JP2007200981A - 横型パワーmosfetおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】nウェル領域2の表面層に形成したpベース領域3および第1nオフセット領域4と、シリコン基板1表面に形成した選択酸化膜5と、選択酸化膜5の側面、pベース領域3の側面および第1nオフセット領域4の側面と接し、かつ、pベース領域3および第1nオフセット領域4よりも深く形成したトレンチ7と、トレンチ7底面に形成した第2nオフセット領域8と、トレンチ7の側壁に形成したゲート酸化膜9と、ゲート酸化膜9を介して形成したゲート電極10と、トレンチ7を埋め込み選択酸化膜5上に延びるフィールドプレート11と、表面層に形成したnソース領域12およびnドレイン領域13とを有する。トレンチ7肩部に選択酸化膜11を形成し、その上にフィールドプレート11を延在させる。
【選択図】 図1
Description
図11から図14は、図10の横型パワーMOSFETの製造方法を示す図であり、工程順に示した要部製造工程断面図である。
また、特許文献3では、ゲート電極配線層を形成するトレンチをフィールド絶縁膜に接するように形成することでトレンチ構造の横型MOSFETのゲート耐圧を向上させることができることが記載されている。
2 nウェル領域
3 pベース領域
4 第1nオフセット領域
5 選択酸化膜
6 マスク酸化膜
7 トレンチ
8 第2nオフセット領域
9 ゲート酸化膜
10 ゲート電極
11 フィールドプレート
12 nソース領域
13 nドレイン領域
14 層間絶縁膜
15 開口部
16 ソース電極配線
17 ドレイン電極配線
Claims (11)
- 半導体基板表面に形成した第1領域と、該第1領域の表面から内部に向って形成した溝と、該溝の一方の側壁と接し前記第1領域の表面層に形成した第2導電型の第2領域と、前記溝の他方の側壁と接し前記第1領域の表面層に形成した第1導電型の第3領域と、前記溝の底部と接し、前記第1領域に形成した第1導電型の第4領域と、前記溝の側壁と接し前記第2領域の表面層に形成した第1導電型の第5領域と、前記第3領域の表面層に形成した第1導電型の第6領域と、前記溝を埋設し、ゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極と、前記溝と接し前記第3領域の表面に形成した前記ゲート絶縁膜より厚い絶縁膜と、前記ゲート電極と接し前記厚い絶縁膜上に形成した導電膜と、前記第5領域上に形成した第1主電極と、前記第6領域上に形成した第2主電極とを有することを特徴とする横型パワーMOSFET。
- 前記溝の深さが、前記第2領域および前記第3領域より深いことを特徴とする請求項1に記載の横型パワーMOSFET。
- 前記溝の深さが、前記第2領域および前記第3領域より浅く、それぞれが前記第4領域と接することを特徴とする請求項1に記載の横型パワーMOSFET。
- 半導体基板表面に形成した第1領域と、該第1領域の表面から内部に向って形成した溝と、該溝の一方の側壁と接し前記第1領域の表面層に前記溝の深さより浅く形成した第2導電型の第2領域と、前記溝の他方の側壁と接し前記第1領域の表面層に形成した第1導電型の第3領域と、前記溝の側壁と接し前記第2領域の表面層に形成した第1導電型の第5領域と、前記第3領域の表面層に形成した第1導電型の第6領域と、前記溝を埋設し、ゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極と、前記溝と接し前記第3領域の表面に形成した前記ゲート絶縁膜より厚い絶縁膜と、前記ゲート電極と接し前記厚い絶縁膜上に形成した導電膜と、前記第5領域上に形成した第1主電極と、前記第6領域上に形成した第2主電極とを有することを特徴とする横型パワーMOSFET。
- 前記厚い絶縁膜が選択酸化膜であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の横型パワーMOSFET。
- 前記導電膜がフィールドプレートであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の横型パワーMOSFET。
- 前記ゲート電極と前記フィールドプレートがポリシリコンであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の横型パワーMOSFET。
- 前記第1主電極および前記第2主電極が層間絶縁膜に形成した開口部を介して第5領域および第6領域にそれぞれ接続することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の横型パワーMOSFET。
- 半導体基板表面に第1領域を形成する工程と、該第1領域の表面層に第2導電型の第2領域を形成する工程と、該第2領域と接し前記第1領域の表面層に第1導電型の第3領域を形成すると、該第3領域表面に厚い絶縁膜を形成する工程と、前記第2、第3領域および前記厚い絶縁膜とを跨ぎ、前記第2領域よりも深く溝を形成する工程と、該溝の底部と接し前記第1領域に第1導電型の第4領域を形成する工程と、該溝を埋設しゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、該ゲート電極に接続し前記厚い絶縁膜上に延在してフィールドプレートを同時に形成する工程と、前記溝の側壁と接し前記第2領域および前記第3領域の表面層に第5領域および第6領域をそれぞれ形成する工程と、前記半導体基板表面および前記ゲート電極上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に第5、第6領域とそれぞれ接続する開口部を形成する工程と、該開口部内に導体を埋め込む工程と、該導体と接続する第1主電極および第2主電極をそれぞれ形成する工程とを含むことを特徴とする横型パワーMOSFETの製造方法。
- 半導体基板表面に第1領域を形成する工程と、該第1領域の表面層に第2導電型の第2領域を形成する工程と、該第2領域と接し、前記第1領域の表面層に第1導電型の第3領域を形成すると、該第3領域表面に厚い絶縁膜を形成する工程と、前記第2、第3領域および前記厚い絶縁膜とを跨ぎ溝を形成する工程と、該溝の底部と接し前記第1領域に第1導電型の第4領域を形成する工程と、該溝を埋設し、該ゲート電極に接続し前記厚い絶縁膜上に延在してフィールドプレートを同時に形成する工程と、前記溝の側壁と接し前記第2および第3領域の表面層に第1導電型の第5および第6領域をそれぞれ形成する工程と、前記半導体基板表面および前記ゲート電極上に層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜に前記第5領域および第6領域とそれぞれ接続する開口部を形成する工程と、該開口部内に導体を埋め込む工程と、該導体と接続する第1主電極および第2主電極を形成する工程とを含むことを特徴とする横型パワーMOSFETの製造方法。
- 半導体基板表面に第1領域を形成する工程と、該第1領域の表面層に第2導電型の第2領域を形成する工程と、該第2領域と接し前記第1領域の表面層に第1導電型の第3領域を形成すると、該第3領域表面に厚い絶縁膜を形成する工程と、前記第2、第3領域および前記厚い絶縁膜とを跨ぎ、前記第2領域よりも深く溝を形成する工程と、該溝を埋設しゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、該ゲート電極に接続し前記厚い絶縁膜上に延在してフィールドプレートを同時に形成する工程と、前記溝の側壁と接し前記第2領域および前記第3領域の表面層に第5領域および第6領域をそれぞれ形成する工程と、前記半導体基板表面および前記ゲート電極上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に第5、第6領域とそれぞれ接続する開口部を形成する工程と、該開口部内に導体を埋め込む工程と、該導体と接続する第1主電極および第2主電極をそれぞれ形成する工程とを含むことを特徴とする横型パワーMOSFETの製造方法。
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- 2006-01-24 JP JP2006015082A patent/JP2007200981A/ja not_active Withdrawn
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