JP2007200968A - パターン面積値算出方法、近接効果補正方法及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】本発明の一態様のパターン面積値算出方法は、描画パターンを面積メッシュに仮想分割して、各面積メッシュの中心位置に定義される各面積値を電子ビーム描画の近接効果補正用に算出する方法であって、描画パターンを面積メッシュから1/2メッシュずらした同じメッシュサイズの図形分割メッシュに仮想分割する仮想分割工程(S104)と、各図形分割メッシュ内のパターンの面積値を重心位置が変わらないように各図形分割メッシュの複数の頂点に分配する面積値分配工程(S116)と、を備えたことを特徴とする。本発明の一態様によれば、後方散乱エネルギー分布の誤差を低減させることができる。
【選択図】 図1
Description
可変成形型電子線描画装置(EB(Electron beam)描画装置)における第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
しかしながら、メッシュ内に含まれる面積値は、かかるメッシュの中心に集まるようにみなして後方散乱エネルギー分布を見積もるため、実際のパターンの配置位置とはズレが生じてしまう。その結果、かかる後方散乱エネルギー分布にも誤差が生じてしまう。そして、かかる誤差が生じている後方散乱エネルギー分布をパターンの照射量を計算する際に利用することからかかる誤差分が影響して、計算されるビーム照射量にも誤差が生じてしまうといった問題があった。
LSIの集積度の増加により、高精度な近接効果補正が求められる中、かかる面積位置の不確定による誤差が、図形パターン近傍での補正精度を低下される要因となる。
荷電粒子ビームを用いて描画される描画パターンを所定の寸法の第1の升目に仮想分割して、各第1の升目の中心位置に定義される各第1の升目内のパターンの面積値を荷電粒子ビーム描画の近接効果補正用に算出する面積値算出方法であって、
描画パターンを第1の升目から所定の寸法の半分位置をずらした上述した所定の寸法の第2の升目に仮想分割する仮想分割工程と、
各第2の升目内のパターンの面積値を各第2の升目内のパターンの重心位置が変わらないように各第2の升目の複数の頂点に分配する面積値分配工程と、
を備えたことを特徴とする。
パターンの面積値を演算する面積値演算工程と、
パターンの重心位置を演算する重心位置演算工程と、
パターンの面積値とパターンの重心位置とに基づいて、パターンの重心モーメントを演算する重心モーメント演算工程と、
を備え、
面積値分配工程において、パターンの面積値とパターンの重心モーメントとを用いて、パターンの面積値を各第2の升目の複数の頂点に分配することを特徴とする。
荷電粒子ビームを用いて描画される描画パターンを所定の寸法の升目に仮想分割して、各升目の中心位置に定義される各升目内のパターンの面積値を用いて近接効果が補正された荷電粒子ビーム照射量を演算する近接効果補正方法であって、
各升目内のパターンの面積値の一部をかかる各升目内のパターンの重心位置が一致するように別の複数の升目の中心位置でも定義されるように分配することを特徴とする。
荷電粒子ビームを用いて描画される描画パターンを所定の寸法の升目に仮想分割する仮想分割工程と、
各升目内のパターンの面積値を各升目内のパターンの重心位置が一致するように各升目の中心位置と他の升目の中心位置とで定義されるように分配する面積値分配工程と、
面積値が分配された後に、各升目の中心位置で定義された面積値を用いて近接効果が補正された荷電粒子ビーム照射量を演算する照射量演算工程と、
荷電粒子ビームを用いて、かかる荷電粒子ビーム照射量で描画パターンを描画する描画工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1におけるフローチャートの要部を示す図である。
図1において、パターン面積値算出方法は、チェック及びメッシュサイズ算出工程(S102)、図形分割メッシュ仮想分割工程(S104)、図形座標及び図形サイズ読み込み工程(S106)、図形コード読み込み工程(S108)、メッシュ単位系変換工程(S110)、図形分割工程(S112)、面積、重心及びモーメント算出工程(S114)、面積値分散工程(S116)、面積値加算工程(S118)といった一連の工程を実施する。そして、近接効果補正方法では、かかるパターン面積値算出方法によって得られた面積値を用いて、さらに、面積率算出工程(S120)、ビーム照射量演算工程(S122)といった一連の工程を実施する。そして、荷電粒子ビーム描画方法は、かかる近接効果補正照射量の演算方法によって得られたビーム照射量を用いて、描画工程(S124)といった工程を実施する。
図2において、荷電粒子ビーム描画装置の一例として電子ビーム描画装置である描画装置100は、描画部150と制御系を備えている。描画部150では、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、ブランキング(BLK)偏向器212、ブランキング(BLK)アパーチャ214が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置されている。制御系では、偏向アンプ110、偏向制御回路112、描画データ発生回路120、ステージ制御回路142を備えている。描画データ発生回路120内では、近接効果補正部122、ショットデータ演算部124、ショットデータ展開部126、面積処理演算部130、記憶装置の一例となる磁気ディスク装置128が配置されている。面積処理演算部130内では、分割部132、面積演算部134、重心演算部136、モーメント演算部138、分配部140といった各機能を有している。磁気ディスク装置128には、パターンデータが格納されている。そして、面積処理演算部130には、磁気ディスク装置128から、かかるパターンデータが入力される。同様に、ショットデータ展開部126には、磁気ディスク装置128から、かかるパターンデータが入力される。図2では、実施の形態1を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
図3では、一例として、描画パターン10に描画されるべき図形パターン40と図形パターン50とが定義されている。ここでは、描画パターン10が、まず、近接効果補正処理用の面積メッシュ(第1の升目)に仮想分割されている。各面積メッシュは、所定の寸法幅で引かれた面積メッシュグリッド20(実線)で囲まれた領域として定義される。かかる面積メッシュは、所定の寸法(メッシュサイズ)として、描画パターンの座標および図形サイズを整数値で表現した場合の最小単位(以降AU単位系)を用いて表される2m/N(AU)に設定される。(通常1AUあたり数nmから数Åの値をとる)2m/Nに設定することで、以降必要とされる除算の演算を整数値のビットシフトで済ますことができる。その結果、演算量を低減することができる。例えば、12≦m≦15、1≦N≦7の値をとる。本実施の形態1における面積値算出方法では、後述する手法により、各かかる面積メッシュの中心位置に定義される各面積メッシュ内のパターンの面積値を電子ビーム描画の近接効果補正用に算出する。
変換式:(座標,長さ)[メッシュ]=(座標,長さ)[AU]×N/2m
図4は、実施の形態1における各図形分割メッシュで分割された図形パターンの一例を示す図である。
図4では、一例として、図形パターン40を図形分割メッシュ32と図形分割メッシュ34とで分割する場合を示している。その結果、図形分割メッシュ32には、面積Sの図形パターン40の一部となる面積S’の図形パターン42が分割される。そして、図形分割メッシュ34には、図形パターン40の一部となる面積S”の図形パターン44が分割される。S=S’+S”であることは言うまでもない。図形パターン50の分割については図示及び説明を省略する。
図5では、一例として、図形分割メッシュ32の様子を示している。図形分割メッシュ32に分割された図形パターン42の辺の長さが、x方向にL1、y方向にL2とすると、図形パターン42の面積S’=L1×L2で算出することができる。
gx1=x1+L1/2、gy1=y1+L2/2
S’gx1=S’×gx1、S’gy1=S’×gy1
言い換えれば、各面積メッシュ(升目)内のパターンの面積値を各面積メッシュ内のパターンの重心位置が一致するように各面積メッシュの中心位置となる図形分割メッシュの頂点と他の面積メッシュの中心位置となる図形分割メッシュの頂点とで定義されるように分配する。すなわち、各面積メッシュ内の図形パターンの面積値の一部を各面積メッシュ内のパターンの重心位置が一致するように別の複数の面積メッシュの中心位置でも定義されるように分配する。
図6では、一例として、図形分割メッシュ32の様子を示している。図形分割メッシュ32に分割された図形パターン42の面積値S’は、図形分割メッシュ32の4つの頂点(1〜4)に面積値S’1〜S’4として分散され、分配される。
分散される面積値はそれぞれ次式で示される。
S’1=S’−S’2−S’3−S’4
S’2=(S’gx1−S’gy1)/2+S’/4
S’3=(S’gy1−S’gx1)/2+S’/4
S’4=(S’gx1+S’gy1)/2−S’/4
かかる式に従うことで、図形分割メッシュ32の4つの頂点に定義された面積値S’1〜S’4を合成した場合の面積重心位置座標と図形パターン42の重心位置座標(gx1,gy1)とを一致させることができる。S’=S’1+S’2+S’3+S’4となることはいうまでもない。
また、図形分割メッシュ左下隅を原点(0,0)とし重心モーメントを算出すると
mesh単位系で表した図形分割メッシュサイズは1であるので、4つの頂点に配置された面積の合計の重心モーメントは
(1×S’2+1×S’4、1×S’3+1×S’4)
となり、上記式に夫々S’1〜S’4の式を代入すると図5(段落番号0038)で求めた重心モーメントと一致することがわかる。
図7では、一例として、図形分割メッシュ34の様子を示している。上述したように、面積値演算工程として、面積演算部134は、各図形の辺の長さから図形パターンの面積値を算出する。図形分割メッシュ34に分割された図形パターン44の辺の長さが、x方向にL1、y方向にL2とすると、図形パターン44の面積S”=L1×L2で算出することができる。
gx2=x2+L1/2、gy2=y2+L2/2
S”gx2=S”×gx2、S”gy2=S”×gy2
図8では、一例として、図形分割メッシュ34の様子を示している。図形分割メッシュ34に分割された図形パターン44の面積値S”は、図形分割メッシュ34の4つの頂点(1〜4)に面積値S”1〜S”4として分散され、分配される。
分散される面積値はそれぞれ次式で示される。
S”1=S”−S”2−S”3−S”4
S”2=(S”gx2−S”gy2)/2+S”/4
S”3=(S”gy2−S”gx2)/2+S”/4
S”4=(S”gx2+S”gy2)/2−S”/4
かかる式に従うことで、図形分割メッシュ34の4つの頂点に定義された面積値S”1〜S”4を合成した場合の面積重心位置座標と図形パターン44の重心位置座標(gx2,gy2)とを一致させることができる。S”=S”1+S”2+S”3+S”4となることはいうまでもない。
図9(a)には、一例として、図形分割メッシュ32と図形分割メッシュ34の様子を示している。図9(a)における頂点2の面積値S2は面積値S’1と面積値S”3の和となる。同様に、図9(a)における頂点5の面積値S5は面積値S’2と面積値S”4の和となる。このように頂点毎に累積加算した場合、図形分割メッシュ32と図形分割メッシュ34との6つの頂点に定義された面積値S1〜S6を合成した場合の面積重心位置座標と図形分割前の元の図形パターン40の重心位置座標(gx,gy)とを一致させることができる。図形パターン40の面積値S=S1+S2+S3+S4+S5+S6となることはいうまでもない。
図3に示す図形パターンの配置と同じ図形パターンの配置で面積メッシュ内の図形パターンの面積値を分散させない場合について説明する。図10(a)に示すように、面積メッシュ22内の図形パターン40の面積値を分散させない場合、面積メッシュ22の中心位置と、図形パターン40の重心位置座標(gx,gy)とがずれてしまうため、面積メッシュ22の中心位置に図形パターン40の面積値が定義されると、かかる面積値を用いて後方散乱エネルギー分布を求めた場合に、図形パターン40の配置位置とのズレが生じてしまう。その結果、図10(b)に示すように、求めた後方散乱エネルギー分布の位置と実際の図形パターンの後方散乱エネルギー分布との間に誤差Cが生じてしまう。そして、図形パターン50の位置にあたる誤差Dが図形パターン50の描画に影響を及ぼしてしまうことになる。
20 面積メッシュグリッド
22 面積メッシュ
30 図形分割メッシュグリッド
32,34 図形分割メッシュ
40,42,44,50 図形パターン
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 偏向アンプ
112 偏向制御回路
120 描画データ発生回路
122 近接効果補正部
124 ショットデータ演算部
126 ショットデータ展開部
128 磁気ディスク装置
130 面積処理演算部
132 分割部
134 面積演算部
136 重心演算部
138 モーメント演算部
140 分配部
142 ステージ制御回路
200 電子ビーム
201 電子銃
212 BLK偏向器
214 BLKアパーチャ
330 電子線
410 第1のアパーチャ
411 開口
420 第2のアパーチャ
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- 荷電粒子ビームを用いて描画される描画パターンを所定の寸法の第1の升目に仮想分割して、前記各第1の升目の中心位置に定義される前記各第1の升目内のパターンの面積値を荷電粒子ビーム描画の近接効果補正用に算出する面積値算出方法であって、
前記描画パターンを前記第1の升目から前記所定の寸法の半分位置をずらした前記所定の寸法の第2の升目に仮想分割する仮想分割工程と、
前記各第2の升目内のパターンの面積値を前記各第2の升目内のパターンの重心位置が変わらないように前記各第2の升目の複数の頂点に分配する面積値分配工程と、
を備えたことを特徴とするパターン面積値算出方法。 - 前記面積値分配工程において、他の第2の升目内のパターンの面積値が自己の第2の升目のいずれかの頂点に分配された場合には、頂点毎に累積加算することを特徴とする請求項1記載のパターン面積値算出方法。
- 前記パターン面積値算出方法は、さらに、
前記パターンの面積値を演算する面積値演算工程と、
前記パターンの重心位置を演算する重心位置演算工程と、
前記パターンの面積値と前記パターンの重心位置とに基づいて、前記パターンの重心モーメントを演算する重心モーメント演算工程と、
を備え、
前記面積値分配工程において、前記パターンの面積値と前記パターンの重心モーメントとを用いて、前記パターンの面積値を前記各第2の升目の複数の頂点に分配することを特徴とする請求項1記載のパターン面積値算出方法。 - 荷電粒子ビームを用いて描画される描画パターンを所定の寸法の升目に仮想分割して、前記各升目の中心位置に定義される各升目内のパターンの面積値を用いて近接効果が補正された荷電粒子ビーム照射量を演算する近接効果補正方法であって、
前記各升目内のパターンの面積値の一部を前記各升目内のパターンの重心位置が一致するように別の複数の升目の中心位置でも定義されるように分配することを特徴とする近接効果補正方法。 - 荷電粒子ビームを用いて描画される描画パターンを所定の寸法の升目に仮想分割する仮想分割工程と、
前記各升目内のパターンの面積値を前記各升目内のパターンの重心位置が一致するように前記各升目の中心位置と他の升目の中心位置とで定義されるように分配する面積値分配工程と、
面積値が分配された後に、前記各升目の中心位置で定義された面積値を用いて近接効果が補正された荷電粒子ビーム照射量を演算する照射量演算工程と、
前記荷電粒子ビームを用いて、前記荷電粒子ビーム照射量で前記描画パターンを描画する描画工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
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