JP2007211264A - Ito焼結体およびitoスパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】主結晶粒であるIn2O3母相内に存在する微細粒子の最大径の平均値が0.2μm未満であるITO焼結体、あるいは、主結晶粒であるIn2O3母相の粒界からの微細粒子フリーゾーンの幅の平均値が0.3μm未満であるITO焼結体、あるいは、主結晶粒であるIn2O3母相内に存在する微細粒子の最大径の平均値が0.2μm未満であり、かつ、該In2O3母相の粒界からの微細粒子フリーゾーンの幅の平均値が0.3μm未満であるITO焼結体。
【選択図】図1
Description
本発明に係るITO焼結体は、主結晶粒であるIn2O3母相内に存在する微細粒子の最大径の平均値が0.2μm未満であることを特徴としている。
また、本発明に係るITO焼結体は、主結晶粒であるIn2O3母相内に存在する微細粒子の最大径の平均値が0.2μm未満であり、かつ、該In2O3母相の粒界からの微細粒子フリーゾーンの幅の平均値が0.3μm未満であることを特徴としている。
また、本発明に係るITOスパッタリングターゲットは、前記ITO焼結体と、バッキングプレートとを備えてなることを特徴としている。
本発明に係るITO焼結体は、(1)主結晶粒であるIn2O3母相内に存在する微細粒子の最大径の平均値が0.2μm未満であるか、あるいは、(2)主結晶粒であるIn2
O3母相の粒界からの微細粒子フリーゾーンの幅の平均値が0.3μm未満であるか、あ
るいは、(3)主結晶粒であるIn2O3母相内に存在する微細粒子の最大径の平均値が0.2μm未満であり、かつ、該In2O3母相の粒界からの微細粒子フリーゾーンの幅の平均値が0.3μm未満であることを特徴としている。
鏡面に仕上げた後、40℃のエッチング液(硝酸(60〜61%水溶液、関東化学(株)製、硝酸1.38 鹿1級 製品番号28161-03)、塩酸(35.0〜37.0%水溶液、関東化学(株)製、塩酸 鹿1級 製品番号18078-01)および水を体積比でHCl:H2O:HNO3=1:1:0.08の割合で混合)に9分間浸漬してエッチングし、現れる面の任意の2μm×2μmの領域(ただし、粒界、粒界に沿った状態で存在する化合物相、後に定義するフリーゾーンのい
ずれをも含まない領域)において観察される、微細粒子の最大径の平均値をいう。なお、微細粒子の最大径とは、観察される微細粒子断面の任意の2点を結ぶ直線(径)のうち最大のものをいうものとする。微細粒子の観察は、SEM(走査型電子顕微鏡)によって行なう(倍率30,000倍)。なお、In2O3母相内に存在する微細粒子は、そのSEM像からIn2O3とは異種の化合物であると考えられ、おそらくはIn4Sn3O12であると推測される。
本発明の一態様のITO焼結体は、(1)主結晶粒であるIn2O3母相内に存在する微細粒子の最大径の平均値が0.2μm未満、好ましくは0.15μm以下、より好ましくは0.15〜0.01μmの範囲にあるITO焼結体である。上記微細粒子の最大径の平均値が0.2μm未満、好ましくは上記数値以下、より好ましくは上記範囲内であると、In2O3母相内に存在する微細粒子が極めて小さいため、該ITO焼結体をスパッタリングターゲットとして用いてスパッタリングをした場合に、安定したスパッタリングが期待できる。また、微細粒子が上記よりも大きくなると電子の流れを阻害し、得られるITO焼結体の抵抗率が大きくなってしまう恐れがある。
具体的には、酸化インジウム(In2O3)、酸化錫(SnO2)などの原料粉末を所望
の割合で混合し、必要に応じてバインダーを加えて、圧縮成形して成形体を得て、得られた成形体を必要に応じて脱脂するまでの工程は、通常行われている公知の手段および条件によって行うことができる。なお、本明細書中、ITOとは、通常、酸化インジウム(In2O3)に1〜35重量%の酸化スズ(SnO2)を添加して得られた材料を意味する。
形法のように、セラミックス原料スラリーから水分を減圧排水して成形体を得るための非水溶性材料からなる濾過式成形型に、混合した原料粉末、イオン交換水、有機添加剤とからなるスラリーを注入し、スラリー中の水分を減圧排水して成形体を作製し、この成形体を乾燥脱脂してもよい。
焼成処理は、通常、加熱工程、保温工程および冷却工程からなる。焼成処理に使用できる炉は、公知の構造の炉であればよく特に限定されない。
の平均値を0.3μm未満に制御できる。なお、上記降温レートが300℃/hourを
超えると、焼結体の割れが発生する確率が高くなり、生産効率上好ましくない。
00m3/hourの範囲内の量である。
さらに、前記ITO焼結体と、冷却板であるバッキングプレートとを接合することで、ITOスパッタリングターゲットを得ることができる。
脱脂したITO成形体(In2O3:SnO2(重量比)=90:10)を焼成板に載置した
状態でバッチ炉内に入れ、炉内に酸素濃度100%の酸素ガスを流しながら(炉内体積1m3あたりに1m3/h)、炉内を1600℃まで加熱し、該温度に8時間保持した後、炉内の酸素ガスを大気に置換して、大気を流しながら(炉内体積1m3あたりに1m3/h)、室温まで冷却し、ITO焼結体を得た。
℃の温度領域における冷却工程の平均降温レートは、175℃/hourであった。
焼成条件を下記に示す。
室温→(50℃/hr)→400℃→(100℃/hr)→800℃×4hr→(400℃/hr
)→1600℃×8hr→(−175℃/hr)→300℃→放冷→室温
得られたITO焼結体の抵抗率を四探針法に基づき、定電流電圧測定装置(ケースレー製;SMU236)と測定架台(共和理研製;K-504RS)および四探針プローブ(共和理研製;K89PS150μ)を使用して測定したところ、1.38×10-4(Ω・cm)であった。
バフ研磨して鏡面に仕上げた後、40℃のエッチング液(硝酸(60〜61%水溶液、関東化学(株)製、硝酸1.38 鹿1級 製品番号28161-03)、塩酸(35.0〜37.0%水溶液、関東化学(株)製、塩酸 鹿1級 製品番号18078-01)および水を体積比でHCl:H2O:HNO3=1:1:0.08の割合で混合)に9分間浸漬してエッチングし、現れた面を倍率3,000倍および30,000倍でSEM観察(JSM-6380A;JEOL製)し、In2O3母相内に
存在する微細粒子の最大径の平均値および該In2O3母相の粒界からの微細粒子フリーゾーンの幅の平均値をそれぞれ求めた。
このときのITO焼結体のSEM像(倍率;3,000倍)を図1に、さらにその微細粒子群部分を拡大したSEM像(倍率;30,000倍)を図2に示す。
その結果を、表1、表2および図4、図5に示す。
成膜条件:
装置;DCマグネトロンスパッタ装置、排気系;クライオポンプ、ロータリーポンプ
到達真空度;3.0×10-6Pa
スパッタ圧力;0.4Pa(窒素換算値、Ar圧力)、
酸素分圧;4.5〜13×10-3Pa
投入電力;600W(1.85W/cm2)
基板温度;100℃、250℃
膜厚;1200Å
ガラス基板;コーニング#1737(板厚0.8mm)
下記に示す焼成条件に従い、1600℃から400℃の温度領域における冷却工程の平均降温レートを30℃/hourとし、冷却工程の際にも、炉内に加熱工程と同じ条件で
酸素ガスを流しつづけた他は、実施例1と同様にしてITO焼結体を得た。
室温→(50℃/hr)→400℃→(100℃/hr)→800℃×4hr→(400℃/hr
)→1600℃×8hr→(−30℃/hr)→300℃→放冷→室温
得られたITO焼結体の抵抗率を実施例1と同様にして測定したところ、1.68×10-4(Ω・cm)であった。
その結果を、表1、表2および図4、図5に示す。
2: 微細粒子
3: 粒界
4: 化合物相
5: 微細粒子フリーゾーン
10: ITO焼結体
Claims (5)
- 主結晶粒であるIn2O3母相内に存在する微細粒子の最大径の平均値が0.2μm未満であることを特徴とするITO(Indium-Tin-Oxide)焼結体。
- 主結晶粒であるIn2O3母相の粒界からの微細粒子フリーゾーンの幅の平均値が0.3μm未満であることを特徴とするITO(Indium-Tin-Oxide)焼結体。
- 主結晶粒であるIn2O3母相内に存在する微細粒子の最大径の平均値が0.2μm未満であり、かつ、該In2O3母相の粒界からの微細粒子フリーゾーンの幅の平均値が0.3μm未満であることを特徴とするITO(Indium-Tin-Oxide)焼結体。
- スパッタリングターゲット材であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のITO焼結体。
- 請求項1〜3のいずれかに記載のITO焼結体と、バッキングプレートとを備えてなることを特徴とするITOスパッタリングターゲット。
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