JP2007227540A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウエハ42に対し、不純物の注入エネルギーを変化させながら、不純物40をマルチインプラントする。そして、ウエハ42にトレンチ44を形成することで、底辺部14側に比して開口部12側が高濃度となるように濃度勾配を与えた、第1導電型半導体からなるコラムを形成する。この際、トレンチ44内に第2導電型半導体層をエピタキシャル成長させる工程で生じる不純物の濃度勾配を考慮して、第1導電型半導体基板に濃度勾配を与える。一方、トレンチ44内に第2導電型半導体層をエピタキシャル成長させる過程で、第2導電型半導体層46にも、底辺部側に比して開口部側が高濃度となるような濃度勾配が生じる。よって、P/Nコラム間のチャージ量を均一化させることが可能となる。
【選択図】図1
Description
しかしながら、図6(b)に示されるように、半導体層36のエピタキシャル成長はトレンチ34の壁面に沿って進行することから、半導体層36の成長過程において、アスペクト比が徐々に増大していく。すると、不純物ガス40は、トレンチ34の底部に到達する前に、開口部付近の母体材料と反応し、シリコンに共有結合した形で取り込まれてしまい、トレンチ34の底部に到達する不純物の量が減少してしまう。その結果として、半導体層36の不純物濃度は、底辺部側に比して、開口部側が高濃度となる濃度勾配を持つものとして形成されてしまう。なお、図6(b)には、半導体層36の不純物濃度が、開口部側に近づくほど高濃度となる様子を、説明の便宜上、4段階の色の濃淡で示しているが、実際には、不純物の濃度勾配は連続的に発生する。不純物濃度の差は、コラムチャージ量の差の原因となる。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、パワー半導体装置の、スーパージャンクション構造を有するドリフト領域の耐圧低下を防ぐことにある。
本発明によれば、厚さ方向の不純物濃度が、底辺部側に比して開口部側が高濃度となるように濃度勾配を与えた第1導電型半導体基板に、トレンチを形成することで、底辺部側に比して開口部側が高濃度となるように濃度勾配を与えた、第1導電型半導体からなるコラムを形成することができる。一方、トレンチ内に第2導電型半導体層をエピタキシャル成長させる過程で、第2導電型半導体層も、底辺部側に比して開口部側が高濃度となるような濃度勾配が生じる。よって、スーパージャンクション構造を有するドリフト領域における、P/Nコラム間のチャージ量を均一化させることが可能となる。
このようにすることで、スーパージャンクション構造を有するドリフト領域における厚さ方向の何れの位置においても、P/Nコラム間でチャージ量を均一化させることが可能となる。
この方法によれば、第1導電型半導体基板に、前記トレンチ内に第2導電型半導体層をエピタキシャル成長させる工程で生じる不純物の濃度勾配を考慮した濃度勾配を、自在に与えることが可能となる。
この方法によっても、第1導電型半導体基板に、前記トレンチ内に第2導電型半導体層をエピタキシャル成長させる工程で生じる不純物の濃度勾配を考慮した濃度勾配を、自在に与えることが可能となる。
この方法によれば、第1導電型半導体層と、第2導電型半導体層とが何れも、トレンチ内部にエピタキシャル成長させることによって形成されることから、第1、第2の導電型半導体層のチャージ量の勾配を、一致させることができる。
本発明によれば、厚さ方向の不純物濃度が、底辺部側に比して開口部側が高濃度となるように濃度勾配を与えた第1導電型半導体基板に、トレンチを形成することで、底辺部側に比して開口部側が高濃度となるように濃度勾配を与えた、第1導電型半導体からなるコラムを形成することができる。一方、トレンチ内に第2導電型半導体層をエピタキシャル成長させる過程で、第2導電型半導体層も、底辺部側に比して開口部側が高濃度となるような濃度勾配が生じる。よって、スーパージャンクション構造を有するドリフト領域における、P/Nコラム間のチャージ量を均一化した半導体装置を作ることができる。
このようにすることで、スーパージャンクション構造を有するドリフト領域における厚さ方向の何れの位置においても、P/Nコラム間でチャージ量を均一化することができる。
本発明によれば、第1導電型半導体基板に、前記トレンチ内に第2導電型半導体層をエピタキシャル成長させる工程で生じる不純物の濃度勾配を考慮した濃度勾配が、自在に与えられる。
本発明によっても、第1導電型半導体基板に、前記トレンチ内に第2導電型半導体層をエピタキシャル成長させる工程で生じる不純物の濃度勾配を考慮した濃度勾配が、自在に与えられる。
本発明によれば、第1導電型半導体層と、第2導電型半導体層とが何れも、トレンチ内部にエピタキシャル成長させることによって形成されることから、第1、第2の導電型半導体層のチャージ量の勾配を、一致させることができる。
まず、本発明の第1の実施の形態に係る、スーパージャンクション構造を有するパワーMOSFETの製造方法は、図1に概略的に示される手順によるものである。
(1)ドリフト領域20(図5参照)として求められる厚さLにウエハ42を加工する。
(2)ウエハ42に対する不純物の注入エネルギーを変化させながら、不純物40をマルチインプラントし、第1導電型半導体基板へと加工する。この際、厚さ方向の不純物濃度が、底辺部14側に比して開口部12側が高濃度となるように濃度勾配を与える。しかも、後述の(4)において、トレンチ44内に第2導電型半導体層をエピタキシャル成長させる工程で生じる不純物の濃度勾配を考慮して、第1導電型半導体基板に濃度勾配を与える。図1には、ウエハ42に形成される不純物濃度が、開口部側に近づくほど高濃度となる様子を、説明の便宜上、4段階の色の濃淡で示しているが、実際には、不純物の濃度勾配は連続的に発生する(以下、図2、図3も同様)。
(3)第1導電型半導体基板となったウエハ42に、エッチング等によりトレンチ44を形成する。
なお、図1には、第2導電型半導体層46に形成される不純物濃度が、開口部側に近づくほど高濃度となる様子を、説明の便宜上、3段階の点密度の違いで示しているが、実際には、不純物の濃度勾配は連続的に発生するものである(以下、図2、図3も同様)。又、この第2導電型半導体層46に生じる不純物の濃度勾配を予め実験工程等で把握しておき、前記(2)の工程において、ウエハ42を第1導電型半導体基板へと加工する際の、不純物濃度勾配を、予め第2導電型半導体層46に生じる不純物の濃度勾配と一致させておく。
しかも、トレンチ内に第2導電型半導体層をエピタキシャル成長させる工程(4)で生じる不純物の濃度勾配を考慮して、第1導電型半導体基板に濃度勾配を与えることで、スーパージャンクション構造を有するドリフト領域における厚さ方向の何れの位置においても、P/Nコラム間でチャージ量を均一化させることが可能となる。なお、第1導電型半導体基板(ウエハ42)はN型、P型の何に加工されても、第2導電型半導体層46がこれと反対型に形成されていれば成り立つものである。
(1)高濃度の第1導電型半導体基板48を用意する。
(2)高濃度の第1導電型半導体基板48の表面に、不純物濃度に勾配をつけながら、第1導電型半導体層50をエピタキシャル成長させる。第1導電型半導体層50は、ドリフト領域20(図5参照)として求められる厚さLとなるように形成する。又、厚さ方向の不純物濃度が、底辺部14側に比して開口部12側が高濃度となるように濃度勾配を与える。しかも、後述の(4)において、トレンチ内に第2導電型半導体層をエピタキシャル成長させる工程で生じる不純物の濃度勾配を考慮して、第1導電型半導体基板に濃度勾配を与える。図1においても、第1導電型半導体層50に与えられる不純物濃度が、開口部12側に近づくほど高濃度となる様子を、説明の便宜上、4段階の色の濃淡で示しているが、実際には、不純物の濃度勾配は連続的に発生する。
(3)第1導電型半導体層50に、エッチング等によりトレンチ44を形成する。
(4)トレンチ44内に第2導電型半導体層46をエピタキシャル成長させる。
(1)高濃度の第1導電型半導体基板48上に、リフトオフ用コラム52を形成する。リフトオフ用コラム52は、高濃度の第1導電型半導体基板48上にウエハを固定し、それにエッチングを施すことにより形成しても良く、高濃度の第1導電型半導体基板48上にエピタキシャル成長によって形成しても良い。なお、リフトオフ用コラム52は、ドリフト領域20(図5参照)として求められる厚さLとなるように形成する。
(2)リフトオフ用コラム間のトレンチ54に、第1導電型半導体層50をエピタキシャル成長させる。この際、底辺部14側に比して開口部12側が高濃度となるような濃度勾配が、自然に生じる(図6(b)参照)。
(3)リフトオフ用コラム52を、エッチング等により除去し、第1導電型半導体層50からなるコラムと、該コラム間のトレンチ44を形成する。
(4)第1導電型半導体層50間のトレンチ44内に、第2導電型半導体層46をエピタキシャル成長させる。この際にも、底辺部14側に比して開口部12側が高濃度となるような濃度勾配が、自然に生じる(図6(b)参照)。
よって、本発明の第3の実施の形態によっても、第1、第2の実施の形態と同様に、スーパージャンクション構造を有するドリフト領域の耐圧低下を防ぐことが可能となる。その他、第1、第2の実施の形態と同様の作用効果については、説明を省略する。
Claims (10)
- 開口部と底辺部との間で、厚さ方向に帯状ないし板状に広がる第1導電型半導体層領域及び第2導電型半導体層領域が、交互に隣接配置されて構成されたドリフト領域を備えるパワー半導体装置の製造方法であって、
厚さ方向の不純物濃度が、底辺部側に比して開口部側が高濃度となるように濃度勾配を与えた第1導電型半導体基板を形成する工程と、
該第1導電型半導体基板にトレンチを形成する工程と、
該トレンチ内に第2導電型半導体層をエピタキシャル成長させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記厚さ方向の不純物濃度が、底辺部側に比して開口部側が高濃度となるように濃度勾配を与えた第1導電型半導体基板を形成する工程において、
前記トレンチ内に第2導電型半導体層をエピタキシャル成長させる工程で生じる不純物の濃度勾配を考慮して、第1導電型半導体基板に濃度勾配を与えることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記厚さ方向の不純物濃度が、底辺部側に比して開口部側が高濃度となるように濃度勾配を与えた第1導電型半導体基板を形成する工程において、
ウエハに対し、不純物の注入エネルギーを変化させながら、不純物をマルチインプラントすることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記厚さ方向の不純物濃度が、底辺部側に比して開口部側が高濃度となるように濃度勾配を与えた第1導電型半導体基板を形成する工程において、
高濃度の第1導電型半導体基板上に、不純物濃度に勾配をつけながら、第1導電型半導体層をエピタキシャル成長させることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記厚さ方向の不純物濃度が、底辺部側に比して開口部側が高濃度となるように濃度勾配を与えた第1導電型半導体基板を形成する工程において、
高濃度の第1導電型半導体基板に対し、リフトオフ用コラムを形成し、該リフトオフコラム間のトレンチに、第1導電型半導体層をエピタキシャル成長させ、
該第1導電型半導体基板にトレンチを形成する工程として、前記リフトオフ用コラムを除去することを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法。 - 開口部と底辺部との間で、厚さ方向に帯状ないし板状に広がる第1導電型半導体層領域及び第2導電型半導体層領域が、交互に隣接配置されて構成されたドリフト領域を備えるパワー半導体装置であって、
厚さ方向の不純物濃度が、底辺部側に比して開口部側が高濃度となるように濃度勾配を与えた第1導電型半導体基板を形成し、
該第1導電型半導体基板にトレンチを形成し、
該トレンチ内に第2導電型半導体層をエピタキシャル成長させてなることを特徴とする半導体装置。 - 前記厚さ方向の不純物濃度が、底辺部側に比して開口部側が高濃度となるように濃度勾配を与えた第1導電型半導体基板を形成する際に、
前記トレンチ内に第2導電型半導体層をエピタキシャル成長させる工程で生じる不純物の濃度勾配を考慮して、第1導電型半導体基板に濃度勾配を与えることを特徴とする請求項6記載の半導体装置。 - 前記厚さ方向の不純物濃度が、底辺部側に比して開口部側が高濃度となるように濃度勾配を与えた第1導電型半導体基板を形成する際に、
ウエハに対し、不純物の注入エネルギーを変化させながら、不純物をマルチインプラントすることを特徴とする請求項6又は7記載の半導体装置。 - 前記厚さ方向の不純物濃度が、底辺部側に比して開口部側が高濃度となるように濃度勾配を与えた第1導電型半導体基板を形成する際に、
高濃度の第1導電型半導体基板上に、不純物濃度に勾配をつけながら、第1導電型半導体層をエピタキシャル成長させることを特徴とする請求項6又は7記載の半導体装置。 - 前記厚さ方向の不純物濃度が、底辺部側に比して開口部側が高濃度となるように濃度勾配を与えた第1導電型半導体基板を形成する際に、
高濃度の第1導電型半導体基板に対し、リフトオフ用コラムを形成し、該リフトオフコラム間のトレンチに、第1導電型半導体層をエピタキシャル成長させ、
該第1導電型半導体基板にトレンチを形成する工程として、前記リフトオフ用コラムを除去することを特徴とする請求項6又は7記載の半導体装置。
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