JP2007227658A

JP2007227658A - 有機電界発光素子

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Publication number: JP2007227658A
Application number: JP2006047153A
Authority: JP
Inventors: Toshihiro Ise; 俊大伊勢; Yasushi Ichijima; 靖司市嶋
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2006-02-23
Filing date: 2006-02-23
Publication date: 2007-09-06
Anticipated expiration: 2026-02-23
Also published as: US20070196692A1; US8455115B2; US20120298979A1; US8277954B2; JP4871607B2

Abstract

【課題】発光効率が高く、かつ耐久性が高い有機電界発光素子の提供する。
【解決手段】一対の電極間に有機化合物層として発光層を有し、ひとつの有機化合物層が下記一般式（１）で表される化合物の少なくとも一種を含有する有機電界発光素子。

一般式（１）中、Ｑ¹〜Ｑ⁴は、式中の二つの炭素原子と連結して芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。
【選択図】なし

Description

本発明は電気エネルギーを光に変換して発光する有機電界発光素子に関する。

有機電界発光素子は、低電圧駆動で高輝度の発光が得られることから活発に研究開発が行われている。有機電界発光素子は、一対の電極間に有機層を有し、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔とが有機層において再結合し、生成した励起子のエネルギーを発光に利用するものである。

近年、燐光発光材料を用いることにより、素子の高効率化が進んでいる。燐光発光材料としてイリジウム錯体や白金錯体（特許文献１及び２参照）などを用いた燐光発光素子に関する発明が開示されているが、高効率と高耐久性を両立する素子の開発には至っていない。

また、高耐久性の材料を志向し、ポリアリーレン材料を用いた有機EL素子に関する発明が開示されている（例えば、特許文献３参照）。しかし、これらに使用される材料は、縮環を有していたり、共役系が長かったりと、いずれも分子の最低励起三重項準位（T₁準位）が低い。そのため燐光発光素子に用いると、燐光材料の発光を消光してしまうため、発光効率が低くなってしまう。これはより短波長に発光する場合に顕著であり、特に青色燐光素子に用いた場合、発光を大きく消光してしまう。

米国特許第６３０３２３８号明細書国際公開第００/５７６７６号パンフレット特開２００２−３５６４４９号公報

本発明の目的は、発光効率が高く、かつ耐久性が高い有機電界発光素子の提供にある。

本発明者らは、上記課題を解決すべく検討した結果、特定の構造を有する芳香族化合物を有機化合物層に含有する有機電界発光素子が、上記課題を解決することを見出した。すなわち、本発明は下記の手段により達成された。
〔１〕一対の電極間に有機化合物層として少なくとも発光層を有し、少なくともひとつの有機化合物層が下記一般式（１）で表される化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする有機電界発光素子。

（一般式（１）中、Ｑ¹〜Ｑ⁴は、式中の二つの炭素原子と連結して芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ａ¹およびＡ²は、炭素原子または窒素原子を表す。Ｑ⁵およびＱ⁶は、それぞれＡ¹、Ａ²と連結して芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｑ⁵とＱ⁶が単結合または二価の芳香族炭化水素環基、芳香族ヘテロ環基で連結することはない。）

〔２〕一般式（１）で表される化合物のガラス転移温度が１３０〜４５０℃であることを特徴とする上記〔１〕に記載の有機電界発光素子。
〔３〕一般式（１）で表される化合物の最低励起三重項エネルギー準位が６３ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２６３．９７ｋＪ／ｍｏｌ）〜９５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（３９８．０５ｋＪ／ｍｏｌ）であることを特徴とする上記〔１〕または〔２〕に記載の有機電界発光素子。
〔４〕発光材料の少なくとも一種が燐光発光材料であることを特徴とする上記〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔５〕燐光材料がイリジウム錯体または白金錯体であることを特徴とする上記〔４〕に記載の有機電界発光素子。
〔６〕一般式（１）でされる化合物を発光層に含有することを特徴とする上記〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。

さらに、好ましい態様として以下の構成を挙げることができる。
〔７〕一般式（１）で表される化合物が下記一般式（２）で表されることを特徴とする前記〔１〕〜〔６〕に記載の有機電界発光素子。

（一般式（２）中、Ａ¹およびＡ²は、炭素原子または窒素原子を表す。Ｑ⁵およびＱ⁶は、それぞれＡ¹、Ａ²と連結して芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｑ⁵とＱ⁶が単結合または二価の芳香族炭化水素環基、芳香族ヘテロ環基で連結することはない。Ａⁿ（ｎ＝２０１〜２１６）は、ＮまたはＣ−Ｒⁿ（ｎ＝２０１〜２１６）を表す。Ｒ²⁰¹〜Ｒ²¹⁶は、水素原子または置換基を表す。）

〔８〕一般式（２）で表される化合物が下記一般式（３）で表されることを特徴とする前記〔７〕に記載の有機電界発光素子。

（一般式（３）中、Ａ¹およびＡ²は、炭素原子または窒素原子を表す。Ｑ⁵およびＱ⁶は、それぞれＡ¹、Ａ²と連結して芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｑ⁵とＱ⁶が単結合または二価の芳香族炭化水素環基、芳香族ヘテロ環基で連結することはない。Ａⁿ（ｎ＝3１〜３８）は、ＮまたはＣ−Ｒⁿ（ｎ＝３１〜３８）を表す。Ｒ³¹〜Ｒ³⁸は、水素原子または置換基を表す。Ｒ¹〜Ｒ⁸は水素原子または置換基を表す。）

〔９〕一般式（３）で表される化合物が下記一般式（４）で表されることを特徴とする前記〔８〕に記載の有機電界発光素子。

（一般式（４）中、Ｑ⁴¹およびＱ⁴²は、それぞれ炭素原子と連結して芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｑ⁴¹とＱ⁴²が単結合または二価の芳香族炭化水素環基、芳香族ヘテロ環基で連結することはない。Ａⁿ（ｎ＝3１〜３８）は、ＮまたはＣ−Ｒⁿ（ｎ＝３１〜３８）を表す。Ｒ³¹〜Ｒ³⁸は、水素原子または置換基を表す。Ｒ¹〜Ｒ⁸は水素原子または置換基を表す。）

〔１０〕一般式（４）で表される化合物が下記一般式（５）で表されることを特徴とする前記〔９〕に記載の有機電界発光素子。

（一般式（５）中、Ａⁿ（ｎ＝3１〜３８、５０１〜５１０）は、ＮまたはＣ−Ｒⁿ（ｎ＝３１〜３８、５０１〜５１０）を表す。Ｒ³¹〜Ｒ³⁸、Ｒ⁵⁰¹〜Ｒ⁵¹⁰は、水素原子または置換基を表す。Ｒ¹〜Ｒ⁸は水素原子または置換基を表す。）

〔１１〕燐光材料が四座配位子の白金錯体であることを特徴とする前記〔４〕に記載の有機電界発光素子。
〔１２〕燐光材料がフッ素置換フェニル基を配位子に有するイリジウム錯体であることを特徴とする前記〔４〕に記載の有機電界発光素子。

本発明の有機電界発光素子は、本発明の一般式（１）〜（５）で表される化合物（本明細書において「本発明の化合物」と同義で用いる。）を少なくとも一種有機化合物層に含有することを特徴とする。これにより、高い発光効率（例えば外部量子効率）を有し、かつ耐久性に優れる有機電界発光素子（本明細書において「本発明の素子」と同義で用いる）が提供できる。また、ある特定の構造を有する本発明の化合物を使うことにより、青色領域において高い発光効率で発光し、かつ耐久性に優れる素子が提供できる。

本発明の有機電界発光素子は、有機化合物層として、少なくとも一つの有機発光層（発光層）を有する。また発光層以外の有機化合物層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、励起子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層、保護層などが適宜配置されていてもよく、それぞれ他の層の機能を兼ね備えていても良い。また各層は複数の層から構成されていても良い。

本発明の有機電界発光素子は、励起一重項からの発光（蛍光）を利用するものでも励起三重項からの発光（燐光）を利用するものでもよいが、発光効率の観点から、燐光を利用するものの方が好ましい。

本発明の有機電界発光素子が、燐光を利用するものである場合、発光層は少なくとも一種の燐光材料と、すくなくとも一種のホスト材料から構成されていることが好ましい。ここで、ホスト材料とは、発光層を構成する材料のうち、発光材料以外のものであり、発光材料を分散して層中に保持する機能、陽極や正孔輸送層等から正孔を受け取る機能、陰極や電子輸送層等から電子を受け取る機能、正孔及び／または電子を輸送する機能、正孔と電子の再結合の場を提供する機能、再結合により生成した励起子のエネルギーを発光材料に移動させる機能、及び正孔及び／または電子を発光材料に輸送する機能のうち少なくとも一種の機能を有する材料を意味する。

本発明の化合物は、有機層のうちいずれの層に含有されていてもよく、また複数の層に含有されていても良いが、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層に含有されていることが好ましく、発光層にホスト材料として含有されていることがもっとも好ましい。本発明の化合物の含有率は、発光層にホスト材料として含有される場合５０〜９９.９質量％であることが好ましく、６０〜９９％であることがより好ましい。また正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層に含有される場合、各層における本発明の化合物の含有率は、７０〜１００％であることが好ましく、８５〜１００％であることがより好ましく、１００％であることが最も好ましい。また、電子ブロック層、正孔輸送層、正孔注入層に含有される場合、各層における本発明の化合物の含有率は、７０〜１００％であることが好ましく、８５〜１００％であることがより好ましく、１００％であることが最も好ましい。

本発明の一般式（１）で表される化合物について詳細に説明する。

（一般式（１）中、Ｑ¹〜Ｑ⁴は、式中の二つの炭素原子と連結して芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ａ¹およびＡ²は、炭素原子または窒素原子を表す。Ｑ⁵およびＱ⁶は、それぞれＡ¹、Ａ²と連結して芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｑ⁵とＱ⁶が単結合で連結することはない。）

Ｑ¹〜Ｑ⁴は式中の二つの炭素原子と連結して芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｑ¹〜Ｑ⁴から構成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環としては特に限定されないが、４〜１０員環が好ましく、５〜７員環がより好ましく、５
および６員環がさらに好ましく、６員環が特に好ましい。Ｑ¹〜Ｑ⁴から構成される芳香族ヘテロ環に含まれるヘテロ原子は特に限定されないが、窒素、酸素、硫黄、セレン、珪素、ゲルマニウム、リンを含む芳香族ヘテロ環が好ましく、窒素、酸素、硫黄がより好ましく、窒素、酸素がさらに好ましく、窒素が特に好ましい。Ｑ¹〜Ｑ⁴から構成される芳香族ヘテロ環ひとつに含有されるヘテロ原子数は特に限定されないが、１〜３が好ましい。

Ｑ¹〜Ｑ⁴から構成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環の具体例としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、フラン環、チオフェン環、セレノフェン環、シロール環、ゲルモール環、ホスホール環等が挙げられる。Ｑ¹〜Ｑ⁴から構成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環として好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、フラン環、チオフェン環であり、より好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、チオフェン環であり、さらに好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環であり、特に好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環である。

Ｑ¹〜Ｑ⁴から構成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環は、置換基を有していてもよく、置換基としては、下記置換基群Ａとしてあげたものが適用できる。

（置換基群Ａ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）

Ｑ¹〜Ｑ⁴から構成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環が有する置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、より好ましくは、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、さらに好ましくは、アルキル基、アリール基、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、特に好ましくはアルキル基、アリール基、シアノ基、ヘテロ環基である。

Ｑ¹〜Ｑ⁴から構成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環はさらに他の環と縮合環を形成してもよく、縮合する環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、フラン環、チオフェン環、セレノフェン環、シロール環、ゲルモール環、ホスホール環等が挙げられる。縮合する環として好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環である。Ｑ¹〜Ｑ⁴から構成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環は、他の環と縮合環を形成しないことが最も好ましい。

上記の置換基および縮合環は、さらに置換基を有していてもよく、さらに他の環と縮合していてもよい。

Ｑ¹〜Ｑ⁴から構成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環として好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、フラン環、チオフェン環であり、より好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、チオフェン環であり、さらに好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、チオフェン環であり、特に好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環である。

Ａ¹およびＡ²は、炭素原子または窒素原子を表す。Ｑ⁵およびＱ⁶は、それぞれＡ¹、Ａ²と連結して芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ａ¹とＱ⁵から形成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環およびＡ²とＱ⁶から形成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環の具体例としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、フラン環、チオフェン環、セレノフェン環、シロール環、ゲルモール環、ホスホール環等が挙げられる。Ａ¹とＱ⁵から形成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環およびＡ²とＱ⁶から形成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環としては、Ａ¹、Ａ²が炭素原子の場合に好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、フラン環、チオフェン環であり、より好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、チオフェン環であり、さらに好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、イミダゾール環であり、特に好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環である。またＡ¹、Ａ²が窒素原子の場合に好ましくは、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、ピロール環であり、より好ましくは、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環であり、さらに好ましくはイミダゾール環、ピラゾール環であり、特に好ましくはイミダゾール環である。

Ｑ⁵とＱ⁶が単結合または二価の芳香族炭化水素基、芳香族ヘテロ環基で連結することはない。すなわち、一般式（１）が環状ヘキサアリーレン化合物を表すことはない。また、Ｑ¹とＱ⁴、Ｑ¹とＱ⁵、Ｑ²とＱ³、Ｑ²とＱ⁶は、好ましくは単結合で連結しない。

Ａ¹とＱ⁵から形成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環およびＡ²とＱ⁶から形成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環は、置換基を有していてもよく、置換基としては、前記置換基群Aとしてあげたものが適用でき、またその好ましい範囲は、前記Ｑ¹〜Ｑ⁴から構成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環が有する置換基の好ましい範囲と同様である。

Ａ¹とＱ⁵から形成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環およびＡ²とＱ⁶から形成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環は、他の環と縮合環を形成していてもよく、縮合する環としては、前記Ｑ¹〜Ｑ⁴から構成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環に縮合する環として挙げたものが適用でき、また好ましい範囲も同様である。Ａ¹とＱ⁵から形成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環およびＡ²とＱ⁶から形成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環は、他の環と縮合環を形成しないことが最も好ましい。

一般式（１）で表される化合物は、より好ましくは一般式（２）で表される化合物である。

（一般式（２）中、Ａ¹およびＡ²は、炭素原子または窒素原子を表す。Ｑ⁵およびＱ⁶は、それぞれＡ¹、Ａ²と連結して芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｑ⁵とＱ⁶が単結合で連結することはない。Ａⁿ（ｎ＝２０１〜２１６）は、ＮまたはＣ−Ｒⁿ（ｎ＝２０１〜２１６）を表す。Ｒ²⁰¹〜Ｒ²¹⁶は、水素原子または置換基を表す。）

次に、一般式（２）について説明する。
式中、Ａ¹、Ａ²、Ｑ⁵、Ｑ⁶は、一般式（１）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ａⁿ（ｎ＝２０１〜２１６）は、ＮまたはＣ−Ｒⁿ（ｎ＝２０１〜２１６）を表し、Ｒ²⁰¹〜Ｒ²¹⁶は、水素原子または置換基を表す。Ｒ²⁰¹〜Ｒ²¹⁶で表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。Ｒ²⁰¹〜Ｒ²¹⁶として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、さらに好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、特に好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ヘテロ環基である。

Ａ²⁰¹〜Ａ²⁰⁸は、Ｃ−Ｒ²⁰¹〜Ｃ−Ｒ²⁰⁸であることが好ましい。Ａ²⁰⁹〜Ａ²¹²は、全てがＣ−Ｒⁿ（ｎ＝２０９〜２１２）であるか、Ａ²⁰⁹〜Ａ²¹²のうち１〜２つがＮであることが好ましい。同様にＡ²¹³〜Ａ²¹⁶も、全てがＣ−Ｒⁿ（ｎ＝２１３〜２１６）であるか、Ａ²¹³〜Ａ²¹⁶のうち１〜２つがＮであることが好ましい。

一般式（２）で表される化合物は、より好ましくは一般式（３）で表される化合物であ
る。

（一般式（３）中、Ａ¹およびＡ²は、炭素原子または窒素原子を表す。Ｑ⁵およびＱ⁶は、それぞれＡ¹、Ａ²と連結して芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｑ⁵とＱ⁶が単結合または二価の芳香族炭化水素環基、芳香族ヘテロ環基で連結することはない。Ａⁿ（ｎ＝３１〜３８）は、ＮまたはＣ−Ｒⁿ（ｎ＝３１〜３８）を表す。Ｒ³¹〜Ｒ³⁸は、水素原子または置換基を表す。Ｒ¹〜Ｒ⁸は水素原子または置換基を表す。）

次に一般式（３）で表される化合物について説明する。
式中、Ａ¹、Ａ²、Ｑ⁵、Ｑ⁶は、一般式（１）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｒ¹〜Ｒ⁸は、水素原子または置換基を表す。Ｒ¹〜Ｒ⁸で表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。Ｒ¹〜Ｒ⁸として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、さらに好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、特に好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ヘテロ環基である。Ａ³¹〜Ａ³⁴は、一般式（２）におけるＡ²⁰⁹〜Ａ²¹²と同義であり、また好ましい範囲も同様である。同様にＡ³⁵〜Ａ³⁸は、一般式（２）におけるＡ²¹³〜Ａ²¹⁶と同義であり、また好ましい範囲も同様である。

一般式（３）で表される化合物は、より好ましくは一般式（４）で表される化合物である。

次に一般式（４）で表される化合物について説明する。
Ｒ¹〜Ｒ⁸およびＡ³¹〜Ａ³⁸は、一般式（３）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｑ⁴¹およびＱ⁴²は、それぞれ炭素原子と連結して芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｑ⁴¹およびＱ⁴²から形成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、フラン環、チオフェン環、セレノフェン環、シロール環、ゲルモール環、ホスホール環等が挙げられる。Ｑ⁴¹およびＱ⁴²から形成される芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環として好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、フラン環、チオフェン環であり、より好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、チオフェン環であり、さらに好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、イミダゾール環であり、特に好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環である。

一般式（４）で表される化合物は、より好ましくは一般式（５）で表される化合物である。

次に一般式（５）で表される化合物について説明する。
Ｒ¹〜Ｒ⁸およびＡ³¹〜Ａ³⁸は、一般式（３）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ａⁿ（ｎ＝５０１〜５１０）は、ＮまたはＣ−Ｒⁿ（ｎ＝５０１〜５１０）を表し、Ｒ⁵⁰¹〜Ｒ⁵¹⁰は、水素原子または置換基を表す。Ｒ⁵⁰¹〜Ｒ⁵¹⁰で表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。Ｒ⁵⁰¹〜Ｒ⁵¹⁰として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、さらに好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、特に好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ヘテロ環基である。

以下に一般式（１）〜（５）で表される化合物の具体例を記すが、本発明はこれらに限定されることはない。（なお、Phはフェニル基を表し、^tBuはターシャリーブチル基を表す）。

一般式（１）〜（５）で表される本発明の化合物は、Journal of the Chemical Society, Abstracts (1964), (Jan.), 114-21、Bulletin of the Chemical Society of Japan (1975), 48(6), 1868-74などに記載の方法や、その他公知の合成法の組み合わせで合成することができる。

以下に本発明の化合物の合成法について具体例をもって説明する。
＜合成例１＞例示化合物１の合成

2,2-ジブロモビフェニル１ｇ（３．２１mmol）、2-（4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-２−イル）ビフェニル1.27ｇ（６．４１mmol）、トリフェニルホスフィン１６８ｍｇ（0.64mmol）、炭酸カリウム２．３９ｇ（17.3mmol）、酢酸パラジウム３６ｍｇ（０．１６mmol）、1,2-ジメトキシエタン２０ｍL、水３０ｍLを窒素雰囲気下、２時間加熱還流した。得られた反応混合物を酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムにより乾燥した。溶媒を減圧留去し、エタノール-クロロホルム混合溶媒から再結晶することにより、無色立方体状結晶として例示化合物１を０．７０ｇ（収率４８％）得た。

＜合成例２＞例示化合物１６５の合成

化合物Ａ１．５ｇ（3.96mmol）、o-トリフルオロメチルフェニルホウ酸３．０ｇ(15.82mmol)、トリフェニルホスフィン２０７ｍｇ（0.７９mmol）、炭酸カリウム２．９５ｇ（２１．４mmol）、酢酸パラジウム４４ｍｇ（０．２０mmol）、1,2-ジメトキシエタン１５ｍL、水２０ｍLを窒素雰囲気下、５時間加熱還流した。得られた反応混合物を酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムにより乾燥した。溶媒を減圧留去し、クロロホルムから再結晶することにより、無色粉末状結晶として例示化合物１６５を２．２ｇ（収率９２％）得た。

素子の耐久性を勘案すると、本発明の化合物のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１３０℃以上、４５０℃以下であることが好ましく、より好ましくは１３５℃以上、４５０℃以下であり、さらに好ましくは１４０℃以上、４５０℃以下であり、特に好ましくは１５０℃以上、４５０℃以下であり、もっとも好ましくは１６０℃以上、４５０℃以下である。

ここで、Ｔｇは示差走査熱量測定（ＤＳＣ）、示差熱分析（ＤＴＡ）などの熱測定や、Ｘ線回折（ＸＲＤ）、偏光顕微鏡観察などにより確認できる。

本発明の発光素子が燐光を利用する発光素子である場合には、本発明の化合物の最低励起三重項エネルギー準位（Ｔ₁準位）は、６３ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２６３．９７ｋＪ／ｍｏｌ）以上、９５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（３９８．０５ｋＪ／ｍｏｌ）以下が好ましく、６７ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２８０．７３ｋＪ／ｍｏｌ）以上、９５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（３９８．０５ｋＪ／ｍｏｌ）以下がより好ましく、６９ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２８９．１１ｋＪ／ｍｏｌ）以上、９５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（３９８．０５ｋＪ／ｍｏｌ）以下がさらに好ましい。

ここで、Ｔ₁準位は、材料の薄膜の燐光発光スペクトルを測定し、その短波長端から求めることができる。

次に、本発明の発光素子を構成する要素について、詳細に説明する。

＜基板＞
本発明で使用する基板としては、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、ジルコニア安定化イットリウム（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。

基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。

基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。

基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。

＜陽極＞
陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。

陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。

陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。

本発明の有機電界発光素子において、陽極の形成位置としては特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができる。が、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。

なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。

陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。

陽極の抵抗値としては、１０³Ω／□以下が好ましく、１０²Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。

なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。

＜陰極＞
陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。

陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。

これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。

なお、陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。

陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。

陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。

本発明において、陰極形成位置は特に制限はなく、有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。

陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。

＜有機化合物層＞
本発明における有機化合物層について説明する。
本発明の有機電界発光素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有しており、有機発光層以外の他の有機化合物層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。

−有機化合物層の形成−
本発明の有機電界発光素子において、有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に形成することができる。

−有機発光層−
有機発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
本発明における発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、ドーパントは１種であっても２種以上であっても良い。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種であっても２種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。
また、発光層は１層であっても２層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。

本発明に使用できる蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。

また、本発明に使用できる燐光発光材料は、例えば、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体が挙げられる。
遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金である。
ランタノイド原子としては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。

錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著，Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press社１９８７年発行、H.Yersin著，「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer-Verlag社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）、カルボン酸配位子（例えば、酢酸配位子など）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。

燐光材料として好ましくは、イリジウム錯体、白金錯体であり、特に四座配位子の白金錯体、フッ素置換フェニルピリジンを配位子に有するイリジウム錯体が好ましい。

燐光発光材料は、発光層中に、０．１〜４０質量％含有されることが好ましく、０．５〜２０質量％含有されることがより好ましい。

また、本発明における発光層に含有されるホスト材料としては、本発明の化合物の他、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。

発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。

−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。正孔注入層、正孔輸送層は、具体的には、本発明の化合物の他、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、等を含有する層であることが好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。電子注入層、電子輸送層は、具体的には、本発明の化合物の他、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。

電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、本発明の化合物の他、ＢＡｌｑ等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ＢＣＰ等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

＜保護層＞
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂等の金属酸化物、ＳｉＮ_x、ＳｉＮ_xＯ_y等の金属窒化物、ＭｇＦ₂、ＬｉＦ、ＡｌＦ₃、ＣａＦ₂等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。

保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。

＜封止＞
さらに、本発明の有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。

本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発
光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。

＜比較例１＞
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機化合物層を順次蒸着した。
本発明の実施例における蒸着速度は、特に断りのない場合は０．２ｎｍ／秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。以下に記載の膜厚も水晶振動子を用いて測定したものである。

（第１正孔輸送層）
銅フタロシアニン：膜厚１０ｎｍ
（第２正孔輸送層）
ＮＰＤ：膜厚４０ｎｍ
（発光層）
〔ＣＢＰ（９０質量％）＋Ｆｉｒｐｉｃ〕層：膜厚３０ｎｍ
（第１電子輸送層）
ＢＡｌｑ：膜厚１０ｎｍ
（第２電子輸送層）
Ａｌｑ：膜厚１０ｎｍ

最後にフッ化リチウム０．１ｎｍおよび金属アルミニウム１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較例１の有機電界発光素子を得た。

＜比較例２＞
ＣＢＰを化合物（ＸＶＩ）（特開２００２−３５６４４９号公報に記載の化合物）に変更する以外は、＜比較例１＞の有機電界発光素子と同様の方法で比較例２の有機電界発光素子を作製した。

上記比較例に用いた銅フタロシアニン、ＮＰＤ、ＣＢＰ、Ｆｉｒｐｉｃ、Ａｌｑ、ＢＡｌｑ、化合物（ＸＶＩ）の化学構造を以下に示す。

＜実施例１＞
ＣＢＰを本発明の例示化合物１０に変更する以外は、＜比較例１＞の有機電解発光素子と同様の方法で実施例１の有機電界発光素子を作製した。
＜実施例２＞
ＣＢＰを本発明の例示化合物４８に変更する以外は、＜比較例１＞の有機電界発光素子と同様の方法で実施例２の有機電界発光素子を作製した。
＜実施例３＞
ＣＢＰを本発明の例示化合物８９に変更する以外は、＜比較例１＞の有機電界発光素子と同様の方法で実施例３の有機電界発光素子を作製した。
＜実施例４＞
ＣＢＰを本発明の例示化合物１６５に変更する以外は、＜比較例１＞の有機電界発光素子と同様の方法で実施例４の有機電界発光素子を作製した。
＜実施例５＞
ＣＢＰを本発明の例示化合物６２に変更する以外は、＜比較例１＞の有機電界発光素子と同様の方法で実施例５の有機電界発光素子を作製した。
＜実施例６＞
ＣＢＰを本発明の例示化合物１１４に変更する以外は、＜比較例１＞の有機電界発光素子と同様の方法で実施例６の有機電界発光素子を作製した。
＜実施例７＞
ＣＢＰを本発明の例示化合物１５３に変更する以外は、＜比較例１＞の有機電界発光素子と同様の方法で実施例７の有機電界発光素子を作製した。

実施例１〜７、比較例１および比較例２の素子に１０Ｖの電圧を印加したところ、実施例１〜７および比較例１の発光素子では、Ｆｉｒｐｉｃに由来する発光が得られたが、比較例２の素子ではＦｉｒｐｉｃに由来する発光は観測されなかった。
実施例１〜７および比較例１の素子を１０Ｖの印加電圧で駆動したときの輝度の相対比と、実施例１〜７および比較例１の素子の輝度半減時間を表１に示す。輝度半減時間は素子を東京システム開発（株）製のＯＬＥＤテストシステムＳＴ−Ｄ型にセットし、定電流モードにて正方向定電流０．４ｍＡの条件で駆動し、輝度が初期輝度の５０％に低下するまでの時間ｔ_0.5として測定した。

＜実施例８＞
ＢＡｌｑを本発明の例示化合物１６０に変更する以外は、＜比較例１＞の有機電解発光素子と同様の方法で実施例８の有機電界発光素子を作製した。
実施例８および比較例１の素子を１０Ｖの印加電圧で駆動したときの輝度の相対比は、４：１であった。
＜実施例９＞
ＮＰＤを本発明の例示化合物３４に変更する以外は、＜比較例１＞の有機電解発光素子と同様の方法で実施例９の有機電界発光素子を作製した。
実施例９および比較例１の素子を１０Ｖの印加電圧で駆動したときの輝度の相対比は、５：１であった。
上記実施例により、本発明の化合物を用いることにより、高効率かつ高耐久性の有機電界発光素子が得られる。

Claims

一対の電極間に有機化合物層として少なくとも発光層を有し、少なくともひとつの有機化合物層が下記一般式（１）で表される化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする有機電界発光素子。

（一般式（１）中、Ｑ¹〜Ｑ⁴は、式中の二つの炭素原子と連結して芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ａ¹およびＡ²は、炭素原子または窒素原子を表す。Ｑ⁵およびＱ⁶は、それぞれＡ¹、Ａ²と連結して芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｑ⁵とＱ⁶が単結合または二価の芳香族炭化水素環基、芳香族ヘテロ環基で連結することはない。）
一般式（１）で表される化合物のガラス転移温度が１３０〜４５０℃であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
発光材料の少なくとも一種が燐光発光材料であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機電界発光素子。
燐光材料がイリジウム錯体または白金錯体であることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。
一般式（１）で表される化合物を発光層に含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の有機電界発光素子。