JP2007227204A - 有機ｅｌ基板、有機ｅｌ装置、電子機器、有機ｅｌ装置の製造方法及び有機ｅｌ基板の検査方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】有機ＥＬ素子を構成するいずれの層が不良であるかを正確に判別可能とする。
【解決手段】発光層と電極層とを含む多層構造を有する有機ＥＬ素子４が基板の所定領域
Ａ１に複数形成される有機ＥＬ基板２であって、上記基板上の所定領域Ａ１外に、上記有
機ＥＬ素子４を構成する層のうち少なくとも一層を備えかつ上記有機ＥＬ素子４と異なる
層構造を有する検査用素子１０〜７０が形成されている。
【選択図】図１
【解決手段】発光層と電極層とを含む多層構造を有する有機ＥＬ素子４が基板の所定領域
Ａ１に複数形成される有機ＥＬ基板２であって、上記基板上の所定領域Ａ１外に、上記有
機ＥＬ素子４を構成する層のうち少なくとも一層を備えかつ上記有機ＥＬ素子４と異なる
層構造を有する検査用素子１０〜７０が形成されている。
【選択図】図１
Description
本発明は、有機ＥＬ基板、有機ＥＬ装置、電子機器、有機ＥＬ装置の製造方法及び有機
ＥＬ基板の検査方法に関するものである。
ＥＬ基板の検査方法に関するものである。
有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと略す）装置は、陰極と陽極との間に有機
材料からなる発光層を有している。このような有機ＥＬ装置の場合、電極間に電圧を印加
すると、陰極より電子が、陽極より正孔（ホール）が発光層に注入され、印加された電場
により発光層中を移動し、再結合する。この再結合の際に放出されたエネルギーにより、
励起子（エキシトン）が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に蛍光や燐光という形で
エネルギーを放出する。発光層を構成する分子は、低分子系と高分子系とに大別される。
一般に、低分子系の場合は真空蒸着法により成膜することができ、高分子系の場合はスピ
ンコート法やインクジェット法といった塗布法により成膜される。
材料からなる発光層を有している。このような有機ＥＬ装置の場合、電極間に電圧を印加
すると、陰極より電子が、陽極より正孔（ホール）が発光層に注入され、印加された電場
により発光層中を移動し、再結合する。この再結合の際に放出されたエネルギーにより、
励起子（エキシトン）が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に蛍光や燐光という形で
エネルギーを放出する。発光層を構成する分子は、低分子系と高分子系とに大別される。
一般に、低分子系の場合は真空蒸着法により成膜することができ、高分子系の場合はスピ
ンコート法やインクジェット法といった塗布法により成膜される。
ところで、有機ＥＬ装置では、その発光特性を検査するために、有効画素領域の外部に
有効画素領域に形成される有機ＥＬ素子と同様の層構造を有する検査用の有機ＥＬ素子を
形成し、当該検査用の有機ＥＬ素子を検査することによって、有効画素領域に形成された
有機ＥＬ素子の発光特性を検査する場合がある。
このように有効画素領域の外部に形成される検査用の有機ＥＬ素子を検査することによ
って、有効画素領域に形成された有機ＥＬ素子に影響を与えることなく検査を行うことが
可能となる。
特開２００４−１９２９２５号公報
有効画素領域に形成される有機ＥＬ素子と同様の層構造を有する検査用の有機ＥＬ素子を
形成し、当該検査用の有機ＥＬ素子を検査することによって、有効画素領域に形成された
有機ＥＬ素子の発光特性を検査する場合がある。
このように有効画素領域の外部に形成される検査用の有機ＥＬ素子を検査することによ
って、有効画素領域に形成された有機ＥＬ素子に影響を与えることなく検査を行うことが
可能となる。
しかしながら、有機ＥＬ素子は、陰極や陽極である電極層、発光層さらには発光層への
正孔の注入を促進するための正孔注入層（発光層と異なる有機層）等が積層された多層構
造を有している。このため、仮に検査用の有機ＥＬ素子を検査した結果が悪い場合であっ
ても、有機ＥＬ素子を構成するいずれの層が不良であるかを判定することはできなかった
。
正孔の注入を促進するための正孔注入層（発光層と異なる有機層）等が積層された多層構
造を有している。このため、仮に検査用の有機ＥＬ素子を検査した結果が悪い場合であっ
ても、有機ＥＬ素子を構成するいずれの層が不良であるかを判定することはできなかった
。
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、有機ＥＬ素子を構成するいずれの
層が不良であるかを正確に判別可能とすることを目的とする。
層が不良であるかを正確に判別可能とすることを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の有機ＥＬ基板は、発光層と電極層とを含む多層構
造を有する有機ＥＬ素子が基板の所定領域に複数形成される有機ＥＬ基板であって、上記
基板上の所定領域外に、上記有機ＥＬ素子を構成する層のうち少なくとも一層を備えかつ
上記有機ＥＬ素子と異なる層構造を有する検査用素子が形成されていることを特徴とする
。
造を有する有機ＥＬ素子が基板の所定領域に複数形成される有機ＥＬ基板であって、上記
基板上の所定領域外に、上記有機ＥＬ素子を構成する層のうち少なくとも一層を備えかつ
上記有機ＥＬ素子と異なる層構造を有する検査用素子が形成されていることを特徴とする
。
このような特徴を有する本発明の有機ＥＬ基板によれば、基板の所定領域（有効画素領
域）外に、当該所定領域に形成される有機ＥＬ素子を構成する層のうち少なくとも一層を
備えかつ所定領域に形成される有機ＥＬ素子と異なる層構造を有する検査用素子が形成さ
れている。そして、このような検査用素子では、検査用素子が備える有機ＥＬ素子を構成
する層の特性をより正確に判別する環境を整えることができる。したがって、このような
所定領域に形成される有機ＥＬ素子と異なる層構造を有する検査用素子を検査した場合に
は、検査用素子が備える有機ＥＬ素子を構成する層の特性をより正確に判別することが可
能となる。
したがって、本発明の有機ＥＬ基板によれば、有機ＥＬ素子を構成するいずれの層が不
良であるかを正確に判別することが可能となる。
域）外に、当該所定領域に形成される有機ＥＬ素子を構成する層のうち少なくとも一層を
備えかつ所定領域に形成される有機ＥＬ素子と異なる層構造を有する検査用素子が形成さ
れている。そして、このような検査用素子では、検査用素子が備える有機ＥＬ素子を構成
する層の特性をより正確に判別する環境を整えることができる。したがって、このような
所定領域に形成される有機ＥＬ素子と異なる層構造を有する検査用素子を検査した場合に
は、検査用素子が備える有機ＥＬ素子を構成する層の特性をより正確に判別することが可
能となる。
したがって、本発明の有機ＥＬ基板によれば、有機ＥＬ素子を構成するいずれの層が不
良であるかを正確に判別することが可能となる。
例えば、上記有機ＥＬ素子が上記発光層と該発光層と異なる有機層とを備え、上記検査
用素子が、上記発光層及び上記電極層のみを有する場合には、検査用素子を検査すること
によって、発光層と異なる有機層の特性に影響されることなく、発光層の特性のみを正確
に判別することが可能となる。したがって、有効画素領域に形成された有機ＥＬ素子の発
光層の特性を正確に判別することが可能となる。
また、例えば、上記有機ＥＬ素子が上記発光層と該発光層と異なる有機層とを備え、上
記検査用素子が、上記有機層及び上記電極層のみを有する場合には、検査用素子を検査す
ることによって、発光層の特性に影響されることなく、発光層と異なる有機層の特性のみ
を正確に判別することが可能となる。したがって、有効画素領域に形成された有機ＥＬ素
子の発光層と異なる有機層の特性を正確に判別することが可能となる。
用素子が、上記発光層及び上記電極層のみを有する場合には、検査用素子を検査すること
によって、発光層と異なる有機層の特性に影響されることなく、発光層の特性のみを正確
に判別することが可能となる。したがって、有効画素領域に形成された有機ＥＬ素子の発
光層の特性を正確に判別することが可能となる。
また、例えば、上記有機ＥＬ素子が上記発光層と該発光層と異なる有機層とを備え、上
記検査用素子が、上記有機層及び上記電極層のみを有する場合には、検査用素子を検査す
ることによって、発光層の特性に影響されることなく、発光層と異なる有機層の特性のみ
を正確に判別することが可能となる。したがって、有効画素領域に形成された有機ＥＬ素
子の発光層と異なる有機層の特性を正確に判別することが可能となる。
また、本発明の有機ＥＬ基板においては、上記検査用素子が、上記有機ＥＬ素子が有す
る上記発光層と上記有機ＥＬ素子が有する上記電極層と異なる層構造を有する検査用陰極
層とを備えるという構成を採用することができる。
このような構成を採用することによって、発光層の電気抵抗等の電気特性をより正確に
測定することが可能となり、発光層の特性をより正確に判別することが可能となる。
る上記発光層と上記有機ＥＬ素子が有する上記電極層と異なる層構造を有する検査用陰極
層とを備えるという構成を採用することができる。
このような構成を採用することによって、発光層の電気抵抗等の電気特性をより正確に
測定することが可能となり、発光層の特性をより正確に判別することが可能となる。
また、本発明の有機ＥＬ基板においては、上記有機ＥＬ素子が上記発光層と該発光層と
異なる有機層とを備え、上記検査用素子は、上記有機層と上記有機ＥＬ素子が有する上記
電極層と異なる層構造を有する検査用陰極層とを備えるという構成を採用することもでき
る。
このような構成を採用することによって、発光層と異なる有機層の電気抵抗等の電気特
性をより正確に測定することが可能となり、発光層と異なる有機層の特性をより正確に判
別することが可能となる。
異なる有機層とを備え、上記検査用素子は、上記有機層と上記有機ＥＬ素子が有する上記
電極層と異なる層構造を有する検査用陰極層とを備えるという構成を採用することもでき
る。
このような構成を採用することによって、発光層と異なる有機層の電気抵抗等の電気特
性をより正確に測定することが可能となり、発光層と異なる有機層の特性をより正確に判
別することが可能となる。
次に、本発明の有機ＥＬ装置は、本発明の有機ＥＬ基板と、該有機ＥＬ基板に形成され
る上記有機ＥＬ素子の駆動を制御する制御手段とを備えることを特徴とする。
本発明の有機ＥＬ基板によれば、有機ＥＬ素子を構成するいずれの層が不良であるかを
正確に判別することが可能となる。したがって、このような有機ＥＬ基板を備える本発明
の有機ＥＬ装置においても、有機ＥＬ素子を構成するいずれの層が不良であるかを正確に
判別することが可能となる。
る上記有機ＥＬ素子の駆動を制御する制御手段とを備えることを特徴とする。
本発明の有機ＥＬ基板によれば、有機ＥＬ素子を構成するいずれの層が不良であるかを
正確に判別することが可能となる。したがって、このような有機ＥＬ基板を備える本発明
の有機ＥＬ装置においても、有機ＥＬ素子を構成するいずれの層が不良であるかを正確に
判別することが可能となる。
次に、本発明の電子機器は、本発明の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする。
本発明の有機ＥＬ装置によれば、有機ＥＬ素子を構成するいずれの層が不良であるかを
正確に判別することが可能となる。したがって、このような有機ＥＬ装置を備える本発明
の電子機器においても、有機ＥＬ素子を構成するいずれの層が不良であるかを正確に判別
することが可能となる。
本発明の有機ＥＬ装置によれば、有機ＥＬ素子を構成するいずれの層が不良であるかを
正確に判別することが可能となる。したがって、このような有機ＥＬ装置を備える本発明
の電子機器においても、有機ＥＬ素子を構成するいずれの層が不良であるかを正確に判別
することが可能となる。
次に、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、発光層と電極層とを含む多層構造を有する
有機ＥＬ素子が基板の所定領域に複数形成される有機ＥＬ基板と、該有機ＥＬ基板に形成
される上記有機ＥＬ素子の駆動を制御する制御手段とを備える有機ＥＬ装置の製造方法で
あって、上記基板上の所定領域外に、上記有機ＥＬ素子を構成する層のうち少なくとも一
層を備えかつ上記有機ＥＬ素子と異なる層構造を有する検査用素子を形成する工程と、上
記検査用素子に電流を流すことによって上記有機ＥＬ素子の検査を行う工程とを有するこ
とを特徴とする。
有機ＥＬ素子が基板の所定領域に複数形成される有機ＥＬ基板と、該有機ＥＬ基板に形成
される上記有機ＥＬ素子の駆動を制御する制御手段とを備える有機ＥＬ装置の製造方法で
あって、上記基板上の所定領域外に、上記有機ＥＬ素子を構成する層のうち少なくとも一
層を備えかつ上記有機ＥＬ素子と異なる層構造を有する検査用素子を形成する工程と、上
記検査用素子に電流を流すことによって上記有機ＥＬ素子の検査を行う工程とを有するこ
とを特徴とする。
このような特徴を有する本発明の有機ＥＬ装置の製造方法によれば、基板の所定領域（
有効画素領域）に形成された有機ＥＬ素子を構成する層のうち少なくとも一層を備えかつ
有機ＥＬ素子と異なる層構造を有する検査用素子が、基板の所定領域外に形成され、この
検査用素子を検査することによって、基板の所定領域に形成された有機ＥＬ素子の検査が
行われる。
そして、このような検査用素子では、検査用素子が備える有機ＥＬ素子を構成する層の
特性をより正確に判別する環境を整えることができる。したがって、このような所定領域
に形成される有機ＥＬ素子と異なる層構造を有する検査用素子を検査した場合には、検査
用素子が備える有機ＥＬ素子を構成する層の特性をより正確に判別することが可能となる
。
したがって、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法によれば、有機ＥＬ素子を構成するいず
れの層が不良であるかを正確に判別することが可能となる。
有効画素領域）に形成された有機ＥＬ素子を構成する層のうち少なくとも一層を備えかつ
有機ＥＬ素子と異なる層構造を有する検査用素子が、基板の所定領域外に形成され、この
検査用素子を検査することによって、基板の所定領域に形成された有機ＥＬ素子の検査が
行われる。
そして、このような検査用素子では、検査用素子が備える有機ＥＬ素子を構成する層の
特性をより正確に判別する環境を整えることができる。したがって、このような所定領域
に形成される有機ＥＬ素子と異なる層構造を有する検査用素子を検査した場合には、検査
用素子が備える有機ＥＬ素子を構成する層の特性をより正確に判別することが可能となる
。
したがって、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法によれば、有機ＥＬ素子を構成するいず
れの層が不良であるかを正確に判別することが可能となる。
また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法においては、上記検査用素子が、上記有機ＥＬ
素子を構成する層の中から選択された層のみを有するという構成を採用することができる
。
このような構成を採用した場合には、有機ＥＬ素子を形成する過程において同時に検査
用素子を形成することが可能となる。したがって、容易に検査用素子を形成することが可
能となる。
素子を構成する層の中から選択された層のみを有するという構成を採用することができる
。
このような構成を採用した場合には、有機ＥＬ素子を形成する過程において同時に検査
用素子を形成することが可能となる。したがって、容易に検査用素子を形成することが可
能となる。
次に、本発明の有機ＥＬ基板の検査方法は、発光層と電極層とを含む多層構造を有する
有機ＥＬ素子が基板の所定領域に複数形成される有機ＥＬ基板の検査方法であって、
上記基板上の所定領域外に、上記有機ＥＬ素子を構成する層のうち少なくとも一層を備
えかつ上記有機ＥＬ素子と異なる層構造を有する検査用素子を形成し、該検査用素子に電
流を流すことによって上記有機ＥＬ素子の検査を行うことを特徴とする。
有機ＥＬ素子が基板の所定領域に複数形成される有機ＥＬ基板の検査方法であって、
上記基板上の所定領域外に、上記有機ＥＬ素子を構成する層のうち少なくとも一層を備
えかつ上記有機ＥＬ素子と異なる層構造を有する検査用素子を形成し、該検査用素子に電
流を流すことによって上記有機ＥＬ素子の検査を行うことを特徴とする。
このような特徴を有する本発明の有機ＥＬ基板の検査方法では、基板の所定領域（有効
画素領域）に形成された有機ＥＬ素子を構成する層のうち少なくとも一層を備えかつ有機
ＥＬ素子と異なる層構造を有する検査用素子が、基板の所定領域外に形成され、この検査
用素子を検査することによって、基板の所定領域に形成された有機ＥＬ素子の検査が行わ
れる。
そして、このような検査用素子では、検査用素子が備える有機ＥＬ素子を構成する層の
特性をより正確に判別する環境を整えることができる。したがって、このような所定領域
に形成される有機ＥＬ素子と異なる層構造を有する検査用素子を検査した場合には、検査
用素子が備える有機ＥＬ素子を構成する層の特性をより正確に判別することが可能となる
。
したがって、本発明の有機ＥＬ基板の検査方法によれば、有機ＥＬ素子を構成するいず
れの層が不良であるかを正確に判別することが可能となる。
画素領域）に形成された有機ＥＬ素子を構成する層のうち少なくとも一層を備えかつ有機
ＥＬ素子と異なる層構造を有する検査用素子が、基板の所定領域外に形成され、この検査
用素子を検査することによって、基板の所定領域に形成された有機ＥＬ素子の検査が行わ
れる。
そして、このような検査用素子では、検査用素子が備える有機ＥＬ素子を構成する層の
特性をより正確に判別する環境を整えることができる。したがって、このような所定領域
に形成される有機ＥＬ素子と異なる層構造を有する検査用素子を検査した場合には、検査
用素子が備える有機ＥＬ素子を構成する層の特性をより正確に判別することが可能となる
。
したがって、本発明の有機ＥＬ基板の検査方法によれば、有機ＥＬ素子を構成するいず
れの層が不良であるかを正確に判別することが可能となる。
以下、図面を参照して、本発明に係る有機ＥＬ基板、有機ＥＬ装置、電子機器、有機Ｅ
Ｌ装置の製造方法及び有機ＥＬ基板の検査方法の一実施形態について説明する。なお、以
下の図面において、各部材を認識可能な大きさにするために、各部材の縮尺を適宜変更し
ている。
Ｌ装置の製造方法及び有機ＥＬ基板の検査方法の一実施形態について説明する。なお、以
下の図面において、各部材を認識可能な大きさにするために、各部材の縮尺を適宜変更し
ている。
（有機ＥＬ装置）
図１は、本実施形態の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置１を模式的に示した
図である。この図に示すように、有機ＥＬ装置１は、有機ＥＬ基板２と素子制御部３（制
御手段）とを備えている。
図１は、本実施形態の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置１を模式的に示した
図である。この図に示すように、有機ＥＬ装置１は、有機ＥＬ基板２と素子制御部３（制
御手段）とを備えている。
有機ＥＬ基板２の有効画素領域Ａ１には、複数の有機ＥＬ素子４（４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ）
が形成されている。なお、有機ＥＬ素子４のうち、４Ｒの符合にて示す有機ＥＬ素子が赤
色光を発光する有機ＥＬ素子であり、４Ｇの符合にて示す有機ＥＬ素子が緑色光を発光す
る有機ＥＬ素子であり、４Ｂの符合にて示す有機ＥＬ素子が青色光を発光する有機ＥＬ素
子である。そして、図１に示すように、有機ＥＬ基板２の有効画素領域Ａ１には、赤色光
を発光する有機ＥＬ素子４Ｒと、緑色光を発光する有機ＥＬ素子４Ｇと、青色光を発光す
る有機ＥＬ素子４Ｂとがアレイ状に配列されている。
が形成されている。なお、有機ＥＬ素子４のうち、４Ｒの符合にて示す有機ＥＬ素子が赤
色光を発光する有機ＥＬ素子であり、４Ｇの符合にて示す有機ＥＬ素子が緑色光を発光す
る有機ＥＬ素子であり、４Ｂの符合にて示す有機ＥＬ素子が青色光を発光する有機ＥＬ素
子である。そして、図１に示すように、有機ＥＬ基板２の有効画素領域Ａ１には、赤色光
を発光する有機ＥＬ素子４Ｒと、緑色光を発光する有機ＥＬ素子４Ｇと、青色光を発光す
る有機ＥＬ素子４Ｂとがアレイ状に配列されている。
図２は、有効画素領域Ａ１に形成される有機ＥＬ素子４の概略構成を模式的に示した断
面図である。
この図に示すように、有機ＥＬ素子４は、基板４１上に陽極４２（電極層）と、陰極４
７（電極層）とを有し、これら陽極４２と陰極４７との間に有機層４８を備えたものであ
る。陽極４２と陰極４７とには、素子制御部３（図１参照）が接続され、両電極４２，４
７に任意の電圧を印加可能になっている。有機層４８は、正孔注入層４３、発光層４６が
積層されて構成される。この有機ＥＬ素子４は、発光層４６で発光した光を基板４１側か
ら射出する、いわゆるボトムエミッション方式のものである。
面図である。
この図に示すように、有機ＥＬ素子４は、基板４１上に陽極４２（電極層）と、陰極４
７（電極層）とを有し、これら陽極４２と陰極４７との間に有機層４８を備えたものであ
る。陽極４２と陰極４７とには、素子制御部３（図１参照）が接続され、両電極４２，４
７に任意の電圧を印加可能になっている。有機層４８は、正孔注入層４３、発光層４６が
積層されて構成される。この有機ＥＬ素子４は、発光層４６で発光した光を基板４１側か
ら射出する、いわゆるボトムエミッション方式のものである。
基板４１は、ガラス基板等の透明基板上にＴＦＴ素子からなる駆動素子（図示略）や各
種配線（図示略）等を形成して構成されたもので、これら駆動素子や各種配線の上に絶縁
層や平坦化膜を介して陽極を形成したものである。なお、基板４１に適用可能な材料とし
ては、上記透明なガラス以外にも、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリアク
リレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの透明な合成樹脂などが挙げられ
る。特に、基板４１の形成材料としては、安価なソーダガラスが好適に用いられる。
種配線（図示略）等を形成して構成されたもので、これら駆動素子や各種配線の上に絶縁
層や平坦化膜を介して陽極を形成したものである。なお、基板４１に適用可能な材料とし
ては、上記透明なガラス以外にも、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリアク
リレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの透明な合成樹脂などが挙げられ
る。特に、基板４１の形成材料としては、安価なソーダガラスが好適に用いられる。
陽極４２は、基板４１上にパターニングされて形成され、かつＴＦＴ素子からなる駆動
素子や各種配線等と接続されたものである。本実施形態では、インジウム錫酸化物（Indi
um Tin Oxide：ＩＴＯ）からなるものを採用している。
素子や各種配線等と接続されたものである。本実施形態では、インジウム錫酸化物（Indi
um Tin Oxide：ＩＴＯ）からなるものを採用している。
なお、基板４１とは反対の側から発光を取り出す、いわゆるトップエミッション方式の
場合には、基板４１を構成する材料は不透明であってもよく、その場合、アルミナ等のセ
ラミック、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性
樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。この場合、陽極４２は遮光性や光反射性
の材料で形成することができる。
場合には、基板４１を構成する材料は不透明であってもよく、その場合、アルミナ等のセ
ラミック、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性
樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。この場合、陽極４２は遮光性や光反射性
の材料で形成することができる。
正孔注入層４３は、陽極４２上に形成されている。正孔注入層４３は、陽極４２から注
入した正孔を発光層４６に注入する。正孔注入層４３の形成材料としては、アリールアミ
ン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポリアニリン誘導体＋有機酸、ポリチオフェン誘導体
＋ポリマー酸等を用いることができる。
入した正孔を発光層４６に注入する。正孔注入層４３の形成材料としては、アリールアミ
ン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポリアニリン誘導体＋有機酸、ポリチオフェン誘導体
＋ポリマー酸等を用いることができる。
発光層４６は、正孔注入層４３上に形成されており、陰極４７から注入される電子と、
正孔注入層４３から注入される正孔が結合して所定帯域の波長の光を発光する。この発光
層の材料としては、具体的には、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘
導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導
体、ポリアニリン誘導体、ポリメチルフェニルシラン誘導体などのポリシラン系などの高
分子有機材料が好適に用いられる。
なお、赤色光を発光する有機ＥＬ素子４Ｒにおいては、赤色光を発光可能な材料が選択
されて発光層４６が形成され、緑色光を発光する有機ＥＬ素子４Ｇにおいては、緑色光を
発光可能な材料が選択されて発光層４６が形成され、青色光を発光する有機ＥＬ素子４Ｂ
においては、青色光を発光可能な材料が選択されて発光層４６が形成される。なお、以下
の説明において、赤色光を発光する有機ＥＬ素子４Ｒが備える発光層４６を赤色発光層４
６Ｒ、緑色光を発光する有機ＥＬ素子４Ｇが備える発光層４６を緑色発光層４６Ｇ、青色
光を発光する有機ＥＬ素子４Ｂが備える発光層４６を青色発光層４６Ｂと称する。
正孔注入層４３から注入される正孔が結合して所定帯域の波長の光を発光する。この発光
層の材料としては、具体的には、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘
導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導
体、ポリアニリン誘導体、ポリメチルフェニルシラン誘導体などのポリシラン系などの高
分子有機材料が好適に用いられる。
なお、赤色光を発光する有機ＥＬ素子４Ｒにおいては、赤色光を発光可能な材料が選択
されて発光層４６が形成され、緑色光を発光する有機ＥＬ素子４Ｇにおいては、緑色光を
発光可能な材料が選択されて発光層４６が形成され、青色光を発光する有機ＥＬ素子４Ｂ
においては、青色光を発光可能な材料が選択されて発光層４６が形成される。なお、以下
の説明において、赤色光を発光する有機ＥＬ素子４Ｒが備える発光層４６を赤色発光層４
６Ｒ、緑色光を発光する有機ＥＬ素子４Ｇが備える発光層４６を緑色発光層４６Ｇ、青色
光を発光する有機ＥＬ素子４Ｂが備える発光層４６を青色発光層４６Ｂと称する。
陰極４７は、発光層４６上にフッ化リチウム層と、カルシウム層と、アルミニウム層と
が積層されて形成されたものである。なお、有機ＥＬ素子４では、陰極４７を覆う封止部
材を設けることが好ましく、さらには、陽極４２と基板４１との間に、基板４１側から陽
極４２、陰極４７を含む有機層４８に対して大気が侵入するのを遮断するための封止層を
設けることもできる。光取り出し側に設ける封止層は、例えばセラミックや窒化珪素、酸
化窒化珪素、酸化珪素などの透明な材料により形成し、この中でも酸化窒化珪素が透明性
、ガスバリア性の観点から好ましい。なお、封止層の厚さは発光層４６から射出される光
の波長より小さくすることが好ましい（例えば０．１μｍ）。
が積層されて形成されたものである。なお、有機ＥＬ素子４では、陰極４７を覆う封止部
材を設けることが好ましく、さらには、陽極４２と基板４１との間に、基板４１側から陽
極４２、陰極４７を含む有機層４８に対して大気が侵入するのを遮断するための封止層を
設けることもできる。光取り出し側に設ける封止層は、例えばセラミックや窒化珪素、酸
化窒化珪素、酸化珪素などの透明な材料により形成し、この中でも酸化窒化珪素が透明性
、ガスバリア性の観点から好ましい。なお、封止層の厚さは発光層４６から射出される光
の波長より小さくすることが好ましい（例えば０．１μｍ）。
図１に戻り、有機ＥＬ基板２の有効画素領域Ａ１の外には、ダミー領域Ａ２が設けられ
ている。このダミー領域Ａ２は、有効画素領域Ａ１に形成された有機ＥＬ素子４を検査す
るために用いられる７つの検査用素子１０〜７０が形成されている。本実施形態において
は、これらの検査用素子１０〜７０の電気特性を測定し、その測定結果から有効画素領域
Ａ１に形成された有機ＥＬ素子４の良悪を判別する。この際、有機ＥＬ素子４の特性が悪
い場合には、有機ＥＬ素子４を構成するいずれの層に不良があるかを判別する。なお、検
査用素子１０〜７０には、有機ＥＬ素子４とは独立して配線が配設されている。
ている。このダミー領域Ａ２は、有効画素領域Ａ１に形成された有機ＥＬ素子４を検査す
るために用いられる７つの検査用素子１０〜７０が形成されている。本実施形態において
は、これらの検査用素子１０〜７０の電気特性を測定し、その測定結果から有効画素領域
Ａ１に形成された有機ＥＬ素子４の良悪を判別する。この際、有機ＥＬ素子４の特性が悪
い場合には、有機ＥＬ素子４を構成するいずれの層に不良があるかを判別する。なお、検
査用素子１０〜７０には、有機ＥＬ素子４とは独立して配線が配設されている。
図３〜図９は、検査用素子１０〜７０の概略構成を模式的に示した断面図である。
検査用素子１０は、図３に示すように、有機ＥＬ素子４が備える陽極４２と、有機ＥＬ
素子４が備える正孔注入層４３と、有機ＥＬ素子４が備える陰極４７と異なる層構造を有
する検査用陰極８０（例えば、アルミニウムの単層）とが積層された構造を有している。
検査用素子２０は、図４に示すように、有機ＥＬ素子４が備える陽極４２と、有機ＥＬ
素子４が備える正孔注入層４３と、赤色発光層４６Ｒと、有機ＥＬ素子４が備える陰極４
７と異なる層構造を有する検査用陰極８０とが積層された構造を有している。
検査用素子３０は、図５に示すように、有機ＥＬ素子４が備える陽極４２と、有機ＥＬ
素子４が備える正孔注入層４３と、緑色発光層４６Ｇと、有機ＥＬ素子４が備える陰極４
７と異なる層構造を有する検査用陰極８０とが積層された構造を有している。
検査用素子４０は、図６に示すように、有機ＥＬ素子４が備える陽極４２と、有機ＥＬ
素子４が備える正孔注入層４３と、青色発光層４６Ｂと、有機ＥＬ素子４が備える陰極４
７と異なる層構造を有する検査用陰極８０とが積層された構造を有している。
検査用素子５０は、図７に示すように、有機ＥＬ素子４が備える陽極４２と、赤色発光
層４６Ｒと、有機ＥＬ素子４が備える陰極４７とが積層された構造を有している。
検査用素子６０は、図８に示すように、有機ＥＬ素子４が備える陽極４２と、緑色発光
層４６Ｇと、有機ＥＬ素子４が備える陰極４７とが積層された構造を有している。
検査用素子７０は、図９に示すように、有機ＥＬ素子４が備える陽極４２と、青色発光
層４６Ｂと、有機ＥＬ素子４が備える陰極４７とが積層された構造を有している。
検査用素子１０は、図３に示すように、有機ＥＬ素子４が備える陽極４２と、有機ＥＬ
素子４が備える正孔注入層４３と、有機ＥＬ素子４が備える陰極４７と異なる層構造を有
する検査用陰極８０（例えば、アルミニウムの単層）とが積層された構造を有している。
検査用素子２０は、図４に示すように、有機ＥＬ素子４が備える陽極４２と、有機ＥＬ
素子４が備える正孔注入層４３と、赤色発光層４６Ｒと、有機ＥＬ素子４が備える陰極４
７と異なる層構造を有する検査用陰極８０とが積層された構造を有している。
検査用素子３０は、図５に示すように、有機ＥＬ素子４が備える陽極４２と、有機ＥＬ
素子４が備える正孔注入層４３と、緑色発光層４６Ｇと、有機ＥＬ素子４が備える陰極４
７と異なる層構造を有する検査用陰極８０とが積層された構造を有している。
検査用素子４０は、図６に示すように、有機ＥＬ素子４が備える陽極４２と、有機ＥＬ
素子４が備える正孔注入層４３と、青色発光層４６Ｂと、有機ＥＬ素子４が備える陰極４
７と異なる層構造を有する検査用陰極８０とが積層された構造を有している。
検査用素子５０は、図７に示すように、有機ＥＬ素子４が備える陽極４２と、赤色発光
層４６Ｒと、有機ＥＬ素子４が備える陰極４７とが積層された構造を有している。
検査用素子６０は、図８に示すように、有機ＥＬ素子４が備える陽極４２と、緑色発光
層４６Ｇと、有機ＥＬ素子４が備える陰極４７とが積層された構造を有している。
検査用素子７０は、図９に示すように、有機ＥＬ素子４が備える陽極４２と、青色発光
層４６Ｂと、有機ＥＬ素子４が備える陰極４７とが積層された構造を有している。
このように本実施形態においては、有機ＥＬ基板２のダミー領域Ａ２に、有効画素領域
Ａ１に形成された有機ＥＬ素子４を構成する層のうち少なくとも一層を備えかつ有機ＥＬ
素子４と異なる層構造を有する検査用素子１０〜７０が形成されている。
そして、検査用素子１０は、有機ＥＬ素子４と比較して発光層４６を備えずかつ陰極４
７と異なる層構造を有する検査用陰極８０を備えている。このため、検査用素子１０を用
いて、発光層４６の特性に影響されることなく正孔注入層４３の電気抵抗を測定すること
が可能となる。
また、検査用素子２０は、赤色発光層４６Ｒを備えるとともに有機ＥＬ素子４と比較し
て陰極４７と異なる層構造を有する検査用陰極８０を有している。このため、検査用素子
２０を用いて、赤色発光層４６Ｒの正孔輸送性を正確に測定することが可能となる。
また、検査用素子３０は、緑色発光層４６Ｇを備えるとともに有機ＥＬ素子４と比較し
て陰極４７と異なる層構造を有する検査用陰極８０を有している。このため、検査用素子
３０を用いて、緑色発光層４６Ｇの正孔輸送性を正確に測定することが可能となる。
また、検査用素子４０は、青色発光層４６Ｂを備えるとともに有機ＥＬ素子４と比較し
て陰極４７と異なる層構造を有する検査用陰極８０を有している。このため、検査用素子
４０を用いて、青色発光層４６Ｂの正孔輸送性を正確に測定することが可能となる。
また、検査用素子５０は、赤色発光層４６Ｒを備えかつ正孔注入層４３を有していない
。このため、検査用素子５０を用いて、正孔注入層４３の特性に影響されることなく、赤
色発光層４６Ｒの電子輸送性を測定することが可能となる。
また、検査用素子６０は、緑色発光層４６Ｇを備えかつ正孔注入層４３を有していない
。このため、検査用素子６０を用いて、正孔注入層４３の特性に影響されることなく、緑
色発光層４６Ｇの電子輸送性を測定することが可能となる。
また、検査用素子７０は、青色発光層４６Ｂを備えかつ正孔注入層４３を有していない
。このため、検査用素子７０を用いて、正孔注入層４３の特性に影響されることなく、青
色発光層４６Ｂの電子輸送性を測定することが可能となる。
Ａ１に形成された有機ＥＬ素子４を構成する層のうち少なくとも一層を備えかつ有機ＥＬ
素子４と異なる層構造を有する検査用素子１０〜７０が形成されている。
そして、検査用素子１０は、有機ＥＬ素子４と比較して発光層４６を備えずかつ陰極４
７と異なる層構造を有する検査用陰極８０を備えている。このため、検査用素子１０を用
いて、発光層４６の特性に影響されることなく正孔注入層４３の電気抵抗を測定すること
が可能となる。
また、検査用素子２０は、赤色発光層４６Ｒを備えるとともに有機ＥＬ素子４と比較し
て陰極４７と異なる層構造を有する検査用陰極８０を有している。このため、検査用素子
２０を用いて、赤色発光層４６Ｒの正孔輸送性を正確に測定することが可能となる。
また、検査用素子３０は、緑色発光層４６Ｇを備えるとともに有機ＥＬ素子４と比較し
て陰極４７と異なる層構造を有する検査用陰極８０を有している。このため、検査用素子
３０を用いて、緑色発光層４６Ｇの正孔輸送性を正確に測定することが可能となる。
また、検査用素子４０は、青色発光層４６Ｂを備えるとともに有機ＥＬ素子４と比較し
て陰極４７と異なる層構造を有する検査用陰極８０を有している。このため、検査用素子
４０を用いて、青色発光層４６Ｂの正孔輸送性を正確に測定することが可能となる。
また、検査用素子５０は、赤色発光層４６Ｒを備えかつ正孔注入層４３を有していない
。このため、検査用素子５０を用いて、正孔注入層４３の特性に影響されることなく、赤
色発光層４６Ｒの電子輸送性を測定することが可能となる。
また、検査用素子６０は、緑色発光層４６Ｇを備えかつ正孔注入層４３を有していない
。このため、検査用素子６０を用いて、正孔注入層４３の特性に影響されることなく、緑
色発光層４６Ｇの電子輸送性を測定することが可能となる。
また、検査用素子７０は、青色発光層４６Ｂを備えかつ正孔注入層４３を有していない
。このため、検査用素子７０を用いて、正孔注入層４３の特性に影響されることなく、青
色発光層４６Ｂの電子輸送性を測定することが可能となる。
例えば、検査用素子１０の電気特性を測定した結果が異常であった場合には、有機ＥＬ
素子４を構成する層のうち、正孔注入層４３に異常があることを判別することができる。
また、検査用素子１０〜７０のうち、検査用素子２０あるいは検査用素子５０の測定結
果に異常がある場合には、赤色発光層４６Ｒの正孔輸送性あるいは電子輸送性に異常があ
ることを判別することができる。
また、検査用素子１０〜７０のうち、検査用素子３０あるいは検査用素子６０の測定結
果に異常がある場合には、緑色発光層４６Ｇの正孔輸送性あるいは電子輸送性に異常があ
ることを判別することができる。
また、検査用素子１０〜７０のうち、検査用素子４０あるいは検査用素子７０の測定結
果に異常がある場合には、青色発光層４６Ｂの正孔輸送性あるいは電子輸送性に異常があ
ることを判別することができる。
素子４を構成する層のうち、正孔注入層４３に異常があることを判別することができる。
また、検査用素子１０〜７０のうち、検査用素子２０あるいは検査用素子５０の測定結
果に異常がある場合には、赤色発光層４６Ｒの正孔輸送性あるいは電子輸送性に異常があ
ることを判別することができる。
また、検査用素子１０〜７０のうち、検査用素子３０あるいは検査用素子６０の測定結
果に異常がある場合には、緑色発光層４６Ｇの正孔輸送性あるいは電子輸送性に異常があ
ることを判別することができる。
また、検査用素子１０〜７０のうち、検査用素子４０あるいは検査用素子７０の測定結
果に異常がある場合には、青色発光層４６Ｂの正孔輸送性あるいは電子輸送性に異常があ
ることを判別することができる。
このように、本実施形態においては、有機ＥＬ基板２のダミー領域Ａ２に形成された検
査用素子１０〜７０を検査することによって、有機ＥＬ素子４を構成するいずれの層が不
良であるかを正確に判別することが可能となる。
査用素子１０〜７０を検査することによって、有機ＥＬ素子４を構成するいずれの層が不
良であるかを正確に判別することが可能となる。
図１に戻り、素子制御部３は、有効画素領域Ａ１に形成された複数の有機ＥＬ素子４の
駆動、すなわち有機ＥＬ素子４の発光状態を制御するものである。そして、この素子制御
部３によって各有機ＥＬ素子４が制御され、これによって有効画素領域Ａ１にフルカラー
の画像が表示可能とされている。
駆動、すなわち有機ＥＬ素子４の発光状態を制御するものである。そして、この素子制御
部３によって各有機ＥＬ素子４が制御され、これによって有効画素領域Ａ１にフルカラー
の画像が表示可能とされている。
以上のような構成を有する本実施形態の有機ＥＬ装置１においては、有機ＥＬ基板２の
ダミー領域Ａ２に形成された検査用素子１０〜７０の電気特性を測定することによって、
有機ＥＬ基板２の有効画素領域Ａ１に形成された有機ＥＬ素子４の良悪を判別することが
できるとともに、有機ＥＬ素子４を構成するいずれの層に不良があるかを容易に判別する
ことが可能となる。
ダミー領域Ａ２に形成された検査用素子１０〜７０の電気特性を測定することによって、
有機ＥＬ基板２の有効画素領域Ａ１に形成された有機ＥＬ素子４の良悪を判別することが
できるとともに、有機ＥＬ素子４を構成するいずれの層に不良があるかを容易に判別する
ことが可能となる。
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、上記有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。当該有機ＥＬ装置１の製造工
程は、概ね基板処理工程、正孔注入層形成工程、発光層形成工程、陰極形成工程及び検査
工程等からなるものである。
次に、上記有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。当該有機ＥＬ装置１の製造工
程は、概ね基板処理工程、正孔注入層形成工程、発光層形成工程、陰極形成工程及び検査
工程等からなるものである。
＜基板処理工程＞
ガラスからなる基板４１上にＴＦＴ素子や各種配線等を形成し、さらに、層間絶縁層や
平坦化膜を形成した後、蒸着法等によってＩＴＯを成膜し、さらにパターニングすること
によって陽極４２を形成する。これにより、図１０に示すように、基板４１上に陽極４２
が形成される。この後、陽極４２が形成された基板４１を洗浄後、大気圧において酸素プ
ラズマ処理を行い、基板４１表面を親水性に改質する。これにより、陽極４２の仕事関数
を上げることができる。
このような基板処理工程によって、有機ＥＬ素子４の陽極４２及び検査用素子１０〜７
０の陽極４２が同時に形成される。
ガラスからなる基板４１上にＴＦＴ素子や各種配線等を形成し、さらに、層間絶縁層や
平坦化膜を形成した後、蒸着法等によってＩＴＯを成膜し、さらにパターニングすること
によって陽極４２を形成する。これにより、図１０に示すように、基板４１上に陽極４２
が形成される。この後、陽極４２が形成された基板４１を洗浄後、大気圧において酸素プ
ラズマ処理を行い、基板４１表面を親水性に改質する。これにより、陽極４２の仕事関数
を上げることができる。
このような基板処理工程によって、有機ＥＬ素子４の陽極４２及び検査用素子１０〜７
０の陽極４２が同時に形成される。
＜正孔注入層形成工程＞
次に、基板４１上にパターニングされた陽極４２上に、正孔注入層材料である３，４−
ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分
散液を含む液状体をインクジェット法により所定の膜厚（２０ｎｍ〜１００ｎｍ）で配置
し、乾燥・焼成を行って（２００℃で１０分間）、図１１に示すように正孔注入層４３を
形成する。
なお、本正孔注入層形成工程において、検査用素子５０，６０，７０には正孔注入層４
３を形成しない。このため、正孔注入層材料を配置する際に、検査用素子５０，６０，７
０に対応する箇所には、正孔注入層材料が配置されないようにパターニングする。このよ
うなパターンニングは、上述のようなインクジェット法を用いることによって容易に行う
ことができる。
このような正孔注入層形成工程によって、有機ＥＬ素子４の正孔注入層４３及び検査用
素子１０，２０，３０，４０の正孔注入層４３が同時に形成される。
次に、基板４１上にパターニングされた陽極４２上に、正孔注入層材料である３，４−
ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分
散液を含む液状体をインクジェット法により所定の膜厚（２０ｎｍ〜１００ｎｍ）で配置
し、乾燥・焼成を行って（２００℃で１０分間）、図１１に示すように正孔注入層４３を
形成する。
なお、本正孔注入層形成工程において、検査用素子５０，６０，７０には正孔注入層４
３を形成しない。このため、正孔注入層材料を配置する際に、検査用素子５０，６０，７
０に対応する箇所には、正孔注入層材料が配置されないようにパターニングする。このよ
うなパターンニングは、上述のようなインクジェット法を用いることによって容易に行う
ことができる。
このような正孔注入層形成工程によって、有機ＥＬ素子４の正孔注入層４３及び検査用
素子１０，２０，３０，４０の正孔注入層４３が同時に形成される。
＜発光層形成工程＞
次に、正孔注入層４３上に、発光層の形成材料を有機溶媒に溶解させた液状体をインク
ジェット法により所定の膜厚（５０ｎｍ〜２００ｎｍ）で配置した後、乾燥・窒素雰囲気
下で焼成（１３０℃で３０分間）を行って溶媒を蒸発させることで、図１２に示すように
発光層４６を形成する。
なお、本発光層形成工程では、有機ＥＬ素子４Ｒ及び検査用素子２０，５０に対応する
箇所に赤色発光層４６Ｒの形成材料を配置し、有機ＥＬ素子４Ｇ及び検査用素子３０，６
０に対応する箇所に緑色発光層４６Ｇの形成材料を配置し、有機ＥＬ素子４Ｂ及び検査用
素子４０，７０に対応する箇所に青色発光層４６Ｂの形成材料を配置する。そして、検査
用素子１０には発光層の形成材料を配置しない。このような各発光層の形成材料のパター
ニングも、上述のインクジェット法によって容易に行うことが可能となる。
このような発光層形成工程によって、有機ＥＬ素子４の発光層４６及び検査用素子２０
〜７０の発光層４６が同時に形成される。
次に、正孔注入層４３上に、発光層の形成材料を有機溶媒に溶解させた液状体をインク
ジェット法により所定の膜厚（５０ｎｍ〜２００ｎｍ）で配置した後、乾燥・窒素雰囲気
下で焼成（１３０℃で３０分間）を行って溶媒を蒸発させることで、図１２に示すように
発光層４６を形成する。
なお、本発光層形成工程では、有機ＥＬ素子４Ｒ及び検査用素子２０，５０に対応する
箇所に赤色発光層４６Ｒの形成材料を配置し、有機ＥＬ素子４Ｇ及び検査用素子３０，６
０に対応する箇所に緑色発光層４６Ｇの形成材料を配置し、有機ＥＬ素子４Ｂ及び検査用
素子４０，７０に対応する箇所に青色発光層４６Ｂの形成材料を配置する。そして、検査
用素子１０には発光層の形成材料を配置しない。このような各発光層の形成材料のパター
ニングも、上述のインクジェット法によって容易に行うことが可能となる。
このような発光層形成工程によって、有機ＥＬ素子４の発光層４６及び検査用素子２０
〜７０の発光層４６が同時に形成される。
＜陰極形成工程＞
次に、発光層４６上に真空蒸着法で、フッ化リチウム、カルシウム、アルミニウムを順
次積層させて、図１３に示すようにフッ化リチウム層、カルシウム層、アルミニウム層か
らなる陰極４７を形成する。
なお、陰極形成工程では、検査用素子１０，２０，３０，４０には、フッ化リチウム及
びカルシウムの層は形成せずにアルミニウムの層のみを形成する。これによって、検査用
素子１０には、アルミニウム単層の検査用陰極８０が形成される。なお、検査用素子１０
，２０，３０，４０以外に対応する箇所にフッ化リチウム及びカルシウムの層を真空蒸着
法で形成する場合には、検査用素子１０，２０，３０，４０に対応する箇所にマスクをす
ることによって、検査用素子１０，２０，３０，４０に対応する箇所を避けてフッ化リチ
ウム及びカルシウムの層を形成することができる。
次に、発光層４６上に真空蒸着法で、フッ化リチウム、カルシウム、アルミニウムを順
次積層させて、図１３に示すようにフッ化リチウム層、カルシウム層、アルミニウム層か
らなる陰極４７を形成する。
なお、陰極形成工程では、検査用素子１０，２０，３０，４０には、フッ化リチウム及
びカルシウムの層は形成せずにアルミニウムの層のみを形成する。これによって、検査用
素子１０には、アルミニウム単層の検査用陰極８０が形成される。なお、検査用素子１０
，２０，３０，４０以外に対応する箇所にフッ化リチウム及びカルシウムの層を真空蒸着
法で形成する場合には、検査用素子１０，２０，３０，４０に対応する箇所にマスクをす
ることによって、検査用素子１０，２０，３０，４０に対応する箇所を避けてフッ化リチ
ウム及びカルシウムの層を形成することができる。
＜検査工程＞
次に、上記工程によって有機ＥＬ基板２に形成された検査用素子１０〜７０に電流を流
すことによって有機ＥＬ基板２の有効画素領域Ａ１に形成された有機ＥＬ素子４の検査（
有機ＥＬ基板の検査方法）を行う。
ここで、上述のように、検査用素子１０の電気特性を測定した結果が異常であった場合
には、有機ＥＬ素子４を構成する層のうち、正孔注入層４３に異常があることを判別する
ことができる。また、検査用素子１０〜７０のうち、検査用素子２０あるいは検査用素子
５０の測定結果に異常がある場合には、赤色発光層４６Ｒの正孔輸送性あるいは電子輸送
性に異常があることを判別することができる。また、検査用素子１０〜７０のうち、検査
用素子３０あるいは検査用素子６０の測定結果に異常がある場合には、緑色発光層４６Ｇ
の正孔輸送性あるいは電子輸送性に異常があることを判別することができる。また、検査
用素子１０〜７０のうち、検査用素子４０あるいは検査用素子７０の測定結果に異常があ
る場合には、青色発光層４６Ｂの正孔輸送性あるいは電子輸送性に異常があることを判別
することができる。
次に、上記工程によって有機ＥＬ基板２に形成された検査用素子１０〜７０に電流を流
すことによって有機ＥＬ基板２の有効画素領域Ａ１に形成された有機ＥＬ素子４の検査（
有機ＥＬ基板の検査方法）を行う。
ここで、上述のように、検査用素子１０の電気特性を測定した結果が異常であった場合
には、有機ＥＬ素子４を構成する層のうち、正孔注入層４３に異常があることを判別する
ことができる。また、検査用素子１０〜７０のうち、検査用素子２０あるいは検査用素子
５０の測定結果に異常がある場合には、赤色発光層４６Ｒの正孔輸送性あるいは電子輸送
性に異常があることを判別することができる。また、検査用素子１０〜７０のうち、検査
用素子３０あるいは検査用素子６０の測定結果に異常がある場合には、緑色発光層４６Ｇ
の正孔輸送性あるいは電子輸送性に異常があることを判別することができる。また、検査
用素子１０〜７０のうち、検査用素子４０あるいは検査用素子７０の測定結果に異常があ
る場合には、青色発光層４６Ｂの正孔輸送性あるいは電子輸送性に異常があることを判別
することができる。
このように、本検査工程において、有機ＥＬ基板２のダミー領域Ａ２に形成された検査
用素子１０〜７０を検査することによって、有機ＥＬ素子４を構成するいずれの層が不良
であるかを正確に判別することが可能となる。このため、不良が発生した原因を迅速に究
明し、次回以降の有機ＥＬ装置の製造工程にフィードバックすることが可能となる。
用素子１０〜７０を検査することによって、有機ＥＬ素子４を構成するいずれの層が不良
であるかを正確に判別することが可能となる。このため、不良が発生した原因を迅速に究
明し、次回以降の有機ＥＬ装置の製造工程にフィードバックすることが可能となる。
そして、検査工程において不良が発見されない場合には、封止工程を行うとともに素子
制御部３と有機ＥＬ基板２とを電気的に接続することによって、有機ＥＬ装置１が製造さ
れる。
制御部３と有機ＥＬ基板２とを電気的に接続することによって、有機ＥＬ装置１が製造さ
れる。
なお、検査工程において不良が発見されなかった場合には、有機ＥＬ基板２のダミー領
域Ａ２を有機ＥＬ基板２から切り離しても良い。これによって、有機ＥＬ基板２のサイズ
を小さくすることが可能となり、小型の有機ＥＬ装置１を製造することが可能となる。
域Ａ２を有機ＥＬ基板２から切り離しても良い。これによって、有機ＥＬ基板２のサイズ
を小さくすることが可能となり、小型の有機ＥＬ装置１を製造することが可能となる。
このような本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法によれば、検査用素子４０を検査する
ことによって、有機ＥＬ素子を構成するいずれの層に不良があるかを判別することが可能
となる。
ことによって、有機ＥＬ素子を構成するいずれの層に不良があるかを判別することが可能
となる。
また、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法においては、検査用素子１０〜７０は、有
機ＥＬ素子４を構成する層の組合わせによって構成されている。すなわち、有機ＥＬ素子
を構成する層の中から選択された層のみによって検査用素子１０〜７０が構成されている
。このため、検査用素子１０〜７０を形成するために新たな工程を設ける必要がなく、有
機ＥＬ素子４を形成する過程において検査用素子１０〜７０を形成することができる。
機ＥＬ素子４を構成する層の組合わせによって構成されている。すなわち、有機ＥＬ素子
を構成する層の中から選択された層のみによって検査用素子１０〜７０が構成されている
。このため、検査用素子１０〜７０を形成するために新たな工程を設ける必要がなく、有
機ＥＬ素子４を形成する過程において検査用素子１０〜７０を形成することができる。
（電子機器）
次に、上記有機ＥＬ装置を利用した電子機器の一実施形態について説明する。
図１４は、本発明の有機ＥＬ装置を携帯電話に適用した例を示す斜視図であり、携帯電
話１３００は、本発明の有機ＥＬ装置を小サイズの表示部１３０１として備える。携帯電
話１３００は、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備え
て構成されている。このような携帯電話は、本発明の有機ＥＬ装置を表示部１３０１に備
えたものであるため、有機ＥＬ素子４を構成するいずれの層に不良があるかを容易に判別
することが可能となる。
次に、上記有機ＥＬ装置を利用した電子機器の一実施形態について説明する。
図１４は、本発明の有機ＥＬ装置を携帯電話に適用した例を示す斜視図であり、携帯電
話１３００は、本発明の有機ＥＬ装置を小サイズの表示部１３０１として備える。携帯電
話１３００は、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備え
て構成されている。このような携帯電話は、本発明の有機ＥＬ装置を表示部１３０１に備
えたものであるため、有機ＥＬ素子４を構成するいずれの層に不良があるかを容易に判別
することが可能となる。
なお、電子機器としては、上述した携帯電話の例に加えて、他の例として、腕時計、モ
バイル型コンピュータ、テレビ、ビューファインダ型やモニタ直視型のビデオテープレコ
ーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワーク
ステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。本
発明の有機ＥＬ装置は、こうした電子機器の表示部としても適用できる。また、照明装置
やプリンタヘッド等の光源としても用いることが可能である。
バイル型コンピュータ、テレビ、ビューファインダ型やモニタ直視型のビデオテープレコ
ーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワーク
ステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。本
発明の有機ＥＬ装置は、こうした電子機器の表示部としても適用できる。また、照明装置
やプリンタヘッド等の光源としても用いることが可能である。
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る有機ＥＬ基板、有機ＥＬ装置、電子機器、
有機ＥＬ装置の製造方法及び有機ＥＬ基板の検査方法の好適な実施形態について説明した
が、本発明は上記実施形態に限定されないことは言うまでもない。上述した実施形態にお
いて示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱し
ない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
有機ＥＬ装置の製造方法及び有機ＥＬ基板の検査方法の好適な実施形態について説明した
が、本発明は上記実施形態に限定されないことは言うまでもない。上述した実施形態にお
いて示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱し
ない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
例えば、上記実施形態においては、検査用素子の陽極として、有機ＥＬ素子と同様にＩ
ＴＯからなる電極層を用いた。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、
検査用素子の陽極として、ＩＴＯよりも導電率の高い金属（例えば、ニッケルやアルミニ
ウム等）を用いても良い。
このような場合には、検査用素子の陽極を形成するために、あらたな工程を行う必要が
あるが、より正確に発光層や正孔注入層の電気特性を測定することが可能となる。
ＴＯからなる電極層を用いた。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、
検査用素子の陽極として、ＩＴＯよりも導電率の高い金属（例えば、ニッケルやアルミニ
ウム等）を用いても良い。
このような場合には、検査用素子の陽極を形成するために、あらたな工程を行う必要が
あるが、より正確に発光層や正孔注入層の電気特性を測定することが可能となる。
１……有機ＥＬ装置、２……有機ＥＬ基板、３……素子制御部（制御手段）、４，４Ｒ
，４Ｇ，４Ｂ……有機ＥＬ素子、４１……基板、４２……陽極（電極層）、４３……正孔
注入層、４６……発光層、４７……陰極（電極層）、４８……有機層、１０，２０，３０
，４０，５０，６０，７０……検査用素子、８０……検査用陰極、Ａ１……有効画素領域
、Ａ２……ダミー領域
，４Ｇ，４Ｂ……有機ＥＬ素子、４１……基板、４２……陽極（電極層）、４３……正孔
注入層、４６……発光層、４７……陰極（電極層）、４８……有機層、１０，２０，３０
，４０，５０，６０，７０……検査用素子、８０……検査用陰極、Ａ１……有効画素領域
、Ａ２……ダミー領域
Claims (10)
- 発光層と電極層とを含む多層構造を有する有機ＥＬ素子が基板の所定領域に複数形成され
る有機ＥＬ基板であって、
前記基板上の所定領域外に、前記有機ＥＬ素子を構成する層のうち少なくとも一層を備
えかつ前記有機ＥＬ素子と異なる層構造を有する検査用素子が形成されていることを特徴
とする有機ＥＬ基板。 - 前記有機ＥＬ素子が前記発光層と該発光層と異なる有機層とを備え、前記検査用素子は、
前記発光層及び前記電極層のみを有することを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ基板。 - 前記有機ＥＬ素子が前記発光層と該発光層と異なる有機層とを備え、前記検査用素子は、
前記有機層及び前記電極層のみを有することを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ基板。 - 前記検査用素子は、前記有機ＥＬ素子が有する前記発光層と前記有機ＥＬ素子が有する前
記電極層と異なる層構造を有する検査用陰極層とを備えることを特徴とする請求項１記載
の有機ＥＬ基板。 - 前記有機ＥＬ素子が前記発光層と該発光層と異なる有機層とを備え、前記検査用素子は、
前記有機層と前記有機ＥＬ素子が有する前記電極層と異なる層構造を有する検査用陰極層
とを備えることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ基板。 - 請求項１〜５いずれかに記載の有機ＥＬ基板と、該有機ＥＬ基板に形成される前記有機Ｅ
Ｌ素子の駆動を制御する制御手段とを備えることを特徴とする有機ＥＬ装置。 - 請求項６記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。
- 発光層と電極層とを含む多層構造を有する有機ＥＬ素子が基板の所定領域に複数形成され
る有機ＥＬ基板と、該有機ＥＬ基板に形成される前記有機ＥＬ素子の駆動を制御する制御
手段とを備える有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記基板上の所定領域外に、前記有機ＥＬ素子を構成する層のうち少なくとも一層を備
えかつ前記有機ＥＬ素子と異なる層構造を有する検査用素子を形成する工程と、
前記検査用素子に電流を流すことによって前記有機ＥＬ素子の検査を行う工程と
を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。 - 前記検査用素子は、前記有機ＥＬ素子を構成する層の中から選択された層のみを有するこ
とを特徴とする請求項８記載の有機ＥＬ装置の製造方法。 - 発光層と電極層とを含む多層構造を有する有機ＥＬ素子が基板の所定領域に複数形成され
る有機ＥＬ基板の検査方法であって、
前記基板上の所定領域外に、前記有機ＥＬ素子を構成する層のうち少なくとも一層を備
えかつ前記有機ＥＬ素子と異なる層構造を有する検査用素子を形成し、該検査用素子に電
流を流すことによって前記有機ＥＬ素子の検査を行うことを特徴とする有機ＥＬ基板の検
査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006047883A JP2007227204A (ja) | 2006-02-24 | 2006-02-24 | 有機ｅｌ基板、有機ｅｌ装置、電子機器、有機ｅｌ装置の製造方法及び有機ｅｌ基板の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006047883A JP2007227204A (ja) | 2006-02-24 | 2006-02-24 | 有機ｅｌ基板、有機ｅｌ装置、電子機器、有機ｅｌ装置の製造方法及び有機ｅｌ基板の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007227204A true JP2007227204A (ja) | 2007-09-06 |
Family
ID=38548818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006047883A Withdrawn JP2007227204A (ja) | 2006-02-24 | 2006-02-24 | 有機ｅｌ基板、有機ｅｌ装置、電子機器、有機ｅｌ装置の製造方法及び有機ｅｌ基板の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2007227204A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011187408A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-22 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法 |
| JP2014041712A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-03-06 | National Institute For Materials Science | 有機ｅｌ素子の製造装置及び方法、ｃｖｄ薄膜の製造装置及び方法 |
-
2006
- 2006-02-24 JP JP2006047883A patent/JP2007227204A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011187408A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-22 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法 |
| JP2014041712A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-03-06 | National Institute For Materials Science | 有機ｅｌ素子の製造装置及び方法、ｃｖｄ薄膜の製造装置及び方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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