JP2007207938A - 面発光半導体レーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】面発光半導体レーザ11では、半導体メサ15は、第1の分布ブラッグリフレクタ13と第2の分布ブラッグリフレクタ17との間に位置する。半導体メサ15は、第1の分布ブラッグリフレクタ13の第1のエリア13a上に設けられており、半導体メサ15では、活性領域29は第1導電型III−V化合物半導体層25と第2導電型III−V化合物半導体層27との間にある。埋め込み領域19は、第1の分布ブラッグリフレクタ13の第2のエリアと13b上において半導体メサ15を埋め込んでおり、また第1の第2導電型III−V化合物半導体からなる。スペーサ領域21は、第2の分布ブラッグリフレクタ17を埋め込んでおり、また第2の第2導電型III−V化合物半導体からなる。
【選択図】図1
Description
High Performance of 1.55-um Buried-Heterostructure Vertical-CavitySurface-Emitting Lasers, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, VOL.13, NO.9,SEPTEMBER 2001 pp.918-920
(1)この分布ブラッグリフレクタの抵抗を低くすることが技術的に難しいので、上記電流経路の抵抗を低減することが難しい。
(2)半導体メサを高抵抗な半導体層で埋め込み、そして半導体メサ上に電極を形成する必要があるので、半導体メサの上面の面積を小さくできない。メサ面積を小さくすると、コンタクト面積が小さくなり、この結果、コンタクト抵抗が高くなる。
(3)高抵抗半導体層の埋め込み層、コンタクト層、上部分布ブラッグリフレクタをそれぞれのエピタキシャル成長工程で形成するので、エピタキシャル成長回数が多くなり、プロセスも複雑になる。
(4)メサ形成後に高抵抗半導体層および上部分布ブラッグリフレクタを成長するので、エピタキシャル領域の平坦性が悪くなり、この結果として光学系の損失が多くなる。
図1は、本実施の形態に係る面発光半導体レーザを示す図面である。面発光半導体レーザ11は、第1の分布ブラッグリフレクタ13と、半導体メサ15と、第2の分布ブラッグリフレクタ17と、埋め込み領域19と、スペーサ領域21とを備える。第1の分布ブラッグリフレクタ13は第1および第2のIII−V化合物半導体層23a、23bを含んでおり、第1のIII−V化合物半導体層23a及び第2のIII−V化合物半導体層23bは、所定の軸の方向に交互に配置されている。第1のIII−V化合物半導体層23aの屈折率は第2のIII−V化合物半導体層23bの屈折率と異なる。また、第1の分布ブラッグリフレクタ13は、第1のエリア13aと該第1のエリア13aを囲む第2のエリア13bとを持つ主面13cを有する。半導体メサ15は、第1の分布ブラッグリフレクタ13の第1のエリア13a上に設けられている。半導体メサ15は、第1導電型III−V化合物半導体層25と、第2導電型III−V化合物半導体層27と、活性領域29とを含む。活性領域29は、第1導電型III−V化合物半導体層25と第2導電型III−V化合物半導体層27との間に設けられている。第2の分布ブラッグリフレクタ17は、半導体メサ15上に設けられている。また、第2の分布ブラッグリフレクタ17は、第3のIII−V化合物半導体層31a及び第4のIII−V化合物半導体層31bを含んでおり、第3および第4のIII−V化合物半導体層31a、31bは、所定の軸の方向に交互に配置されている。第3のIII−V化合物半導体層31aの屈折率は第4のIII−V化合物半導体層31bの屈折率と異なる。埋め込み領域19は、半導体メサ15を埋め込んでおり、また第1の第2導電型III−V化合物半導体からなる。スペーサ領域21は、第2の分布ブラッグリフレクタ17を埋め込んでおり、また第2の第2導電型III−V化合物半導体からなる。
・支持基体37:n型GaAs半導体基板
n型GaAsバッファ層、200nm、3×1018cm−3
・第1の分布ブラッグリフレクタ13:
第1のIII−V化合物半導体層23a:
n型GaAs、72.53nm、22層、3×1018cm−3
第2のIII−V化合物半導体層23b:
n型AlAs、86.51nm、23層、6×1017cm−3
第1GaAsカバー層、5nm、3×1018cm−3
第2GaAsカバー層、5nm、6×1017cm−3
・半導体メサ15:
第1導電型III−V化合物半導体層25(クラッド):
n型Ga0.52In0.48P半導体、121nm、7×1017cm−3
活性領域29(井戸層43a、障壁層43b):
障壁層:アンドープGaAs、14nm
井戸層:アンドープGa0.81In0.19As、8nm
障壁層:アンドープGaAs、8nm
井戸層:アンドープGa0.81In0.19As、8nm
障壁層:アンドープGaAs、14nm
組成傾斜層:アンドープGaInAsP、10nm
第2導電型III−V化合物半導体層27(クラッド):
p型Ga0.52In0.48P半導体、99.5nm、7×1017cm−3
組成傾斜層:GaInAsP、10nm、8〜9×1017cm−3
・第2の分布ブラッグリフレクタ17:
第3のIII−V化合物半導体層31a:
p型GaAs、72.65nm、22層、3×1018cm−3
第4のIII−V化合物半導体層31b:
p型AlAs、85.28nm、23層、7×1018cm−3
・埋め込み領域19:
p型Ga0.52In0.48P半導体、277nm、7×1017cm−3
・スペーサ領域21:
p型GaAs半導体、3548nm、5×1017cm−3
・コンタクト層33:GaAs、10nm、1×1018cm−3
である。
Eg(19)≧Eg(21)>Eg(29)
の関係がある。バンドギャップエネルギ差を利用して、活性領域29に電流が閉じ込められる。
引き続いて、面発光半導体レーザを作製する方法を説明する。図4(A)は、第1のエピタキシャル工程を示す図面である。GaAsウエハ51上に、有機金属気相成長法を用いてエピタキシャル成長を行う。第1の分布ブラッグリフレクタのための半導体膜53、第1導電型III−V化合物半導体層のための半導体膜55、活性領域のための半導体膜57、第2導電型III−V化合物半導体層のための半導体膜59、および第2の分布ブラッグリフレクタのための半導体膜61をGaAsウエハ51上に成長する。
Claims (7)
- 第1のエリアと該第1のエリアを囲む第2のエリアとを有する主面、並びに所定の軸の方向に交互に配置された第1のIII−V化合物半導体層及び第2のIII−V化合物半導体層を含む第1の分布ブラッグリフレクタと、
第1導電型III−V化合物半導体層と、第2導電型III−V化合物半導体層と、前記第1導電型III−V化合物半導体層と前記第2導電型III−V化合物半導体層との間に設けられた活性領域とを含んでおり前記第1の分布ブラッグリフレクタの前記第1のエリア上に設けられた半導体メサと、
前記所定の軸の方向に交互に配置された第3のIII−V化合物半導体層及び第4のIII−V化合物半導体層を含んでおり前記半導体メサ上に設けられた第2の分布ブラッグリフレクタと、
前記半導体メサを埋め込んでおり第1の第2導電型III−V化合物半導体からなる埋め込み領域と、
前記第2の分布ブラッグリフレクタを埋め込んでおり第2の第2導電型III−V化合物半導体からなるスペーサ領域と
を備える、ことを特徴とする面発光半導体レーザ。 - 前記スペーサ領域の前記第2の第2導電型III−V化合物半導体の構成元素は、アルミニウムを含まず、前記第2導電型III−V化合物半導体層の材料の構成元素と同じである、ことを特徴とする請求項1に記載された面発光半導体レーザ。
- 前記埋め込み領域の前記第1の第2導電型III−V化合物半導体のバンドギャップエネルギは前記第1導電型III−V化合物半導体層の材料のバンドギャップエネルギ以上であり、
前記第1導電型III−V化合物半導体層の材料のバンドギャップエネルギは前記活性領域の材料のバンドギャップエネルギより大きい、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載された面発光半導体レーザ。 - 前記第2導電型III−V化合物半導体層はGaInP混晶系半導体から成り、
前記第1導電型III−V化合物半導体層はGaInP混晶系半導体から成り、
前記埋め込み領域はGaInP混晶系半導体から成る、ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載された面発光半導体レーザ。 - 前記活性領域は、V族元素として窒素およびヒ素を少なくとも含むIII−V化合物半導体層を含む、ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載された面発光半導体レーザ。
- 前記スペーサ領域上に位置しておりIII−V化合物半導体からなるコンタクト層と、
前記スペーサ領域および前記コンタクト層上に設けられた電極と
を更に備える、ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載された面発光半導体レーザ。 - 前記第1の分布ブラッグリフレクタと前記埋め込み領域とはpn接合およびpin接合のいずれかを成しており、
前記第1導電型III−V化合物半導体層、前記第2導電型III−V化合物半導体層および前記活性領域は、pn接合およびpin接合のいずれかを成しており、
前記第1の分布ブラッグリフレクタおよび前記埋め込み領域から成る接合のビルトインポテンシャルは、前記第1導電型III−V化合物半導体層、前記第2導電型III−V化合物半導体層および前記活性領域から成る接合のビルトインポテンシャルより大きい、ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載された面発光半導体レーザ。
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