JP2007204367A - ヌクレオシド誘導体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】糖とピリミジン塩基またはプリン塩基とがグリコシド結合してなる糖−塩基部が複数結合したヌクレオシド誘導体であって、該糖−塩基部が1,2,3−トリアゾール環を含む有機基を介して結合した構造を含む、前記ヌクレオシド誘導体。
【選択図】なし
Description
(1)糖とピリミジン塩基またはプリン塩基とがグリコシド結合してなる糖−塩基部が複数結合したヌクレオシド誘導体であって、該糖−塩基部が1,2,3−トリアゾール環を含む有機基を介して結合した構造を含む、前記ヌクレオシド誘導体。
Xは、それぞれ独立して、ピリミジン塩基およびプリン塩基から選択され、
Yは、それぞれ独立して、1,2,3−トリアゾール環を含む、ヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基であり、
R1は、水素原子またはヒドロキシルであり、
mは、1〜500の整数である]
で表される構造を含む、(1)記載のヌクレオシド誘導体。
X、Y、R1およびmは、(2)と同義であり、
R2が、エチニル、ヒドロキシル、それらの保護形態、または核酸もしくはその誘導体であり、かつR3がヒドロキシル、その保護形態、アジド、または核酸もしくはその誘導体であるか、あるいは
R2が、ヒドロキシル、その保護形態、アジド、または核酸もしくはその誘導体であり、かつR3がエチニル、ヒドロキシル、それらの保護形態、または核酸もしくはその誘導体であり、
R4は、ヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基であり、
R5は、直接結合またはヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基である]
で表されるヌクレオシド誘導体。
Z1は、それぞれ独立して、直接結合またはヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基であり、
Z2は、それぞれ独立して、ヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基である]
のいずれかで表される、(2)または(3)記載のヌクレオシド誘導体。
XおよびR1は、(2)と同義であり、R4およびR5は、(3)と同義であり、
R2が、エチニルまたはその保護形態であり、かつR3が、アジドであるか、または
R2が、アジドであり、かつR3が、エチニルまたはその保護形態である]
で表される、化合物。
で表される化合物の、
3’−ヒドロキシルをアジド化し、5’−ヒドロキシルをアルキニル化すること、または
3’−ヒドロキシルをアルキニル化し、5’−ヒドロキシルをアジド化すること
を含む、(5)記載の化合物の製造方法。
(a)以下の式9:
XおよびR1は(2)と同義であり、R4は(3)と同義であり、
R2は、エチニルであり、
PGは、水素原子、ヒドロキシルの保護基または固相である]
で表される化合物に、
R2がエチニルの保護形態であり、R3がアジドである、(5)記載の式7の化合物を反応させる工程、
(b)エチニルの保護形態を脱保護する工程、
(c)工程bで脱保護した化合物に、R2がエチニルの保護形態であり、R3がアジドである(5)記載の式7の化合物を反応させる工程、
を含み、場合により(b)および(c)の工程を反復する、前記方法。
(a)以下の式10:
XおよびR1は(2)と同義であり、R5は(3)と同義であり、
R3は、エチニルであり、
PGは、水素原子、ヒドロキシルの保護基または固相である]
で表される化合物に、
R2がアジドであり、R3がエチニルの保護形態である(5)記載の式7の化合物を反応させる工程、
(b)エチニルの保護形態を脱保護する工程、
(c)工程bで脱保護した化合物に、R2がアジドであり、R3がエチニルの保護形態である、(5)記載の式7の化合物を反応させる工程、
を含み、場合により(b)および(c)の工程を反復する、前記方法。
(a)R2がエチニルの保護形態であり、R3がヒドロキシル、その保護形態またはアジドであり、1<m<nである(3)記載の式2の化合物を固相に結合する工程、
(b)エチニルの保護形態を脱保護する工程、
(c)工程bで脱保護した化合物に、R2がエチニルの保護形態であり、R3がアジドである(5)記載の式7の化合物を反応させる工程、
を含み、場合により(b)および(c)の工程を反復する、前記方法。
(a)R2がヒドロキシル、その保護形態またはアジドであり、R3がエチニルの保護形態であり、1<m<nである(3)記載の式2の化合物を固相に結合する工程、
(b)エチニルの保護形態を脱保護する工程、
(c)工程bで脱保護した化合物に、R2がアジドであり、R3がエチニルの保護形態である(5)記載の式7の化合物を反応させる工程、
を含み、場合により(b)および(c)の工程を反復する、前記方法。
で表される。ここで糖部分はリボフラノースまたはデオキシリボフラノースである。上記式において、好ましくは、ピリミジン塩基はN−1で、プリン塩基はN−9で、リボースのC−1にN−β−グリコシド結合する。
R2が、エチニル、ヒドロキシルもしくはそれらの保護形態、または核酸もしくはその誘導体であり、かつR3がヒドロキシル、その保護形態、アジドまたは核酸もしくはその誘導体であるか、または
R2が、ヒドロキシル、その保護形態、アジドまたは核酸もしくはその誘導体であり、かつR3がエチニル、ヒドロキシルもしくはそれらの保護形態、または核酸もしくはその誘導体であり、
R4は、ヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基であり、R5は、直接結合またはヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基である。ここでR4およびR5におけるヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基については、上記Z1およびZ2について記載したものと同様のものが挙げられる。
XおよびR1は、式1について記載したのと同様であり、R4およびR5は、式2について記載したのと同様であり、
R2が、エチニルまたはその保護形態であり、かつR3が、アジドであるか、または
R2が、アジドであり、かつR3が、エチニルまたはその保護形態である]
で表される化合物を用い、該化合物間でエチニルとアジドを反応させて1,2,3−トリアゾール環を形成させ、互いに連結することにより製造できる。
で表される化合物において、
3’−ヒドロキシルをアジド化し、5’−ヒドロキシルをアルキニル化するか、または
3’−ヒドロキシルをアルキニル化し、5’−ヒドロキシルをアジド化することにより製造できる。
XおよびR1は式1について記載したのと同様であり、R4は式2について記載したのと同様であり、
R2は、エチニルであり、
PGは、水素原子、ヒドロキシルの保護基または固相である]
で表される化合物に、
R2がエチニルの保護形態であり、R3がアジドである、上記式7の化合物を反応させる工程、
(b)エチニルの保護形態を脱保護する工程、
(c)工程bで脱保護した化合物に、R2がエチニルの保護形態であり、R3がアジドである上記式7の化合物を反応させる工程、
を含む方法において、場合により(b)および(c)の工程を反復することにより製造できる。ここで(a)および(c)の工程は、通常、一価銅錯体またはルテニウム錯体の存在下で反応を行う。
(a)以下の式10:
XおよびR1は式1について記載したのと同様であり、R5は式2について記載したのと同様であり、
R3は、エチニルであり、
PGは、水素原子、ヒドロキシルの保護基または固相である]
で表される化合物に、
R2がアジドであり、R3がエチニルの保護形態である上記式7の化合物を反応させる工程、
(b)エチニルの保護形態を脱保護する工程、
(c)工程bで脱保護した化合物に、R2がアジドであり、R3がエチニルの保護形態である、上記式7の化合物を反応させる工程、
を含む方法において、場合により(b)および(c)の工程を反復することにより製造できる。ここで(a)および(c)の工程は、通常、一価銅錯体またはルテニウム錯体の存在下で反応を行う。
(a)R2がエチニルの保護形態であり、R3がヒドロキシル、その保護形態またはアジドであり、1<m<n、好ましくは1<m<5である上記式2の化合物を固相に結合する工程(該工程においては通常R3を介して固相に結合する)
(b)エチニルの保護形態を脱保護する工程、
(c)工程bで脱保護した化合物に、R2がエチニルの保護形態であり、R3がアジドである上記式7の化合物を反応させる工程、
を含む方法において、(b)および(c)の工程を反復することにより製造できる。ここで(c)の工程は、通常、一価銅錯体またはルテニウム錯体の存在下で反応を行う。
(a)R2がヒドロキシル、その保護形態またはアジドであり、R3がエチニルの保護形態であり、1<m<n、好ましくは1<m<5である上記式2の化合物を固相に結合する工程(該工程においては通常R2を介して固相に結合する)、
(b)エチニルの保護形態を脱保護する工程、
(c)工程bで脱保護した化合物に、R2がアジドであり、R3がエチニルの保護形態である上記式7の化合物を反応させる工程、
を含む方法において、(b)および(c)の工程を反復することにより製造できる。ここで(c)の工程は、通常、一価銅錯体またはルテニウム錯体の存在下で反応を行う。
上記で得られたUTDNA2量体(86.2 μmol, 60.5 mg)のTHF溶液(0.862 mL)にテトラブチルアンモニウムフルオリドのTHF溶液(103 μmol, 1.0 M, 103 μL)を氷浴中で加えた。40分後、分液洗浄し、乾燥、溶媒留去することで粗生成物を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し目的生成物を74%の収率(63.8 μmol, 40.2 mg)で得た。
Claims (11)
- 糖とピリミジン塩基またはプリン塩基とがグリコシド結合してなる糖−塩基部が複数結合したヌクレオシド誘導体であって、該糖−塩基部が1,2,3−トリアゾール環を含む有機基を介して結合した構造を含む、前記ヌクレオシド誘導体。
- R2がエチニル、ヒドロキシルまたはそれらの保護形態であり、R3がヒドロキシル、その保護形態またはアジドである、請求項3記載の式2の化合物の製造方法であって、
(a)以下の式9:
XおよびR1は請求項2と同義であり、R4は請求項3と同義であり、
R2は、エチニルであり、
PGは、水素原子、ヒドロキシルの保護基または固相である]
で表される化合物に、
R2がエチニルの保護形態であり、R3がアジドである、請求項5記載の式7の化合物を反応させる工程、
(b)エチニルの保護形態を脱保護する工程、
(c)工程bで脱保護した化合物に、R2がエチニルの保護形態であり、R3がアジドである請求項5記載の式7の化合物を反応させる工程、
を含み、場合により(b)および(c)の工程を反復する、前記方法。 - R2がヒドロキシル、その保護形態またはアジドであり、R3がエチニル、ヒドロキシルまたはそれらの保護形態である、請求項3記載の式2の化合物の製造方法であって、
(a)以下の式10:
XおよびR1は請求項2と同義であり、R5は請求項3と同義であり、
R3は、エチニルであり、
PGは、水素原子、ヒドロキシルの保護基または固相である]
で表される化合物に、
R2がアジドであり、R3がエチニルの保護形態である請求項5記載の式7の化合物を反応させる工程、
(b)エチニルの保護形態を脱保護する工程、
(c)工程bで脱保護した化合物に、R2がアジドであり、R3がエチニルの保護形態である、請求項5記載の式7の化合物を反応させる工程、
を含み、場合により(b)および(c)の工程を反復する、前記方法。 - R2がエチニル、ヒドロキシルまたはそれらの保護形態であり、R3がヒドロキシル、その保護形態またはアジドであり、m=n(n>1)である請求項3記載の式2の化合物の製造方法であって、
(a)R2がエチニルの保護形態であり、R3がヒドロキシル、その保護形態またはアジドであり、1<m<nである請求項3記載の式2の化合物を固相に結合する工程、
(b)エチニルの保護形態を脱保護する工程、
(c)工程bで脱保護した化合物に、R2がエチニルの保護形態であり、R3がアジドである請求項5記載の式7の化合物を反応させる工程、
を含み、場合により(b)および(c)の工程を反復する、前記方法。 - R2がヒドロキシル、その保護形態またはアジドであり、R3がエチニル、ヒドロキシルまたはそれらの保護形態であり、m=n(n>1)である請求項3記載の式2の化合物の製造方法であって、
(a)R2がヒドロキシル、その保護形態またはアジドであり、R3がエチニルの保護形態であり、1<m<nである請求項3記載の式2の化合物を固相に結合する工程、
(b)エチニルの保護形態を脱保護する工程、
(c)工程bで脱保護した化合物に、R2がアジドであり、R3がエチニルの保護形態である請求項5記載の式7の化合物を反応させる工程、
を含み、場合により(b)および(c)の工程を反復する、前記方法。
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JP2011153111A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Tohoku Univ | Rna型非天然ヌクレオシド誘導体を調製するための中間体化合物の製造方法 |
WO2015137121A1 (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-17 | 国立大学法人東北大学 | アジド基を有するリボヌクレオシド類縁体及びその製造方法、並びに該類縁体から形成されるトリアゾール連結型オリゴリボヌクレオチドを含むキメラ型オリゴリボヌクレオチド類縁体 |
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