JP2007227734A - 半導体製造装置及び半導体製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、ウェーハの外周部まで均一に加熱することが可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、被処理ウェーハ1が導入される反応室2と、反応室に反応ガスを供給するためのガス供給手段3と、反応室2より反応ガスを排出するためのガス排出手段4と、被処理ウェーハ1を外周部において保持するためのホルダー6と、ホルダー6を介して被処理ウェーハ1を回転させるための回転駆動手段5と、被処理ウェーハ1を下部より加熱するための第1のヒータ7と、ホルダー6下部に設けられる第2のヒータ8と、第2のヒータ8の内周側端部から2〜15mm内周側に設置され、輻射熱を遮蔽する遮蔽板11を備える。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、被処理ウェーハ1が導入される反応室2と、反応室に反応ガスを供給するためのガス供給手段3と、反応室2より反応ガスを排出するためのガス排出手段4と、被処理ウェーハ1を外周部において保持するためのホルダー6と、ホルダー6を介して被処理ウェーハ1を回転させるための回転駆動手段5と、被処理ウェーハ1を下部より加熱するための第1のヒータ7と、ホルダー6下部に設けられる第2のヒータ8と、第2のヒータ8の内周側端部から2〜15mm内周側に設置され、輻射熱を遮蔽する遮蔽板11を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、例えば半導体ウェーハ上に、裏面から加熱しながら反応ガスを供給して成膜を行なう半導体製造装置及び半導体製造装方法に関する。
近年、半導体装置の微細化に伴い、その製造工程において、高い成膜均一性が要求されている。エピタキシャル成長装置などCVD(Chemical Vapor Deposition)装置において用いられる裏面加熱方式は、上方に加熱源がなく、垂直方向に反応ガスを供給することができるため、均一な成膜が可能である。
このような裏面加熱方式において、良好な成膜均一性を得るためには、ウェーハの面内温度を均一に制御する必要があり、ウェーハ下方に設置された加熱源(ヒータ)により、ウェーハを均一に加熱するための手法が種々提案されている。例えば、特許文献1の図9において、面状ヒータ3’の外周部上方に、面環状ヒータRを設ける構造が開示されている。
近年、素子のコストダウンを図るため、ウェーハの大口径化が進むとともに、ウェーハ有効面積増大の要求が高まっている。そこで、これまでカットされていたウェーハ外周まで均一に成膜する必要があるが、外周部まで温度均一性を得ることが困難であるという問題がある。
特開平10−208855号公報
上述したように、ウェーハの外周部まで温度均一性を得ることができないという問題がある。
本発明は、ウェーハの外周部まで均一に加熱することが可能な半導体製造装置を提供することを目的とするものである。
本発明の半導体製造装置は、被処理ウェーハが導入される反応室と、反応室に反応ガスを供給するためのガス供給手段と、反応室より反応ガスを排出するためのガス排出手段と、被処理ウェーハを外周部において保持するためのホルダーと、ホルダーを介して被処理ウェーハを回転させるための回転駆動手段と、被処理ウェーハを下部より加熱するための第1のヒータと、ホルダー下部に設けられる第2のヒータと、第2のヒータの内周側端部から2〜15mm内周側に設置され、輻射熱を遮蔽する遮蔽板を備えることを特徴とする。
この本発明の半導体製造装置において、遮蔽板は、上端がホルダーに接続され、下端が第2のヒータの下面より下方となるように設置されていることが望ましい。
さらに、本発明の半導体製造装置において、第1のヒータ温度より第2のヒータ温度を40〜90℃高く制御する温度制御機構を備えることが望ましい。
さらに、本発明の半導体製造装置において、遮蔽板は、SiC系材料、炭素系材料及び白金族基合金の少なくともいずれかを、基材及び/又は被覆材とすることが望ましい。
また、本発明の及び半導体製造装方法は、上述した半導体製造装置を用い、ウェーハの外周部まで略均一に加熱するようにし、ウェーハの外周部の成長膜厚を均一にすることを特徴とする。
本発明の半導体製造装置を用いれば、ウェーハの外周部まで均一に加熱することが可能となる。
以下本発明の実施形態について、図を参照して説明する。
図1に本実施形態の半導体製造装置の断面図を示す。図に示すように、ウェーハ1が導入される反応室2には、反応室2上方より成膜ガスとキャリアガスからなる反応ガスを供給するためのガス供給口3と、反応室2下方より反応ガスを排出するためのガス排出口4が設置されている。反応室2内部には、ウェーハ1を回転させるための回転駆動手段5と、回転駆動手段5上でウェーハ1をその外周部において保持するための環状のホルダー6が設置されており、さらに、ウェーハ1を下部より加熱するためのインヒータ7と、インヒータ7の上方で、ホルダー6の下部に設けられる環状のアウトヒータ8が設置されている。これらインヒータ7、アウトヒータ8には、例えばSiC系材料などから構成される抵抗加熱ヒータが用いられ、夫々の端子9、10が、温度を電気的に制御する温度制御機構(図示せず)と接続されている。そして、ホルダー6の内周側の端部には、例えばSiC系材料などから構成され、輻射熱を遮蔽する環状の遮蔽板11の上端が接続されている。
図2に図1おける半導体製造装置の遮蔽板11近傍の拡大図を示す。図に示すように、アウトヒータ8は、ホルダー6とインヒータ7の間で、ホルダー6の内周側端部に接続された遮蔽板10と、所定の間隔(水平距離:d)を有するように設置されている。
このような半導体製造装置を用いて、ウェーハ1上にSiエピタキシャル膜を形成する。先ず、例えば12インチのウェーハ1を反応室2に導入し、ホルダー6上に載置する。そして、所定の流量で、ガス供給口3より例えばモノシランガス、ジクロロシランガス、トリクロロシランガスなどの成膜ガスと、H2ガスなどのキャリアガスを供給し、ガス排出口4より排出することにより、反応室2内が常圧或いは15Torr以上の減圧雰囲気となるように制御する。
そして、温度制御機構により、インヒータ7が1300〜1430℃、アウトヒータ8が1400〜1500℃の範囲で、アウトヒータ8の温度をインヒータ7の温度より40〜90℃高くなるように制御する。このように温度制御することにより、ウェーハ1がインヒータ7により成膜温度に加熱されるとともに、ウェーハ1を保持するホルダー6がアウトヒータ8により加熱され、ウェーハ1外周からの温度低下が抑制される。
一方、アウトヒータ8からは輻射熱も放射されており、ウェーハ1外周部の一部分が加熱され、ウェーハ1外周部の温度がばらつくという現象が発生する。しかしながら、ウェーハ1外周からの温度低下を抑えながら、アウトヒータ8の温度制御により輻射熱を安定して制御をすることは困難であるため、輻射熱を遮蔽する遮蔽板11により、ウェーハ1外周部の温度を適正に制御しながら、輻射熱のみを抑えている。
図3にアウトヒータ8と遮蔽板11との水平距離dと、ウェーハ面内の温度ばらつきとの関係を示す。図に示すように、温度ばらつきを素子形成上許容される4℃以内に抑えるためには、アウトヒータ8と遮蔽板11との水平距離を2mm以上15mm以下に抑える必要があることがわかる。これは、距離が近すぎると遮蔽板11自体がアウトヒータ8により加熱され、ウェーハ1の外周部が、遮蔽板11からの輻射熱による影響を受けて加熱されてしまい、一方、距離が遠すぎると、ウェーハ1外周部からホルダー6への熱の放出を補いきれず、ウェーハ1外周からの温度低下を抑えることができないためである。さらに、水平距離をばらつき範囲3.5℃以内に抑えられる3〜10mmとすることが好ましい。
このように、本実施形態によれば、遮蔽板とアウトヒータを適切な位置に設置することにより、輻射熱を抑えてウェーハ外周部の温度を制御し、ウェーハ外周部まで均一に加熱することが可能となる。
即ち、本実施形態のような気相成長装置を用いて、ウェーハ1に成長を行えば、ウェーハ1の外周に至るまで、略均一に成長可能となる。
尚、本実施形態において、インヒータ、アウトヒータ及び遮蔽板の材料として、SiC系材料を用いているが、例えば、SiC焼結体にSiC膜を被覆したものや、グラファイトなどの炭素系材料にSiC膜を被覆したものなどを用いることができる。さらに、窒化アルミニウム(AlN)焼結体にSiC膜やイリジウム膜で被膜したもの、同様にSiN焼結体にSiC膜、カーボン膜やイリジウム膜被膜したものなどを用いることも可能である。また、インヒータ、アウトヒータ及び遮蔽板の材料を個々に変えても構わない。
また、本実施形態において、インヒータ7の温度を1300〜1430℃、アウトヒータ8の温度を1400〜1500℃の範囲としているが、この温度範囲は成膜条件により異なり、適宜設定することが可能である。但し、ウェーハ外周からの温度低下を抑えるためには、アウトヒータ8の温度をインヒータ7の温度より40〜90℃高くなるように制御することが好ましい。
さらに、本実施形態において、適用製品について説明していないが、パワー半導体例えばパワーMOSやIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の厚膜(数10μm)成長が必要なところ(NベースやPベース更には絶縁分離領域などの成長)に有効である。
尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。その他要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
1 ウェーハ
2 反応室
3 ガス供給口
4 ガス排出口
5 回転駆動手段
6 ホルダー
7 インヒータ
8 アウトヒータ
9、10 端子
11 遮蔽板
2 反応室
3 ガス供給口
4 ガス排出口
5 回転駆動手段
6 ホルダー
7 インヒータ
8 アウトヒータ
9、10 端子
11 遮蔽板
Claims (5)
- 被処理ウェーハが導入される反応室と、
前記反応室に反応ガスを供給するためのガス供給手段と、
前記反応室より前記反応ガスを排出するためのガス排出手段と、
前記被処理ウェーハを外周部において保持するためのホルダーと、
前記ホルダーを介して前記被処理ウェーハを回転させるための回転駆動手段と、
前記被処理ウェーハを下部より加熱するための第1のヒータと、
前記ホルダー下部に設けられる第2のヒータと、
前記第2のヒータの内周側端部から2〜15mm内周側に設置され、輻射熱を遮蔽する遮蔽板を備えることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記遮蔽板は、上端が前記ホルダーに接続され、下端が前記第2のヒータの下面より下方となるように設置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記第1のヒータ温度より前記第2のヒータ温度を40〜90℃高く制御する温度制御機構を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体製造装置。
- 前記遮蔽板は、SiC系材料、炭素系材料及び白金族基合金の少なくともいずれかを、基材及び/又は被覆材とすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体製造装置。
- 前記請求項1記載の半導体製造装置を用い、ウェーハの外周部まで略均一に加熱するようにし、前記ウェーハの外周部の成長膜厚を均一にすることを特徴とする半導体製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006048271A JP2007227734A (ja) | 2006-02-24 | 2006-02-24 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006048271A JP2007227734A (ja) | 2006-02-24 | 2006-02-24 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007227734A true JP2007227734A (ja) | 2007-09-06 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006048271A Pending JP2007227734A (ja) | 2006-02-24 | 2006-02-24 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2007227734A (ja) |
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2006
- 2006-02-24 JP JP2006048271A patent/JP2007227734A/ja active Pending
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