JP2007225841A - 偏光子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】紫外領域の照明光1を偏光させるための偏光子10であって、異方性光学結晶材料である方解石が入射方向に対して厚さdに形成されてなり、異方性光学結晶材料には、深紫外領域において異常光線と常光線の吸収係数(αe,αo)に所定の差を生じる光学材料が選択された。異方性光学結晶材料は、深紫外領域に吸収端を有し、吸収端付近の異方性吸収により異常光線と常光線の吸収係数に所定の差を生じるものが選択された。
【選択図】図4
Description
一般に偏光子は、プリズム型の偏光子(グラントムソン型,グランテーラ型,ローションプリズム型等)と、プレート型の偏光子(2色性偏光子,複屈折型,ワイヤーグリッド型)とに大別される。プリズム型の偏光子は、偏光性能が高いが、入射光の入射角が制限されると共に厚みが大きくなるため、上記偏光子として採用することができない。
短波長用のプレート型の偏光子は、例えば特許文献1で紫外線偏光フィルムとして提案されているが、この偏光フィルムは波長250nm以上の照明光に適用されるものであり、深紫外領域の照明光に用いることはできなかった。
また、具体的には、前記異方性光学結晶材料として方解石を用いることができる。
図1〜図6は本発明の一実施形態に係るものであり、図1は偏光子の説明図、図2は方解石の屈折率および吸収係数と波長との関係を示すグラフ、図3は図2の一部を拡大したグラフ、図4は方解石で形成した偏光子の0.193μmにおける透過光透過率および消光比と厚さとの関係を示すグラフ、図5は方解石で形成した偏光子の0.157μmにおける透過光透過率および消光比と厚さとの関係を示すグラフ、図6は偏光子を方解石で厚さ60μmに形成した場合の透過光透過率と波長との関係を示すグラフである。図7は改変例に係る偏光子の説明図である。
次述のように、本例の偏光子10では、照明光1の常光線,異常光線のうち、常光線は吸収され、異常光線のみが略透過可能となっている。
[数1]
α=K・4π/λ(ただし、λは波長)
ここで、常光線の吸収係数をαo,異常光線の吸収係数をαeとしたとき、一般に方解石に限らず異方性結晶材料で偏光子10を形成した場合の透過光透過率T,消光比E(dB),厚さdの関係は以下のようになる。ただし、透過光透過率Tは0〜1の値,消光比Eは0を含む正の値,eは自然対数の底である。
[数2]
αe<αoの場合
E/{10・(αo−αe)・log(e)}<d<ln(T)/(−αe)
[数3]
αe>αoの場合
E/{10・(αe−αo)・log(e)}<d<ln(T)/(−αo)
[数4]
αe<αoの場合
1/{(αo−αe)・log(e)}<d<ln(0.1)/(−αe)
[数5]
αe>αoの場合
1/{(αe−αo)・log(e)}<d<ln(0.1)/(−αo)
なお、図4,図5では透過光透過率Tをパーセント表示しており、消光比Eは負の値をとるように表示している(絶対値としては同じ)。消光比Eは縦軸の下側ほど高性能となる。
[数2]によれば、所望の透過光透過率T,消光比Eを設定した場合に、曲線Geよりも縦軸において上側かつ曲線Hよりも縦軸において下側となる厚さdの範囲が決定され、曲線Ieよりも縦軸において上側かつ曲線Jよりも縦軸において下側となる厚さdの範囲が決定される。すなわち、透過光透過率Tを設定することにより厚さdの下限値が決定され、消光比Eを設定することにより厚さdの上限値が決定される。
[数6]
29.5(μm)<d<88.4(μm)
したがって、本例の偏光子10を形成するには、まず、偏光子10に偏光させる深紫外領域の照明光1の波長を設定すると共に、所望の透過光透過率T,消光比Eを設定する。これら設定した透過光透過率T,消光比Eと、選択した異方性光学結晶の設定波長における吸収係数αo,αeを、吸収係数の大小に応じて[数2]または[数3]に代入することにより、厚さdの範囲を決定する。
さらに、決定された厚さdの範囲から適宜に厚さを決定し、この決定した厚さとなるように異方性光学結晶を研磨する。このとき、吸収軸を入射面と略平行となるように設定する。このようにして、偏光子10を形成することができる。
なお、図4から厚さdを60(μm)とした場合、波長0.193(μm)のときの消光比Eは、20dB程度である。
なお、本例では、偏光子10を構成する異方性光学結晶材料として、波長0.193(μm)付近で異方性吸収を示す方解石を用いた例を示したが、これに限らず、異方性光学結晶材料として、例えば波長0.193(μm)付近ではBBO(BaB2O4)を用いてもよい。また、波長0.157(μm)付近では方解石の他、水晶(α‐SiO2),Li2B4O7,LiB3O5,サファイア(Al2O3)を用いてもよい。
このように吸収軸10bが入射面10aに対して傾けて設定されている場合、常光吸収係数αoは傾斜角度θに依存しないが、異常光吸収係数αeは傾斜角度θに依存する。傾斜角度θのときの異常光吸収係数をαe(θ)と表記する。なお、傾斜角度θ=90°のときは異常光吸収係数αe(90°)となるが、このときに最も効果的に吸収が行われる。
この測定例では、方解石を厚さd(=60μm)に形成した偏光子10に、波長λ(=193nm)の照明光1を入射角θ0(θ0=0°,20°)で入射させた。この結果を[表1]に示す。
10・・偏光子
10a・・入射面
10b・・吸収軸
Claims (5)
- 紫外領域の入射光を偏光させるための偏光子であって、
異方性光学結晶材料が入射方向に対して所定厚さに形成されてなり、
前記異方性光学結晶材料には、深紫外領域において異常光線と常光線の吸収係数に所定の差を生じる光学材料が選択されたことを特徴とする偏光子。 - 前記異方性光学結晶材料は、深紫外領域に吸収端を有する光学材料が選択され、吸収端付近の異方性吸収により異常光線と常光線の吸収係数に所定の差を生じることを特徴とする請求項1に記載の偏光子。
- 異常光線の吸収係数をαe,常光線の吸収係数をαoとしたときに、消光比E,透過光透過率T,入射方向厚さdが、
(a)αe<αoの場合:
E/{10・(αo−αe)・log(e)}<d<ln(T)/(−αe)、
(b)αe>αoの場合:
E/{10・(αe−αo)・log(e)}<d<ln(T)/(−αo)、
(ただし、eは自然対数の底を表わす)
の関係を満たすことを特徴とする請求項1に記載の偏光子。 - 前記異方性光学結晶材料は、その吸収軸が入射面と略平行に設定されたことを特徴とする請求項1に記載の偏光子。
- 前記異方性光学結晶材料として方解石を用いたことを特徴とする請求項1に記載の偏光子。
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