JP2007202280A - インバータモジュールの検査方法及び検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の検査方法は、P側スイッチング素子群の中から選択された2つ以上のP側スイッチング素子、若しくは、N側スイッチング素子群の中から選択された2つ以上のN側スイッチング素子に誘導負荷を接続する(S12)。次に、誘導負荷が接続された複数のスイッチング素子の各制御端子に順に短パルス信号を入力し(S14)、各スイッチング素子から出力される出力信号を測定する(S16)。そして、測定された出力信号が発振しているか否かを判定する(S18)。
【選択図】 図7
Description
上述したインバータモジュールによってモータ等を駆動する際には、P側入力端子が直流電源の+極に接続され、N側入力端子が直流電源の−極に接続される。各インバータユニットのP側スイッチング素子とN側スイッチング素子の中間点は、それぞれモータ等の交流入力端子に接続される。各インバータユニットのP側スイッチング素子の制御端子及びN側スイッチング素子の制御端子には、所定のタイミングで駆動信号が入力される。これによって、各インバータユニットのP側スイッチング素子とN側スイッチング素子がスイッチングし、P側スイッチング素子とN側スイッチング素子の中間点から交流信号が出力される。モータは、インバータモジュールから出力された交流信号によって駆動する。
特許文献1は、複数個のIGBTチップと複数個のダイオードチップを同一パッケージ内に並置した半導体装置の製造技術を開示している。この技術によると、まず、IGBTチップのスイッチング特性(ターンオン時間、ターンオフ時間等)を測定し、スイッチング特性の揃ったIGBTチップを選別する。次に、選別されたIGBTチップに対して静特性(飽和電圧、コレクタ・エミッタ耐圧等)を測定し、静特性の揃ったIGBTチップを選別する。また、ダイオードチップに対しては、静特性および逆回復特性の測定を行い、これらの特性が規格値内であるものを選別する。さらに、選別したダイオードから、逆回復特性のばらつきが10%以内となるようにダイオードチップを選別する。そして、選別されたIGBTチップとダイオードチップを組み込んで半導体装置を製造する。
そこで、本発明者らは、さらに種々の検討を行った結果、素子破壊を生じたインバータモジュールでは、P側スイッチング素子群の中から選択された2以上のスイッチング素子(又は、N側スイッチング素子群の中から選択された2以上のスイッチング素子)を誘導負荷に接続して、これらのスイッチング素子を高速で順にスイッチングすると、これらのスイッチング素子から出力される信号が発振することを発見した。本発明は、かかる知見に基づき創作されたものである。
この検査方法では、まず、P側スイッチング素子群の中から選択された2つ以上のP側スイッチング素子(若しくは、N側スイッチング素子群の中から選択された2つ以上のN側スイッチング素子)に誘導負荷を接続する。次に、誘導負荷が接続された複数のスイッチング素子の各制御端子に順に短パルス信号を入力する。そして、各制御端子に短パルス信号を入力したときの各スイッチング素子から出力される出力信号を測定し、測定された出力信号が発振しているか否かを判定する。
この検査方法によってスイッチング素子を駆動すると、不具合を有するインバータモジュールでは各スイッチング素子から出力される信号が発振し、不具合を有しないインバータモジュールでは各スイッチング素子から出力される信号が発振しない。したがって、各スイッチング素子から出力される信号の発信の有無を判定することで、インバータモジュールが不具合を有するか否かを判断することができる。
本発明の駆動方法によると、P型スイッチング素子群から選択された2以上のP型スイッチング素子(あるいは、N型スイッチング素子群から選択された2以上のN型スイッチング素子)を順に駆動する。このため、インバータモジュールでモータ等の機器を実際に駆動する場合よりも、これらのスイッチング素子を高速でスイッチングできる。スイッチング素子を高速でスイッチングすると、そのスイッチング素子と逆並列に配置されたダイオードは、ON状態から逆回復状態に短時間で切換えられる。これによって、スイッチング素子の異常なスイッチング(発振)が誘発されると考えられる。なお、1つのインバータユニットのP型スイッチング素子(又はN型スイッチング素子)のみを高速でスイッチングしても、スイッチング素子の異常なスイッチングは誘発されない。これは、複数のインバータユニットが相互に影響して異常なスイッチングを誘発しているものと思われる。
具体的な方法としては、例えば、出力信号と設定電圧値の比較結果の出力が変化した回数をカウントし、そのカウントした回数によって出力信号の発振の有無を判断することができる。あるいは、出力信号が設定電圧値より低い状態から設定電圧値より高い状態に変化した回数、または、出力信号が設定電圧値より高い状態から設定電圧値より低い状態に変化した回数により判定することもできる。
この検査装置では、検査対象となっているインバータモジュールを直流電源と誘導負荷に接続し、誘導負荷が接続されたスイッチング素子に短パルス信号入力部より短パルス信号を入力する。出力信号測定部はスイッチング素子の出力信号を測定し、判定部は測定結果から出力信号の発信の有無を判断する。したがって、この検査装置によると上述した検査方法を好適に実施することができる。
また、判定部は、出力信号の電圧が予め設定された電圧値を超えた回数に基づいて出力信号の発振の有無を判定することができる。
図1に示すようにインバータモジュール10は、入力する直流電力を3相の交流電力(U相,V相,W相)に変換するインバータ回路(22〜33)と、インバータ回路(22〜33)を駆動する制御回路20を有している(すなわち、インバータモジュール10は、いわゆるIPM(インテリジェント・パワー・モジュール)である)。
U相のインバータユニット(22〜25)は、IGBT22と、IGBT22に直列に接続されたIGBT24を有している。IGBT22とIGBT24の接続点からU相の交流電力が出力される。IGBT22のコレクタ端子はP側配線16に接続されており、IGBT22のエミッタ端子はIGBT24のコレクタ端子に接続されている。IGBT24のエミッタ端子はN側配線18に接続されている。IGBT22,24のゲート端子は、制御配線36a,36bによって制御回路20に接続されている。IGBT22,24は、制御回路20によってオン・オフされる。
また、IGBT22にはダイオード23が逆並列に接続されている。IGBT24にはダイオード25が逆並列に接続されている。ダイオード23,25は、誘導負荷に蓄積された電磁エネルギーによって生じるフライホイール電流をIGBT22,24のエミッタ端子側からコレクタ端子側に流す経路を形成する。
誘導負荷46は、インバータ回路(22〜33)のP側のIGBT22,26,30から選択された2つのIGBT、または、N側のIGBT24,28,32から選択された2つのIGBTに接続される。図1にはU相のP側IGBT22とV相のP側IGBT26に接続された状態が示されている。図1から明らかなように、IGBT22とIGBT26に誘導負荷46を接続する場合、誘導負荷46の一端を配線42によってIGBT22とIGBT26のエミッタ端子に接続し、誘導負荷46の他端を配線44によってN側配線18に接続する。また、V相のP側のIGBT26とW相のIGBT30に誘導負荷46を接続する場合は図5に示すように接続する。
なお、N側のIGBT24,28,32に接続する場合、誘導負荷46の一端をN側のIGBT24,28,32の中から選択した2つのIGBTのコレクタ端子に接続し、誘導負荷46の他端をP側配線18に接続する。図6にはU相のN側IGBT24とV相のN側のIGBT28に誘導負荷46を接続した例を示している。
パルスジェネレータ52は、制御回路20に入力する信号を制御することで、任意のIGBT22,24,26,28,30,32をオン・オフすることができ、また、IGBT22,24,26,28,30,32をオンしている時間、並びに、直前のIGBTをターンオフしてから次のIGBTをターンオンするまでの時間間隔を任意に調整することができる。パルスジェネレータ52から制御回路20に入力される信号は、コンピュータ54によって設定される。
次に、インバータモジュール10のIGBT22,24,26,28,30,32の中から選択した2つのIGBTに誘導負荷46を接続する(S12)。すなわち、P側のIGBT22,26,30から選択された2つのIGBT、または、N側のIGBT24,28,32から選択された2つのIGBTに誘導負荷46を接続する。
誘導負荷46に接続されたIGBTのゲート端子にパルス信号を入力すると同時に、パルス信号が入力されたIGBTから出力される出力信号の電圧を検出する(S16)。すなわち、電圧検出回路48によって誘導負荷46の両端の電位差を検出する。
図3は、IGBT22とIGBT26が異常な素子の場合に、IGBT22,26から出力される出力信号の電圧を模式的に示している(異常な素子の波形)。図3から明らかなように、IGBT22,26から出力される信号は、IGBT26のゲート端子にパルス信号を入力する際に発振が生じている(すなわち、IGBT26が異常なスイッチングを行っている)。コンピュータ54は、電圧検出回路48で検出される信号が図3に示すような発振現象を生じているか否かを判断する。
ここで、発振現象を生じているか否かの判断は、出力信号と予め設定されたスクリーニング電圧を比較することによって行うことができる。例えば、図4に示すように、出力信号がオン状態の電圧値より低く、出力信号がオフ状態の電圧値より高い、スクリーニング電圧を設定する。出力信号が発振すると(IGBTが異常なスイッチングを行うと)、出力信号の電圧はスクリーニング電圧より高い状態から低い状態へ、また、低い状態から高い状態への移行を繰返す。したがって、出力信号とスクリーニング電圧を比較し、出力信号とスクリーニング電圧とが交差するポイントをカウントすることで、出力信号が発振しているか否かを判断することができる。すなわち、IGBTのゲートがオンしている間に出力信号とスクリーニング電圧とが交差すれば(交差回数n≧1)、出力信号は発振していると判定できる。図4に示す例では交差回数n=4となっている。一方、IGBTのゲートがオンしている間に出力信号とスクリーニング電圧とが交差しなければ(n=0)、出力信号は発振していないと判断できる。
全てのIGBTの組合せについて検査を行っている場合(S20でYES)、検査したインバータモジュール10は良品と判定される(S26)。一方、全てのIGBTの組合せについて検査を行っていない場合(S20でNO)、誘導負荷46を接続するIGBTを変更し(S22)、ステップS14からの処理を繰り返す。これによって、全てのIGBTの組合せ、すなわち、IGBT(22,26),IGBT(26,30),IGBT(30,22),IGBT(24,28),IGBT(28,32),IGBT(32,24)について検査が行われる。
図8から明らかなように、素子破壊が生じたインバータモジュールでは、時間間隔tが1μsを超える条件では発振現象が現れず(すなわち、交差回数n=0)、時間間隔tが1μs以下の条件で発振現象が生じた(すなわち、交差回数n>0)。一方、素子破壊が生じていないインバータモジュールでは、時間間隔tが1μs以下の条件でも発振現象が生じていなかった(すなわち、交差回数n=0)。上記の結果より、自動車に搭載されるインバータモジュールでは、時間間隔tを1μs以下として検査を行うことで、インバータモジュールが正常か異常かを判断することができる。なお、時間間隔tは、検査対象となるインバータモジュールに応じて適宜設定することが好ましい。
例えば、上述した実施形態では、誘導負荷46を2つのIGBTに接続して検査する例を説明したが、本発明はこのような形態に限られない。例えば、図9に示すように、誘導負荷46を3つのIGBT22,26,30に接続して検査を行うようにしてもよい。この場合、IGBT22→IGBT26→IGABT30の順に、これらのIGBTをスイッチングさせて検査する。また、N側のIGBT24,28,32についても、これら3つのIGBT24,28,32に誘導負荷46を接続して検査を行えばよい。3つのIGBTに誘導負荷を接続すると、検査するIGBTの組合せが減り、短時間で検査を行うことができる。
また、上述した実施形態では、3相交流出力のインバータモジュールを検査する例であったが、本発明の検査対象となるインバータモジュールは3相交流出力に限られず、任意の数のインバータユニットが組み合わされたインバータモジュールを検査することができる。
なお、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
20・・制御回路
22,24,26,28,30,32・・IGBT
23,25,27,29,31,33・・ダイオード
40・・高圧電源
46・・誘導負荷
48・・電圧検出回路
52・・パルスジェネレータ
54・・コンピュータ
Claims (6)
- P側入力端子に接続されたP側スイッチング素子と、P側スイッチング素子に直列に接続されると共にN側入力端子に接続されたN側スイッチング素子と、P側スイッチング素子に逆並列に接続されたP側ダイオードと、N側スイッチング素子に逆並列に接続されたN側ダイオードとから構成されるインバータユニットを複数備えたインバータモジュールの検査方法であって、
P側スイッチング素子群の中から選択された2つ以上のP側スイッチング素子、若しくは、N側スイッチング素子群の中から選択された2つ以上のN側スイッチング素子に誘導負荷を接続する工程と、
誘導負荷が接続された複数のスイッチング素子の各制御端子に順に短パルス信号を入力する工程と、
各制御端子に短パルス信号を入力したときの各スイッチング素子から出力される出力信号を測定する工程と、
測定された出力信号が発振しているか否かを判定する工程と、を有することを特徴とするインバータモジュールの検査方法。 - 前記短パルス信号は、直前のスイッチング素子がターンオフしてから次のスイッチング素子がターンオンするまでの時間間隔が1μs以下となるように設定されていることを特徴とする請求項1に記載のインバータモジュールの検査方法。
- 前記判定工程は、出力信号の電圧と予め設定された電圧値とを比較することで出力信号の発振の有無を判定することを特徴とする請求項1又は2に記載のインバータモジュールの検査方法。
- P側入力端子に接続されたP側スイッチング素子と、P側スイッチング素子に直列に接続されると共にN側入力端子に接続されたN側スイッチング素子と、P側スイッチング素子に逆並列に接続されたP側ダイオードと、N側スイッチング素子に逆並列に接続されたN側ダイオードとから構成されるインバータユニットを複数備えたインバータモジュールを検査する装置であって、
被検対象となるインバータモジュールのP側入力端子及びN側入力端子に接続される直流電源と、
被検対象となるインバータモジュールのP側スイッチング素子群の中から選択された2以上のP側スイッチング素子、若しくは、N側スイッチング素子群の中から選択された2以上のN側スイッチング素子に接続される誘導負荷と、
誘導負荷が接続された複数のスイッチング素子の各制御端子に順に短パルス信号を入力させる短パルス信号入力部と、
各制御端子に短パルス信号が入力されたときの各スイッチング素子から出力される出力信号を測定する出力信号測定部と、
出力信号測定部によって測定された出力信号が発振しているか否かを判定する判定部と、を有することを特徴とするインバータモジュールの検査装置。 - 短パルス信号入力部は、直前のスイッチング素子がターンオフしてから次のスイッチング素子がターンオンするまでの時間間隔が1μs以下となるように、各制御端子に短パルス信号を入力させることを特徴とする請求項4に記載のインバータモジュールの検査装置。
- 判定部は、出力信号の電圧と予め設定された電圧値とを比較することで出力信号の発振の有無を判定することを特徴とする請求項4又は5に記載のインバータモジュールの検査装置。
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