄膜の製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】前駆体半導体薄膜を溶融するための第一のレーザ光と、前駆体半導体薄膜を加熱するための第二のレーザ光と、を照射して、前駆体半導体薄膜を溶融した後に再結晶化させることによって半導体薄膜を製造する方法であって、第一のレーザ光と第二のレーザ光の有効領域の形状および面積をそれぞれ同一にし、これらの有効領域が重なり合うように第一のレーザ光と第二のレーザ光とを前駆体半導体薄膜に照射する工程と、第一のレーザ光の有効領域と第二のレーザ光の有効領域とを共に同一の方向に同一の距離だけ移動する工程と、を含む、半導体薄膜の製造方法とその方法に用いられる半導体薄膜の製造装置である。
【選択図】図8
Description
図1に、本発明において第一のレーザ光と第二のレーザ光とが照射される前駆体半導体薄膜を備えた前駆体半導体薄膜基板の好ましい一例の模式的な断面図を示す。図1に示す前駆体半導体薄膜基板5は、絶縁性基板7上にバッファ層8を介して前駆体半導体薄膜6が形成された構造を有している。
Vapor deposition;化学気相堆積)法などによって形成される。
図2に、本発明の半導体薄膜の製造装置の好ましい一例の構成を概略的に示す。本発明の半導体薄膜の製造装置10は、二つ以上のレーザ光源として、第一のレーザ光を出射する第一のレーザ光源11と、第二のレーザ光を出射する第二のレーザ光源12とを含む。ここで、第一のレーザ光は前駆体半導体薄膜を溶融することができる。また、第二のレーザ光は前駆体半導体薄膜を溶融することはできないが前駆体半導体薄膜を加熱することができ、第二のレーザ光は第一のレーザ光の照射前における前駆体半導体薄膜を加熱および/または第一のレーザ光の照射によって溶融した前駆体半導体薄膜の再結晶化を遅延させるために用いることができる。
本発明の半導体薄膜の製造方法は、前駆体半導体薄膜を溶融するための第一のレーザ光と、前駆体半導体薄膜を加熱するための第二のレーザ光と、を照射して、前駆体半導体薄膜を溶融した後に再結晶化させることによって半導体薄膜を製造する方法であって、第一のレーザ光と第二のレーザ光の有効領域の形状および面積をそれぞれ同一にし、これらの有効領域が重なり合うように第一のレーザ光と第二のレーザ光とを前駆体半導体薄膜に照射する工程と、第一のレーザ光の有効領域と第二のレーザ光の有効領域とを共に同一の方向に同一の距離だけ移動する工程と、を含む。以下、本発明の半導体薄膜の製造方法の好ましい一例について説明する。
Claims (11)
- 前駆体半導体薄膜を溶融するための第一のレーザ光と、前駆体半導体薄膜を加熱するための第二のレーザ光と、を照射して、前駆体半導体薄膜を溶融した後に再結晶化させることによって半導体薄膜を製造する方法であって、第一のレーザ光と第二のレーザ光の有効領域の形状および面積をそれぞれ同一にし、これらの有効領域が重なり合うように第一のレーザ光と第二のレーザ光とを前駆体半導体薄膜に照射する工程と、第一のレーザ光の有効領域と第二のレーザ光の有効領域とを共に同一の方向に同一の距離だけ移動する工程と、を含む、半導体薄膜の製造方法。
- 第一のレーザ光の出射直後の縦断面の形状と第二のレーザ光の出射直後の縦断面の形状とが異なる場合に、第一のレーザ光の有効領域の形状と第二のレーザ光の有効領域の形状とを同一にする工程を含む、請求項1に記載の半導体薄膜の製造方法。
- 第一のレーザ光の出射直後の縦断面の形状が矩形であり、第二のレーザ光の出射直後の縦断面の形状が円形である場合に、第二のレーザ光の有効領域の形状を第一のレーザ光の有効領域と同一の矩形に揃える工程を含む、請求項2に記載の半導体薄膜の製造方法。
- 第二のレーザ光の有効領域の形状を回折光学素子を用いて矩形に揃えることを特徴とする、請求項3に記載の半導体薄膜の製造方法。
- 第一のレーザ光が紫外域の波長を有し、第二のレーザ光が可視域または赤外域の波長を有することを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の半導体薄膜の製造方法。
- 第一のレーザ光がエキシマレーザ光であって、第二のレーザ光が炭酸ガスレーザ光であることを特徴とする、請求項1から5のいずれかに記載の半導体薄膜の製造方法。
- 請求項1から6のいずれかに記載の半導体薄膜の製造方法に用いられる装置であって、前駆体半導体薄膜を溶融するための第一のレーザ光を出射する第一のレーザ光源と、前駆体半導体薄膜を加熱するための第二のレーザ光を出射する第二のレーザ光源と、第一のレーザ光と第二のレーザ光の有効領域の形状および面積をそれぞれ同一にするための整形手段と、第一のレーザ光の有効領域と第二のレーザ光の有効領域とを共に同一の方向に同一の距離だけ移動させるための移動手段と、を含む、半導体薄膜の製造装置。
- 第一のレーザ光源は縦断面の形状が矩形である第一のレーザ光を出射し、第二のレーザ光源は縦断面の形状が円形である第二のレーザ光を出射するものであって、整形手段は第二のレーザ光の有効領域の形状を第一のレーザ光の有効領域と同一の矩形に揃える手段であることを特徴とする、請求項7に記載の半導体薄膜の製造装置。
- 整形手段は回折光学素子であることを特徴とする、請求項8に記載の半導体薄膜の製造装置。
- 第一のレーザ光が紫外域の波長を有し、第二のレーザ光が可視域または赤外域の波長を有することを特徴とする、請求項7から9のいずれかに記載の半導体薄膜の製造装置。
- 第一のレーザ光がエキシマレーザ光であって、第二のレーザ光が炭酸ガスレーザ光であることを特徴とする、請求項7から10のいずれかに記載の半導体薄膜の製造装置。
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JPH0521339A (ja) * | 1991-07-10 | 1993-01-29 | Ricoh Co Ltd | 薄膜半導体装置とその製法 |
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2006
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