JP2007217733A - プラズマ処理方法、及び、プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマ処理するウェハ16を静電チャック18上に載置した後、不活性ガスを供給し、不活性ガスにRFパワーを掛けることでプラズマを形成し、プラズマからの輻射熱を用いて処理前にウェハ16を加熱し、ウェハ16の温度がプラズマ処理時のウェハ熱平衡温度に達したときに、静電チャック18にウェハ16を吸着させて保持し、プラズマ処理ガスを導入してプラズマ処理を行う。
【選択図】図2
Description
プラズマ処理対象であるウェハを密閉空間を形成するチャンバの内部の静電チャックからなる保持手段に保持させ、前記チャンバ内部に不活性ガス、又は、プラズマ処理ガスのうち少なくとも一方を供給し、RF電源から供給されるRFパワーに基づき前記チャンバ内にRF周波数の電磁波を入射して前記不活性ガス、又は、前記プラズマ処理ガスのうち少なくとも一方のプラズマを形成し、前記ウェハをプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
プラズマ処理するウェハを静電チャック上に載置した後、不活性ガスを供給し、前記不活性ガスにRFパワーを掛けることでプラズマを形成し、前記プラズマからの輻射熱を用いて処理前にウェハを加熱し、前記ウェハの温度がプラズマ処理時のウェハ熱平衡温度に達したときに、静電チャックにウェハを吸着させて保持し、プラズマ処理ガスを導入してプラズマ処理を行う
ことを特徴とする。
プラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
プラズマ処理対象であるウェハを保持して冷却するウェハ保持手段と、
前記ウェハにバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段と、
前記プラズマ発生手段とウェハ保持手段とバイアス電圧印加手段とを制御して、前記ウェハを前記プラズマ発生手段で発生させたプラズマで昇温させ、前記ウェハの温度がプラズマ処理時の前記ウェハの熱平衡温度に達したとき、前記ウェハ保持部材で前記ウェハを保持して冷却し、前記バイアス電圧印加手段で前記ウェハにバイアス電圧を印加してプラズマ処理を行わせる制御手段とを備えた
ことを特徴とする。
11 真空容器(チャンバ)
12 プラズマ
13 RFアンテナ
14 RF電源
15 ガスノズル
16 ウェハ
17 支持台
18 静電チャック
19 電極
20 静電チャック電源
21 LF電源
22 冷媒流路
23 昇降機構
24 表面凹凸状静電チャック
25 凹部
26 凸部
Claims (13)
- プラズマ処理対象であるウェハを密閉空間を形成するチャンバの内部の静電チャックからなる保持手段に保持させ、前記チャンバ内部に不活性ガス、又は、プラズマ処理ガスのうち少なくとも一方を供給し、RF電源から供給されるRFパワーに基づき前記チャンバ内にRF周波数の電磁波を入射して前記不活性ガス、又は、前記プラズマ処理ガスのうち少なくとも一方のプラズマを形成し、前記ウェハをプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
プラズマ処理するウェハを静電チャック上に載置した後、不活性ガスを供給し、前記不活性ガスにRFパワーを掛けることでプラズマを形成し、前記プラズマからの輻射熱を用いて処理前にウェハを加熱し、前記ウェハの温度がプラズマ処理時のウェハ熱平衡温度に達したときに、静電チャックにウェハを吸着させて保持し、プラズマ処理ガスを導入してプラズマ処理を行う
ことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1に記載するプラズマ処理方法において、
前記不活性ガスにRF電源から供給するRFパワーはプラズマ処理時と同じ出力である
ことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1に記載するプラズマ処理方法において、
前記不活性ガスにRF電源から供給するRFパワーはプラズマ処理時より高い出力である
ことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載するプラズマ処理方法において、
前記ウェハを前記ウェハ保持手段に保持させる前にプラズマ処理を開始し、前記ウェハの温度がプラズマ処理時の前記ウェハの熱平衡温度に達したときに前記ウェハを前記ウェハ保持手段に保持させる
ことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載するプラズマ処理方法において、
前記ウェハをプラズマ処理時よりプラズマ領域に接近させて昇温させる
ことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載するプラズマ処理方法において、
前記ウェハの温度を非接触で測定する
ことを特徴とするプラズマ処理方法。 - プラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
プラズマ処理対象であるウェハを保持して冷却するウェハ保持手段と、
前記ウェハにバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段と、
前記プラズマ発生手段とウェハ保持手段とバイアス電圧印加手段とを制御して、前記ウェハを前記プラズマ発生手段で発生させたプラズマで昇温させ、前記ウェハの温度がプラズマ処理時の前記ウェハの熱平衡温度に達したとき、前記ウェハ保持部材で前記ウェハを保持して冷却し、前記バイアス電圧印加手段で前記ウェハにバイアス電圧を印加してプラズマ処理を行わせる制御手段とを備えた
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項7に記載するプラズマ処理装置において、
前記制御手段は、前記ウェハを昇温させるときの前記プラズマ発生手段の出力をプラズマ処理時と同じ出力とする
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項7に記載するプラズマ処理装置において、
前記制御手段は、前記ウェハを昇温させるときの前記プラズマ発生手段の出力をプラズマ処理時より高い出力とする
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項7ないし請求項9のいずれかに記載するプラズマ処理装置において、
前記制御手段は、前記ウェハ保持部材で前記ウェハを保持して冷却する前に、前記バイアス電圧印加手段で前記ウェハにバイアス電圧を印加してプラズマ処理を行う
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項7ないし請求項10のいずれかに記載するプラズマ処理装置において、
前記ウェハ保持手段の高さを昇降させる昇降手段を備え、
前記制御手段は、前記昇降手段を上昇させて前記ウェハをプラズマ処理時よりプラズマ領域に接近させて昇温する
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項7ないし請求項11のいずれかに記載するプラズマ処理装置において、
前記ウェハの温度を非接触で測定する測定装置を備えた
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項7ないし請求項12のいずれかに記載するプラズマ処理装置において、
前記ウェハ保持手段は表面が凹凸状である
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
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